JPS58197279A - 一体型の陰極基体および支持体の製造法 - Google Patents
一体型の陰極基体および支持体の製造法Info
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- JPS58197279A JPS58197279A JP58076073A JP7607383A JPS58197279A JP S58197279 A JPS58197279 A JP S58197279A JP 58076073 A JP58076073 A JP 58076073A JP 7607383 A JP7607383 A JP 7607383A JP S58197279 A JPS58197279 A JP S58197279A
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- jig
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
- C23F1/04—Chemical milling
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の関連する技術分野〕
この発明は一体型の陰極基体と支持体の選択エツチング
法に関し、特にそhだけではないが、一体型の円筒形バ
イメタル陰極基体と支持スリーブの選択エツチング法の
改良に関する。
法に関し、特にそhだけではないが、一体型の円筒形バ
イメタル陰極基体と支持スリーブの選択エツチング法の
改良に関する。
一体型のバイメタル陰極基体と支持スリーブは1976
年7月23日発送のアールeシー・ニー技報(RCA
Technical Notes )第1159J
8−掲載のターンプル(J、C,Turnbull )
の論文に開示さhている。この一体型部品は一般的にニ
ッケルクロム合金のような構造合金の薄い円筒および端
壁に一体に支持されたカップ状のニッケル合金製陰極基
体として説明され、圧着その他の方法で接合された2つ
の合金層より成るバイメタル積層板から製造される。
年7月23日発送のアールeシー・ニー技報(RCA
Technical Notes )第1159J
8−掲載のターンプル(J、C,Turnbull )
の論文に開示さhている。この一体型部品は一般的にニ
ッケルクロム合金のような構造合金の薄い円筒および端
壁に一体に支持されたカップ状のニッケル合金製陰極基
体として説明され、圧着その他の方法で接合された2つ
の合金層より成るバイメタル積層板から製造される。
この一体型バイメタル部品は米国特許第3432900
号開示の一般的方法によシ製造さhて来た。この方法で
は、カップ部とスリーブ部をバイメタルの積層板から深
絞りした後、そのニッケル合金層の所要部分を耐食性材
料で一時的に被覆し、無被覆部分をエツチング液でエツ
チングする。捷た1980年11月25日付米国特許願
第210246号開示の別の方法では、ニッケル合金層
の所要部分をこり、にシリコンゴム板のような耐食可圧
縮性薄板の表面部分を一時的に押し付けることにより選
択的に被覆する。こわらの従来法では伺わもエツチング
液槽にその部品を浸漬するか、その部品にエツチング液
を圧送接触させることによフニッケル合金層の無被覆部
分をエツチングする。
号開示の一般的方法によシ製造さhて来た。この方法で
は、カップ部とスリーブ部をバイメタルの積層板から深
絞りした後、そのニッケル合金層の所要部分を耐食性材
料で一時的に被覆し、無被覆部分をエツチング液でエツ
チングする。捷た1980年11月25日付米国特許願
第210246号開示の別の方法では、ニッケル合金層
の所要部分をこり、にシリコンゴム板のような耐食可圧
縮性薄板の表面部分を一時的に押し付けることにより選
択的に被覆する。こわらの従来法では伺わもエツチング
液槽にその部品を浸漬するか、その部品にエツチング液
を圧送接触させることによフニッケル合金層の無被覆部
分をエツチングする。
後者の方法の大量生産型式では、複数個の円筒状部品を
