JPS58214201A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS58214201A JPS58214201A JP57097932A JP9793282A JPS58214201A JP S58214201 A JPS58214201 A JP S58214201A JP 57097932 A JP57097932 A JP 57097932A JP 9793282 A JP9793282 A JP 9793282A JP S58214201 A JPS58214201 A JP S58214201A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックコンデンサおよび電5.歪素子など
の用途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物
に関するものである。
の用途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物
に関するものである。
従来、上記の用途には、BaTto3.BaSnO3゜
Ca T iO3などを主成分とし、これを種々の添加
物などで変性しグ磁器が実用化されている。これらの磁
器は常温付近の誘電率を大きくすると誘電率の温度変化
率が大きくなり、一方、誘電率の温度変化率を小さくす
ると常温の誘電率が小さくなり、誘電率が大きくかつ誘
電率の温度変化率め小さい磁器を得ることは困難であっ
た。
Ca T iO3などを主成分とし、これを種々の添加
物などで変性しグ磁器が実用化されている。これらの磁
器は常温付近の誘電率を大きくすると誘電率の温度変化
率が大きくなり、一方、誘電率の温度変化率を小さくす
ると常温の誘電率が小さくなり、誘電率が大きくかつ誘
電率の温度変化率め小さい磁器を得ることは困難であっ
た。
本発明はこのような欠点を改善し、誘電率が大きく、か
つ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成物を提供するも
のである。すなわち、本発明の組原子の15%以下をS
r、CaおよびBa原子のうちの一種以上で置換した組
成を含む)からなるか、またはこれを主成分とすること
を特徴とする高誘電率磁器組成物である。
つ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成物を提供するも
のである。すなわち、本発明の組原子の15%以下をS
r、CaおよびBa原子のうちの一種以上で置換した組
成を含む)からなるか、またはこれを主成分とすること
を特徴とする高誘電率磁器組成物である。
誘電材料の具備すべき特性はその用途により異なるが、
七ラミックコンデンサおよび電歪素子などでは誘電率が
犬きく、かつその温度変化率の小さい材料が要求される
。なお、誘電率が大きいことはコンデンサなどの小形化
に重要である。また広い温度範囲で安定した特性を得る
ためには材料定数特に誘電率の温度変化率を小さくする
必要がある。本発明はこのような用途に適する磁器組成
物を提供する。以下に本発明を実施例により説明する。
七ラミックコンデンサおよび電歪素子などでは誘電率が
犬きく、かつその温度変化率の小さい材料が要求される
。なお、誘電率が大きいことはコンデンサなどの小形化
に重要である。また広い温度範囲で安定した特性を得る
ためには材料定数特に誘電率の温度変化率を小さくする
必要がある。本発明はこのような用途に適する磁器組成
物を提供する。以下に本発明を実施例により説明する。
実施列1
原料としてPbO,NiO,Nb2O5,ZnO,Ba
CO3゜Sr■3. Ca Co 3を用いて、これら
を第1表に示した組成比に秤量し混合したものを850
Cで2時間仮焼してから、ボールミルで湿式粉砕した。
CO3゜Sr■3. Ca Co 3を用いて、これら
を第1表に示した組成比に秤量し混合したものを850
Cで2時間仮焼してから、ボールミルで湿式粉砕した。
粉砕したものを乾燥したのち、ポリビニルアルコールの
水溶液をバインダとして直径13mm、長さ約10fr
r!nの円柱状に加圧成形し、これ企マグネシア磁器製
容器に入れて、980〜1160Cで2時間焼成した。
水溶液をバインダとして直径13mm、長さ約10fr
r!nの円柱状に加圧成形し、これ企マグネシア磁器製
容器に入れて、980〜1160Cで2時間焼成した。
焼成した磁器を厚さ1論に切断し、この両面に電極とし
てCr −A uを蒸着したのち誘電率(εr)と誘電
圧接(D)を1敗で室温に於いて測定した。誘電率の温
度変化率は20Cを基準として一25t?〜85Cの範
囲で測定した。その結果を第1表に示す。
てCr −A uを蒸着したのち誘電率(εr)と誘電
圧接(D)を1敗で室温に於いて測定した。誘電率の温
度変化率は20Cを基準として一25t?〜85Cの範
囲で測定した。その結果を第1表に示す。
以 下 余 白
錆1表
X印は比較例
第1表で胤1と17は本発明の範囲外の実施例であシ、
No、2“〜16は本発明の実施例である。−第1表か
ら明らかなように、本発明の範囲内の組成物よりなる磁
器は、大きな誘電率(εr)(4080〜8180)と
比較的小さな誘電率の温度変化率(−26〜85Cの温
度範囲で一51〜78%)を示す。すなわち、これは、
’ XPbNi〆N b、o3−(1#X ) Pb
Zn、Nb%03系o限うt’L;e範囲内(X=0.
