JPS58208259A - 導電性の縮合芳香族化合物及びその製法 - Google Patents
導電性の縮合芳香族化合物及びその製法Info
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- JPS58208259A JPS58208259A JP58081028A JP8102883A JPS58208259A JP S58208259 A JPS58208259 A JP S58208259A JP 58081028 A JP58081028 A JP 58081028A JP 8102883 A JP8102883 A JP 8102883A JP S58208259 A JPS58208259 A JP S58208259A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、＃ｌ付芳″４族化合物にイオン性ドーピング
剤をドーピングすることにより、高い導電性を有する多
核のＭ酋芳香族化付物の製法に関する。
剤をドーピングすることにより、高い導電性を有する多
核のＭ酋芳香族化付物の製法に関する。
更に、本発明はそうして製造した専電性化合物釜びに該
化合物を電気工業でかつプラスチックの静電防止加工の
ために使用することに関する。
化合物を電気工業でかつプラスチックの静電防止加工の
ために使用することに関する。
欧州特許出願公告第３６１１８号明細書から、電気化学
的ドーピングにより共役重合体の導電性を高めることは
公知である。このためには共役重合体が電解槽の陽極及
び／又は陰極として使用され、この場合電解液はｌ梱以
上のイオン性ドーピング剤にイオン化することができる
イオン化可能な化合物を含有する。共役重合体としては
、例えばポリフェニレンも挙げられる。導電性物置４を
製造するためのオリゴ−及びポリフェニレンの電気化学
的ドーピングは、欧州特許出願公開第１６３０５分明ａ
ｉｌＦにも示唆されている。
的ドーピングにより共役重合体の導電性を高めることは
公知である。このためには共役重合体が電解槽の陽極及
び／又は陰極として使用され、この場合電解液はｌ梱以
上のイオン性ドーピング剤にイオン化することができる
イオン化可能な化合物を含有する。共役重合体としては
、例えばポリフェニレンも挙げられる。導電性物置４を
製造するためのオリゴ−及びポリフェニレンの電気化学
的ドーピングは、欧州特許出願公開第１６３０５分明ａ
ｉｌＦにも示唆されている。
更に、縮合芳香族環系例えばペリレン、フルオアントレ
ン、ピレン及びトリフェニレンの電気化学的酸化は、こ
の種の系の導電性の調査結果と共に記載されている（
” Ａｎｇｅｖｒ、 Ｃｈｅｍ、 ”第９３巻（１９８
１年）、３６０頁以降、“Ｍｏｄ、 Ｃｒｙａｔ 、Ｌ
ｌｑｕ。
ン、ピレン及びトリフェニレンの電気化学的酸化は、こ
の種の系の導電性の調査結果と共に記載されている（
” Ａｎｇｅｖｒ、 Ｃｈｅｍ、 ”第９３巻（１９８
１年）、３６０頁以降、“Ｍｏｄ、 Ｃｒｙａｔ 、Ｌ
ｌｑｕ。
Ｃｒｙｓｔ、 ”第６２巻（１９８０年）、１８１負以
降参照〕。
降参照〕。
更に、欧州特許出願公開第４７９０７号明細書から、縮
合芳香族環系を含有していてもよいヘテロポリ芳香族化
合物を電気化学的酸化により導電性化合物に転化するこ
とも公知である。
合芳香族環系を含有していてもよいヘテロポリ芳香族化
合物を電気化学的酸化により導電性化合物に転化するこ
とも公知である。
これらの全ての形式の、ポリ芳香族化合物を電気化学的
に酸化する公知方法においては、ポリ芳香族化合物から
そのままで出発している。得られる導電性生成物は酸素
及び湿気に対して極めて敏感であり、しかも達成可能な
導電性は著しく使用したポリ芳香族化合物の純度に左右
される。従つ゛ て、該方法には出発物質の純度に関し
て極めて高い要求が課せられ、かつ常に保護ガス雰囲気
下で作業する必要がある。従って、これらの公知のポリ
芳香族化合物の電気化学的酸化法を、できるだけ少ない
プロセス費用で高い純度及び高い改善された導電性を有