各別の心細に取付け、その各端壁を同一平面上において
共通の可圧縮性薄板に押し込む。
各別の心細に取付け、その各端壁を同一平面上において
共通の可圧縮性薄板に押し込む。
この薄板はこの全部品を収容する共通の9房の1壁面を
構成する。この9房にエツチング液を圧送溢出させてこ
hをエツチング液で満たす。この方法によシ部品を大量
生産してエツチング時間を短縮すると共に9房の部品収
容数を増すことを試みら九たが、エツチングした部品に
汚れその他の欠点が生ずることで失敗に終った。これら
の欠点は空房内の小気泡が部品表面の局部領域のエツチ
ングを妨げたシ遅らせたりすることによシ発生すると考
えらり、空房内のエツチング液の流量を増したシその方
向を制御する等によシこの問題を解く種々の試みにより
、いくつかの欠陥は減少したが他の欠陥が増加した。
構成する。この9房にエツチング液を圧送溢出させてこ
hをエツチング液で満たす。この方法によシ部品を大量
生産してエツチング時間を短縮すると共に9房の部品収
容数を増すことを試みら九たが、エツチングした部品に
汚れその他の欠点が生ずることで失敗に終った。これら
の欠点は空房内の小気泡が部品表面の局部領域のエツチ
ングを妨げたシ遅らせたりすることによシ発生すると考
えらり、空房内のエツチング液の流量を増したシその方
向を制御する等によシこの問題を解く種々の試みにより
、いくつかの欠陥は減少したが他の欠陥が増加した。
この発明の方法によるエツチングでは、エツチングする
部品にエツチング液の一様な軟弱流を交互に接触させた
り離したりすると共に、そのエツチング液が重力により
その部品から流れ去るようにしてあり、これによってエ
ツチング液に含まわるガスやエツチングで発生するガス
をエツチング中に放出することができる。その上部品に
対して流h−を動かすことはエツチング液を新しく供給
するば力・りでなく、部品の周囲に存在するガスを強制
的に追出すことになる。このエツチングは上記米国特許
願第2’10246号の従来法主りとの発明の方法によ
る方が短時間かつ小流量で達せらfLることか判ってい
る。
部品にエツチング液の一様な軟弱流を交互に接触させた
り離したりすると共に、そのエツチング液が重力により
その部品から流れ去るようにしてあり、これによってエ
ツチング液に含まわるガスやエツチングで発生するガス
をエツチング中に放出することができる。その上部品に
対して流h−を動かすことはエツチング液を新しく供給
するば力・りでなく、部品の周囲に存在するガスを強制
的に追出すことになる。このエツチングは上記米国特許
願第2’10246号の従来法主りとの発明の方法によ
る方が短時間かつ小流量で達せらfLることか判ってい
る。
こ\で使用する「軟弱流」とは、方向が原理的に重力に
よシ決定される液体の流りであり、「下方」とは重力の
方向である。
よシ決定される液体の流りであり、「下方」とは重力の
方向である。
第1図は外側が陰極基体用ニンケル合金層13で内側が
構造用ニッケルクロム合金層15のカップ状構体にバイ
メタル板から深絞シされた代表的成形バイメタル部品す
なわち素材11を示す。代表的な陰極基体合金は本質的
に94.90重量%以上のニッケルと約0.05重量%
以上のシリコンおよびマグネシウムとよシ成る。部品1
1は最小外径約2.16+がyrl、全長約8.76f
fWの円筒形スリーブ17より成り、その一端19が広
が乃、他端が端壁21で閉じられている。
構造用ニッケルクロム合金層15のカップ状構体にバイ
メタル板から深絞シされた代表的成形バイメタル部品す
なわち素材11を示す。代表的な陰極基体合金は本質的
に94.90重量%以上のニッケルと約0.05重量%
以上のシリコンおよびマグネシウムとよシ成る。部品1
1は最小外径約2.16+がyrl、全長約8.76f
fWの円筒形スリーブ17より成り、その一端19が広
が乃、他端が端壁21で閉じられている。
陰極基体用合金層13け厚さ約0.0Q’8酊、構造用
合金層15は厚さ約c)、o4ammである。陰極基体
用合金層13は内層15よりある種のエツチング液特に
