JPS582003Y2 - Thick film varistor device - Google Patents

Thick film varistor device

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JPS582003Y2
JPS582003Y2 JP1978077482U JP7748278U JPS582003Y2 JP S582003 Y2 JPS582003 Y2 JP S582003Y2 JP 1978077482 U JP1978077482 U JP 1978077482U JP 7748278 U JP7748278 U JP 7748278U JP S582003 Y2 JPS582003 Y2 JP S582003Y2
Authority
JP
Japan
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varistor
film
thick film
resistor
insulating substrate
Prior art date
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Expired
Application number
JP1978077482U
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Japanese (ja)
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JPS54178059U (en
Inventor
大 小田
Original Assignee
松下電器産業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 松下電器産業株式会社 filed Critical 松下電器産業株式会社
Priority to JP1978077482U priority Critical patent/JPS582003Y2/en
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Application granted granted Critical
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、厚膜バリスタにおいて、抵抗器膜を並設する
ことによって特異な電圧電流特性を得、バリスタ単体で
は得られながった機能を発揮させる厚膜バリスタ装置に
関する。
[Detailed description of the invention] This invention is a thick film varistor device that obtains unique voltage and current characteristics by arranging resistor films in parallel in a thick film varistor, and exhibits functions that cannot be obtained with a varistor alone. Regarding.

厚膜バリスタの電圧電流特性は、第1図の■のようであ
って、その特性を利用して、回路の電圧安定、パルス抑
制、サージ吸収等の目的で一般に実用化されつつある。
The voltage-current characteristics of a thick film varistor are as shown in (2) in FIG. 1, and by utilizing these characteristics, it is being put into practical use for purposes such as voltage stabilization, pulse suppression, and surge absorption in circuits.

また一般的には、その非直線指数が大きい程、優れたバ
リスタとされている。
Generally, the larger the nonlinear index, the better the varistor.

しがし、各種分野に適用する中で、比較的低い電圧が印
加されている時は固定抵抗器として動作し、ある程度電
力消費する方が、バリスタの総合的性能面で有利な場合
がある。
However, when applied to various fields, it may be advantageous for the overall performance of the varistor to operate as a fixed resistor and consume a certain amount of power when a relatively low voltage is applied.

また、サージ吸収後の残留波形を制御することができる
Furthermore, the residual waveform after the surge absorption can be controlled.

このような機能は比較的低い電圧領域では固定抵抗器と
して動作し、高圧印加時にバリスタとして動作するよう
な、第1図の実線のような電圧電流特性を有するときに
得られる。
Such a function is obtained when the device has voltage-current characteristics as shown by the solid line in FIG. 1, such that it operates as a fixed resistor in a relatively low voltage region and as a varistor when a high voltage is applied.

しかし、このような電圧電流特性を示す厚膜バリスタを
単体で製作することは困難とされている。
However, it is difficult to manufacture a single thick film varistor that exhibits such voltage-current characteristics.

本考案は、第1図において示すように、抵抗器の特性R
とバリスタの特性■を合成した実線のような電圧電流特
性を示す厚膜バリスタ装置を得る手段を開示するもので
ある。
The present invention has a resistor characteristic R as shown in FIG.
This invention discloses a means for obtaining a thick film varistor device that exhibits voltage-current characteristics as shown by the solid line, which is a combination of the characteristics (1) and (2) of the varistor.

以下本考案を実施例に基づいて説明する。The present invention will be explained below based on examples.

厚膜バリスタVと厚膜抵抗器Rを等価的に第2図に示す
ように並設し合成特性を得るもので、それぞれの性能設
定(抵抗値設定)は、ある印加電圧領域以下では厚膜抵
抗器の抵抗値が低く、高い電圧領域では厚膜バリスタの
動抵抗が低くなるように設定するものである。
Thick film varistor V and thick film resistor R are equivalently arranged side by side as shown in Figure 2 to obtain composite characteristics, and each performance setting (resistance value setting) The resistance value of the resistor is set to be low, and the dynamic resistance of the thick film varistor is set to be low in a high voltage region.

第3図は、サンドイッチ型の厚膜バリスタの断面図を示
すもので、図において、1は耐熱性絶縁基板、2はその
基板1上の下部電極、3,4はその下部電極2上に形成
されたバリスタ膜と抵抗器膜、5はその膜3と4を覆う
ように設けられた上部電極であり、その上部電極5は下
部電極2と短絡しないように抵抗器膜4上でその一部が
カットされている。
FIG. 3 shows a cross-sectional view of a sandwich-type thick film varistor. In the figure, 1 is a heat-resistant insulating substrate, 2 is a lower electrode on the substrate 1, and 3 and 4 are formed on the lower electrode 2. 5 is an upper electrode provided to cover the varistor film and resistor film, and 5 is an upper electrode provided to cover the varistor film and the resistor film. has been cut.