する導電性化合物を製造することができるように簡単化
しかつ構成する必要性が生じる。
に酸化する公知方法においては、ポリ芳香族化合物から
そのままで出発している。得られる導電性生成物は酸素
及び湿気に対して極めて敏感であり、しかも達成可能な
導電性は著しく使用したポリ芳香族化合物の純度に左右
される。従つ゛ て、該方法には出発物質の純度に関し
て極めて高い要求が課せられ、かつ常に保護ガス雰囲気
下で作業する必要がある。従って、これらの公知のポリ
芳香族化合物の電気化学的酸化法を、できるだけ少ない
プロセス費用で高い純度及び高い改善された導電性を有
する導電性化合物を製造することができるように簡単化
しかつ構成する必要性が生じる。
本発明のｌｉｌ！題は、簡単かつ再現可能な形式で実施
することができかつ規定された組成及び高められた導電
性を有する極めて純粋な生成物を生じる、高い導電性を
有する多核のＪｌｌｆＩ−芳香族化合物ｆｔｌ１１！造
する方法を提供することであった。
することができかつ規定された組成及び高められた導電
性を有する極めて純粋な生成物を生じる、高い導電性を
有する多核のＪｌｌｆＩ−芳香族化合物ｆｔｌ１１！造
する方法を提供することであった。
この課題は、本発明により、多核の縮合芳香族化合物の
ジアゾニウム塩な電気化学的Ｋ、有利には陽極で、ドー
ピング剤として作用する導電性塩の存在下に反応させる
ことにより解決される。
ジアゾニウム塩な電気化学的Ｋ、有利には陽極で、ドー
ピング剤として作用する導電性塩の存在下に反応させる
ことにより解決される。
従って、本発明の対象は、縮合芳香族化合物にイオン性
ドーピング剤を電気化学的にドーピングすることにより
、高い導電性を有する多核の縮合芳香族化合物を製造す
る方法に関し、核方法は多核の縮合芳香族化合物のジア
ゾニウム塩を電気化学的に、有利には陽極で、有機極性
溶剤中で、イオン性ドーピング剤にイオン化可能である
導電性塩としてのイオン化可能な化合物と反応させるこ
とを特徴とする。
ドーピング剤を電気化学的にドーピングすることにより
、高い導電性を有する多核の縮合芳香族化合物を製造す
る方法に関し、核方法は多核の縮合芳香族化合物のジア
ゾニウム塩を電気化学的に、有利には陽極で、有機極性
溶剤中で、イオン性ドーピング剤にイオン化可能である
導電性塩としてのイオン化可能な化合物と反応させるこ
とを特徴とする。
本発明方法によれば、導電率が出発化合物に対して数桁
高められており、しかも該導電率を極めて広い範囲内で
変動させかつその都度使用される系に対して良好な電流
収率で電圧及び電圧作用時間に依存して達成しかつ容易
に再現可能に調整することができる導電性の縮合芳香族
化合物の製造が可能であるだけでなく、本発明方法によ
れば規定された組成及び比較的高い純度を有する導電性
のＭ合芳香族化合物を得ることが四時圧可能である。す
なわち、本発明方法では陽極酸化の際にジアゾニウム塩
から遊離した窒素が不活性ガスとして作用するだけでな
く、同時にそのようにしてその場で製造された多核のｍ
合芳香族が大体においてより以上の縮合及び１合体形成
傾向な極く僅か圧しか示さないことが判明した。得られ
た導電性生成物はその都度のプロセス制御に基づいて一
般に粉末状、少なくとも一部分微結晶状であるか又は直
接的に大きな結晶の形で生成する。該生成物は簡単に変
形及び加工可能であり、空気及び貯鷺安定性でありかつ
その一般的に良好な特性に基づき電気工業の適用分野で
使用するために極めて適当である。
高められており、しかも該導電率を極めて広い範囲内で
変動させかつその都度使用される系に対して良好な電流
収率で電圧及び電圧作用時間に依存して達成しかつ容易
に再現可能に調整することができる導電性の縮合芳香族
化合物の製造が可能であるだけでなく、本発明方法によ
れば規定された組成及び比較的高い純度を有する導電性
のＭ合芳香族化合物を得ることが四時圧可能である。す
なわち、本発明方法では陽極酸化の際にジアゾニウム塩
から遊離した窒素が不活性ガスとして作用するだけでな
く、同時にそのようにしてその場で製造された多核のｍ
