JPS5821340A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS5821340A JPS5821340A JP56117635A JP11763581A JPS5821340A JP S5821340 A JPS5821340 A JP S5821340A JP 56117635 A JP56117635 A JP 56117635A JP 11763581 A JP11763581 A JP 11763581A JP S5821340 A JPS5821340 A JP S5821340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- layer
- region
- substrate
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子にかかり、特に半導体素子におけ
るＰＮ接会の露出部に対するガラスパシベーションの改
良に関する。
るＰＮ接会の露出部に対するガラスパシベーションの改
良に関する。
従来半導体素子における表面安定化（％＄＄斥ａｔｉｏ
ｎ）のためにＰＮｌｉ会の露出部を被覆するパシベーシ
ョン被膜としてワニス、ゴム、二酸化シリコン、ガラス
等が用いられていた。上記のうち、ワニス、ゴム等は外
部からの汚染に対するブロック効果がガラスより劣り、
二酸化シリコンは厚い被膜の形成が技術的に困−でアル
カリイオンなどめドリフトが比較的大きい。
ｎ）のためにＰＮｌｉ会の露出部を被覆するパシベーシ
ョン被膜としてワニス、ゴム、二酸化シリコン、ガラス
等が用いられていた。上記のうち、ワニス、ゴム等は外
部からの汚染に対するブロック効果がガラスより劣り、
二酸化シリコンは厚い被膜の形成が技術的に困−でアル
カリイオンなどめドリフトが比較的大きい。
畝上にもとづいて表面安定度が嵐好である上に厚い被膜
の形成が容重なガラスが多く用いられている。ところで
ガラスの組成によっても一長一短があり、従来はＺｎＯ
系、ＰｂＯ系のものが用いられていた。このＺａＯ系ガ
□ラス（ＺｎＯを重量−で４０ｓ以上含むガラス）はＢ
Ｔ（Ｂｉａｓ ｔａｗｐｅｒａｔｗの）安定性は優れる
も、耐薬品性（４１に酸性薬品）が弱いため、パシベー
ション（＊、威→後の４４１ｚ７＋ン／工程において侵
蝕されやすい欠点がある。一方、ＰｂＯ系ガラス（ｐｂ
ｏを重量−で３０−以上含むガラス）は耐薬品性は優れ
るも、Ｐｂイオンが鳥温で動きやす（ＢＴ安定性が悪い
。さらにシリコンとの熱膨張係数差が大きいため、ウェ
ハまたはペレットの反りが大になり割れなどの原因にな
りやすい。次に結晶化されたガラス（結晶化ガラス）は
シリコンとの熱膨張係数差は小さく、就中ＺｎＯ系の結
晶化ガラスは熱廖彊係歇が小さいと認められるが、リー
ク電流が大会いという重大な欠点がある。
の形成が容重なガラスが多く用いられている。ところで
ガラスの組成によっても一長一短があり、従来はＺｎＯ
系、ＰｂＯ系のものが用いられていた。このＺａＯ系ガ
□ラス（ＺｎＯを重量−で４０ｓ以上含むガラス）はＢ
Ｔ（Ｂｉａｓ ｔａｗｐｅｒａｔｗの）安定性は優れる
も、耐薬品性（４１に酸性薬品）が弱いため、パシベー
ション（＊、威→後の４４１ｚ７＋ン／工程において侵
蝕されやすい欠点がある。一方、ＰｂＯ系ガラス（ｐｂ
ｏを重量−で３０−以上含むガラス）は耐薬品性は優れ
るも、Ｐｂイオンが鳥温で動きやす（ＢＴ安定性が悪い
。さらにシリコンとの熱膨張係数差が大きいため、ウェ
ハまたはペレットの反りが大になり割れなどの原因にな
りやすい。次に結晶化されたガラス（結晶化ガラス）は
シリコンとの熱膨張係数差は小さく、就中ＺｎＯ系の結
晶化ガラスは熱廖彊係歇が小さいと認められるが、リー
ク電流が大会いという重大な欠点がある。
このｌｉ＠は上記事情に―みてなされたもので、半導体
素子の高耐圧、高信頼性を向上させるためにガラスパシ
ベーションの改良された構造を提供する。
素子の高耐圧、高信頼性を向上させるためにガラスパシ
ベーションの改良された構造を提供する。
以下に１実施例のメ量溝を有する半導体素子につＩＩＩ
ＩｐＩＭに説明する。第ｔａｉｌに示す半導体素子は基
板がＮ−５１のコレクタ領域（１）とこの領域を導出す
るためのＮ＋領領域１′）に形成され、前記Ｎ＋領領域
反対の主面側にＦＩＩｉ不純物を拡散して形成されたベ
ース−領域（２）と、さらにこのベース領域の一部にＮ
ｆｉ不純物を拡散して形成されたエミッタ領域（３）と
牽備え、ベース・コレクタ接合（１埠より深い擲（４）
ｔ （４’）が形成された状ｍを示す。なお、図にお
ける鱒は酸化シリコン層である。上記溝の内面に例えば
電気泳動法によってＺｎＯ系ガラス層（５）を横着しく
第２１１ ） 、次に結晶化ガラス層（６）を被着しく
１１３図）、さらに、ＰｂＯ系ガラス層（７）を被着し
たのち、２縣Ｏ系ガラスの最適焼成条件で焼成してｌラ
スパシベーション層（８）に形成する（第４図）。
ＩｐＩＭに説明する。第ｔａｉｌに示す半導体素子は基
板がＮ−５１のコレクタ領域（１）とこの領域を導出す
るためのＮ＋領領域１′）に形成され、前記Ｎ＋領領域
反対の主面側にＦＩＩｉ不純物を拡散して形成されたベ
ース−領域（２）と、さらにこのベース領域の一部にＮ
