JPS58214201A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS58214201A JPS58214201A JP57097932A JP9793282A JPS58214201A JP S58214201 A JPS58214201 A JP S58214201A JP 57097932 A JP57097932 A JP 57097932A JP 9793282 A JP9793282 A JP 9793282A JP S58214201 A JPS58214201 A JP S58214201A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックコンデンサおよび電５．歪素子など
の用途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物
に関するものである。
の用途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物
に関するものである。
従来、上記の用途には、ＢａＴｔｏ３．ＢａＳｎＯ３゜
Ｃａ Ｔ ｉＯ３などを主成分とし、これを種々の添加
物などで変性しグ磁器が実用化されている。これらの磁
器は常温付近の誘電率を大きくすると誘電率の温度変化
率が大きくなり、一方、誘電率の温度変化率を小さくす
ると常温の誘電率が小さくなり、誘電率が大きくかつ誘
電率の温度変化率め小さい磁器を得ることは困難であっ
た。
Ｃａ Ｔ ｉＯ３などを主成分とし、これを種々の添加
物などで変性しグ磁器が実用化されている。これらの磁
器は常温付近の誘電率を大きくすると誘電率の温度変化
率が大きくなり、一方、誘電率の温度変化率を小さくす
ると常温の誘電率が小さくなり、誘電率が大きくかつ誘
電率の温度変化率め小さい磁器を得ることは困難であっ
た。
本発明はこのような欠点を改善し、誘電率が大きく、か
つ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成物を提供するも
のである。すなわち、本発明の組原子の１５％以下をＳ
ｒ、ＣａおよびＢａ原子のうちの一種以上で置換した組
成を含む）からなるか、またはこれを主成分とすること
を特徴とする高誘電率磁器組成物である。
つ誘電率の温度変化率が小さい磁器組成物を提供するも
のである。すなわち、本発明の組原子の１５％以下をＳ
ｒ、ＣａおよびＢａ原子のうちの一種以上で置換した組
成を含む）からなるか、またはこれを主成分とすること
を特徴とする高誘電率磁器組成物である。
誘電材料の具備すべき特性はその用途により異なるが、
七ラミックコンデンサおよび電歪素子などでは誘電率が
犬きく、かつその温度変化率の小さい材料が要求される
。なお、誘電率が大きいことはコンデンサなどの小形化
に重要である。また広い温度範囲で安定した特性を得る
ためには材料定数特に誘電率の温度変化率を小さくする
必要がある。本発明はこのような用途に適する磁器組成
物を提供する。以下に本発明を実施例により説明する。
七ラミックコンデンサおよび電歪素子などでは誘電率が
犬きく、かつその温度変化率の小さい材料が要求される
。なお、誘電率が大きいことはコンデンサなどの小形化
に重要である。また広い温度範囲で安定した特性を得る
ためには材料定数特に誘電率の温度変化率を小さくする
必要がある。本発明はこのような用途に適する磁器組成
物を提供する。以下に本発明を実施例により説明する。
実施列１
原料としてＰｂＯ，ＮｉＯ，Ｎｂ２Ｏ５，ＺｎＯ，Ｂａ
ＣＯ３゜Ｓｒ■３． Ｃａ Ｃｏ ３を用いて、これら
を第１表に示した組成比に秤量し混合したものを８５０
Ｃで２時間仮焼してから、ボールミルで湿式粉砕した。
ＣＯ３゜Ｓｒ■３． Ｃａ Ｃｏ ３を用いて、これら
を第１表に示した組成比に秤量し混合したものを８５０
Ｃで２時間仮焼してから、ボールミルで湿式粉砕した。
粉砕したものを乾燥したのち、ポリビニルアルコールの
水溶液をバインダとして直径１３ｍｍ、長さ約１０ｆｒ
ｒ！ｎの円柱状に加圧成形し、これ企マグネシア磁器製
容器に入れて、９８０〜１１６０Ｃで２時間焼成した。
水溶液をバインダとして直径１３ｍｍ、長さ約１０ｆｒ
ｒ！ｎの円柱状に加圧成形し、これ企マグネシア磁器製
容器に入れて、９８０〜１１６０Ｃで２時間焼成した。
焼成した磁器を厚さ１論に切断し、この両面に電極とし
てＣｒ −Ａ ｕを蒸着したのち誘電率（εｒ）と誘電
圧接（Ｄ）を１敗で室温に於いて測定した。誘電率の温
度変化率は２０Ｃを基準として一２５ｔ？〜８５Ｃの範
囲で測定した。その結果を第１表に示す。
てＣｒ −Ａ ｕを蒸着したのち誘電率（εｒ）と誘電
圧接（Ｄ）を１敗で室温に於いて測定した。誘電率の温
度変化率は２０Ｃを基準として一２５ｔ？〜８５Ｃの範
囲で測定した。その結果を第１表に示す。
以 下 余 白
錆１表
Ｘ印は比較例
第１表で胤１と１７は本発明の範囲外の実施例であシ、
Ｎｏ、２“〜１６は本発明の実施例である。−第１表か
ら明らかなように、本発明の範囲内の組成物よりなる磁
器は、大きな誘電率（εｒ）（４０８０〜８１８０）と
比較的小さな誘電率の温度変化率（−２６〜８５Ｃの温
度範囲で一５１〜７８％）を示す。すなわち、これは、
’ ＸＰｂＮｉ〆Ｎ ｂ、ｏ３−（１＃Ｘ ） Ｐｂ
Ｚｎ、Ｎｂ％０３系ｏ限うｔ’Ｌ；ｅ範囲内（Ｘ＝０．
２〜ｏ、ｓ ）で４０００以上の大きな誘電率を示すも
のである。また、焼成温度が９８０〜１１４０Ｃの範囲
内であり、従来のＢａＴｉｏ３糸材料に比べていちじる
しく低いことも本発明の特長である。
Ｎｏ、２“〜１６は本発明の実施例である。−第１表か
ら明らかなように、本発明の範囲内の組成物よりなる磁
器は、大きな誘電率（εｒ）（４０８０〜８１８０）と
比較的小さな誘電率の温度変化率（−２６〜８５Ｃの温
度範囲で一５１〜７８％）を示す。すなわち、これは、
’ ＸＰｂＮｉ〆Ｎ ｂ、ｏ３−（１＃Ｘ ） Ｐｂ
Ｚｎ、Ｎｂ％０３系ｏ限うｔ’Ｌ；ｅ範囲内（Ｘ＝０．
２〜ｏ、ｓ ）で４０００以上の大きな誘電率を示すも
のである。また、焼成温度が９８０〜１１４０Ｃの範囲
内であり、従来のＢａＴｉｏ３糸材料に比べていちじる
しく低いことも本発明の特長である。
以上のように、本発明の組成物は誘電率が大きく、かつ
その温度変化率が小さく、更には焼成温度が低いという
特長をもつため、セラミックコンデンサ用組成物、特に
積層コンデンサ用材料として工業的価値が高いものであ
る。
その温度変化率が小さく、更には焼成温度が低いという
特長をもつため、セラミックコンデンサ用組成物、特に
積層コンデンサ用材料として工業的価値が高いものであ