合芳香族が大体においてより以上の縮合及び１合体形成
傾向な極く僅か圧しか示さないことが判明した。得られ
た導電性生成物はその都度のプロセス制御に基づいて一
般に粉末状、少なくとも一部分微結晶状であるか又は直
接的に大きな結晶の形で生成する。該生成物は簡単に変
形及び加工可能であり、空気及び貯鷺安定性でありかつ
その一般的に良好な特性に基づき電気工業の適用分野で
使用するために極めて適当である。
本発明方法のための出発物質として使用されるジアゾニ
ウム塩としては、特に一般式：％式％］ で示される化合物が該当し、上記式中には多核の縮合芳
香族ｉｊｉ系を表わしかつＸは適当な反対イオン、特に
ｎｓｏｍ−、ｓｏニー 、 ＢＦ２”’ 、 ＣＬ−又
はｃ ｔｏ４−を表わす。基Ｋを形成することができる
、多核の縮会芳香族壌系は一般に１２８〜１０００の分
子量を有する。このための例としては、ナフタリン、ア
ントラセン、カルバゾール、ペリレン、フエナントレｙ
、 ：Ｉ Ｉ：ｌ ネン、り！Ｊ七ノン及ヒドリフェニ
レン挙げられる。両省のジアゾニウム基は自体で芳香族
核に配置されていてもよい。Ｉ−かしながら、該基は一
般ＶｃＭｉ合芳香族項系の種々の核に結合されている。
ウム塩としては、特に一般式：％式％］ で示される化合物が該当し、上記式中には多核の縮合芳
香族ｉｊｉ系を表わしかつＸは適当な反対イオン、特に
ｎｓｏｍ−、ｓｏニー 、 ＢＦ２”’ 、 ＣＬ−又
はｃ ｔｏ４−を表わす。基Ｋを形成することができる
、多核の縮会芳香族壌系は一般に１２８〜１０００の分
子量を有する。このための例としては、ナフタリン、ア
ントラセン、カルバゾール、ペリレン、フエナントレｙ
、 ：Ｉ Ｉ：ｌ ネン、り！Ｊ七ノン及ヒドリフェニ
レン挙げられる。両省のジアゾニウム基は自体で芳香族
核に配置されていてもよい。Ｉ−かしながら、該基は一
般ＶｃＭｉ合芳香族項系の種々の核に結合されている。
本発明方法では、相応するジアゾニウム塩の混合物、或
はまた１個だけ又は２個よりも多いジアゾニウム塩基を
有するジアゾニウム塩な使用することもできる。本発明
で使用すべきジアゾニウム塩の例としては、アントラセ
ン−ビス−ジアゾニウムベルクロレート、ナフタリンー
ビスージアソニウムフルオルボレート、カルバゾールー
ビスージアソニウムスルフェート、ペリレン−ビス−ジ
アゾニウムフルオルボレート、コ四ネンービスージアゾ
ニクムクロリド及びクリセン−ビス−ジアゾニウムスル
フェートが挙げられる。ジアゾニウム塩は公知方法で相
応するジアミン化合物から製造することができる。
はまた１個だけ又は２個よりも多いジアゾニウム塩基を
有するジアゾニウム塩な使用することもできる。本発明
で使用すべきジアゾニウム塩の例としては、アントラセ
ン−ビス−ジアゾニウムベルクロレート、ナフタリンー
ビスージアソニウムフルオルボレート、カルバゾールー
ビスージアソニウムスルフェート、ペリレン−ビス−ジ
アゾニウムフルオルボレート、コ四ネンービスージアゾ
ニクムクロリド及びクリセン−ビス−ジアゾニウムスル
フェートが挙げられる。ジアゾニウム塩は公知方法で相
応するジアミン化合物から製造することができる。
同時に縮合芳香族化合物のためのドーピング剤を成す導
電性塩としては、特にＡｎ型のイオン化可能な化合物を
使用することができ、これらのイオン化可能な化合物と
しては陽イオンＡと陰イオンＢから成る簡単な塩が有利
である。
電性塩としては、特にＡｎ型のイオン化可能な化合物を
使用することができ、これらのイオン化可能な化合物と
しては陽イオンＡと陰イオンＢから成る簡単な塩が有利
である。
この場合、陽イオンＡはＨ１アルカリ金属陽イオン、特
に目、Ｎａ 又はＫ 、アルカリ土類金属陽イオン、
特にＭｇ” 、 Ｃａ”＋及びＢａ２＋、ＮＯ＋、Ｎ０
ＩＩ＋、Ｒ４Ｎ＋又は１４Ｐ であってよく、該式中
基Ｒは相互に無関係に水素原子、脂肪族基有利には１〜
６個の炭素原子を有するもの、脂環式基有利には６〜１
４個の炭素原子を有するもの、又は芳香族基有利には６
〜１４個の炭素原子を有するものを表わす。
に目、Ｎａ 又はＫ 、アルカリ土類金属陽イオン、