ｆｉ不純物を拡散して形成されたエミッタ領域（３）と
牽備え、ベース・コレクタ接合（１埠より深い擲（４）
ｔ （４’）が形成された状ｍを示す。なお、図にお
ける鱒は酸化シリコン層である。上記溝の内面に例えば
電気泳動法によってＺｎＯ系ガラス層（５）を横着しく
第２１１ ） 、次に結晶化ガラス層（６）を被着しく
１１３図）、さらに、ＰｂＯ系ガラス層（７）を被着し
たのち、２縣Ｏ系ガラスの最適焼成条件で焼成してｌラ
スパシベーション層（８）に形成する（第４図）。
上記積層されたガラスパシベーション層は、ＺｓｉＯ系
ガラ系層９３層Ｏ系ガラス層とを例えば数１ミクロンの
層厚に、結晶化ガラス層を―る層厚とし積層サレタガラ
スパシペーション層の大部分をなすようにする。
ガラ系層９３層Ｏ系ガラス層とを例えば数１ミクロンの
層厚に、結晶化ガラス層を―る層厚とし積層サレタガラ
スパシペーション層の大部分をなすようにする。
叙上の構造により各ガラス層の利点のみが採択され、欠
点はカバーされる。すなわち、ｚＩＩＯ系ガラス層は接
合に接してＢＴ＠性の安定が発揮されるが、耐薬品性に
弱い欠点は最外層のＰｂＯ系ガラス層で保護される。ま
たＰｂＯ系ガラスの懸崖張係数が大きくウェハまたはペ
レットに反りを生じさせる欠点は内層の結晶化ガラス層
によってカバーされる。反面結晶化ガラスがリーク電流
を生じやすい欠点は最内層の前記ＺｍＯ系ガラス層によ
ってカバーされる。このようにして、ＢＴｑＩ性が安定
し、ウェハやペレットの反りが低減し、耐薬品性に優れ
たパシベーション被膜が形成でき、高信頼性を得ること
ができた。
点はカバーされる。すなわち、ｚＩＩＯ系ガラス層は接
合に接してＢＴ＠性の安定が発揮されるが、耐薬品性に
弱い欠点は最外層のＰｂＯ系ガラス層で保護される。ま
たＰｂＯ系ガラスの懸崖張係数が大きくウェハまたはペ
レットに反りを生じさせる欠点は内層の結晶化ガラス層
によってカバーされる。反面結晶化ガラスがリーク電流
を生じやすい欠点は最内層の前記ＺｍＯ系ガラス層によ
ってカバーされる。このようにして、ＢＴｑＩ性が安定
し、ウェハやペレットの反りが低減し、耐薬品性に優れ
たパシベーション被膜が形成でき、高信頼性を得ること
ができた。
なお、この発−は上記実施例に限定されるものでなく、
ｍ５ＩＩＩに示すように基板の主面におけるＰＮｌｉ合
（１２′）の露出部に対しても一様に積層して被着され
たガラスパシベーション（８′）を設けるようｋしても
よい。
ｍ５ＩＩＩに示すように基板の主面におけるＰＮｌｉ合
（１２′）の露出部に対しても一様に積層して被着され
たガラスパシベーション（８′）を設けるようｋしても
よい。
第１ａＩＩないしＪＩ４ＷＪはこの発明のＩｌｌ膣例の
半導体素子を製造工程順に示すいずれも断面図、第５ｗ
ｉは別の１実施例を示す断面図である。 ４．４′ 基板の溝 ５ｚ鳳０系ガラス ６ 結晶化ガラス ｙ ＰｂＯ系ガラス ８．８′ ガラスパシベーション層１２
ＰＮｍ会 代通人 弁鳳士 井 上 −男
半導体素子を製造工程順に示すいずれも断面図、第５ｗ
ｉは別の１実施例を示す断面図である。 ４．４′ 基板の溝 ５ｚ鳳０系ガラス ６ 結晶化ガラス ｙ ＰｂＯ系ガラス ８．８′ ガラスパシベーション層１２
ＰＮｍ会 代通人 弁鳳士 井 上 −男
Claims (1)
- ＰＨ９合の露出部がガラス層によって表面安定化さｈた
半導体素子において、ガラス層が基ＭｌａからＺｍＯ系
ガラス、結晶化ガラス、ＰｂＯ系ガラスの頴に積層され
た各層よりなることを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117635A JPS5821340A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117635A JPS5821340A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821340A true JPS5821340A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14716578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117635A Pending JPS5821340A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4611386A (en) * | 1982-12-27 | 1986-09-16 | Fujitsu Limited | Method of producing a semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP56117635A patent/JPS5821340A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4611386A (en) * | 1982-12-27 | 1986-09-16 | Fujitsu Limited | Method of producing a semiconductor device |
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