JPS58210583A - 放射線像検出再構成装置 - Google Patents

放射線像検出再構成装置

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JPS58210583A
JPS58210583A JP57094264A JP9426482A JPS58210583A JP S58210583 A JPS58210583 A JP S58210583A JP 57094264 A JP57094264 A JP 57094264A JP 9426482 A JP9426482 A JP 9426482A JP S58210583 A JPS58210583 A JP S58210583A
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radiation
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Takeshi Hayakawa
毅 早川
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Hamamatsu TV Co Ltd
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Hamamatsu TV Co Ltd
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Publication date
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
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  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はピンホールを透過して放射線検出器に投影され
た放射線像を検出し、放射線像を再構成する放射線像検
出再構成装置に関する。
従来のこの種の放射線像検出再構成装置は、画素数に対
応する個数の放射線検出素子が配列されている放射線検
出器にピンホールを介して放射線像を結像させ、各放射
線検出素子の出力を処理することにより、放射線84&
を再構成するように構成されている。
この種の装置では、ピンホールの面積を大きくすること
かできないので、ピンホールを介して放射線検出器に達
する放射線量を大きくすることは困難である。
また前記放射線検出器の構成要素である各放射線検出素
子に入射する放射線量は全体の放射線像のエネルギーの
全画素数分の1に過ぎない。
各放射線検出素子に入射する放射線量は前記の通り極め
て微量であるから、画素信号の信号対雑音比は小さく、
鮮明な再構成像を得ることは困難であった。すなわち、
この種の装置においては、画素数を増加することと各放
射線検出素子の出力信号の信号対雑音比を大きくするこ
とは、相反する要求であって、同時に両者を満足させる
ことは不可能である。
本発明の目的は、前述した問題を解決した放射線像検出
装置を提供することにある。
前記目的を達成するために本件発明者は、(イ)単位検
出素子に入射する放射線量を多くするために画面の分割
数を小さくして、単位検出素子あたりの信号対雑音比を
大きくすること、(ロ)放射線像にたいする検出素子の
位置を変えて、同一の素子から多数回信号を検出して得
られた信号を演算処理することにより、画像を再構成す
ることにより、画像分解単位を大きくすることができこ
とに着目した。
ずtわち本発明による放射線像検出再構成装置は、ピン
ホールを有するピンホール板と、短冊形の放射線検出素
子を複数個平行に配列し前記ピンホール板に対向して配
置されている放射線検出器と、放射線の入射軸を中心に
してこの軸に垂直な面で前記放射線検出器を等角度ずつ
回転させる回転装置と、前記放射線検出器の各検出素子
の出力信号を前記回転装置の各回転角ごとに記憶する記
憶装置と、前記記憶装置に記憶されているテークから各
回転位置における各検出素子ごとにその検出素子に関連
する画素に与える像の影響かその検出素子と画素が重な
る度合のみで決ると仮定することにより前記関連する画
素の仮の放射線量を算出し、それ等の仮の放射線量をさ
らに演算して放射線像を再構成する演算装置と、前記/
jii算装置の演算結果を出力する出力装置とを含みピ
ンホールを透過して放射線検出器に投影された放射線像
を検出再構成するするように構成構成されている。
前記構成によれば本発明の目的は完全に達成できる。
本発明による装置の被写体は、自体放射線を放射するも
の、または放射線の照射を受けて反射または透過するも
ののいずれでも良い。
被写体からの放射線は平板に設けたピンホールを介して
放射線検出器上に結像させられる。すなわち、本発明に
よる装置はX線、ガンマ線のように光学レンス系を用い