比較的薄い酸に溶解し易く、この違いがこの発明の方法
に利用されている。理想的に/′i外層13がエツチン
グ液に可溶で内層15が実質的に不溶なことが好ましい
。
合金層15は厚さ約c)、o4ammである。陰極基体
用合金層13は内層15よりある種のエツチング液特に
比較的薄い酸に溶解し易く、この違いがこの発明の方法
に利用されている。理想的に/′i外層13がエツチン
グ液に可溶で内層15が実質的に不溶なことが好ましい
。
この発明の方法の第1実施例では、成形カップ状部品1
1を基板25上に支持された直立円柱状6軸23に嵌め
、その端壁21の内面を心細23の頂面27に接触させ
る。この両接触面は実質的に整合することが望ましい。
1を基板25上に支持された直立円柱状6軸23に嵌め
、その端壁21の内面を心細23の頂面27に接触させ
る。この両接触面は実質的に整合することが望ましい。
頂面の外面には可圧縮耐食性の板29を押し付けてこれ
が側壁の隣接部にも接触し、部品11の所定領域を覆う
ようにする。押圧力が大きいほど板29が覆う側壁部分
も大きくなる。次にこの構体を心細23が水平で基板2
5と板29の間隙が垂直の第1図の位置まで回転する。
が側壁の隣接部にも接触し、部品11の所定領域を覆う
ようにする。押圧力が大きいほど板29が覆う側壁部分
も大きくなる。次にこの構体を心細23が水平で基板2
5と板29の間隙が垂直の第1図の位置まで回転する。
部品11と板29をこの位置においてノズル32から基
板25と板29の間隙を通り下方にエツチング液(こ\
では約80°Cの32重量係稀硝酸)の一様な軟弱流を
間欠的に流す。この酸は陰極基体層13の無被覆部に接
触してこれを溶解する。エツチング液はまた構造用合金
層15に接触するとともあるが、そhがエツチング液に
実質的に不溶のため溶解は起こらない。エツチング液は
第1図に示すように被覆部を除いて部品11の全表面を
流ハる。この流h31はノズル32を部品11の上方で
水平に前後に移動することにより間欠的に供給すること
ができる。流れが部品に衝突しなければ、スリーブ17
に接触した酸は重力によ多流下して化学反応で発生する
ガスは周囲に逸出する。また流れ31が部品に衝突4る
ときはとhがスリーブ17上の酸を更新してガスを部品
から放逐する。従ってガスが反応を妨げないため無被覆
面のエツチングがより均一に々る。
板25と板29の間隙を通り下方にエツチング液(こ\
では約80°Cの32重量係稀硝酸)の一様な軟弱流を
間欠的に流す。この酸は陰極基体層13の無被覆部に接
触してこれを溶解する。エツチング液はまた構造用合金
層15に接触するとともあるが、そhがエツチング液に
実質的に不溶のため溶解は起こらない。エツチング液は
第1図に示すように被覆部を除いて部品11の全表面を
流ハる。この流h31はノズル32を部品11の上方で
水平に前後に移動することにより間欠的に供給すること
ができる。流れが部品に衝突しなければ、スリーブ17
に接触した酸は重力によ多流下して化学反応で発生する
ガスは周囲に逸出する。また流れ31が部品に衝突4る
ときはとhがスリーブ17上の酸を更新してガスを部品
から放逐する。従ってガスが反応を妨げないため無被覆
面のエツチングがより均一に々る。
こhらの効果は部品に対する従来の酸供給法よシ遥かに
少ない酸使用量で得らhる。部品の無被覆面に酸液を吹
付けた場合は均一なエツチングが得らhず、とべて述べ
る軟弱流法よりも多くの酸を必要とする。
少ない酸使用量で得らhる。部品の無被覆面に酸液を吹
付けた場合は均一なエツチングが得らhず、とべて述べ
る軟弱流法よりも多くの酸を必要とする。
エツチングが完了するとエツチング液の流り、 31と
板29を除去し、エツチングさハた部品11を6軸23
から取外し、真空容器中の純水で洗浄して余分のエツチ
ング液を除去した後室温で乾燥する。次に板29で被覆
されていた端壁21外面に陰極被覆を行う。第2図に示
すように、この陰極被覆33け第1図の層13のエツチ
ングされない部分である陰極基体用ニッケル合金カップ
