JPS58210680A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPS58210680A JPS58210680A JP57094518A JP9451882A JPS58210680A JP S58210680 A JPS58210680 A JP S58210680A JP 57094518 A JP57094518 A JP 57094518A JP 9451882 A JP9451882 A JP 9451882A JP S58210680 A JPS58210680 A JP S58210680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cells
- solar batteries
- series
- layer
- solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910014106 Na-Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の太陽電池は電子式卓上計算器、電子式腕時計、
ラジオやカセット式テープレコーダ等の小型民生機器及
び家庭用補助電源等に利用できる。
ラジオやカセット式テープレコーダ等の小型民生機器及
び家庭用補助電源等に利用できる。
従来同一基板上に単結晶Ｓｉ太陽電池（以下Ｃ−３ｉ太
陽電池と記す）、多結晶Ｓｉ太陽電池（以下Ｐ−８ｉ太
陽電池と記す）、非晶質８１太陽電池（以下ａ−８ｉ太
陽電池と記す）を単独で単−個又は多数個直列または並
列に配列した例は種々考案され、また同一基板上にｃ−
３ｉとａ −Ｓｉをそれぞれ単−個配列した例も同様に
考案されているがｃ −Ｓ ｉ太陽電池とａ −Ｓ ｉ
太陽電池およ２ベージ びｐ−３ｉ太陽電池とａ−８ｉ太陽電池をそれぞれ多数
個配列し、高電流用の太陽電池はまだない。
陽電池と記す）、多結晶Ｓｉ太陽電池（以下Ｐ−８ｉ太
陽電池と記す）、非晶質８１太陽電池（以下ａ−８ｉ太
陽電池と記す）を単独で単−個又は多数個直列または並
列に配列した例は種々考案され、また同一基板上にｃ−
３ｉとａ −Ｓｉをそれぞれ単−個配列した例も同様に
考案されているがｃ −Ｓ ｉ太陽電池とａ −Ｓ ｉ
太陽電池およ２ベージ びｐ−３ｉ太陽電池とａ−８ｉ太陽電池をそれぞれ多数
個配列し、高電流用の太陽電池はまだない。
第１図は引上げ法によって製造した円柱状の単結晶や多
結晶を厚さ約３００〜４００μｍの円板状のウェーハに
スライス切断して、これらのつ工−ハを基板にｃ −Ｓ
ｉ太陽電池やｐ−８ｉ太陽電池を形成して、同一平面
状に縦横に複数個配列した大電力用太陽電池のモジュー
ル化した図である。
結晶を厚さ約３００〜４００μｍの円板状のウェーハに
スライス切断して、これらのつ工−ハを基板にｃ −Ｓ
ｉ太陽電池やｐ−８ｉ太陽電池を形成して、同一平面
状に縦横に複数個配列した大電力用太陽電池のモジュー
ル化した図である。
第１図において１はｃ−３ｉ太陽電池を縦横に配列して
モジュール化する基板材または架台である。
モジュール化する基板材または架台である。
２は円形杖のｃ−８ｉ太陽電池またはｐ −Ｓ ｉ太陽
電池であり、これらの太陽電池は通常約３００〜４００
μｍのｐ型巣結晶またはｐ型多結晶シリコンウェーハを
使用し、拡散法によりｐ型ウェーへの一部を６族元素の
リンを拡散して膜厚が約０．３〜０．５μｍのｎ型単結
晶またはｎ型多結晶化してＰＮ接合を形成し、さらにｐ
側表面にはＮｉ等の電極を設け、ｎ側表面にはＡ１等の
櫛型または格子型電極を設けて構成したものである。そ
してこれらの太陽電池を縦横に多数個配列する。個３ベ
ー、ｆ 々の太陽電池との接続は通常銅線に錫メッキしたリード
線で簡単にハンダ付けを行々うことにより可能であり、
適当に直列接続することにより電力用電源としての高電
圧、高電流を出力として取出すことが可能であるが詳細
な接続法については本発明の意図するところでなく省略
する。
電池であり、これらの太陽電池は通常約３００〜４００
μｍのｐ型巣結晶またはｐ型多結晶シリコンウェーハを
使用し、拡散法によりｐ型ウェーへの一部を６族元素の
リンを拡散して膜厚が約０．３〜０．５μｍのｎ型単結
晶またはｎ型多結晶化してＰＮ接合を形成し、さらにｐ
側表面にはＮｉ等の電極を設け、ｎ側表面にはＡ１等の
櫛型または格子型電極を設けて構成したものである。そ
してこれらの太陽電池を縦横に多数個配列する。個３ベ
ー、ｆ 々の太陽電池との接続は通常銅線に錫メッキしたリード
線で簡単にハンダ付けを行々うことにより可能であり、
適当に直列接続することにより電力用電源としての高電
圧、高電流を出力として取出すことが可能であるが詳細
