JPS58199322A - 表示体の電極構造およびその製造方法 - Google Patents
表示体の電極構造およびその製造方法Info
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- JPS58199322A JPS58199322A JP8281982A JP8281982A JPS58199322A JP S58199322 A JPS58199322 A JP S58199322A JP 8281982 A JP8281982 A JP 8281982A JP 8281982 A JP8281982 A JP 8281982A JP S58199322 A JPS58199322 A JP S58199322A
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- electrode
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表示体の電極構造に関するものであり、特に電
極上を部分的に感光性高分子絶縁体で被着し、フォト工
程でパターンニング形成したことを特徴とするものであ
る。
極上を部分的に感光性高分子絶縁体で被着し、フォト工
程でパターンニング形成したことを特徴とするものであ
る。
本発明の目的は電界型表示体における立体画像、また電
流効果型表示体の消費電流を低下させるための絶縁膜を
高精密に、早く安価に被覆パターニング形成することで
ある。電界型表示体としては各種モードの液晶表示体、
ｐＬＺＴ、ＩＦより等であり、電流型表示体はＤＳＭ方
式液晶表示体を例に本発明の詳細な説明する。
流効果型表示体の消費電流を低下させるための絶縁膜を
高精密に、早く安価に被覆パターニング形成することで
ある。電界型表示体としては各種モードの液晶表示体、
ｐＬＺＴ、ＩＦより等であり、電流型表示体はＤＳＭ方
式液晶表示体を例に本発明の詳細な説明する。
第１図は従来の絶縁体を被着してフントラスト変化をつ
けた液晶表示体の断面図である。
けた液晶表示体の断面図である。
第１＃ＸＪ−１は上電極、２は下電極であり酸化スズ、
酸化インジウム等の透明飽極である。３は上偏光板、４
は下偏光板でクロスしである。５は透明上基板、６は透
明下基板でありガラス、セラミックス、高分子フィル等
から成る。７はシール材でありアルミナ又はグラスファ
イバーを入れて上下基板のギャップを持たせている。８
はネマチック液晶であり９０°ツイスト配向されている
。９，１０は絶縁体であり、電極片面に表示形状に合せ
平面的にあるいは立体的にバターニング形成しである。
酸化インジウム等の透明飽極である。３は上偏光板、４
は下偏光板でクロスしである。５は透明上基板、６は透
明下基板でありガラス、セラミックス、高分子フィル等
から成る。７はシール材でありアルミナ又はグラスファ
イバーを入れて上下基板のギャップを持たせている。８
はネマチック液晶であり９０°ツイスト配向されている
。９，１０は絶縁体であり、電極片面に表示形状に合せ
平面的にあるいは立体的にバターニング形成しである。
絶縁体としては、Ｓ ｉ Ｏ，、Ｔ ｉ Ｏ，、Ｓ ｉ
Ｎ４等の金属酸化物あるいは窒化物、またはポリエス
テル、ポリイミド、テフロン等の高分子絶縁体を用いて
いる。被覆の方法としては、スパッターリング法、蒸着
法、ＣＩＶＤ法、イオンブレーティング法、スプレー法
、浸漬法、印刷法等で行なっている。絶縁体のパターニ
ングは印刷法によるダイレクトパターニング法、マスキ
ン’ｊＷＩＭパｌ−二ング法、エツチングパターニング
法で行なっている。これら従来の絶縁体、加工方法につ
いての欠点を述べる。
Ｎ４等の金属酸化物あるいは窒化物、またはポリエス
テル、ポリイミド、テフロン等の高分子絶縁体を用いて
いる。被覆の方法としては、スパッターリング法、蒸着
法、ＣＩＶＤ法、イオンブレーティング法、スプレー法
、浸漬法、印刷法等で行なっている。絶縁体のパターニ
ングは印刷法によるダイレクトパターニング法、マスキ
ン’ｊＷＩＭパｌ−二ング法、エツチングパターニング
法で行なっている。これら従来の絶縁体、加工方法につ
いての欠点を述べる。
１ 印刷ダイレクトパターニング法は、印刷の方法とし
てスクリーン印刷、凸版印刷、オフセット印刷等があげ
られる。印刷によるダイレクトパターニング法の欠点は
膜厚コントロールが■しいことであり、バラツキを０．
５μ以下に押えることは難しく、更に印刷外形精度は極
めて悪＜０．２１１ｗ以下にパターニングすることは不
可能であった。
てスクリーン印刷、凸版印刷、オフセット印刷等があげ
られる。印刷によるダイレクトパターニング法の欠点は
膜厚コントロールが■しいことであり、バラツキを０．
５μ以下に押えることは難しく、更に印刷外形精度は極
めて悪＜０．２１１ｗ以下にパターニングすることは不
可能であった。
２、 マスキング被榴パターニング法は絶縁体を被覆す