35上にあり、このカップ35il′i:使用するエツ
チング液に実質的に不溶で第1図の無食刻構造層15で
ある端壁37および側壁39に支持さhている。
板29を除去し、エツチングさハた部品11を6軸23
から取外し、真空容器中の純水で洗浄して余分のエツチ
ング液を除去した後室温で乾燥する。次に板29で被覆
されていた端壁21外面に陰極被覆を行う。第2図に示
すように、この陰極被覆33け第1図の層13のエツチ
ングされない部分である陰極基体用ニッケル合金カップ
35上にあり、このカップ35il′i:使用するエツ
チング液に実質的に不溶で第1図の無食刻構造層15で
ある端壁37および側壁39に支持さhている。
この発明の方法の第2の実施例は第3図および第4図に
示す治具40を用Aて実施することができる。この治具
40けピン保持台43ととhに定間隔で行列に配列され
たピンまたは6軸41から成シ、その6軸41け一方の
方向には第3図に示すように約6.35ffm間隔で2
5本、他の方向には第4図に示すように約6.”+5m
m間隔で12本配置されて因る。ピン保持台43は直立
した一体の側壁47を有する基台45に嵌まり、その基
台45の側壁47上に有孔圧え板49が乗っている。こ
の圧え板49ハ第3図に示すように両側に下向きの2つ
の側壁51を有し、とhで基台45の側壁47上に支持
される。圧え板49の他の2側面は開いていて第4図に
53で示す両端の開いた空隙を形成する。圧え板4つは
ピン41が通る複数個の開孔55を有し、各開孔55は
直径がエツチングすべき部品の外径より約0.’7fl
ljW大きく、またピン保持台43側が皿大のように広
がっている。
示す治具40を用Aて実施することができる。この治具
40けピン保持台43ととhに定間隔で行列に配列され
たピンまたは6軸41から成シ、その6軸41け一方の
方向には第3図に示すように約6.35ffm間隔で2
5本、他の方向には第4図に示すように約6.”+5m
m間隔で12本配置されて因る。ピン保持台43は直立
した一体の側壁47を有する基台45に嵌まり、その基
台45の側壁47上に有孔圧え板49が乗っている。こ
の圧え板49ハ第3図に示すように両側に下向きの2つ
の側壁51を有し、とhで基台45の側壁47上に支持
される。圧え板49の他の2側面は開いていて第4図に
53で示す両端の開いた空隙を形成する。圧え板4つは
ピン41が通る複数個の開孔55を有し、各開孔55は
直径がエツチングすべき部品の外径より約0.’7fl
ljW大きく、またピン保持台43側が皿大のように広
がっている。
この装置は圧え板49の周壁59に乗る下向きの外周壁
5つを有する背板5ワで覆われ、この背板57の周壁5
9内の空間は例えばシリコンゴムのような可圧縮性の板
61が詰っている。この可圧縮性の板61ばこの方法に
使用されるエツチング液に実質的に溶解も反応もしなA
固型ゴム捷たはプラスチックと(ワ ) することができ、背板57を圧え板49上に乗せたとき
圧縮さh5るように背板57の側壁59の高さより大き
いほぼ均一な厚さを有する。ピン41は開孔55を通っ
て板61を圧縮するだけの長さを有する。この構体はそ
の両側の各板の整合開孔を通る2個の位置決めボルト6
3および締付ナツト65により保持さh、背板57上に
は補強材67が溶接され、この補強材には端部に押手(
図示せず)を有する2本の棒69が取付けられている。
5つを有する背板5ワで覆われ、この背板57の周壁5
9内の空間は例えばシリコンゴムのような可圧縮性の板
61が詰っている。この可圧縮性の板61ばこの方法に
使用されるエツチング液に実質的に溶解も反応もしなA
固型ゴム捷たはプラスチックと(ワ ) することができ、背板57を圧え板49上に乗せたとき
圧縮さh5るように背板57の側壁59の高さより大き
いほぼ均一な厚さを有する。ピン41は開孔55を通っ
て板61を圧縮するだけの長さを有する。この構体はそ
の両側の各板の整合開孔を通る2個の位置決めボルト6
3および締付ナツト65により保持さh、背板57上に
は補強材67が溶接され、この補強材には端部に押手(
