JPS58210621A - レジスト膜形成方法 - Google Patents
レジスト膜形成方法Info
- Publication number
- JPS58210621A JPS58210621A JP9387882A JP9387882A JPS58210621A JP S58210621 A JPS58210621 A JP S58210621A JP 9387882 A JP9387882 A JP 9387882A JP 9387882 A JP9387882 A JP 9387882A JP S58210621 A JPS58210621 A JP S58210621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- substrate
- high frequency
- film
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/164—Coating processes; Apparatus therefor using electric, electrostatic or magnetic means; powder coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は紫外線、Ｊ紫外線、Ｘ線、電子線。
イオンビーム等の放射線を用いるリソグラフィ技術にお
いて直用さｎるレジスト膜の形成方法に関する。
いて直用さｎるレジスト膜の形成方法に関する。
（２）技術の背景
Ｉ’３エプロセスへのプラズマＯｖＤ、 ドライエッ
チ専のドライプロセスの導入とともに、レジストプロセ
スのドライ化が要望されている。
チ専のドライプロセスの導入とともに、レジストプロセ
スのドライ化が要望されている。
（３）従来技術と問題点
従来のレジスト膜の形成方法としては、レジストポリマ
ーを有機溶媒等の塗布溶剤に溶解した溶液音用いるスピ
ンコード法がある。この方法で用いることのできるポリ
マーは有機溶媒等の塗布＼ 溶剤に９溶でなければならない。又この方法では、溶液
を保存している間に塵埃等が混入したり溶解しているポ
リマーの一部が変性しゲル状物質になることがあり、塗
布前に溶液にろ過おるいは遠心分＃Ｉ４！の処理をして
これらの不純＊’を除く必要がある。更に又、この方法
においては塗布溶剤の除去、迩布時に入った膜のひずみ
を除去するために放射線の照射前にプリベークと呼ばれ
る熱処理が必要である。父、この方法でレジスト膜を形
成した場合、膜厚が薄くなるとピンホールと呼ばれる欠
陥が増加する傾向がめる。特に膜厚が数千Ａ以ドになる
とピンホール発生が著しくなる。
ーを有機溶媒等の塗布溶剤に溶解した溶液音用いるスピ
ンコード法がある。この方法で用いることのできるポリ
マーは有機溶媒等の塗布＼ 溶剤に９溶でなければならない。又この方法では、溶液
を保存している間に塵埃等が混入したり溶解しているポ
リマーの一部が変性しゲル状物質になることがあり、塗
布前に溶液にろ過おるいは遠心分＃Ｉ４！の処理をして
これらの不純＊’を除く必要がある。更に又、この方法
においては塗布溶剤の除去、迩布時に入った膜のひずみ
を除去するために放射線の照射前にプリベークと呼ばれ
る熱処理が必要である。父、この方法でレジスト膜を形
成した場合、膜厚が薄くなるとピンホールと呼ばれる欠
陥が増加する傾向がめる。特に膜厚が数千Ａ以ドになる
とピンホール発生が著しくなる。
（４）発明の目的
本発明の目的は、このような従来技術の欠点會除云しか
つ又ろ過、遠心分離あるいはブリベーり等の処理を行な
う必要がない能率的でかつ信頼性の高いレジスト膜の形
成方法を提供することにある。
つ又ろ過、遠心分離あるいはブリベーり等の処理を行な
う必要がない能率的でかつ信頼性の高いレジスト膜の形
成方法を提供することにある。
（５）発明の構成
本発明は反応容器内の高周波を印加する電極上に放射線
の照射により変性するポリマーを設置し、これと対向す
る接地電極上に基板を設置し反応容器内へ反応性を有さ
ないガス全導入し両電極間に高周波を印加し、前記ポリ
マー全スパッタリングにより前記基板へ被着せしめるこ
と全特徴とするレジスト膜の形成方法を提供するもので
るる。
の照射により変性するポリマーを設置し、これと対向す
る接地電極上に基板を設置し反応容器内へ反応性を有さ
ないガス全導入し両電極間に高周波を印加し、前記ポリ
マー全スパッタリングにより前記基板へ被着せしめるこ
と全特徴とするレジスト膜の形成方法を提供するもので
るる。
本発明で用いることのできるポリマーには、ポリメチル
メタクリレートのようなアクリルポリマー。
メタクリレートのようなアクリルポリマー。
ポリスチレン、ポリエチＶン、ポリテトラフルオロエチ
レンなどかめる。又、本発明に用いることのできる反応
性含有さないガスには、Ａｒ、Ｈθのような希ガス等が
おる。
レンなどかめる。又、本発明に用いることのできる反応
性含有さないガスには、Ａｒ、Ｈθのような希ガス等が
おる。
（６）発明の実施例