て結像させることができない放射線像の検出再構成に適
している。光学レンズ系を用いないので焦点深度が大き
く倍率を自由に決定できるなどの利点がある。
放射線検出器は短冊形の放射線検出素子を一平面に平行
にできるだけ間隔を狭くして配置したものである。放射
線検出器の放射線入射面(前記検出素子の表面が配列さ
れている面)はピンホール板と平行に保たれている。
放射線検出器は放射線検出器の入射面に垂直な回転中心
軸を持つ回転装置に支持されている。この回転装置は放
射線検出器を等角度間隔で間欠回転させる。放射線検出
器を構成する各検出素子はそれぞれ出力端子を持ってい
て入射放射線強度に対応する信号を送出する。
各検出素子の出力信号は、記憶装置の対応する記憶場所
に記憶される。前記記憶場所は、前記回転装置か最小単
位の回転角だけ回転して停止する位置ごとに用意され、
回転角度位置ごとに異なる場所に記憶される。回転の停
止位置がm、検出素子の数かnであれは、すくなくとも
m X n個の記憶場所を用意する必要がある。
回転停止位置に付された番号を行の要素とし、検出素子
に付された番号を列の要素として、記憶場所をマトリッ
クスに配列する。
この記憶装置から信号を取り出して演算することによ・
す、放射線検出器上の放射線像を演算算出することがで
きる。この演算のアルコリズムは実施例に関連して詳述
する。
再構成された画像信号は、二次元的な表示装置、例えば
フラウン管等に表示することができる。
以下実施例を示す図面等を参照してさらに説明する。第
1図は被写体、ピンホール板および放射線検出器の位置
関係を示す斜視図である。
被写体1の像はピンホール板2のピンホールを介してス
クリーン3上に結像させられる。スクリーン3の中心部
に短冊形の放射線検出素子を複数個、平行に配列した放
射線検出器4が配置されている。
まずこの放射線検出器の構造を詳細に説明する。
第2図(a’)前記放射線検出器4を放射線の入射側か
ら見た図である。放射線検出器の中央に短冊状の放射線
検出素子401.402、・・・・・40h・・413
.414の14個が両端を一直線に揃えて平行に近接し
て配置されている。前記14個の放射線検出素子の集合
により正方形の検出面Sか形成される。放射線検出素子
は1枚のシリコン基板をプレーナ技術を用いて構成した
ものであり、各放射線検出素子はN形シリコン基板の一
面にP形不純物をドープして構成したP−N接合半導体
である。前記14個の放射線検出素子の形成する検出面
Sの裏面には共通電極42に接続され、放射線検出素子
401402、・・・413.4]4は表面でそれぞれ
個別電極43.43・・・に接続されている。これ等の
放射線検出素子は基台44により支持され、各個別電極
43.43・・は基台を貫く導電線で裏面の端子に接続
されている。
放射線検出器4の基台44の外周には歯車45か設けら
れている。この歯車45はパルスモータ46の出力を伝
達する歯車に結合させられている。
基台44はパルスモータの回転により中心軸の回りを1
5度毎に180度まで回転させられる。
第2図(b)は放射線器4の背面図である。
図において、47は共通電極42の端子、端子48.4
8・・・は各放射線検出素子401.402、・・・4
13.414の個別電極43.43・・・の端子である
端子48.48・・はそれぞれ増幅器群50の対応する
増幅器501.502・・514の入力端子に接続され
ている。
第3図は放射線検出器4の制御および信号処理装置の実
施例を示すブロック図である。
制御器6の制御端子61からはパルスモータ46への回
転指示信号が出力される。こ、の回転指示信号により、
パルスモータ46は放射線検出器4を15度すつ回転さ
せる。制御器60制御端子62からは直列化装置7へ続
出指示信号が送出される。
直列化装置7は、増幅器群50の各出力端子に接続され
ている個別のサンプルホールド回路と、個々のサンプル
ホールド回路の信号を取り出すケート回路から構成され
ている。
制御器6の制御端子63からは第1記憶装N9へ書込み
アドレス信号が送出される。
第1記憶装置9にはマトリックス状に配列された12X
14=、、168個の記憶場所が設けられている。制御
器6から第1記憶装置9へ送出されるアドレス信号はパ
ルスモータ46へ送出する信号と、直列化装置7へ送出
する信号との組合せからなる2吹元的な配列を持つ信号
である。すなわちパルスモータ46へ送出する回転角度
を指示する信号と第1記憶装w9の記憶場所の2次元配
列の行を指定する信号とか対応し、直列化袋w7の特定
の入力端から入力し、た信号を送出するように指示する
信号と第1の記憶装置9の記憶場所の列を指示する信号
とが対応する。したかって、第1の記憶装置の(m、n
)番地の記憶場所にはm番目のアナログ−デジタル変換
器8によって、デンタル信号に変換して第1記憶装置9
の(m、n)番地に記憶される。
次に演算機10の演算について説明する。
演算の目的は放射線検出器4の放射線検出素子401.