特にＭｇ” 、 Ｃａ”＋及びＢａ２＋、ＮＯ＋、Ｎ０
ＩＩ＋、Ｒ４Ｎ＋又は１４Ｐ であってよく、該式中
基Ｒは相互に無関係に水素原子、脂肪族基有利には１〜
６個の炭素原子を有するもの、脂環式基有利には６〜１
４個の炭素原子を有するもの、又は芳香族基有利には６
〜１４個の炭素原子を有するものを表わす。
アンモニウム陽イオン及びホスホニウム陽イオンのうち
では、第三級及び第四級陽イオンが有利であり、特にＲ
が１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表わすもの
が有利である。アンモニウム陽イオンの例とし°Ｃは、
ＮｌＩ４イオンの他に特にテトラ−ｎ−ブチル−、テト
ラ−イソプロピル−並びにテトラ−エチル−アンモニウ
ム陽イオンが挙げられる。ホスホニウムＩＩＭイオンと
しては、トリフェニル−及ヒドリーｎ−ブチルーホスホ
ニウム陽イオンが特に有利である。％に有利な陽イオン
はアルカリ金属陽イオン並びにテトラアルキルアンモニ
ウム陽イオンである。
では、第三級及び第四級陽イオンが有利であり、特にＲ
が１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表わすもの
が有利である。アンモニウム陽イオンの例とし°Ｃは、
ＮｌＩ４イオンの他に特にテトラ−ｎ−ブチル−、テト
ラ−イソプロピル−並びにテトラ−エチル−アンモニウ
ム陽イオンが挙げられる。ホスホニウムＩＩＭイオンと
しては、トリフェニル−及ヒドリーｎ−ブチルーホスホ
ニウム陽イオンが特に有利である。％に有利な陽イオン
はアルカリ金属陽イオン並びにテトラアルキルアンモニ
ウム陽イオンである。
簾イオンＢ−は８ｂＦ、−１ＳｂＣ／、６− 、ＡｓＦ
４− 、 ＡｓＦ６− 、ＰＦａ−、ＢＦ４ 、８
０４． ＣＦ２−．５ＯｓＣＦ、−１酢酸−１安息香酸
−及びトシレート−であってよい。有利な陰イオンは５
ｂＦｓ−１８ｂＣ１４−、ＡｍＦ６″″、ＰＦ、−１Ｂ
Ｐ、−１ｇｏ、及びｃｚｏ４−である。
４− 、 ＡｓＦ６− 、ＰＦａ−、ＢＦ４ 、８
０４． ＣＦ２−．５ＯｓＣＦ、−１酢酸−１安息香酸
−及びトシレート−であってよい。有利な陰イオンは５
ｂＦｓ−１８ｂＣ１４−、ＡｍＦ６″″、ＰＦ、−１Ｂ
Ｐ、−１ｇｏ、及びｃｚｏ４−である。
その都度所望のドーピング度及び所望の導電率に基づき
、電解液内の導電性塩濃度は溶剤１リットル当り一般Ｋ
Ｏ，００１〜１０モル、有利には０．０１〜１モルで
ある。導電性塩として適当なイオン化可能な化合物は、
例えばテトラフチルアンモニウムーテトラフルオルボレ
ート、テトラブチルアンモニウム−ペルクロレート、Ｂ
ｕ４Ｎ ＰＦ６ 、Ｂｕ４Ｎ ＡｉＰ＠、Ｂｕ４Ｎ
ＳｂＦ６ 、 Ｎｏ ５ｂｌＪ 、 Ｎ
Ｏ２ＳｂＦ５ 、 ＮＯＡｓＦ６ 、ＮＯ２
ＡｓＦ５ 、 Ｎｏ ＰＦ５ 、ＮＯ２ＰＦ４、Ｎｏ
ＢＦ、、ＮＯｘ ＢＦ４ 、Ｎｏ ｃｚｏ４ 、）リ
プチルホスホニウム−テトラフルオルボレート、トリブ
チルホスホニウム−ベルクロレート、Ｌｔ ＢＦ４
、 ＬＩ Ａ＃Ｆ＠ 、Ｌｌ ｃｚｏ４ 、Ｋ Ｂ
Ｆ４ 、 ＨＣｌＯ４及びＨｊｓｏ４である。
、電解液内の導電性塩濃度は溶剤１リットル当り一般Ｋ
Ｏ，００１〜１０モル、有利には０．０１〜１モルで
ある。導電性塩として適当なイオン化可能な化合物は、
例えばテトラフチルアンモニウムーテトラフルオルボレ
ート、テトラブチルアンモニウム−ペルクロレート、Ｂ
ｕ４Ｎ ＰＦ６ 、Ｂｕ４Ｎ ＡｉＰ＠、Ｂｕ４Ｎ
ＳｂＦ６ 、 Ｎｏ ５ｂｌＪ 、 Ｎ
Ｏ２ＳｂＦ５ 、 ＮＯＡｓＦ６ 、ＮＯ２
ＡｓＦ５ 、 Ｎｏ ＰＦ５ 、ＮＯ２ＰＦ４、Ｎｏ
ＢＦ、、ＮＯｘ ＢＦ４ 、Ｎｏ ｃｚｏ４ 、）リ
プチルホスホニウム−テトラフルオルボレート、トリブ
チルホスホニウム−ベルクロレート、Ｌｔ ＢＦ４
、 ＬＩ Ａ＃Ｆ＠ 、Ｌｌ ｃｚｏ４ 、Ｋ Ｂ
Ｆ４ 、 ＨＣｌＯ４及びＨｊｓｏ４である。
本発明の方法は、導電性塩な溶解もしくは懸濁した電解
質溶剤としての有機極性化！物の存在下で実施する。水
と混和可能な有機溶剤を使用する場合には、無水系で操