以下本発明のレジスト膜形成法について実施例全参照し
て説明する。
て説明する。
〔実施例１〕
高周波を印加する電極上にポリメチルメタクリレートの
板（直径６０藺厚さ５ｗ）ｋ設置し、これと対向する接
地電極上に８１基板金設置した。
板（直径６０藺厚さ５ｗ）ｋ設置し、これと対向する接
地電極上に８１基板金設置した。
反応容器内ｆ Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後
、反応性含有さないガスとしてＡｒ１２ｘｌＯ”Ｔｏｒ
ｒになるまで導入し、電極間にｌＫ５６ＭＨｚの高周波
１３０Ｗで３０分間印加した。その結果８１基板上に厚
さ約１μｍのポリマー膜が得られた。この膜に２０ＫＶ
の鑞子線全照射しパターンを形成し、メチルイソブチル
ケトン（液温２０℃）で６０秒間現像し常法に従って感
度を求め友ところ２×１０−４０／−であった。又、最
小０３μｍのレジストパターン全形成で＠た。
、反応性含有さないガスとしてＡｒ１２ｘｌＯ”Ｔｏｒ
ｒになるまで導入し、電極間にｌＫ５６ＭＨｚの高周波
１３０Ｗで３０分間印加した。その結果８１基板上に厚
さ約１μｍのポリマー膜が得られた。この膜に２０ＫＶ
の鑞子線全照射しパターンを形成し、メチルイソブチル
ケトン（液温２０℃）で６０秒間現像し常法に従って感
度を求め友ところ２×１０−４０／−であった。又、最
小０３μｍのレジストパターン全形成で＠た。
〔実施例２〕
ポリマーにポリスチレンを用いたほかは、実施例１と同
様にして換金形成しその感度を測定した。但し現像は、
現１象液にキシレンを用い４０秒間行なった。得られた
感度は８ Ｘ １０−４０／ｃｔ／ｉであった。又、最
小Ｌ５μｍのレジストパターン全形成できた。
様にして換金形成しその感度を測定した。但し現像は、
現１象液にキシレンを用い４０秒間行なった。得られた
感度は８ Ｘ １０−４０／ｃｔ／ｉであった。又、最
小Ｌ５μｍのレジストパターン全形成できた。
（７） 発明の効果
本発明によれば、能率的でかつ信頼性の高いレジスト膜
が形成できるので、半導体素子等の製造における歩留り
信頼性の向上を図ることができる０ 代理人 弁理士 松 岡 宏四部
が形成できるので、半導体素子等の製造における歩留り
信頼性の向上を図ることができる０ 代理人 弁理士 松 岡 宏四部
Claims (1)
- 反応容器内の高周波を印加する電極上に放射線の照射に
より変性するポリマーを設置し、これと対向する接地鑞
極上に基板を設置し反応容器内へ反応性全層さないガス
を導入し、両電極間に高周波全印加し前記ポリマー上ス
パッタリングにより前記基板へ仮着せしめることを特徴
とするレジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9387882A JPS58210621A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | レジスト膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9387882A JPS58210621A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | レジスト膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210621A true JPS58210621A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14094728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9387882A Pending JPS58210621A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | レジスト膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4860185A (en) * | 1987-08-21 | 1989-08-22 | Electronic Research Group, Inc. | Integrated uninterruptible power supply for personal computers |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP9387882A patent/JPS58210621A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4860185A (en) * | 1987-08-21 | 1989-08-22 | Electronic Research Group, Inc. | Integrated uninterruptible power supply for personal computers |
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