402・・・・414の形成する前記検出平面Sにふく
まれる画面に形成される放射線像を放射線検出素子40
1.402・・・・414の出力を演算処理して求める
ことである。
放射線検出素子401.402・・414の配列によっ
て形成される正方形(検出面S)に内接する円に内接す
る正方形を画面と定義して一辺の画素数を10としlO
X]0=]00の画素から成立するものとする。
一般的に言うとP本の短冊で正方形の検出面Sが定義さ
れるとき、画面の中心は検出面Sの中心と一致し、その
対各線の長さは検出面Sの一辺の長さ以下であり、画素
数は(PXP)/2  以下となる。前記画素のピッチ
は前記短冊形の放射線検出素子のピンチと同一である。
第4図Aは放射線検出素子401.402・・・・41
4の形成する前記検出面Sの当初位置(検出器4が回転
を開始させられる以前の位置)と、画面、画素の幾何学
的関係を説明するための説明図である。第4図Bは検出
器4か45°回転させられたときの検出面Sと、画面、
画素の幾何学的関係を示す説明図、第4図Bは検出器4
が90゜回転させられたときの検出面Sと、画面、画素
の幾何学的関係を示す説明図である。
各図においてMとして示す太線の外側は、放射綿を遮断
する物質で覆われている。この太線は画面の外形と一致
しており、放射線検出素子401.402・・・・41
4の前記画面内に位置する部分のみがエネルギ変換に寄
与する。
第4図において画素の縦方向の配列を画素の列とし、画
素の横方向の配列を画素の行とする。したがって、前記
検出平面Sに含まれる放射線検出素子401.402・
・・・414は当初位置において画素の列と平行である
放射線検出器4は前記当初位置から15°つつ165°
まて歩進させられる。検出器4からの出力信号は当初位
置(0°)から順に第1記憶装置9の第1列7第2列・
・第13列、第14列に格納される。
第5図に第1記憶装置9の説明図を示す。この説明図を
参照して各ステップの検出器4の出力の記憶場所を詳し
く説明する。
放射線検出器4が第4図Aに示すOoの位置にあるとき
の各放射線検出素子401.402・・・・414から
の出力は第1記憶装置の第1列の第1行、Fl−1、第
2行、F2−]、・・第11行。
F  14−1に格納される。以下F’i−jは第1記
憶装置9の1行j列の場所を示すのに用い、(F 1−
j)はその位置に記憶装置されているデータを指称する
ことにする。
放射線検出器4か15°回転させられたときの各放射線
検出素子401.402・・・・414がらの出力は@
1記憶装置の第2列の第1行、第2行・・・第14行、
F ]−2,F 2−2 、・・・・F14−2に格納
される。
放射線検出器4が30°回転させられたときの各放射線
検出素子401.402・・・・414がらの出力は第
1記憶装置の第3列の第1行、第2行・・・第14行、
F 1−3−、 F 2−3 、・・・・F14−3に
格納される。
同様にして放射線検出器4が第4図Cに示す90’回転
させられたときの各放射線検出素子401.402・・
・・414からの出力は第1記憶装置の第7列の第1行
、第2行・・・第14行、Fl−7、F2−7.  ・
・・・F  14−7に格納される。
同様にして放射線検出器4が165°回転させられたと
きの各放射線検出素子401.40・2・・・・414
からの出力は/第1記憶装置の第12列の第1行、第2
行・・・第14行、Fl−12,F2−12、・ ・ 
・ ・F  14−12に格納される。
次に各箇所に格納されているデータおよびそのデータに
より算出される各画素の仮の放射線量について説明する
第4図に示す画面の任意の行iと任意の列Jで定義され
る画素]−Jに入射している真の放射線量をRi−j 
とする。
このとき一般的に、次の条件を考慮する必要かある。
(イ)1画素が完全に1つの放射線検出素子に含まれる
ことはまれであり、1画素への入射放射線は通常2以上
の放射線検出素子により受けられる。
(ロ)1画素と1つの放射線検出素子の面積的な重なり
