JPS58204451A - Ｘ線発生装置 - Google Patents

Ｘ線発生装置

Info

Publication number
JPS58204451A
JPS58204451A JP57087121A JP8712182A JPS58204451A JP S58204451 A JPS58204451 A JP S58204451A JP 57087121 A JP57087121 A JP 57087121A JP 8712182 A JP8712182 A JP 8712182A JP S58204451 A JPS58204451 A JP S58204451A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
solid
case
silicon
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57087121A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP57087121A priority Critical patent/JPS58204451A/ja
Publication of JPS58204451A publication Critical patent/JPS58204451A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/12—Cooling non-rotary anodes
    • H01J35/13—Active cooling, e.g. fluid flow, heat pipes

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線発生装置のターゲット材料に関する。
従来、固体ターゲットに電子線を照射してＸ線を発生す
るＸ線発生装置に於ては、固体ターゲットを金属材料、
例えば銅、アルミニウム、あるいは白金、パラジウム、
モリブデン、シリコン等を鋼上Ｇこ膜形成したものを用
い、ターゲット自体は水冷、油冷あるいは回転などして
冷却するのが通例であった。
しかし、上記従来技術では、金属ターゲットの電子線照
射による融解により、より大電力の電子線を照射して、
輝度の高いＸｉを得ることが困難であるという欠点があ
った。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、輝度の高い
Ｘ線を得るための固体ターゲット材料を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、固
体ターゲットに電子線を照射してＸ線を発生するＸ線発
生装置に於て、該固体ターゲットをセラミックとなす事
を特徴とする。
以下、実施例により、本発明の詳細な説明する固体ター
ゲット材料の代表的なものとして、シリコン窒化物（Ｓ
ｉ、ｎ、　　）を用いた。Ｓｉ、Ｎ。
粉末を焼結した固体ターゲットに電子線を照射すると、
固体シリコンをターゲットにした場合に比して、ターゲ
ットが融解する為の電子線の入力電流を２０ＫＶの加速
電圧で、シリコン・ターゲットの場合、最大１Ａである
のに対し１０Ａ迄の入力が可能となり、その結果、出力
Ｘ線は相対値で１桁高いＸ線輝度を得ることができた。
固体ターゲットは水冷された銅のハース上に置かれた。
上記の如く、固体ターゲットをセラミック材料とするこ
と（こより、より輝度の高いＸ線発生装置とすることが
できる効果がある。
セラミックＱターゲット材料としては、シリコン窒化物
以外の窒化物、例えばモリブデン窒化物、タングステン
、窒化物等の金属窒化物や、シリコン・カーバイド等の
炭化物、アルミナ等の酸化物、あるいは硼化物あるいは
、これらの混合、混成物等を用いることができる。
更に、銅あるいは胴回転体の表面に上記セラミック材を
形成し、銅自体を水冷あるいは回転しながら水冷等して
冷却する構成となすこともできる以　　上 出願人　株式会社諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 固体ターゲットに電子線を照射してｘｉを発生するＸ線
    発生装置に於て、該固体ターゲットをセラミックとなす
    事を特徴とするＸｉ発生装置。
JP57087121A 1982-05-21 1982-05-21 Ｘ線発生装置 Pending JPS58204451A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57087121A JPS58204451A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 Ｘ線発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57087121A JPS58204451A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 Ｘ線発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58204451A true JPS58204451A (ja) 1983-11-29

Family

ID=13906118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57087121A Pending JPS58204451A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 Ｘ線発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58204451A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61215259A (ja) * 1985-03-19 1986-09-25 真空材料株式会社 スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53108796A (en) * 1977-02-16 1978-09-21 Gen Electric X ray target coating having high heat emissivity coefficient
JPS56141153A (en) * 1980-04-03 1981-11-04 Toshiba Corp Target for x-ray tube

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53108796A (en) * 1977-02-16 1978-09-21 Gen Electric X ray target coating having high heat emissivity coefficient
JPS56141153A (en) * 1980-04-03 1981-11-04 Toshiba Corp Target for x-ray tube

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61215259A (ja) * 1985-03-19 1986-09-25 真空材料株式会社 スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法
JPH04948B2 (ja) * 1985-03-19 1992-01-09 Shinku Zairyo Kk

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3801847A (en) X-ray tube
DE3364203D1 (en) Ceramic substrate
DE59603163D1 (de) Mikrofocus-röntgeneinrichtung
EP0184623A2 (en) Heat dissipation means for X-ray generating tubes
DE69105225D1 (de) Target für Röntgenröhre.
US3650846A (en) Process for reconstituting the grain structure of metal surfaces
JPS58204451A (ja) Ｘ線発生装置
US3243636A (en) Rotary anode for X-ray tubes
SE7705088L (sv) Rontgenrorsanod med legerad yta och forfarande for framstellning derav
US3821580A (en) Flash x ray tube
US2379397A (en) Anode structure
JPS53103392A (en) Tomograph
Katsumi et al. Mechanisms of atomic processes induced by electronic excitation in solids
US3869635A (en) Rotary anode for an x-ray tube
JP2001216927A (ja) Ｘ線ターゲット
JPS62290051A (ja) Ｘ線管タ−ゲツト用の熱放射性被膜
JPS5515232A (en) Electronic ray exposure prototype and elctronic ray exposure method
Kiepenheuer On the Origin of the Cosmic Radiation from the Sun
JPS5438771A (en) Cooling fin
JPS5726110A (en) Method and device for producing metallic or alloy powder
JPS53135564A (en) Thermal cathode and its manufacture
JPH02267843A (ja) Ｘ線発生装置
Smith Jr et al. A ROTATING PENNING SURFACE-PLASMA SOURCE FOR DC H" BEAMS
JPS5456906A (en) Method of tightening surface layer of sintered body
JPS57202740A (en) Manufacture of semiconductor device