な接続法については本発明の意図するところでなく省略
する。
一般に電力電源を形成する場合に円形状のシリコンウェ
ーハを使って行なわれる。円形状のシリコンウェーハの
形状を変えないで円形状のま１配列させる理由は、元来
シリコンウェーハ・が円形である為に加工して形状を変
えるよりも、円形の状態で使用する方がウェーハの利用
効率が１００％近く利用できるからである。しかしなが
ら第１図において明らかなように円形状のシリコンウェ
ーハを多数個配列させた場合にはウェー１１間に空隙が
生じる。第１図において円形状シリコン単結晶ウェーハ
２の基板１の面積に対するこの空隙面積は約１６％であ
る。よって同一平面上に多数個配列して電力用電源を形
成する場合に有効に面積が利用できない。
ーハを使って行なわれる。円形状のシリコンウェーハの
形状を変えないで円形状のま１配列させる理由は、元来
シリコンウェーハ・が円形である為に加工して形状を変
えるよりも、円形の状態で使用する方がウェーハの利用
効率が１００％近く利用できるからである。しかしなが
ら第１図において明らかなように円形状のシリコンウェ
ーハを多数個配列させた場合にはウェー１１間に空隙が
生じる。第１図において円形状シリコン単結晶ウェーハ
２の基板１の面積に対するこの空隙面積は約１６％であ
る。よって同一平面上に多数個配列して電力用電源を形
成する場合に有効に面積が利用できない。
すなわち、従来円形状単結晶シリコンウェーハを使用し
た太陽電池をマｉ ＩＪワックス状配列した場合には各
単結晶間に空隙部が生じる。この空隙部にも太陽光や蛍
光灯光が照射されるにもかかわらず太陽電池がない為に
光の利用効率が低かった。
た太陽電池をマｉ ＩＪワックス状配列した場合には各
単結晶間に空隙部が生じる。この空隙部にも太陽光や蛍
光灯光が照射されるにもかかわらず太陽電池がない為に
光の利用効率が低かった。
そしてこの空隙部は全体の面積に対して約１６％占有し
ていた。しかもこの空隙部は円形や方形といった単純な
形状でない為に単結晶シリコンを加工してこれらの形状
にすることは困難であった。
ていた。しかもこの空隙部は円形や方形といった単純な
形状でない為に単結晶シリコンを加工してこれらの形状
にすることは困難であった。
本発明は上記従来技術にもとすき、屋外光（太陽光）に
対して変換効率の高いｃ −Ｓ ｉ太陽電池やｐ−８ｉ
太陽電池と屋内光（蛍光灯）に対して変換効率の高いａ
−Ｓ ｉ太陽電池をそれぞれ同一基板上に多数個配列
して屋内外光に対ｌ−で平均的に高い光起電力を得るこ
と、また従来ｃ−８ｉ太陽電池やｐ−８ｉ太陽電池を多
数個配列した場合に各太陽電池間に空隙が生じ、この空
隙部には太陽電池がなく変換効率に寄与しないのでこの
空隙部にａ−３ｉ太陽電池を形成することにより空隙部
を有効利用して単位面積当りの実効的変換効率５べ ゛ を向上させるものである。
対して変換効率の高いｃ −Ｓ ｉ太陽電池やｐ−８ｉ
太陽電池と屋内光（蛍光灯）に対して変換効率の高いａ
−Ｓ ｉ太陽電池をそれぞれ同一基板上に多数個配列
して屋内外光に対ｌ−で平均的に高い光起電力を得るこ
と、また従来ｃ−８ｉ太陽電池やｐ−８ｉ太陽電池を多
数個配列した場合に各太陽電池間に空隙が生じ、この空
隙部には太陽電池がなく変換効率に寄与しないのでこの
空隙部にａ−３ｉ太陽電池を形成することにより空隙部
を有効利用して単位面積当りの実効的変換効率５べ ゛ を向上させるものである。
以下本発明の詳細について実施例とともに説明する。第
２図は透明な絶縁性基板４上に工ｎ２０３または５ｎ０
２を主成分とする透明電極を５−１゜〜８−２．の領域
で示される部分にホ１−エッチ法やスクリーン印刷法に
よりノ々ターニングして区分する。そしてこのパターニ
ングは各領域において５−１と６−２．６−１と６−２
、了−１と７−２．８−１と８−２．９−１と９−２は
同一面積になるように区分する。この透明電極上にグロ
ー放電分解法によりｐ型層−８ｉ層、ｉ型ａ−８ｉ層、
ｎ型ａ−８ ｉ層からなるｐ−１−ｎａ−５ｉ層を形成
する。形成する順番はｐ、ｉ、ｎの順番でよいが逆の順
番であってもよい。そして各層の膜厚の一例はｐ、１．
ｎそれぞれ約１０ＯＡ、約５０００〜１００ｏＯ人、約
４００人程度である。ｐ５ ａ −Ｓ ｉ層はＳｉＨ４
やＳｉ２Ｈ６ガス中に周期律表第３族元素を含むＢ２Ｈ
６等のガスを混合した雰囲気中で、ｉ型層−８ｉ層は５
ＩＨ４ヤＳｉ２Ｈ６ガス雰囲気中で、ｎ型層はＳｉＨ４
やＳ Ｌ２Ｈ６ガス中６ページ に周期律表第５族元素を含むＰＨ３等のガスを混合した
雰囲気中でそれぞれグロー放電分解して形成する。そし
てｎ型層」二にＡｉ、 Ｏｒ 、 Ｎｉ 、ＴｉやＦｅ
等の金属電極を蒸着堆積する。太陽電池６−１と５−２