図示せず)を有する2本の棒69が取付けられている。
この発明の方法の第2の実施例を実施するには、部品1
1を実質的に第1図で説明したようにピン41に嵌め、
ピン保持台43を基台45に嵌め、圧え板49を基台4
5に乗せてその開孔55にピン41ト部品ヲ通す。次に
可圧縮性シリコンゴム板61を背板57に嵌め、その構
体を圧え板49に乗せる。上記各板の開孔に2本の位置
決めボルト63を通し、締付ナツト65によシ圧え板4
9に背板57を締付ける。すると可圧縮性ゴム・板61
が部品の端壁と側壁の隣接部に押し付けられて部品の所
定表面部分を被覆する。
1を実質的に第1図で説明したようにピン41に嵌め、
ピン保持台43を基台45に嵌め、圧え板49を基台4
5に乗せてその開孔55にピン41ト部品ヲ通す。次に
可圧縮性シリコンゴム板61を背板57に嵌め、その構
体を圧え板49に乗せる。上記各板の開孔に2本の位置
決めボルト63を通し、締付ナツト65によシ圧え板4
9に背板57を締付ける。すると可圧縮性ゴム・板61
が部品の端壁と側壁の隣接部に押し付けられて部品の所
定表面部分を被覆する。
上記のように素材部品を装着した2個の治具4゜(8)
を第5図に示す静止治具スタンドワlに取付ける。
スタンド71はテーブルワ3に支持され、同様にテーブ
ル73に支持された槽ワ5VC嵌っている。槽75は可
撓性プラスチック管83、ポンプ85および弁89を介
して分配槽82に結合された中央排出ロア9を有する。
ル73に支持された槽ワ5VC嵌っている。槽75は可
撓性プラスチック管83、ポンプ85および弁89を介
して分配槽82に結合された中央排出ロア9を有する。
分配槽82けエツチング中比較的少量のエツチング液ヲ
貯え、その底壁の2つのノズル81からエツチング液を
重力により各治具40[付き1つずつ合計2つの一様な
軟弱流31として流下させることができる。分配槽82
とノズル81ケ治具40の上方で空気シリンダ93のピ
ストン桿91に結合された往復腕89に取付けられてい
る。装置を作動させるには、槽75にエツチング液を注
ぎ、ポンプ85を連続運転し、弁87を調節して各ノズ
ル81が各均一軟弱流31ごとに毎分3.84を排出す
るようにする。空気シリング93を作動させ、ピストン
桿91を治具の長さよシ若干短かい距離を約5.5秒(
6〜30秒の範囲で調節することができる)で水平に移
動させる。(′ノズルは各治具40の間隙53を通って
エツチング液を流し、エツチング液はエツチングが完了
するまで治具から槽75に出て再びノズル81に循環す
る。
貯え、その底壁の2つのノズル81からエツチング液を
重力により各治具40[付き1つずつ合計2つの一様な
軟弱流31として流下させることができる。分配槽82
とノズル81ケ治具40の上方で空気シリンダ93のピ
ストン桿91に結合された往復腕89に取付けられてい
る。装置を作動させるには、槽75にエツチング液を注
ぎ、ポンプ85を連続運転し、弁87を調節して各ノズ
ル81が各均一軟弱流31ごとに毎分3.84を排出す
るようにする。空気シリング93を作動させ、ピストン
桿91を治具の長さよシ若干短かい距離を約5.5秒(
6〜30秒の範囲で調節することができる)で水平に移
動させる。(′ノズルは各治具40の間隙53を通って
エツチング液を流し、エツチング液はエツチングが完了
するまで治具から槽75に出て再びノズル81に循環す
る。
この発明の方法の第2の実施例の推奨形式では、当初エ
ツチング液は本質的に71重量%硝酸45重量部と、8
55重量部燐酸10重量部と、濃硫酸(比重1.215
8) 5重量部と、純水40重量部より成り、エツチン
グ巾約80°C±5°Cの温度に維持される。エツチン
グはこの温度で約6分(2〜6分の範囲で可変)行わh
、これによってノズルが治具40上を66回(33サイ
クル)通過する。エツチングが完全な場合は部品のエツ
チングされた部分が鈍め金属色を呈するが、不完全な場
合は鈍贋金属色を呈すべきところに光沢領域が存在する
ため判別することができる。エツチング完了後治具40
をスタンド71から取外して60±5°Cの純水を約5