作するのが一般的であるが、導電性を高めるために少量
の、有機溶剤に対して一般に３重Ｊ＃−以下の水を添加
することができる。
質溶剤としての有機極性化！物の存在下で実施する。水
と混和可能な有機溶剤を使用する場合には、無水系で操
作するのが一般的であるが、導電性を高めるために少量
の、有機溶剤に対して一般に３重Ｊ＃−以下の水を添加
することができる。
この溶剤自体は中性であるべきである。有利な電解質溶
剤は、例えばエーテル例えばエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
テトラヒドロフラン及びジオキサン、アセトン、ジメチ
ルホルムアｉド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシド、アセトニトリル又は塩化メチレンである。溶
剤はもちろんのこと適用電圧範囲内で安定であるように
選択すべきである。
剤は、例えばエーテル例えばエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
テトラヒドロフラン及びジオキサン、アセトン、ジメチ
ルホルムアｉド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシド、アセトニトリル又は塩化メチレンである。溶
剤はもちろんのこと適用電圧範囲内で安定であるように
選択すべきである。
本発明方法を′ｉ１、ダイヤスラムを有しない電解槽、
２つの電極及び外部電源から構成された簡単な慣用の電
解槽又は電解装置で実施することができる。
２つの電極及び外部電源から構成された簡単な慣用の電
解槽又は電解装置で実施することができる。
この場合、を極は例えば黒鉛から成っていてもよい。し
かしながら、本発明方法を実施するためには、一般に２
つの貴金属電極有利には白金電極を使用する。この場合
、少なくとも陽極、但し特に両省の電極は平面状に構成
されているのが有利である。本発明で使用すべきジアゾ
ニウム塩は、電解質溶剤中に＃解もしくは分散させる。
かしながら、本発明方法を実施するためには、一般に２
つの貴金属電極有利には白金電極を使用する。この場合
、少なくとも陽極、但し特に両省の電極は平面状に構成
されているのが有利である。本発明で使用すべきジアゾ
ニウム塩は、電解質溶剤中に＃解もしくは分散させる。
これにより、得られる導電性化置物が均一にかつ完全に
ドーピングされることが保証される。この場合１、ジア
ゾニウム塩は一般に溶剤Ｌｔ当りｏ、ｏｏｉ〜５モル、
ヤ纒度で、有利には飽和溶液及び／又は分散形で使用す
る。この場合、ドーピングされた生成物は一般に陽極で
良好に構成された結晶の形で析出するか又は粉末状の固
形生成物として容易に電解質溶剤から単離される。
ドーピングされることが保証される。この場合１、ジア
ゾニウム塩は一般に溶剤Ｌｔ当りｏ、ｏｏｉ〜５モル、
ヤ纒度で、有利には飽和溶液及び／又は分散形で使用す
る。この場合、ドーピングされた生成物は一般に陽極で
良好に構成された結晶の形で析出するか又は粉末状の固
形生成物として容易に電解質溶剤から単離される。
ダイヤスラムを有しない」−記の簡単な電解槽の他に、
別の形式の電解装置例えばダイヤフラムを有する槽又は
正確な電位測定のために補助電極を有するものを本発明
方法のために使用することもできる。場合によっては、
電流量（Ａｓｅｃ）を測定するのも有利である。
別の形式の電解装置例えばダイヤフラムを有する槽又は
正確な電位測定のために補助電極を有するものを本発明
方法のために使用することもできる。場合によっては、
電流量（Ａｓｅｃ）を測定するのも有利である。
電気化学的ドーピングを実施する温度及び圧力は、本発
明方法においてはその都度の系に依存して！＃整及び変
更することができる。通常は、反応は室温で実施する。
明方法においてはその都度の系に依存して！＃整及び変
更することができる。通常は、反応は室温で実施する。
しかしながら、電解質溶剤の凝固温度及び沸騰温度を下
回るか又は上回らない限り、系に基づき別の温度を選択