相の度合は前記検出器4の傾きにより決る。
第1記憶装W9の第り行、第に列のデータを(Fh−k
 )  とする。
(Fh−k)は放射線検出器の第に番目の角度位置(k
−1)XI5°でのh番目の放射線検出素子40hに入
射した全放射線量に対応するデータか格納されているこ
とになる。
放射線検出素子40hと重なり合う任意の画素I−Jと
放射線検出素子40hと重なり合う割合をK i−jと
する。K i−jは放射線検出素子とその傾きと、画素
がきまれば一義的にきまる定数である。
任意の画素1−Jに入射した総ての放射線が放射線検出
素子40hにより捕捉されるとき(完全に重なるとき)
に前記K i−jは1、任意の画素1−Jに入射した放
射線が放射線検出素子40hにより全く捕捉されないと
き(全く重ならないとき)は前記K i−jは0である
従ってその任意のii!ii素1−Jの領域から、放射
線検出素子40hに与えられる放射線量は(Ri−j)
 X (Ki−j )となる。(F h−k )は放射
線検出素子40hと重なり合う総ての画素についての前
記放射線量の和で与えられるので、(Fh−k)は次の
式で与えられる。
(Fh−k)=Σ(Ri−j ) X (Ki−j )
この(Fh−k)により放射線検出素子40hに関係し
た各画素のRi−jが総て等しいと仮定して各画素の仮
の放射線量(R4−j ) h−kを以下のように決め
る。
(R’i−j  ’J   h−k  =   (F 
 h−k  >   / Σ  (Ki−j’、1次に
第1の記憶装置9の第1列に格納されているデータと対
応する仮の放射線量について検討する。
(Fl−1> =0  (検出素子401は画面にない
のでデータは入力されない。) (F2−1 ) =0 (検出素子402も画面にない
のでデータは入力されない。) (F 3−1> =R1−t 士R2暑+R3−1+R
4−1十・・十R9−1+R10−1(なおKj−1=
1)(F4−1 )=R1−2+R2−2↑R3−2 
+R4−2+・・・・・+R10−2(なおK1−2−
1)(F 12−1)= R1−10+R2−10+ 
R3−10+ ・ ・ ・ ・+R10−10(なおK
 1−10= 1 )検出素゛子411と検出素子41
2は画面にないので(F13−1)、< F 14−1
)には入力がない。
0°位置でのこれらのデータから各画素の仮の放射線量
を決めることができる。F3−1等には10個の画素骨
の放射線量の和に相当するデータか収容されているから
、 (F3−1 > /10−(R11) 3−1 = (
R2−1)3−1 = (R3−1) 3−1 = (
R4−1)  ・・=(RIO−1) 3−1としてこ
れを第1列を構成する各画素の仮の放射線量とする。
ただしIO=ΣK1−1、同様にして (F4−1 ) /10−(R1−2) 4−1 = 
(R2−2)4−1−(R3−2:) 4−1 = (
R4−2) 4−1  ・・−〔RIO−2) 4−1
としてこれを第2列を構成する各画素の仮の放射線量と
する。
(F 12−1) / 10−(R1−2) 12−1
−(R2−2)12−1= (R3−2) 12−1=
 (R4−2)  ・・=(RIO−2) 12−1と
してこれを第10列を構成する各画素の仮の放射線量と
する。
第1の記憶装置9の第7番目の列(検出器4の90゛回
転位置のデータに相当)の各行のデータは画素の行のデ
ータに対応する。
(Fl−7) =O(検出素子401は画面にない)(
F2−7>=O(検出素子402も画面にない)(F3
−7 ’) =R1−1+R1−2+R1−3+・・・
・+R]−10(Kl−j  −1) (F4−7 )  −R2−1+R2−2+R2−3・
 ・−R2−10(F2−j  −1) 同様にして (F 12−7>  = R10−1十R10−2士R
IO−3・ ・ +RIO−10(K 1O−j−1) (F 13−7) = (F ’14−7) = Oと
なる。
90゛位置でのこれらのデータから前述と同様にして各