を直列に接続する場合は次のように行なう。
２図は透明な絶縁性基板４上に工ｎ２０３または５ｎ０
２を主成分とする透明電極を５−１゜〜８−２．の領域
で示される部分にホ１−エッチ法やスクリーン印刷法に
よりノ々ターニングして区分する。そしてこのパターニ
ングは各領域において５−１と６−２．６−１と６−２
、了−１と７−２．８−１と８−２．９−１と９−２は
同一面積になるように区分する。この透明電極上にグロ
ー放電分解法によりｐ型層−８ｉ層、ｉ型ａ−８ｉ層、
ｎ型ａ−８ ｉ層からなるｐ−１−ｎａ−５ｉ層を形成
する。形成する順番はｐ、ｉ、ｎの順番でよいが逆の順
番であってもよい。そして各層の膜厚の一例はｐ、１．
ｎそれぞれ約１０ＯＡ、約５０００〜１００ｏＯ人、約
４００人程度である。ｐ５ ａ −Ｓ ｉ層はＳｉＨ４
やＳｉ２Ｈ６ガス中に周期律表第３族元素を含むＢ２Ｈ
６等のガスを混合した雰囲気中で、ｉ型層−８ｉ層は５
ＩＨ４ヤＳｉ２Ｈ６ガス雰囲気中で、ｎ型層はＳｉＨ４
やＳ Ｌ２Ｈ６ガス中６ページ に周期律表第５族元素を含むＰＨ３等のガスを混合した
雰囲気中でそれぞれグロー放電分解して形成する。そし
てｎ型層」二にＡｉ、 Ｏｒ 、 Ｎｉ 、ＴｉやＦｅ
等の金属電極を蒸着堆積する。太陽電池６−１と５−２
を直列に接続する場合は次のように行なう。
ａ −Ｓ ｉ太陽電池５−１の金属電極と５−２の透明
電極とを金属電極を蒸着堆積する時に互いに一部重なる
ようにする。ｈ−８ｉ太陽電池５−１とａ−８ｉ太陽電
池６−２を直列に接続することができる。そして６−１
と５−２の面積はほぼ同一であるので、発生電流もほぼ
同一電流になる。このように（ｅ−１，ｅ−２） 、（
７−１、７−２）（ａ−１，、８−２）、（９−１，９
−２）の領域の太陽電池においても同様に直列接続が可
能である。ａ−８ｉ太陽電池はムＭ１照射において約８
００ ｍＶの起電力が発生する。よって例えば５−１と
６−２の太陽電池を直列に接続すると約１．６ｖの起電
力を得ることができる。
電極とを金属電極を蒸着堆積する時に互いに一部重なる
ようにする。ｈ−８ｉ太陽電池５−１とａ−８ｉ太陽電
池６−２を直列に接続することができる。そして６−１
と５−２の面積はほぼ同一であるので、発生電流もほぼ
同一電流になる。このように（ｅ−１，ｅ−２） 、（
７−１、７−２）（ａ−１，、８−２）、（９−１，９
−２）の領域の太陽電池においても同様に直列接続が可
能である。ａ−８ｉ太陽電池はムＭ１照射において約８
００ ｍＶの起電力が発生する。よって例えば５−１と
６−２の太陽電池を直列に接続すると約１．６ｖの起電
力を得ることができる。
第３図はｈ−８１太陽電池とｃ −Ｓ ｉ太陽電池また
はｐ−３ｉ太陽電池を配列した構成図である。
はｐ−３ｉ太陽電池を配列した構成図である。
７ペーーー゛
第３図において５−３ 、５−４ 、６．−５は円形状
シリコンウェーハから作成したｃ −Ｓ ｉまたはｐ−
８１太陽電池である。５−３ 、５−４ 、５−５は既
に従来例のＣ−Ｓ ｉ太陽電池の接続した方法で３個直
列に接続する。これは（ｓ −３、ｅ −４゜６−６）
、（７−３，７−４、７−ｓ ）、（８−３、ａ−４，
８−６）、（９−３、９−４、９−５）のそれぞれの組
の太陽電池においても同様に直列接続が可能である。そ
してＯ−Ｓ ｉ太陽電池は人Ｍ１照射下において約５３
０ｍＶの起電力を発生するので３個直列で約１．６ｖの
起電力が得られる。これは起電力の値において＆ −Ｓ
ｉ太陽電池２涸直列に接続した起電力の値とほぼ同じ
値である。
シリコンウェーハから作成したｃ −Ｓ ｉまたはｐ−
８１太陽電池である。５−３ 、５−４ 、５−５は既
に従来例のＣ−Ｓ ｉ太陽電池の接続した方法で３個直
列に接続する。これは（ｓ −３、ｅ −４゜６−６）
、（７−３，７−４、７−ｓ ）、（８−３、ａ−４，
８−６）、（９−３、９−４、９−５）のそれぞれの組
の太陽電池においても同様に直列接続が可能である。そ
してＯ−Ｓ ｉ太陽電池は人Ｍ１照射下において約５３
０ｍＶの起電力を発生するので３個直列で約１．６ｖの
起電力が得られる。これは起電力の値において＆ −Ｓ
ｉ太陽電池２涸直列に接続した起電力の値とほぼ同じ
値である。
以上説明した如（ａ−８ｉ太陽電池とｃ −Ｓ ｉ太陽
電池を適当に配列接続することにより基板全面を有効に
利用した太陽電池を形成することができる。また＠記実
施例においてはａ −Ｓ ｉ太陽電池を２コ直列、ｃ
−Ｓ ｉ太陽電池では３個直列に接続することにより約
１．６ｖの起電力を持っ大電力用電源が可能である。ま
た同一基板上空隙になる部分にまずａ−８ｉ太陽電池を
設け、次のｃ −８ｉ単結晶を設ける例について述べた
が、先にＣ−８ｉ太陽電池を設は空隙部にａ−３ｉ太陽
