JPS58212045A - Ｘ線発生装置用筒状対陰極 - Google Patents
Ｘ線発生装置用筒状対陰極Info
- Publication number
- JPS58212045A JPS58212045A JP57094580A JP9458082A JPS58212045A JP S58212045 A JPS58212045 A JP S58212045A JP 57094580 A JP57094580 A JP 57094580A JP 9458082 A JP9458082 A JP 9458082A JP S58212045 A JPS58212045 A JP S58212045A
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- Japan
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- rays
- anticathode
- ray
- focal point
- tube
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/105—Cooling of rotating anodes, e.g. heat emitting layers or structures
- H01J35/106—Active cooling, e.g. fluid flow, heat pipes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線発生装置用筒状対陰極に関する。
従来、高電圧（通常〃〜１０１１） ｋＶ ）で電子を
加速して例えばＣ１１＋ Ｍｏ ｌ Ｗ等の金属の対陰
極に衝突させ、制動輻射及び特性吸収発輝によるＸ線を
発生させるＸ線発生装置は公知である。
加速して例えばＣ１１＋ Ｍｏ ｌ Ｗ等の金属の対陰
極に衝突させ、制動輻射及び特性吸収発輝によるＸ線を
発生させるＸ線発生装置は公知である。
この種のＸｉ発生装置において最も大°きな課題は。い
かにより強力な・高輝度のＸ線を発生させるかと言うこ
とであるが、電子を衝突させるのに要する電力の殆んど
が対陰極上で熱に変り、電子線の照射される局所（焦点
）に高温を発生させる。
かにより強力な・高輝度のＸ線を発生させるかと言うこ
とであるが、電子を衝突させるのに要する電力の殆んど
が対陰極上で熱に変り、電子線の照射される局所（焦点
）に高温を発生させる。
そのため対陰極を損傷し、高輝度力強力Ｘ線が得られな
いのが現状である。
いのが現状である。
輝度は単位面積当りのＸ線発生量、すなわち、単位面積
当りの電子線束の電力量に比例し、その強力度は全Ｘ線
発生量、すなわち、全電力量に比例する。
当りの電子線束の電力量に比例し、その強力度は全Ｘ線
発生量、すなわち、全電力量に比例する。
従って、より高輝度を得るためには対陰極の冷却の効率
化が、またより強力にするためには焦点面積の増大化が
必要である。しかし、Ｘ、＠利用の殆んどの場合、焦点
の微小なることを要するので、単なる面積増大は無意味
である。
化が、またより強力にするためには焦点面積の増大化が
必要である。しかし、Ｘ、＠利用の殆んどの場合、焦点
の微小なることを要するので、単なる面積増大は無意味
である。
従来、対陰極の冷却の効率化をはかるために、板状対陰
極の微小部分に電子線を集束照射１、その裏側を水冷す
る方法（通常封入管式と呼ばれている）が行われている
が、最高へｊ ｋＷの電子線をＯ，４１ＸざＲ２の焦点
面積に照射することφ；できる穆゛度である。
極の微小部分に電子線を集束照射１、その裏側を水冷す
る方法（通常封入管式と呼ばれている）が行われている
が、最高へｊ ｋＷの電子線をＯ，４１ＸざＲ２の焦点
面積に照射することφ；できる穆゛度である。
また、強力高輝度Ｘ奪を得る方法として、回転対陰極方
式がある。この方式は対陰極を真空中で□高速度回転さ
せ、且つその裏側を真空に保持しカがら水冷するため、
複雑々構造を必要とし、それでも３．！； ｋＷ／ ０
． ／ ｘ ／ ｍｅ、２またはａＯｋＷ／ ｔ Ｘ
／θｗＩ２の電子線照射が限界とされている。
式がある。この方式は対陰極を真空中で□高速度回転さ
せ、且つその裏側を真空に保持しカがら水冷するため、
複雑々構造を必要とし、それでも３．！； ｋＷ／ ０
． ／ ｘ ／ ｍｅ、２またはａＯｋＷ／ ｔ Ｘ
／θｗＩ２の電子線照射が限界とされている。
本発明は簡単力対陰極構造で、焦点における局所的発熱
を防ぎ、容易に強力カ高輝度のＸ線束を得、従来の装置
における輝度を大幅に越えるＸ線発生装置の対陰極を提
供するにある。
を防ぎ、容易に強力カ高輝度のＸ線束を得、従来の装置
における輝度を大幅に越えるＸ線発生装置の対陰極を提
供するにある。
本発明のＸ線発生装置の筒状対陰極を図面に基いて説明
すると、第１図は本発明の筒状対陰極の概念を示す模式
的な断面図であり、第２図は本発明の対陰極のターゲツ
ト面におけるＸ線強度の方向依存性を示す図である。
すると、第１図は本発明の筒状対陰極の概念を示す模式
的な断面図であり、第２図は本発明の対陰極のターゲツ
ト面におけるＸ線強度の方向依存性を示す図である。
図において、ｌは超高真空槽÷、これと対陰極部とが固
定ボルトλによって、メタルバッキング３を介在させて
締めつけられている。ｊは冷却媒体流路入口で、冷却媒
体はこれより入り、°対陰極部の裏側に通ずる冷却媒体
流路乙を通って冷却媒体流路出口１３から排出される。
定ボルトλによって、メタルバッキング３を介在させて
締めつけられている。ｊは冷却媒体流路入口で、冷却媒
体はこれより入り、°対陰極部の裏側に通ずる冷却媒体
流路乙を通って冷却媒体流路出口１３から排出される。