る部分以外を、インクやフォトレジスト等でマスクし、
金属酸化物や、窒化物をスパッターリング、蒸着、Ｃ’
ＶＤ等で被覆して最後にマスキング剤を剥離して絶縁体
をパターニング形成する方法であるが、この方法の欠点
として第一に絶縁体の密着力が弱い点が上げられる。
る部分以外を、インクやフォトレジスト等でマスクし、
金属酸化物や、窒化物をスパッターリング、蒸着、Ｃ’
ＶＤ等で被覆して最後にマスキング剤を剥離して絶縁体
をパターニング形成する方法であるが、この方法の欠点
として第一に絶縁体の密着力が弱い点が上げられる。
これはマスキング剤から発生するガスの影−と考えられ
、マスキング剤の剥離時やラビング時に絶縁体がはがれ
てしまい不良となった。またマスキング剤の上にも絶縁
物が被覆されるためマスキング剤の剥離が完全にできず
表示体の上面に残り、外観や液晶の配向品質等を低下さ
せる等の問題もある。第二にこの方法もパターニング精
度は印刷法と同様に悪く加えて加工工数が着しくかかる
点が上げられ、品質的にもコスト的にも製品化は難しい
。
、マスキング剤の剥離時やラビング時に絶縁体がはがれ
てしまい不良となった。またマスキング剤の上にも絶縁
物が被覆されるためマスキング剤の剥離が完全にできず
表示体の上面に残り、外観や液晶の配向品質等を低下さ
せる等の問題もある。第二にこの方法もパターニング精
度は印刷法と同様に悪く加えて加工工数が着しくかかる
点が上げられ、品質的にもコスト的にも製品化は難しい
。
３ エツチングパターニング法は、基板上全面に絶縁物
を被覆して必要部分以外をインクやフォトレジスト等で
マスクし、薬品やプラズマでエツチングして最後にマス
キング剤を剥離して絶縁体のパターンを形成する。この
方法の欠点は、マスキング剤とエツチング剤の選定が麺
しいことである。金属酸化物、窒化物等の絶縁体のエツ
チング液はフッ酸等の強酸性であり、絶縁体のエツチン
グの際同時に透明電極がエツチングされるため、金属酸
化物、窒化物のエツチング法でのパターニング不可能で
あった。ポリイミド、ポリエステル、テフロン等の高分
子体のエツチング法でのパターニングにおいても同様に
マスキング剤とエツチング剤の選定が離しく、エツチン
グ剤の多くはヒドラジン・ヒトラード系の溶剤であり、
マスキング剤が破壊されパターン不良となり形成できな
かった。またマスキングをすることの共通の欠点はマス
キングそのものに非常に加工時間がかかることであり、
高品質の絶縁体を早く、安価に製造することが餐しかっ
た。
を被覆して必要部分以外をインクやフォトレジスト等で
マスクし、薬品やプラズマでエツチングして最後にマス
キング剤を剥離して絶縁体のパターンを形成する。この
方法の欠点は、マスキング剤とエツチング剤の選定が麺
しいことである。金属酸化物、窒化物等の絶縁体のエツ
チング液はフッ酸等の強酸性であり、絶縁体のエツチン
グの際同時に透明電極がエツチングされるため、金属酸
化物、窒化物のエツチング法でのパターニング不可能で
あった。ポリイミド、ポリエステル、テフロン等の高分
子体のエツチング法でのパターニングにおいても同様に
マスキング剤とエツチング剤の選定が離しく、エツチン
グ剤の多くはヒドラジン・ヒトラード系の溶剤であり、
マスキング剤が破壊されパターン不良となり形成できな
かった。またマスキングをすることの共通の欠点はマス
キングそのものに非常に加工時間がかかることであり、
高品質の絶縁体を早く、安価に製造することが餐しかっ
た。
また従来の方法で多種類のコントラストを得る電極構造
は、第１図−９，１０のように片面の電極の上に絶縁膜
を階段状に付ける方法がとられていた。従って三種類の
コントラスト得るには１〜３のいずれかの方法で２回絶
縁体のパターニング形成をしており加工時間、不良率が
大巾に増加し、コストは極めて高いものになった。以上
のことから従来の絶縁物、電極構造、製造方法では、多
種類のコントラストを得られる絶縁体を高精密に、早く
、安価にパターニング形成することは極めて困難であっ
た。
は、第１図−９，１０のように片面の電極の上に絶縁膜
を階段状に付ける方法がとられていた。従って三種類の
コントラスト得るには１〜３のいずれかの方法で２回絶
縁体のパターニング形成をしており加工時間、不良率が
大巾に増加し、コストは極めて高いものになった。以上
のことから従来の絶縁物、電極構造、製造方法では、多
種類のコントラストを得られる絶縁体を高精密に、早く
、安価にパターニング形成することは極めて困難であっ
た。
本発明はかかる欠点を解決するために生まれたものであ
り、餉１図−９，１００絶縁体を精度良く安価に作るこ
とを・目的としたものである。本発明の特徴である第２
図−９，１０の絶縁体の材料として、ポリイミド、ポリ
エステル、ポリビニルアルコール、エポキシ、アクリル
等の光で重合シたり、光で分解したりして光現像の可能
なものでかつ液晶その他表示体素子を破壊しない感光性