る。
実施例２
実施例１に記載した方法で作製した円板状試料の両電極
間に電圧（０、０１Ｈｚで測定）を印加しそのときの試
料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用・いて測定した
。歪の測定は試料をシリコン油中につけて行なった。陥
３と５の試料では印加電圧が２０ Ｋ Ｖ ／Ｃｍの場
合に電歪は室温でそれぞれ０ ＋４８Ｘ１０ ”−’と
０ 、３９Ｘ １０″″３であった。また、この歪の温
度による変化は一２０〜ｅｏｃの温度範囲でそれぞれ１
１チと２３チであった。本発明の組成物は電歪が大きく
、かつ歪の温度による変化が小さいため、ＶＴＲオート
トラッキング用ヘッド駆動素子＊ ミ７ ＩＩＩ御素子
、貼り合わせ型の九わみ素子などの各種の変化素子に適
している。
間に電圧（０、０１Ｈｚで測定）を印加しそのときの試
料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用・いて測定した
。歪の測定は試料をシリコン油中につけて行なった。陥
３と５の試料では印加電圧が２０ Ｋ Ｖ ／Ｃｍの場
合に電歪は室温でそれぞれ０ ＋４８Ｘ１０ ”−’と
０ 、３９Ｘ １０″″３であった。また、この歪の温
度による変化は一２０〜ｅｏｃの温度範囲でそれぞれ１
１チと２３チであった。本発明の組成物は電歪が大きく
、かつ歪の温度による変化が小さいため、ＶＴＲオート
トラッキング用ヘッド駆動素子＊ ミ７ ＩＩＩ御素子
、貼り合わせ型の九わみ素子などの各種の変化素子に適
している。
以上のように本発明あ高誘電率磁器組成物は、誘電率が
大きく、かつ誘電率の温度による変化が小さく、焼成温
度もいちじるしく低いため、セラミックコンデンサ用材
料として有用であるとともに電歪が大きくかつその温度
による変化が小さいという特長を持つため、各種の変位
素子用材料ととしても利用価値が高いものである。
大きく、かつ誘電率の温度による変化が小さく、焼成温
度もいちじるしく低いため、セラミックコンデンサ用材
料として有用であるとともに電歪が大きくかつその温度
による変化が小さいという特長を持つため、各種の変位
素子用材料ととしても利用価値が高いものである。
なお、本発明でＸの値が０．２未満とＸの値が０．８を
越え組成、およびｐｂのＳｒ、Ｂａ、ならびにＣａのう
ちの少なくとも一つによる置換が１６チを越える組成は
、誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、本
発明の範囲を誘電率が４０００以上の組成に限定した。
越え組成、およびｐｂのＳｒ、Ｂａ、ならびにＣａのう
ちの少なくとも一つによる置換が１６チを越える組成は
、誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、本
発明の範囲を誘電率が４０００以上の組成に限定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 らなり、またはこの組成物を主成分とすることを特徴と
する高誘電率磁器組成物。 Ｈ）ｐｂ原子の１５％以下をＳ ｒ 、 Ｃａ及びＢａ
原子のうちの一種以上で置換したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097932A JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097932A JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214201A true JPS58214201A (ja) | 1983-12-13 |
| JPS6050006B2 JPS6050006B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=14205441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097932A Expired JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050006B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63233037A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-09-28 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
| WO1991009814A1 (fr) * | 1989-12-22 | 1991-07-11 | Marcon Electronics Co., Ltd. | Composition a base de ceramique et composant electronique fabrique a partir d'une telle composition |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57097932A patent/JPS6050006B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63233037A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-09-28 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
| WO1991009814A1 (fr) * | 1989-12-22 | 1991-07-11 | Marcon Electronics Co., Ltd. | Composition a base de ceramique et composant electronique fabrique a partir d'une telle composition |
| US5182695A (en) * | 1989-12-22 | 1993-01-26 | Marcon Electronics Co., Ltde. | Ceramic composition and electronic part using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050006B2 (ja) | 1985-11-06 |
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