すなわち単一の耐熱性絶縁基板1上に単一の下部電極2
を印刷、焼付けし、その上にバリスタペースト3および
抵抗ペースト4をそれぞれ印刷して焼付ける。
That is, a single lower electrode 2 is placed on a single heat-resistant insulating substrate 1.
is printed and baked, and varistor paste 3 and resistor paste 4 are printed and baked thereon, respectively.

形成されたバリスタ膜3および抵抗器膜4の上をさらに
、下部電極2と接触しないように一定の距離を保って、
上部電極5を印刷し焼付けて覆う。
Further, on the formed varistor film 3 and resistor film 4, maintaining a certain distance so as not to contact the lower electrode 2,
The upper electrode 5 is printed and baked to cover.

必要ある場合は、ソルダレジストや絶縁樹脂等で被覆す
る。
If necessary, cover with solder resist, insulating resin, etc.

このようにして得られた装置の電流パスは、絶縁基板1
に対して垂直である。
The current path of the device obtained in this way is
perpendicular to .

次に第4図は、プレーナ型の厚膜バリスタの例を示すも
ので、図において、1は耐熱性絶縁基板、6.7はその
基板1上に相隔てて設けられた二電極、8,9はその二
電極6,7間にまたがって並設されたバリスタ膜と抵抗
器膜である。
Next, FIG. 4 shows an example of a planar type thick film varistor. Reference numeral 9 denotes a varistor film and a resistor film arranged in parallel across the two electrodes 6 and 7.

すなわち耐熱性絶縁基板1上に電極6,7を所定の間隔
をおいて印刷し、焼付ける。
That is, electrodes 6 and 7 are printed on the heat-resistant insulating substrate 1 at a predetermined interval and baked.

そして電極6,7間にまたがってバリスタペースト8お
よび抵抗ペースト9をそれぞれ印刷して焼付ける。
Varistor paste 8 and resistor paste 9 are then printed and baked between electrodes 6 and 7, respectively.

必要ある場合はソルダレジストや絶縁樹脂等で被覆する
If necessary, cover with solder resist, insulating resin, etc.

このようにして得られた装置の電流パスは、絶縁基板1
に対して水平である。
The current path of the device obtained in this way is
horizontal to

前記二つの方式に加え、厚膜バリスタをサンドイッチ型
に形威し、厚膜抵抗器をプレーナ型に形成しても、また
その逆の構成でも本考案の特性を得ることができる。
In addition to the above two methods, the characteristics of the present invention can also be obtained by forming the thick film varistor into a sandwich type and forming the thick film resistor into a planar type, or vice versa.

前者の例を第5図に示す。An example of the former is shown in FIG.

図において、1は耐熱性絶縁基板、10は基板1上に設
けられた下部電極、11はその電極10上に設けられた
バリスタ膜、12はそのバリスタ膜11上に設けられた
上部電極であり、その一端は基板1上に延長されている
In the figure, 1 is a heat-resistant insulating substrate, 10 is a lower electrode provided on the substrate 1, 11 is a varistor film provided on the electrode 10, and 12 is an upper electrode provided on the varistor film 11. , one end of which extends above the substrate 1.

13はその延長された上部電極12と下部電極10との
間にまたがって設けられた抵抗器膜である。
13 is a resistor film provided across the extended upper electrode 12 and lower electrode 10.

もちろんこの実施例においても両電極10と12は短絡
しないように工夫されている。
Of course, in this embodiment as well, measures are taken to prevent the electrodes 10 and 12 from being short-circuited.

このようにして得られた装置は、適用に際して例えば低
電圧域では固定抵抗器の特性でエネルギー消費をし、異
常高電圧の際にはバリスタの特性で十分に低いレベルに
高電圧を抑制し得る有用な機能を有するものである。
When the device thus obtained is applied, for example, in the low voltage range, energy is consumed due to the characteristics of the fixed resistor, and in the event of an abnormally high voltage, the high voltage can be suppressed to a sufficiently low level using the characteristics of the varistor. It has a useful function.

また、本考案による電圧電流特性を有する装置は、異常
高電圧を抑制した後の残留電圧波形の、特に時間幅を短
かくすることが可能であって、機械ガバナ式マイクロモ
ータのガバナ接点保護用装置として理想のものといえる
In addition, the device having voltage-current characteristics according to the present invention can shorten the residual voltage waveform after suppressing abnormal high voltage, especially the time width, and can be used to protect governor contacts of mechanical governor type micromotors. It can be said that it is an ideal device.