高分子絶縁樹脂があげられる。この中で全ての特性にお
いてポリイミド系感光樹脂が優れている。感光性絶縁樹
脂の塗布方法としては、スピンナー法、 １ｖｒｓ 、
スプレー法、ロールコータ−法、印１１Ｊ法等がある。
り、餉１図−９，１００絶縁体を精度良く安価に作るこ
とを・目的としたものである。本発明の特徴である第２
図−９，１０の絶縁体の材料として、ポリイミド、ポリ
エステル、ポリビニルアルコール、エポキシ、アクリル
等の光で重合シたり、光で分解したりして光現像の可能
なものでかつ液晶その他表示体素子を破壊しない感光性
高分子絶縁樹脂があげられる。この中で全ての特性にお
いてポリイミド系感光樹脂が優れている。感光性絶縁樹
脂の塗布方法としては、スピンナー法、 １ｖｒｓ 、
スプレー法、ロールコータ−法、印１１Ｊ法等がある。
これらの方法を用い基板全面に所定の膜厚に感光性絶縁
樹脂を塗布した後、フォトマスフを用い露光機で光重合
又は光分解させた後、現像液で現像することで絶縁体の
パターニングがフォト工程のみで行なうことができる。
樹脂を塗布した後、フォトマスフを用い露光機で光重合
又は光分解させた後、現像液で現像することで絶縁体の
パターニングがフォト工程のみで行なうことができる。
多種類のコントラストを得る方法としては上下電極に被
覆する絶縁体の上下の組み合せ方で、−回の絶縁体のフ
ォト加工で数種類のコントラストを得る電極構造を作る
ことができる、すなわち絶縁体の上下のトータル厚みに
より、同一電圧印加時のコントラスト変化をつけること
ができる。絶縁体の厚みとしては上下トータルで１００
０え〜５ｏｏｏ。
覆する絶縁体の上下の組み合せ方で、−回の絶縁体のフ
ォト加工で数種類のコントラストを得る電極構造を作る
ことができる、すなわち絶縁体の上下のトータル厚みに
より、同一電圧印加時のコントラスト変化をつけること
ができる。絶縁体の厚みとしては上下トータルで１００
０え〜５ｏｏｏ。
Ｘｒあｊ）、、 望まＬ＜は５ｏｏｏＸ〜１６０００Ｘ
である。以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
である。以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
実施例−１、上下の透明電極が交互に同一基板上にパタ
ーニングされたガラス基板第２図−５゜６全面に、スピ
ンナー法にて東し製線光性耐熱絶縁コーティング剤、７
オトニ下スＵＲ−１１００、主成分ポリイミドを膜厚１
ｏｏｏｏＸ＆：塗布し、オーブンにてプリベイク、８０
℃×１時間を行なった。次に第２図−９，１０のパター
ン形状を持つフォトマスクを用い、露光機にて３０秒。
ーニングされたガラス基板第２図−５゜６全面に、スピ
ンナー法にて東し製線光性耐熱絶縁コーティング剤、７
オトニ下スＵＲ−１１００、主成分ポリイミドを膜厚１
ｏｏｏｏＸ＆：塗布し、オーブンにてプリベイク、８０
℃×１時間を行なった。次に第２図−９，１０のパター
ン形状を持つフォトマスクを用い、露光機にて３０秒。
１００ｗ／、ａの条件で露光を行なった。次に専用現像
液、ＤＶ−１４０で浸漬法にて４０秒間現像を行なった
後、イソプロパツールで１０秒間リンスを行ない、最後
に電気炉にて１３５℃Ｘ３０分＋２００℃×３０分＋３
００℃Ｘ５０分＋４００℃×３０分の条件でボストペイ
クを行なった。その結果５０００ＣＡの膜厚で絶縁体の
パターニングができた。その後シラン系のカップリング
剤で配向処理を行ない、ラビング、シール印刷。
液、ＤＶ−１４０で浸漬法にて４０秒間現像を行なった
後、イソプロパツールで１０秒間リンスを行ない、最後
に電気炉にて１３５℃Ｘ３０分＋２００℃×３０分＋３
００℃Ｘ５０分＋４００℃×３０分の条件でボストペイ
クを行なった。その結果５０００ＣＡの膜厚で絶縁体の
パターニングができた。その後シラン系のカップリング
剤で配向処理を行ない、ラビング、シール印刷。
組立、圧着と通常の工順でセル化をした。その結果第２
図−０部では第４図−ａのコントラストが第２図−す部
では第４図−ｂ部のコントラストが、同様に０部ではＣ
のコントラストを、つまり一回の絶縁体のパターニング
で同時に三種類のフントラストな得ることができた。
図−０部では第４図−ａのコントラストが第２図−す部
では第４図−ｂ部のコントラストが、同様に０部ではＣ
のコントラストを、つまり一回の絶縁体のパターニング
で同時に三種類のフントラストな得ることができた。
実施例−２実施例−１の方法で絶縁膜厚ＳＯＯ□
ＯＡにパターニングした後、再度スピンナー法で＜５Ｏ
ＯＯＸの膜厚にホトニースを塗布し、同一条件でプリペ
イクを行なった後、第３図−１１゜１２のパターン形状
を持つ露光マスクを用いて、実施例−１の条件で露光を
行ない、以下実施例−１と同様に加工を行った結果第３
図−１１，１２部、膜厚５ｏｏｏＸの絶縁体のパターニ
ングができた。これを実施例−１と同様にセル化した結