この間に対陰極ｑの裏側は冷却される。７は筒状ターゲ
ツト面で、その軸方向がフイラメン）１ｇより発生する
電子和束の中心線とほぼ一致づせである。ｌ／はＸ線射
出室で、ボルトざによりメタルパツキングラを介して対
陰極に保持されている。／、ｌはＸ糾射吊窒／／の７ラ
ンジである。７ｇはフィラメントで、これはフィラメン
ト加熱用電源１９により加熱され、Ｘ線発生用高電圧１
６により電子線が発生される。〃はウェーネル筒、／７
は一電子の想定軌跡を示す。１５は超高真空用排気系接
続口で、／ｌはアースを示す。
ツト面で、その軸方向がフイラメン）１ｇより発生する
電子和束の中心線とほぼ一致づせである。ｌ／はＸ線射
出室で、ボルトざによりメタルパツキングラを介して対
陰極に保持されている。／、ｌはＸ糾射吊窒／／の７ラ
ンジである。７ｇはフィラメントで、これはフィラメン
ト加熱用電源１９により加熱され、Ｘ線発生用高電圧１
６により電子線が発生される。〃はウェーネル筒、／７
は一電子の想定軌跡を示す。１５は超高真空用排気系接
続口で、／ｌはアースを示す。
対陰極ｑは第２図に示すように、該対陰極のターゲツト
面は筒状例えば円筒状多角筒であり、その軸方向がフイ
ラメン）１ｇより発生する電子線束の中心線とほぼ一致
させであると共に、その径を・：′、：。
面は筒状例えば円筒状多角筒であり、その軸方向がフイ
ラメン）１ｇより発生する電子線束の中心線とほぼ一致
させであると共に、その径を・：′、：。
φ（簡）、長さをｌ （ｗ、 ）とし、またターゲット
金属（例えば銅）の密度及びその粘性Ｘｉの波長により
定まるＸ線の全反射の臨界角をθ。（ランアン）とした
時、φ／μθ。りｌ＜４φ／θ。の関係があどようｈ筒
状に騰成されている。
金属（例えば銅）の密度及びその粘性Ｘｉの波長により
定まるＸ線の全反射の臨界角をθ。（ランアン）とした
時、φ／μθ。りｌ＜４φ／θ。の関係があどようｈ筒
状に騰成されている。
次に実施例によりその作用効果を説明する。
電子銃を含ｖ； ？ ／／の内側を／ ｘ １０” ｍ
Ｉｇ以上の超高真空とし、対陰極部を接地して、フイ
ラメン）／と銅製の対陰極４の間に〃〜１００ ｋＶの
高電圧をかけると、電子線が発生する。発生したＸ線は
対陰極の外側の全空間に放射される。しかし、試料を対
陰極のターゲツト面（鏡面に仕上げである。）を筒状例
えば円筒状（八Ｑｔｍφ、 ／３！；、２■長さ）の断
面積に等しいか、あるいはそれ以下とすると、すべての
Ｘｉが利用される。す力わち、筒で形成される管の断面
積に相当する部分から人。
Ｉｇ以上の超高真空とし、対陰極部を接地して、フイ
ラメン）／と銅製の対陰極４の間に〃〜１００ ｋＶの
高電圧をかけると、電子線が発生する。発生したＸ線は
対陰極の外側の全空間に放射される。しかし、試料を対
陰極のターゲツト面（鏡面に仕上げである。）を筒状例
えば円筒状（八Ｑｔｍφ、 ／３！；、２■長さ）の断
面積に等しいか、あるいはそれ以下とすると、すべての
Ｘｉが利用される。す力わち、筒で形成される管の断面
積に相当する部分から人。
るＸ線が第２図ａに示すように、該管壁に反射されて、
そのすべてが積算されて、Ｘ＃射出２１／に送られる。
そのすべてが積算されて、Ｘ＃射出２１／に送られる。
従って従来装置よりはるかに高輝度、強力なＸ線が得ら
れる。
れる。
本発明においては、対陰極のターゲツト面を、前記のよ
うに、φ／グθ。くｔ＜ｑφ／θ。としたため、例えば
！＝−！。＝コφ／θ。（ｌｏは臨界角を満す管長、ｌ
は対陰極の実管長を示す）とすると、第一２図すに示す
ように、管の中心線上でＸ＃出射窓から！。の距離の間
ではＸ線の全反射現象により最大へｊ倍の強度増がある
。従って、対陰極を銅（θ ＝ ７．４７ Ｘ １０−
”ラジアン）、φ＝−／１Ｍｎ、ｌ二／３３； ｔｍと
した場合、対陰極の冷却効率を市販されている封入管と
同じとして、管壁の面積（ｔｎｇ、２酩２）ヲ乗Ｕり３
９１−、ｋＷ （ＡＯｋＶ 、 ６．６１） ”ＩＴＯ
負荷が可能で、これが実除上、管の断面壇乙。３ｍＪ−
の焦点血清とみ力される。従って、１．００ ｋＷの負
加によるＸ線を６．３ ｍＲ２の焦点力・ら得るのに等
しく、回転対陰極法でＸ線取出し角を６°としだ通常の
場合における１、０ ｋＷ負加のＸ線を／Ｘ／Ｘ２Ｏ情
意から得るのに比べて輝度で／、６倍、強度で７０倍の
Ｘ線を得ることができる優れた効果を奏する。
うに、φ／グθ。くｔ＜ｑφ／θ。としたため、例えば
！＝−！。＝コφ／θ。（ｌｏは臨界角を満す管長、ｌ
は対陰極の実管長を示す）とすると、第一２図すに示す
ように、管の中心線上でＸ＃出射窓から！。の距離の間
ではＸ線の全反射現象により最大へｊ倍の強度増がある
。従って、対陰極を銅（θ ＝ ７．４７ Ｘ １０−
”ラジアン）、φ＝−／１Ｍｎ、ｌ二／３３； ｔｍと
した場合、対陰極の冷却効率を市販されている封入管と
同じとして、管壁の面積（ｔｎｇ、２酩２）ヲ乗Ｕり３
９１−、ｋＷ （ＡＯｋＶ 、 ６．６１） ”ＩＴＯ
負荷が可能で、これが実除上、管の断面壇乙。３ｍＪ−
の焦点血清とみ力される。従って、１．００ ｋＷの負
加によるＸ線を６．３ ｍＲ２の焦点力・ら得るのに等
しく、回転対陰極法でＸ線取出し角を６°としだ通常の
場合における１、０ ｋＷ負加のＸ線を／Ｘ／Ｘ２Ｏ情
意から得るのに比べて輝度で／、６倍、強度で７０倍の
Ｘ線を得ることができる優れた効果を奏する。
また、従来の回転対陰極法における複雑なＸ線発生機構
に比べて、超高真空を用いることが必要であるが、極め
て簡単な機構でよい効果を有する。
に比べて、超高真空を用いることが必要であるが、極め
て簡単な機構でよい効果を有する。
管長ｌは、原理的には、長ければ長いほど電子線の照射
面積が増えて、上記効果は大きくなるので、より有効で