電池を順次設けることも可能である。このような配列は
ａ−８ｉ太陽電池をｍ個直列に、またｃ−３ｉ太陽電池
をｎ個直列にそれぞれ配列することにより、より高起電
力、高電流太陽電池が可能になる。
電池を適当に配列接続することにより基板全面を有効に
利用した太陽電池を形成することができる。また＠記実
施例においてはａ −Ｓ ｉ太陽電池を２コ直列、ｃ
−Ｓ ｉ太陽電池では３個直列に接続することにより約
１．６ｖの起電力を持っ大電力用電源が可能である。ま
た同一基板上空隙になる部分にまずａ−８ｉ太陽電池を
設け、次のｃ −８ｉ単結晶を設ける例について述べた
が、先にＣ−８ｉ太陽電池を設は空隙部にａ−３ｉ太陽
電池を順次設けることも可能である。このような配列は
ａ−８ｉ太陽電池をｍ個直列に、またｃ−３ｉ太陽電池
をｎ個直列にそれぞれ配列することにより、より高起電
力、高電流太陽電池が可能になる。
また、従来基板上において約１６％の非有効利用の部分
も有効利用できることになり、結果的に単位面積当りの
変換効率が向上した。このことは自然エネルギーである
太陽光を光起電力に変換する点において極めて効果が大
きいと考えられる。
も有効利用できることになり、結果的に単位面積当りの
変換効率が向上した。このことは自然エネルギーである
太陽光を光起電力に変換する点において極めて効果が大
きいと考えられる。
なお、上記実施例においては透明々絶縁性基板上に形成
し、かつ光を基板側から入れる場合につって示したが、
不透明な絶縁性基板上にａ−８ｉを形成し、光をａ−８
ｉ層側から入れる方法も可能である。
し、かつ光を基板側から入れる場合につって示したが、
不透明な絶縁性基板上にａ−８ｉを形成し、光をａ−８
ｉ層側から入れる方法も可能である。
以上のように本発明は、同一基板上にｃ−８ｉ太陽電池
素子やｐ−８ｉ太陽電池素子とアモルフ９ベージ アス大陽電池素子を混在させることによって基板面積を
有効に利用するとともに、太陽光や室内灯光等に広い波
長範囲にわたって光電変換を可能とした太陽電池を提供
するものである。
素子やｐ−８ｉ太陽電池素子とアモルフ９ベージ アス大陽電池素子を混在させることによって基板面積を
有効に利用するとともに、太陽光や室内灯光等に広い波
長範囲にわたって光電変換を可能とした太陽電池を提供
するものである。
第１図は本発明に関する課題を説明するための図、第２
図および第３図は本発明の一実施例の太陽電池の構成図
である。 １・・・・・・基板材、２・・・・・・ｃ−８ｉまたは
ｐ−８ｉ太陽電池、３・・・・・・空隙部分、４・・・
・・・透明絶縁性基板、５−１ 、５−２・・・・・・
透明電極、５−３〜５−５・・・・・・ｃ−８ｉまたは
ｐ−８ｉ太陽電池。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 元
図および第３図は本発明の一実施例の太陽電池の構成図
である。 １・・・・・・基板材、２・・・・・・ｃ−８ｉまたは
ｐ−８ｉ太陽電池、３・・・・・・空隙部分、４・・・
・・・透明絶縁性基板、５−１ 、５−２・・・・・・
透明電極、５−３〜５−５・・・・・・ｃ−８ｉまたは
ｐ−８ｉ太陽電池。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 元
Claims (1)
- 同一基板上に複数個の単結晶あるいは多結晶素子を形成
、配列させ、基板上前記素子の空隙部分に非晶質太陽電
池素子を形成してなることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094518A JPS58210680A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094518A JPS58210680A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210680A true JPS58210680A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14112542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57094518A Pending JPS58210680A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4105389C1 (ja) * | 1991-02-21 | 1992-06-11 | Webasto-Schade Gmbh, 8031 Oberpfaffenhofen, De | |