することもできる。一般に、−４０〜＋４０℃の範囲の
反応温度が極めて有利であることが立証された。適当な
手段を講じれば減圧又は過圧下で操作することもできる
が、本発明方法は通常は常圧下で実施する。必須要件で
はないが、本方法は外部の不活性ガス雰囲気下で実施す
るのが望ましい。
回るか又は上回らない限り、系に基づき別の温度を選択
することもできる。一般に、−４０〜＋４０℃の範囲の
反応温度が極めて有利であることが立証された。適当な
手段を講じれば減圧又は過圧下で操作することもできる
が、本発明方法は通常は常圧下で実施する。必須要件で
はないが、本方法は外部の不活性ガス雰囲気下で実施す
るのが望ましい。
本発明方法を実施する１［′ｓ檜を運転するため′の電
源としては、十分な高さの電圧を供与するあらゆる直流
電源例えばバッテリーが適当である。その都度必要な電
圧の高さは、主としてその都度の系（使用ジアゾニウム
塩、導電性塩、溶剤〕及び所望のドーピング度に左右さ
れる。不必要に高く選択すべきでない。約１〜２５ボル
トの範囲の電圧を利用するのが有利である。％に約２〜
１２ボルトの範囲の電圧が有利であることが立証された
。、電圧の作用時間は、印加電圧、電流密度の高さ及び
所望のドーピング度に左右される。一般に所望のドーピ
ング度は数時間以内で達成される。電流密度は通常０．
０５〜１００ ｒｎＡ７’ｃｄ、有利には０．１〜２０
ｍＡ贋の範囲にある。
源としては、十分な高さの電圧を供与するあらゆる直流
電源例えばバッテリーが適当である。その都度必要な電
圧の高さは、主としてその都度の系（使用ジアゾニウム
塩、導電性塩、溶剤〕及び所望のドーピング度に左右さ
れる。不必要に高く選択すべきでない。約１〜２５ボル
トの範囲の電圧を利用するのが有利である。％に約２〜
１２ボルトの範囲の電圧が有利であることが立証された
。、電圧の作用時間は、印加電圧、電流密度の高さ及び
所望のドーピング度に左右される。一般に所望のドーピ
ング度は数時間以内で達成される。電流密度は通常０．
０５〜１００ ｒｎＡ７’ｃｄ、有利には０．１〜２０
ｍＡ贋の範囲にある。
ドーピングされた縮合芳香族化合物は、簡単に陽極から
、例えば機械的に又は洗浄により分離するか又は電解質
溶液から単ｌＩＭすることができる。
、例えば機械的に又は洗浄により分離するか又は電解質
溶液から単ｌＩＭすることができる。
付着した導電性塩を除去するためには、得られた生成物
を適当な溶剤で洗浄しかつ３０〜１５０℃の温度で有利
には真空下に乾燥する。こうして、一般に結晶、又は少
なくとも一部分は微結晶構造を有する粉末状物質が得ら
れる。得られたドーピングされた縮合芳香族化合物は導
電性でありかつ規定された構造と同時に比較的高い純度
を有する。
を適当な溶剤で洗浄しかつ３０〜１５０℃の温度で有利
には真空下に乾燥する。こうして、一般に結晶、又は少
なくとも一部分は微結晶構造を有する粉末状物質が得ら
れる。得られたドーピングされた縮合芳香族化合物は導
電性でありかつ規定された構造と同時に比較的高い純度
を有する。
本発明方法によれば、導電性の数桁の上昇が達成される
。ドーピングされていない多核の縮合芳香族化合物の出
発導電率は一般ＫＩＯ−１０Ω−’ａｍ−１未満である
。本発明に基づいて製造した生成物は一般Ｋ１ｎ−’Ω
−１傷−１よりも大きな導電率を有する、この場合１０
１Ω″″８柵−Ｌ〜１０−８Ω−１鋤−１又はそれ以上
の導電率を達成することができる。導電率は生成物を銀
導体と接触させかつ２点法に基づいて測定することによ
り検出される。同一結果は４点法に基づく測定によって
も得られる、この場合接点の接触抵抗は］Ｉ［要ではな
い。
。ドーピングされていない多核の縮合芳香族化合物の出
発導電率は一般ＫＩＯ−１０Ω−’ａｍ−１未満である
。本発明に基づいて製造した生成物は一般Ｋ１ｎ−’Ω
−１傷−１よりも大きな導電率を有する、この場合１０
１Ω″″８柵−Ｌ〜１０−８Ω−１鋤−１又はそれ以上
の導電率を達成することができる。導電率は生成物を銀
導体と接触させかつ２点法に基づいて測定することによ