あるが、極端に細長い管の内壁に均質に電子線を照射す
ることか、技術的に困難であることと、全反射が二回以
上生じ、そのため一般に完全にはへ〇−″ｃ力い全反射
率のｎ乗（ｎ回反射として）がかかるので、強度損にな
る。
面積が増えて、上記効果は大きくなるので、より有効で
あるが、極端に細長い管の内壁に均質に電子線を照射す
ることか、技術的に困難であることと、全反射が二回以
上生じ、そのため一般に完全にはへ〇−″ｃ力い全反射
率のｎ乗（ｎ回反射として）がかかるので、強度損にな
る。
また管長ｌが上式より短かい場合、短かくてもそれ相応
の効果は期待出来るとしても筒状にする場合の卓効が期
待でき力い。
の効果は期待出来るとしても筒状にする場合の卓効が期
待でき力い。
第１図は本発明の円筒対陰極の概念を示す模式的な断面
図で、第２図のａ、ｂはいずれも本発明の円筒対陰極に
おけるＸ糾全反射現象を示す説明図である。 ／：超高真空槽、 ２＝対陰極部固定ボルト、３及
び９：メタルパッキング、 ｔ：対陰極、 Ｓ：冷却媒体流路入口、乙：冷
却媒体流路、 ７二筒状タ一ゲツト面、：１ １：Ｘ線射出窓取付はボルト、：′□□□′１０二発生
したＸ線発生の軌跡、 ｌ／：Ｘ線射出窓、 １２：フランジ、／３：冷却
媒体流路出口、／ｙ、アース、ｌＳ：超高真空用排気系
接続口、 ／乙：Ｘｋ発生用高電圧、／７：−電子の想定軌跡、／
ざ：フィラメント、 ｌｑ＝フィラメント加熱用電源、 〃：ニラニーネル。 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長１） 中
廣 吉 、′。
図で、第２図のａ、ｂはいずれも本発明の円筒対陰極に
おけるＸ糾全反射現象を示す説明図である。 ／：超高真空槽、 ２＝対陰極部固定ボルト、３及
び９：メタルパッキング、 ｔ：対陰極、 Ｓ：冷却媒体流路入口、乙：冷
却媒体流路、 ７二筒状タ一ゲツト面、：１ １：Ｘ線射出窓取付はボルト、：′□□□′１０二発生
したＸ線発生の軌跡、 ｌ／：Ｘ線射出窓、 １２：フランジ、／３：冷却
媒体流路出口、／ｙ、アース、ｌＳ：超高真空用排気系
接続口、 ／乙：Ｘｋ発生用高電圧、／７：−電子の想定軌跡、／
ざ：フィラメント、 ｌｑ＝フィラメント加熱用電源、 〃：ニラニーネル。 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長１） 中
廣 吉 、′。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対陰極のターゲツト面を筒状とし、その軸方向がフィラ
メントより発生する電子線束の中心碧とほぼ一致する形
状でおり、該ターゲツト面を、その径をφ鰭、長さをｌ
ｖｍ 、 Ｘ線の全反射臨界角をθ。（ラジアン）と
した時、φ／ψθ。≦ｌ≦ｆφ／θ。 で示される径と長さとした筒状となし、機部状ターゲッ
ト面の裏側に冷却媒体の流路を有し、フィラメントに対
して反対側の口にＸ線出射窓をシールして保持し、且つ
対陰極を超高真空シールしたことを特徴とするＸ線発生
装置用筒状対陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094580A JPS58212045A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | Ｘ線発生装置用筒状対陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094580A JPS58212045A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | Ｘ線発生装置用筒状対陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212045A true JPS58212045A (ja) | 1983-12-09 |
Family
ID=14114211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57094580A Pending JPS58212045A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | Ｘ線発生装置用筒状対陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212045A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316535A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Rigaku Keisoku Kk | 細径ｘ線ビ−ム発生装置 |
| JP2006524892A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | シーエックスアール リミテッド | Ｘ線源 |
| US9001973B2 (en) | 2003-04-25 | 2015-04-07 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources |
| US9208988B2 (en) | 2005-10-25 | 2015-12-08 | Rapiscan Systems, Inc. | Graphite backscattered electron shield for use in an X-ray tube |
| US9263225B2 (en) | 2008-07-15 | 2016-02-16 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray tube anode comprising a coolant tube |