| DE102010025848A1 (de) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Josef Steger | Solarmodul |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP57094518A patent/JPS58210680A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4105389C1 (ja) * | 1991-02-21 | 1992-06-11 | Webasto-Schade Gmbh, 8031 Oberpfaffenhofen, De | |
| FR2673768A1 (fr) * | 1991-02-21 | 1992-09-11 | Webasto Schade Gmbh | Vitre transparente, notamment destinee a constituer un panneau de toit coulissant et ouvrant de vehicules automobiles. |
| US5213626A (en) * | 1991-02-21 | 1993-05-25 | Webasto-Schade Gmbh | Transparent pane for vehicles |
| DE102010025848A1 (de) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Josef Steger | Solarmodul |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5066340A (en) | Photovoltaic device | |
| Wenham et al. | Buried contact silicon solar cells | |
| EP0113434A1 (en) | Photovoltaic device | |
| EP0204567A2 (en) | Thin film solar module | |
| JPS62234379A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6333308B2 (ja) | ||
| JPS5963774A (ja) | 薄膜シリコン太陽電池 | |
| JPS58210680A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2699867B2 (ja) | 薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| CN101459206A (zh) | 高效多结太阳能电池的制造方法 | |
| JPS6111475B2 (ja) | ||
| JPS61135167A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS58116779A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0586677B2 (ja) | ||
| JPS618979A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| CN114744063B (zh) | 太阳能电池及生产方法、光伏组件 | |
| Okazaki et al. | Production of indium phosphide solar cells for space power generation | |
| JPS577975A (en) | Sollar battery | |
| JP2547533B2 (ja) | 光起電力装置のエイジング方法 | |
| JP2004335733A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2004335734A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2000332268A (ja) | 薄膜多結晶シリコン、それを用いた太陽電池及び薄膜多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPS59181581A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6130079A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS6316913B2 (ja) |