り検出される。同一結果は４点法に基づく測定によって
も得られる、この場合接点の接触抵抗は］Ｉ［要ではな
い。
本発明で製造した導電性の＊＊芳香族化合物は、触媒、
バッテリー、スイッチ、半導体素子及び太陽電池を製造
するために使用することができる。
バッテリー、スイッチ、半導体素子及び太陽電池を製造
するために使用することができる。
生成物は例えばプラスチックの静電防止加工のためＫも
適当である。
適当である。
次に、実施例で本発明の詳細な説明する。実施例に記載
の優はモル−である。
の優はモル−である。
実施例１〜１３
２つの白金電ｍ（寸法３−×３傷、電極間距離２傷）を
有する電解槽で、以下の表に記載した溶剤中に夫々のジ
アゾニウム塩０．０１％及び導電性塩０．０２％を含有
する電解質溶液を一３０℃（実施例１〜７〕及び＋２５
℃（実施例８〜１３ ）で１６時間電気分解した（電圧
：ｉｏｖ、電流強度：５ｎ＋Ａ）。得られた生成物は全
て１０″″１Ω−１傷″″ｌよりも大きな導電率を有し
ていた。
有する電解槽で、以下の表に記載した溶剤中に夫々のジ
アゾニウム塩０．０１％及び導電性塩０．０２％を含有
する電解質溶液を一３０℃（実施例１〜７〕及び＋２５
℃（実施例８〜１３ ）で１６時間電気分解した（電圧
：ｉｏｖ、電流強度：５ｎ＋Ａ）。得られた生成物は全
て１０″″１Ω−１傷″″ｌよりも大きな導電率を有し
ていた。
以下の表において、ジアゾニウム塩は夫々以下のものを
表わす。
表わす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （すｉｏ−’Ω−１・（至）−五よりも大きな導電率を
有する導電性の縮合芳香族化合物。 （２）縮合芳香族化合物にイオン性ドーピング剤を電気
化学的にドーピングすることＫより、高い導電性を有す
る多核の縮合芳香族化合物を製造する方法において、多
核の縮合芳香族化合物のジアゾニウム塩を電気化学的に
、有利には陽極で、有機極性溶剤中で、イオン性ドーピ
ング剤にイオン化可能である導電性塩としてのイオン化
可能な化合物と反応させることを特徴とする、１０−４
Ω−１１−１よりも大きい導電性の縮合芳香族化合物の
製法。 （３）導電性塩としてＡｎ型の化合物を使用し、該式中
ＡはＨ，アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン
、Ｒ４Ｎ 、 Ｒ，Ｐ 、、 Ｎｏ 及びＮｏ、 の
群から選択されり陽イオンを表わし、Ｂ−は８ｂＦ、、
５ｂｃｚ、−１Ａｍ Ｆ４− 、ＡｓＦ６− 、ＰＦ６
−１ＢＦ４ 、ＳＯ４、ＣｌＯ２−１８０，ＣＦｓ−
１酢＊−、安息香酸−及びトシレート−を表わしかつ上
記式中Ｒは相互に無関係に水素原子又は脂肪族、脂環式
もしくは芳香族基を表わす、特許請求の範囲第２項記載
の方法。 （４）ジアゾニウム塩として、一般式：％式％］ の化合物を使用し、上記式中には多核の縮合芳香族環系
でありかつＸは適当な反対イオンである、特許請求の範
囲第２項記載の方法。 （５）ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、カ
ルバゾール、ペリレン、クリセン、コロネン又ハトリノ
エニレンのジアゾニウム塩を特徴する特許請求の範囲第
２項〜第４項のいずれか１項に記載の方法。 （６）導電性塩を溶剤ｌｔ当り０．００１〜１０モルの
濃度で使用する、特許請求の範囲第２項〜第５項のいず
れか１項に記載の方法。 （７）多核の縮合芳香族化合物のジアゾニウム塩を電解
質浴剤中に浴剤１を肖り０．００１〜５モルの濃づ更
、 度で溶解もしくは分散させて節用する、特許請求の範囲
第２項〜第６項のいずれか１項に記載の方法。 （８）電気化学的反応を１〜２５ポルトの範囲の電圧で
実施する、特許請求の範囲第２項〜第７項のいずれか１
項に記載の方法。 （９）縮合芳香族化合物にイオン性ドーピング剤を電気
化学的にドーピングすることにより、高い導電性を有す
る多核の縮合芳香族化合物を製造する方法において、多
核の縮合芳香族化合物のジアゾニウム塩を電気化学的に
、有利には陽極で、有機極性溶剤中で、イオン性ドーピ