果新たに第３図−ｄ部では第４図−ｄのコントラストが
、第３図−一部では第４図−一のコントラストが、同様
に／ ＋ ’ ｓ ｈ ｓ ’と二回の絶縁体のフォト
加工で従来の３倍、９種類のコントラストを持つパネル
が作れた。
ＯＯＸの膜厚にホトニースを塗布し、同一条件でプリペ
イクを行なった後、第３図−１１゜１２のパターン形状
を持つ露光マスクを用いて、実施例−１の条件で露光を
行ない、以下実施例−１と同様に加工を行った結果第３
図−１１，１２部、膜厚５ｏｏｏＸの絶縁体のパターニ
ングができた。これを実施例−１と同様にセル化した結
果新たに第３図−ｄ部では第４図−ｄのコントラストが
、第３図−一部では第４図−一のコントラストが、同様
に／ ＋ ’ ｓ ｈ ｓ ’と二回の絶縁体のフォト
加工で従来の３倍、９種類のコントラストを持つパネル
が作れた。
これらの実施例は一部の例であるが本発明の絶縁体の採
用並びに製造方法により一加工時間の大巾な節減が図ら
れると同時に、巾１０μの、（ターニングも可能となり
、多種フントラストを持つしかも高精密なパターンを、
早く安価に製造することができる。
用並びに製造方法により一加工時間の大巾な節減が図ら
れると同時に、巾１０μの、（ターニングも可能となり
、多種フントラストを持つしかも高精密なパターンを、
早く安価に製造することができる。
以上液晶表示体を例にあげ説明したが、ＰＬＺＴ、ＫＰ
より、ＥＣ！等の表示体に対しても同様な効果があり、
時計、電卓、テレビ、グラフィックディスプレイ、おも
ちゃ等の表示バリエージ璽ンの大巾な拡大が容易にでき
る。
より、ＥＣ！等の表示体に対しても同様な効果があり、
時計、電卓、テレビ、グラフィックディスプレイ、おも
ちゃ等の表示バリエージ璽ンの大巾な拡大が容易にでき
る。
第１図・・・・・・従来の液晶表示体の断面図第２図・
・・・・・実施例−１の液晶表示体断面図第３図・・・
・・・実施例−２の液晶表示体断面図第４図・・・・・
・セルギャップ１０μ、３Ｖ液晶におけるａ ＮＳ部の
９００Ｖコントラス ト並びに上下の絶縁膜厚と３部時の コントラストの関係 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 才１図 ＋２図 即今い
・・・・・実施例−１の液晶表示体断面図第３図・・・
・・・実施例−２の液晶表示体断面図第４図・・・・・
・セルギャップ１０μ、３Ｖ液晶におけるａ ＮＳ部の
９００Ｖコントラス ト並びに上下の絶縁膜厚と３部時の コントラストの関係 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 才１図 ＋２図 即今い
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に成形された電極の一部を、感光性高分子絶
縁体で被覆したことを特徴とする表゛示体。 ２、 上下電極に被覆する絶縁体の上下の組み合せによ
り、同一膜厚で多種類のコントラストを得る電極構造を
持つことを特徴とする特許請求範囲１項記載の表示体。 ６ 特許請求範囲１項、２項記載をフォト加工で製造す
る表示体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8281982A JPS58199322A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 表示体の電極構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8281982A JPS58199322A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 表示体の電極構造およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199322A true JPS58199322A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13785006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8281982A Pending JPS58199322A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 表示体の電極構造およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199322A (ja) |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP8281982A patent/JPS58199322A/ja active Pending
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