分間通し、治具40を解体してエツチングされた部品を
ピンから外し、オーバーフロ一式洗浄槽に入れて流量約
11.44/分温度約60±5°C純水で約5分間洗浄
する。
ツチング液は本質的に71重量%硝酸45重量部と、8
55重量部燐酸10重量部と、濃硫酸(比重1.215
8) 5重量部と、純水40重量部より成り、エツチン
グ巾約80°C±5°Cの温度に維持される。エツチン
グはこの温度で約6分(2〜6分の範囲で可変)行わh
、これによってノズルが治具40上を66回(33サイ
クル)通過する。エツチングが完全な場合は部品のエツ
チングされた部分が鈍め金属色を呈するが、不完全な場
合は鈍贋金属色を呈すべきところに光沢領域が存在する
ため判別することができる。エツチング完了後治具40
をスタンド71から取外して60±5°Cの純水を約5
分間通し、治具40を解体してエツチングされた部品を
ピンから外し、オーバーフロ一式洗浄槽に入れて流量約
11.44/分温度約60±5°C純水で約5分間洗浄
する。
可圧縮性シリコンゴム板61の代りにエツチング液の化
学作用に耐える他の可圧縮性固体材料の板を使用するこ
ともできる。この推奨材料は室温加硫のシリコンゴムで
ある。可圧縮性シリコンゴム板は約54重活部の液体シ
リコンエラストマ(例えばダウ・コーニング社(Dow
−Corning )より市販のシルガード(Syl
gard ) 186 )と、6係のエンストマ用触媒
と、40%の液体粘度低下剤(例えばゼネラルエレクト
リック社(General Electric Co
、)より市販のシリコンゴム希釈液910)との混合物
を成形することにより製造することもできる。成形物は
ほぼ室温で一晩硬化させる。粘度低下剤の量を減すると
生成するシリコンゴムが固くなって圧縮性が低下するが
、増すと柔かくなって圧縮性が増大する。
学作用に耐える他の可圧縮性固体材料の板を使用するこ
ともできる。この推奨材料は室温加硫のシリコンゴムで
ある。可圧縮性シリコンゴム板は約54重活部の液体シ
リコンエラストマ(例えばダウ・コーニング社(Dow
−Corning )より市販のシルガード(Syl
gard ) 186 )と、6係のエンストマ用触媒
と、40%の液体粘度低下剤(例えばゼネラルエレクト
リック社(General Electric Co
、)より市販のシリコンゴム希釈液910)との混合物
を成形することにより製造することもできる。成形物は
ほぼ室温で一晩硬化させる。粘度低下剤の量を減すると
生成するシリコンゴムが固くなって圧縮性が低下するが
、増すと柔かくなって圧縮性が増大する。
米国特許願第2102.46号明細書記載の従来法のエ
ツチングでは、部品を治具に人りで酸に浸漬し、酸液を
マニホールドから水平方向を向いた治具間隙を通って噴
出させる。このマニホールド法はエツチング不十分また
は不完全による種々の問題を生じたが、その主要欠陥は
「涙滴」と呼ばれるもので所要のエツチング線から下に
部分的にエッチ(11) ングさり、た領域がはみ出たものである。この欠陥の大
きさは処理工程の調節により小さくすることができるが
、「スネークバイラ(5nake bites )Jと
呼ばれる微小欠陥を生じる。こhはエツチング線の真下
の小さな部分的エツチング領域である。
ツチングでは、部品を治具に人りで酸に浸漬し、酸液を
マニホールドから水平方向を向いた治具間隙を通って噴
出させる。このマニホールド法はエツチング不十分また
は不完全による種々の問題を生じたが、その主要欠陥は
「涙滴」と呼ばれるもので所要のエツチング線から下に
部分的にエッチ(11) ングさり、た領域がはみ出たものである。この欠陥の大
きさは処理工程の調節により小さくすることができるが
、「スネークバイラ(5nake bites )Jと
呼ばれる微小欠陥を生じる。こhはエツチング線の真下
の小さな部分的エツチング領域である。
これらの欠陥を除去するだめにいくつかの方法が試みら
hたが、これらを一括して次に示す。
hたが、これらを一括して次に示す。
(1)流量の変化・・・流量を加減したり、交互に流し