2〜o、s )で4000以上の大きな誘電率を示すも
のである。また、焼成温度が980〜1140Cの範囲
内であり、従来のBaTio3糸材料に比べていちじる
しく低いことも本発明の特長である。
No、2“〜16は本発明の実施例である。−第1表か
ら明らかなように、本発明の範囲内の組成物よりなる磁
器は、大きな誘電率(εr)(4080〜8180)と
比較的小さな誘電率の温度変化率(−26〜85Cの温
度範囲で一51〜78%)を示す。すなわち、これは、
’ XPbNi〆N b、o3−(1#X ) Pb
Zn、Nb%03系o限うt’L;e範囲内(X=0.
2〜o、s )で4000以上の大きな誘電率を示すも
のである。また、焼成温度が980〜1140Cの範囲
内であり、従来のBaTio3糸材料に比べていちじる
しく低いことも本発明の特長である。
以上のように、本発明の組成物は誘電率が大きく、かつ
その温度変化率が小さく、更には焼成温度が低いという
特長をもつため、セラミックコンデンサ用組成物、特に
積層コンデンサ用材料として工業的価値が高いものであ
る。
その温度変化率が小さく、更には焼成温度が低いという
特長をもつため、セラミックコンデンサ用組成物、特に
積層コンデンサ用材料として工業的価値が高いものであ
る。
実施例2
実施例1に記載した方法で作製した円板状試料の両電極
間に電圧(0、01Hzで測定)を印加しそのときの試
料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用・いて測定した
。歪の測定は試料をシリコン油中につけて行なった。陥
3と5の試料では印加電圧が20 K V /Cmの場
合に電歪は室温でそれぞれ0 +48X10 ”−’と
0 、39X 10″″3であった。また、この歪の温
度による変化は一20〜eocの温度範囲でそれぞれ1
1チと23チであった。本発明の組成物は電歪が大きく
、かつ歪の温度による変化が小さいため、VTRオート
トラッキング用ヘッド駆動素子* ミ7 III御素子
、貼り合わせ型の九わみ素子などの各種の変化素子に適
している。
間に電圧(0、01Hzで測定)を印加しそのときの試
料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用・いて測定した
。歪の測定は試料をシリコン油中につけて行なった。陥
3と5の試料では印加電圧が20 K V /Cmの場
合に電歪は室温でそれぞれ0 +48X10 ”−’と
0 、39X 10″″3であった。また、この歪の温
度による変化は一20〜eocの温度範囲でそれぞれ1
1チと23チであった。本発明の組成物は電歪が大きく
、かつ歪の温度による変化が小さいため、VTRオート
トラッキング用ヘッド駆動素子* ミ7 III御素子
、貼り合わせ型の九わみ素子などの各種の変化素子に適
している。
以上のように本発明あ高誘電率磁器組成物は、誘電率が
大きく、かつ誘電率の温度による変化が小さく、焼成温
度もいちじるしく低いため、セラミックコンデンサ用材
料として有用であるとともに電歪が大きくかつその温度
による変化が小さいという特長を持つため、各種の変位
素子用材料ととしても利用価値が高いものである。
大きく、かつ誘電率の温度による変化が小さく、焼成温
度もいちじるしく低いため、セラミックコンデンサ用材
料として有用であるとともに電歪が大きくかつその温度
による変化が小さいという特長を持つため、各種の変位
素子用材料ととしても利用価値が高いものである。
なお、本発明でXの値が0.2未満とXの値が0.8を
越え組成、およびpbのSr、Ba、ならびにCaのう
ちの少なくとも一つによる置換が16チを越える組成は
、誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、本
発明の範囲を誘電率が4000以上の組成に限定した。
越え組成、およびpbのSr、Ba、ならびにCaのう
ちの少なくとも一つによる置換が16チを越える組成は
、誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、本
発明の範囲を誘電率が4000以上の組成に限定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 らなり、またはこの組成物を主成分とすることを特徴と
する高誘電率磁器組成物。 H)pb原子の15%以下をS r 、 Ca及びBa
原子のうちの一種以上で置換したことを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57097932A JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57097932A JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58214201A true JPS58214201A (ja) | 1983-12-13 |
JPS6050006B2 JPS6050006B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=14205441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57097932A Expired JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6050006B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63233037A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-09-28 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
WO1991009814A1 (fr) * | 1989-12-22 | 1991-07-11 | Marcon Electronics Co., Ltd. | Composition a base de ceramique et composant electronique fabrique a partir d'une telle composition |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57097932A patent/JPS6050006B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63233037A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-09-28 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
WO1991009814A1 (fr) * | 1989-12-22 | 1991-07-11 | Marcon Electronics Co., Ltd. | Composition a base de ceramique et composant electronique fabrique a partir d'une telle composition |
US5182695A (en) * | 1989-12-22 | 1993-01-26 | Marcon Electronics Co., Ltde. | Ceramic composition and electronic part using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6050006B2 (ja) | 1985-11-06 |
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