| US9420677B2 (en) | 2009-01-28 | 2016-08-16 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray tube electron sources |
| US9726619B2 (en) | 2005-10-25 | 2017-08-08 | Rapiscan Systems, Inc. | Optimization of the source firing pattern for X-ray scanning systems |
| US10483077B2 (en) | 2003-04-25 | 2019-11-19 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources having reduced electron scattering |
| US10901112B2 (en) | 2003-04-25 | 2021-01-26 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanning system with stationary x-ray sources |
| US10976271B2 (en) | 2005-12-16 | 2021-04-13 | Rapiscan Systems, Inc. | Stationary tomographic X-ray imaging systems for automatically sorting objects based on generated tomographic images |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP57094580A patent/JPS58212045A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316535A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Rigaku Keisoku Kk | 細径ｘ線ビ−ム発生装置 |
| JP2006524892A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | シーエックスアール リミテッド | Ｘ線源 |
| JP4832285B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2011-12-07 | シーエックスアール リミテッド | Ｘ線源 |
| US9001973B2 (en) | 2003-04-25 | 2015-04-07 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources |
| US10483077B2 (en) | 2003-04-25 | 2019-11-19 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources having reduced electron scattering |
| US10901112B2 (en) | 2003-04-25 | 2021-01-26 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanning system with stationary x-ray sources |
| US11796711B2 (en) | 2003-04-25 | 2023-10-24 | Rapiscan Systems, Inc. | Modular CT scanning system |
| US9208988B2 (en) | 2005-10-25 | 2015-12-08 | Rapiscan Systems, Inc. | Graphite backscattered electron shield for use in an X-ray tube |
| US9726619B2 (en) | 2005-10-25 | 2017-08-08 | Rapiscan Systems, Inc. | Optimization of the source firing pattern for X-ray scanning systems |
| US10976271B2 (en) | 2005-12-16 | 2021-04-13 | Rapiscan Systems, Inc. | Stationary tomographic X-ray imaging systems for automatically sorting objects based on generated tomographic images |
| US9263225B2 (en) | 2008-07-15 | 2016-02-16 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray tube anode comprising a coolant tube |
| US9420677B2 (en) | 2009-01-28 | 2016-08-16 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray tube electron sources |
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