たり止めたりしたが、どの場合においてもその化学変化
が既に得らhた結果よシ悪い結果を示し、不良率が大き
くなった。
たり止めたりしたが、どの場合においてもその化学変化
が既に得らhた結果よシ悪い結果を示し、不良率が大き
くなった。
(2)治具の回転・・・欠陥は一般に治具の1側面に限
られることが判ったため、エツチングの途中で治具をマ
ニホールド中で回転して酸を反対側から流したところ、
欠陥は小さくなったがなくならなかった。
られることが判ったため、エツチングの途中で治具をマ
ニホールド中で回転して酸を反対側から流したところ、
欠陥は小さくなったがなくならなかった。
(3) エツチング時間の増加・・・エツチング時間
を長くしても欠陥は改善されなかった。
を長くしても欠陥は改善されなかった。
(4)治具の向き・・・治具の設計により、亜酸化窒素
や水素の気泡が圧え板の凡人に捕獲されると考(12) えたため、この気泡が凡人から上昇し逃げるように治具
を回転してみたが、欠陥減少効果はなく、捷たマニホー
ルドを捕えらhた気泡が再び逃げられるような角度に配
置してみたが同様に欠陥は改善さhなかった。
や水素の気泡が圧え板の凡人に捕獲されると考(12) えたため、この気泡が凡人から上昇し逃げるように治具
を回転してみたが、欠陥減少効果はなく、捷たマニホー
ルドを捕えらhた気泡が再び逃げられるような角度に配
置してみたが同様に欠陥は改善さhなかった。
このようにマニホールド法を種々に変えて試験するとき
けエツチング法苑変える必要があることが判り、いくつ
かの方法を試験してマニホールド法より良いエツチング
結果を得たが、なお欠陥が存在した。こhらの方法は次
の通りである。
けエツチング法苑変える必要があることが判り、いくつ
かの方法を試験してマニホールド法より良いエツチング
結果を得たが、なお欠陥が存在した。こhらの方法は次
の通りである。
(5)回転浸漬・・・この方法はいくつかの変形を試験
したが、基本的な考え方は酸浴中に治具を吊り下げて回
転させ、治具間隙に新しい酸が供給されるようにするこ
とである。治具を同一方向に回転するか往復回転すると
少しは良くなったが欠陥はなくならなかった。
したが、基本的な考え方は酸浴中に治具を吊り下げて回
転させ、治具間隙に新しい酸が供給されるようにするこ
とである。治具を同一方向に回転するか往復回転すると
少しは良くなったが欠陥はなくならなかった。
(6)静止浸漬・・・治具を通る酸の流りをどのような
形状にしても欠陥が残ったので、治具を静止させて酸も
流さない方法を試み、治具を気泡が逃げ得るような角度
に配置したが、エツチング生成品に改善は見らtなかっ
た。
形状にしても欠陥が残ったので、治具を静止させて酸も
流さない方法を試み、治具を気泡が逃げ得るような角度
に配置したが、エツチング生成品に改善は見らtなかっ
た。
(7)圧え板の開孔寸法の増大・・・陰極が開孔にあ捷
りにも接近していたため発生したガスの気泡が圧え板の
皿孔に捕獲されることがあり、開孔の直径を増すと気泡
が大きく々つて逃げ易かろうと考えたが、開孔を大きく
すると欠陥水準は低下するがカップのエツチング端縁が
不均一になることが判った。すなわち欠陥数は減少した
が陰極の品質が低下した。
りにも接近していたため発生したガスの気泡が圧え板の
皿孔に捕獲されることがあり、開孔の直径を増すと気泡
が大きく々つて逃げ易かろうと考えたが、開孔を大きく
すると欠陥水準は低下するがカップのエツチング端縁が
不均一になることが判った。すなわち欠陥数は減少した
が陰極の品質が低下した。
(8)軟弱流エツチング・・・この方法は上記すべての
方法を試験して殆んどまたは全く改善が得らhなかった
ときに到達したもので、これを導いた主目的は次の必要
性であった。
方法を試験して殆んどまたは全く改善が得らhなかった
ときに到達したもので、これを導いた主目的は次の必要
性であった。
(イ)機械の設計か余シ複雑でなく、工程が簡単なこと
。
。
0口)発生したガ・スの気泡を治具から逃がす方法。
(ハ)欠陥のないエツチング部品を生産するよフ、1.
