JPS582002A - サ−メツト抵抗体の抵抗値調整法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、厚膜モジュールの抵抗調整法に関するもので
ある。

厚膜モジー−ルに使用する抵抗線、セラミック基板上に
印刷、焼成して形成しているがｔその抵抗値バラツキは
全２０〜±３０％ある。このため通常の抵抗設計値Ｒ±
５チを得るためには、抵抗値調整が必要であり、一般に
はサンドブラスト法、レーザ法により抵抗膜の一部なＡ
ｌ１除することＫより、抵抗値を初期の値より上昇させ
。

所定抵抗値に調整する方法をとっている。このため、製
品歩留りを上げるためには、初期抵抗値を所定抵抗値よ
り一５ｏｂに設定し、生産する必要があり、抵抗調整の
ための切削面積も十分大きくとる必要がある。このため
、抵抗体パターンの微小化が困難であり、生産性もよく
ない。

本発明は、厚膜モジー−ルの抵抗体を小さくし１回路密
度を上けるために抵抗値の調整を１抵抗膜を切削せず、
抵抗膜の組成を、電気化学的処理により変えることによ
り、調整しようとするもので、抵抗値は増加、減少の両
方か可能となる。

このため、生産における初期の抵抗値を、設計抵抗値と
同じに設冨することができる。このため調整抵抗の数を
少なくすることができる。

厚膜モジュール゛用抵抗（サーメット抵抗）＃ｉその組
成かガラス質と導電粒子の混合体から成っておｐ、６０
０〜９００１１ｃの焼成によりガラス質の一部か反応す
るとともに１ガラス負中に導亀粒子が分散し、抵抗膜を
構成している。この膜の金輛粒子の分散程度、反応によ
り抵抗値が足。

まり、抵抗値バラツキも大きい。このため本発明は、一
度焼成された抵抗膜を再度赤外線スポットなどの熱線に
より、抵抗膜を溶融し焼成状１態を再現する。この時抵
抗膜中の粒子が再分散と反応を開始し、抵抗変化を示す
が、所定の抵抗値となった時点で、すげやく熱線を遮断
する・ことにより基板は急冷され、所定の抵抗値となる
。すなわち、通常の工程では抵抗を焼成する０際、抵抗
値を測定出来ないか、本発明はスポットで抵抗膜のみを
焼成状態とし、抵抗値を測定しながら１行なうことが出
来る。

また第２の方法として、抵抗膜中の導電粒子の分散１反
応を電界を加えることにより％抵彷値′？：ｐ４整する
方法として、抵抗ｍｖ加熱して６００〜８０　ｏｃｃの
状態にしｓ粒子が反応しやすい状態とし抵抗の両端に電
圧を印加し、金属粒子の配列を強制するとともに、抵抗
膜が加熱されているため、抵抗の両端にある電極部の金
属か抵抗膜中に拡散し、抵抗値が変化する。加熱状態で
電圧を印加しながら抵抗値を測足し、所定の抵抗値にな
った時点で、熱線と電圧をし中断することＫより、反応
を中止し、所定の抵抗値を得る。

図によって調整方法を説明する。

アルミナ、ホルステライト等のセラミック基板５に銀−
バラジニウム金、銀等の導電配線４を形成し、さらにル
テニウム、−一ノ＜２ジユウム等を含むサーメット抵抗
５ン形成した回路基板において、抵抗体３の抵抗値を調
整するために、赤外ｍ集光ランプ等熱線発生ランプ１に
より、抵抗膜５０表面より加熱し、抵抗測足器７により
抵抗値’に６１１１足する。加熱により抵抗値カー変化
し、所定の値となった時点で、シャッター２を連動させ
、熱ｆｉｌをカット°シ抵抗′ｐ４整を完了する。

また、抵抗ｉ料のうち、低抵抗のように導電粒子の分散
が安定し、抵抗値変化の小さい場合は、ラン１１により
加熱するとともに電源６により抵抗体に′［芥！加え、
抵抗値カー変イヒし所定の値となった時点でシャッタ２
を連動させて、熱ｍｖカットするとともに６の電源もＯ
ＦＦとし、抵抗調整を完了する。

本発明によれは、抵抗ｉ１！堅率を大巾に改善できる。

また、抵抗パターンを切削することがないため、パター
ン面積を小形にで一％、６゜さらに、熱線の照射はＮＣ
制御カー可有しであるため、合理化が計９やてい０

【図面の簡単な説明】

図社本発明の一実施例の説明図である。 １・・・赤外線ランプ　　２・・・光のシャッター３・
・・サーメット抵抗　７・・・抵抗計６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ｔ　セラミック基板上に形成された、サーメット形抵抗
   体の表面に、赤外−等による熱線を与、ｔ、５００〜９
   ００ｃｃＫ加熱−ｆ、ｂ　コｔ！：　Ｋより、抵抗値を
   調整する手段と、熱＃ＩＫより加熱すると同時に抵抗体
   ？両端電極に電圧を印カル抵抗値を調整する手段とより
   なることを特徴とするサーメット抵抗体の抵抗値調整法
   。