そして、本考案の厚膜バリスタ装置は単一絶縁基板上に
厚膜バリスタと厚膜抵抗器とを並設していることにより
、バリスタおよび抵抗器はその自己発熱による影響を互
いに受けることが少なく、熱による特性劣化を阻止する
上で有効な構成となっているものである。
In addition, since the thick film varistor device of the present invention has a thick film varistor and a thick film resistor arranged side by side on a single insulating substrate, the varistor and resistor are less affected by their self-heating. This structure is effective in preventing deterioration of characteristics due to heat.

また、絶縁基板上に厚膜バリスタと厚膜抵抗器を同様の
工法で同時に形成することができ、工数が大幅に低減さ
れて作業性が良好となる利点を有するものである。
Furthermore, the thick film varistor and the thick film resistor can be simultaneously formed on the insulating substrate using the same method, which has the advantage of significantly reducing the number of steps and improving workability.

以上のように本考案による厚膜バリスタ装置は、固定抵
抗器と電圧依存性抵抗器の複合性能を有し、特異な特性
が得られて、厚膜バリスタの適用分野を拡大するもので
ある。
As described above, the thick film varistor device according to the present invention has the combined performance of a fixed resistor and a voltage dependent resistor, has unique characteristics, and expands the field of application of thick film varistors.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は厚膜バリスタと厚膜抵抗器の合成電圧電流特性
図、第2図は厚膜バリスタと厚膜抵抗器の並列回路図、
第3図は本考案による厚膜バリスタ装置の一実施例の断
面図、第4図a、l)は第2の実施例の平面図とそのA
−A’線断面図、第5図a、l)は第3の実施例の平面
図とそのB−B’線断面図である。 1・・・・・・単一絶縁基板、2・・・・・・下部電極
、3,8.11・・・・・・バリスタ膜、4,9.13
・・・・・・抵抗器膜、5・・・・・・上部電極、6.
7・・・・・・電極、10・・・・・・下部電極、12
・・・・・・上部電極。
Figure 1 is a composite voltage-current characteristic diagram of a thick film varistor and a thick film resistor, Figure 2 is a parallel circuit diagram of a thick film varistor and a thick film resistor,
FIG. 3 is a sectional view of one embodiment of the thick film varistor device according to the present invention, and FIG. 4 a, l) is a plan view of the second embodiment and its A.
-A' line sectional view, Figures 5a and 5l) are a plan view of the third embodiment and its BB' line sectional view. 1...Single insulating substrate, 2...Lower electrode, 3,8.11...Varistor film, 4,9.13
. . . Resistor film, 5 . . . Upper electrode, 6.
7...Electrode, 10...Lower electrode, 12
...Top electrode.

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] (1)単一絶縁基板上に厚膜バリスタと厚膜抵抗器とを
並設し、一体化したことを特徴とする厚膜バリスタ装置
(1) A thick film varistor device characterized in that a thick film varistor and a thick film resistor are arranged side by side and integrated on a single insulating substrate.
(2)単一絶縁基板上の単一下部電極上にバリスタ膜お
よび抵抗器膜を形成し、前記バリスタ膜および抵抗器膜
の双方を覆うように上部電極を設けた実用新案登録請求
の範囲第(1)項に記載の厚膜バリスタ装置。
(2) A utility model registration claim in which a varistor film and a resistor film are formed on a single lower electrode on a single insulating substrate, and an upper electrode is provided to cover both the varistor film and the resistor film. The thick film varistor device according to item (1).
(3)単一絶縁基板上に相隔てて設けた二電極間にまた
がってバリスタ膜と抵抗器膜とを並設した実用新案登録
請求の範囲第(1)項に記載の厚膜バリスタ装置。
(3) The thick-film varistor device according to claim (1), in which a varistor film and a resistor film are arranged side by side across two electrodes spaced apart on a single insulating substrate.
(4)単一絶縁基板上の単一下部電極上にバリスタ膜を
形威し、そのバリスタ膜を覆うように上部電極を設け、
その上部電極を前記単一絶縁基板上に延長し、その延長
された上部電極と前記下部電極間にまたがって抵抗器膜
を設けた実用新案登録請求の範囲第(1)項に記載の厚
膜バリスタ装置。
(4) forming a varistor film on a single lower electrode on a single insulating substrate, and providing an upper electrode to cover the varistor film;
The thick film according to claim 1, wherein the upper electrode is extended on the single insulating substrate, and a resistor film is provided spanning between the extended upper electrode and the lower electrode. barista equipment.
JP1978077482U 1978-06-06 1978-06-06 Thick film varistor device Expired JPS582003Y2 (en)

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JPS54178059U JPS54178059U (en) 1979-12-15
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5130384A (en) * 1974-09-06 1976-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd GUREEZUBARISUTA

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5232913Y2 (en) * 1972-12-28 1977-07-27
JPS5279544U (en) * 1975-12-11 1977-06-14

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JPS5130384A (en) * 1974-09-06 1976-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd GUREEZUBARISUTA

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JPS54178059U (en) 1979-12-15

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