ング剤にイオン化可能である導電性塩としてのイオン化
可能な化付物と反応させて得た導電性の縮合芳香族化合
物による電気工業における、特に触媒、バッテリ、スイ
ッチ、牛導体素子及び太陽電池の製造法。 に）Ｎ１合芳香族化合□物にイオン性ドーピング剤を電
気化学的にドーピングすることにより、高い導電性を有
する多核の縮合芳香族化付物を製造する方法において、
多核の縮合芳香族化合物のジアゾニウム塩を電気化学的
に、有利には陽極で、有機極性溶剤中で、イオン性ドー
ピング剤にイオン化可能である導電性塩としてのイオン
化可能な化合物と反応させて得た導電性の縮合芳香族化
合物によるプラスチックの静電防止加工方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32182295 | 1982-05-14 | ||
| DE19823218229 DE3218229A1 (de) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Verfahren zur herstellung elektrisch leitfaehiger kondensierter aromatischer verbindungen, die nach dem verfahren hergestellten produkte und deren verwendung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208259A true JPS58208259A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=6163629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58081028A Pending JPS58208259A (ja) | 1982-05-14 | 1983-05-11 | 導電性の縮合芳香族化合物及びその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0094563A2 (ja) |
| JP (1) | JPS58208259A (ja) |
| DE (1) | DE3218229A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2591614B1 (fr) * | 1985-12-17 | 1990-10-05 | France Etat | Procede de fabrication d'un film de polyparaphenylene et applications du film de polyparaphenylene obtenu. |
| WO2008090554A2 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Elutex Ltd. | Modified conductive surfaces prepared by electrografting of diazonium salts |
-
1982
- 1982-05-14 DE DE19823218229 patent/DE3218229A1/de not_active Withdrawn
-
1983
- 1983-05-05 EP EP83104411A patent/EP0094563A2/de not_active Withdrawn
- 1983-05-11 JP JP58081028A patent/JPS58208259A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3218229A1 (de) | 1983-11-17 |
| EP0094563A2 (de) | 1983-11-23 |
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