画素の仮の放射線量を決めることかできる。
(F3−7)/10= CRI−] :] 3−7 =
 CRI−2:13−7  =   CR1−3ノ  
3−7  =   (R1−4)   3−7  = 
 ・  ・  ・・・・・・・” CR1−10) 3
−7としてこれを90゛位置での第1行を構成する各画
素の仮の放射線量とする。
(F4−7 ) /10−[R2−1) 4−7−(R
2−234−7−(R2−3) 4−7 = (R2−
4) 4−7−・・・・・・・・−CR2−10) 4
−7としてこれを90゛位置での第2行を構成する各画
素の仮の放射線量とする。
同様にして (F 12−7)  / 1 0’ =  (R1O−
1)  12−7=  (R1O−2)12−7− (
R1O−3)12−7=  (R1O−4)12−7=
 ・ ・ ・・・・・= (RIO−2’l 12−7
としてこれを90°位置での第10行を構成する各画素
の仮の放射線量とする。
次に第1記憶装置9の第2〜6列(検出器の角度が15
°、30°、45°、60°および75゜のときのデー
タ)第8〜12列(検出器の角度が105°、120°
、135°、150°および165°のときのデータ)
の各行に記憶されたデータからそれぞれの各画素の仮の
放射線量は、前述した、放射線検出器の第に番目の角度
位置(k−1)X]5’ でのh番目の放射線検出素子
40hに入射した全放射線量に対応するデータ(Fh−
k)から、放射線検出素子40hと重なり合う任意の画
素1−Jの仮の放射線量を求める手順にしたがって同様
に求めることができる。
以上説明した各画素の仮の放射線量の算出および、後述
する仮の放射線量から各!l素の入射放射線量の演算は
演算M&10によって行なわれる。
画像再構成の基礎となる各画素の放射線量は、各画素毎
に得られたその画素の総ての仮の放射線量の算術平均を
求めることにより得られる。
前記演算にかえて、その画素の総ての仮の放射線量の平
均自乗誤差か最小になる値でその画素の入射放射線量を
代表させることもできる。
このようにして演算された各画素の放射線量は、前述し
たように、第2記憶装置11に前記各画素対応に設けら
れた各番地に格納される。
第2記憶装置fllに記憶された画素の信号は、表示装
置13の走査方式に従って読出され、ディジタル・アナ
ロク変換器12によってアナログ信号に変換される。表
示装置13は前記出力を表示する。この表示装置として
テレビジョンモニタgWや、トーンプリンタを利用する
ことかできる。
以、上詳しく説明した実施例は理解を容易にするために
、放射線検出素子か14個、回転のステップ数を15°
の12ステツプと比較的簡単な例を示した。
一般的に言うと前記放射線検出素子の数と前記ステップ
数を大きくする方か画素数を大きくすることかできる。
そのため本件発明者等は以下の仕様の放射線検出器を用
いて実験を行なった結果良好な結果を得ている。
放射線検出素子の大きさ 0. 8 m’mX 30 
mm全素子数        30個 基台の外周直径     68mm なお前記放射線検出素子はP型シリコンに燐をイオン注
入して、入射面に平行にPN接合層を形成したものであ
り、バイアス電圧10V、負荷IKΩにしたときの応答
速度は3マイクロ秒、放射線感度は数100ミリアンペ
ア/ワツトである。
以上詳しく説明したように本発明では、検出器を形成す
る単位検出素子に入射する放射線量を多くするために短
冊形の検出素子を用いて、画面の分割数李小さくしであ
るので、単位検出素子あたりの入射放射線量を大きくし
て、信号対雑音比を大きくすることができる。
また、放射線像に対して、放射線検出器を回転させ、検
出素子の位置を変えて、同一の素子から多数回信号を得
るように構成しであるから、その信号を演算処理するこ
とにより、画像を再構成することにより、画像分解単位
を大きくすることができる。
従来の装置では画素数100を得るためには、100個
の検出素子を必要とするが、前述した簡単な実施例では
14個の検出素子で100画素を実現している。検出素
子出力を増幅する増幅器は検出素子数だけ必要となるが
、前記簡単な実施例の場合は14個でたりる。
画素数100を得るためには、100個の検出素子を用
いる場合と、画素数10’Oを得るためには、14個の
検出素子を用いる場合(本発明の簡単な実施例の場合)
とを比較すると本発明の場合は−素子当り100/’1
’4#7倍の放射線量を受けることができるので、信号
対雑音比を7の平方根に相当する2、6向上させること
ができる。
以上詳しく説明した実施例に付本発明の範囲内で種々の
変形を施すことかできる。
前記実施例では、画面の形状を正方形にして、放射線検
出器か全回転角において、画面カバーするようにしたが
、画面は必ずしも正方形である必要はない。また放射線
検出器が全回転角において、画面カバーする必要もない
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による放射線像検出再構成装置における
ピンホール板および放射線検出器と被写体の位置関係を
示す斜視図である。 第2図は放射線検出器を示す図であって、第2図へは放
射線検出器を放射線の入射側から見た図、第2図Bは放
射線検出器4の背面図である。第3図は放射線検出器の
制御および信号処理装置の実施例を示すブロック図であ
る。 第4図は放射線検出器と画面の関係を示す説明図であっ
て、第4図Aは放射線検出素子と画面の当初位置関係を
示し、第4図Bは検出器が45°回転させられたときの
画面との関係を示し、第4図Cは検出器が90°回転さ
せられたときの画面との関係を示している。第5図は第
1記憶装置の記憶場所の説明図である。 1・・・被写体     2・・・ピンホール板3・・
・スクリーン 4・・・放射線検出器(401,402,403゜40
4〜40h〜414・・放射線検出素子)5・・・増幅
器     6・・・制御器7・・・シリアライザ  
8・・・A−D変換器9・・・第1記憶装置  10・
・・演算増幅器11・・・第2記憶装置 12・・D−
A変換器13・・・モニタ 特許出願人 浜松テレビ株式会社 代理人 弁理士  井 ノ ロ  洒

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11ピンホールを有するピンホール板と、短冊形の放
    射線検出素子を袂数個平行に配列し前記ピンホール板に
    対向して配置されている放射線検出器と、放射線の入射
    軸を中心にしてこの軸に垂直な面で前記放射線検出器を
    等角度ずつ回転させる回転装置と、前記放射線検出器の
    各検出素子の出力信号を前記回転装置の各回転角ごとに
    記憶する記憶装置と、前記記憶装置に記憶されているデ
    ータから各回転位置における各検出素子ごとにその検出
    素子に関連する画素に与える像の影響がその検出素子と
    画素が重なる度合のみで決ると仮定することにより前記
    関連する画素の仮の放射線量を算出し、それ等の仮の放
    射線量をさらに演算して放射線像を再構成する演算装置
    と、前記演算装置の演算結果を出力する出力装置とを含
    みピンホールを透過して放射線検出器に投影された放射
    線像を検出再構成するするように構成した放射線像検出
    再構成装置。 (2)前記短冊形の放射線検出素子は、P型シリコンに
    燐をイオン注入して、入射面に平行にPN接合層を形成
    した放射線検出素子である特許請求の範囲第1項記載の
    放射線像検出再構成装置。 (3)前記画素のピッチは前記短冊形の放射線検出素子
    のピッチと同一である特許請求の範囲第1項記載の放射
    線像検出再構成装置。
JP57094264A 1982-06-01 1982-06-01 放射線像検出再構成装置 Pending JPS58210583A (ja)

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