・°1 良好で効率のよいエツチング法。
・°1 良好で効率のよいエツチング法。
(ニ)1つの方向からしか酸の流れを必要としないエツ
チング法。
チング法。
最初考えたのは滝の下に治具を置くことで、これは首尾
よシ作動したが、捷だ完全に欠陥を取除くことができな
かった。これは酸の交換比率が大きすぎて酸が均一なエ
ツチングが得らhるほど十分な時間部品に接触し々いた
めである。この問題を解決するために流れのパタンを変
え、6.351/rm (D管から毎分約11.41の
流量が主として重力によシ流下する1本の均−軟弱流と
した。これは非常に効果があシ、欠陥が0に近く、残っ
た欠陥も極めて小さく許容できるものであった。蒸発に
よる熱損失を最小にするために流量を少なくすることが
望ましく、最終的には31.18Fll’mの管を使用
して毎分3.8〜5.74とした。試験中にこの発明の
エツチング法は処理反応を促進することが観察さhた。
よシ作動したが、捷だ完全に欠陥を取除くことができな
かった。これは酸の交換比率が大きすぎて酸が均一なエ
ツチングが得らhるほど十分な時間部品に接触し々いた
めである。この問題を解決するために流れのパタンを変
え、6.351/rm (D管から毎分約11.41の
流量が主として重力によシ流下する1本の均−軟弱流と
した。これは非常に効果があシ、欠陥が0に近く、残っ
た欠陥も極めて小さく許容できるものであった。蒸発に
よる熱損失を最小にするために流量を少なくすることが
望ましく、最終的には31.18Fll’mの管を使用
して毎分3.8〜5.74とした。試験中にこの発明の
エツチング法は処理反応を促進することが観察さhた。
すなわち最初6分かかったエツチングを4分以下に短縮
し得ることが判つ麺。軟弱流は各部品にかかったシかか
らなかったシするように移動させるが、これは部品と流
り、の一方を静止させるか両方を移動させることにより
その間に相対運動を生成して行うことができる。また代
シに両方とも静止(15) させておいて流れを間欠させてもよい。接触回数は毎分
2〜10回とするととができる。
し得ることが判つ麺。軟弱流は各部品にかかったシかか
らなかったシするように移動させるが、これは部品と流
り、の一方を静止させるか両方を移動させることにより
その間に相対運動を生成して行うことができる。また代
シに両方とも静止(15) させておいて流れを間欠させてもよい。接触回数は毎分
2〜10回とするととができる。
第1図はこの発明の第1実施例によシエッチングさする
成形バイメタル部品の部分破断圧面図、第2図はエツチ
ングを終った第1図のバイメタル部品の陰極基体に陰極
被覆を行ったところを示す部分破断正面図、第3図およ
び第4図はそれそhとの発明の方法の第2の実施例によ
91組のバイメタル部品をエツチングする装置の部分断
面正面図および側面図、第5図は第3図および第4図に
示す治具2台に取付けた部品をエツチングする装置の側
面図である。 11・・・成形金属部品、13・・・陰極基体、15・
・・支持部、2つ・・・耐食マスク、31・・・エツチ
ング液。 特許出願人 アールシーニー コーポレーション化
理 人 清 水 哲 ほか2名C16)
成形バイメタル部品の部分破断圧面図、第2図はエツチ
ングを終った第1図のバイメタル部品の陰極基体に陰極
被覆を行ったところを示す部分破断正面図、第3図およ
び第4図はそれそhとの発明の方法の第2の実施例によ
91組のバイメタル部品をエツチングする装置の部分断
面正面図および側面図、第5図は第3図および第4図に
示す治具2台に取付けた部品をエツチングする装置の側
面図である。 11・・・成形金属部品、13・・・陰極基体、15・
・・支持部、2つ・・・耐食マスク、31・・・エツチ
ング液。 特許出願人 アールシーニー コーポレーション化
理 人 清 水 哲 ほか2名C16)
Claims (1)
- (1)陰極基体およびそhと一体のその支持体を含む成
形金属部品を準備し、この部品の所定の表面部分を耐食
性マスクで被覆し、上記部品表面の被覆され々い部分を
所要の深さまでエツチングし、次いで上記マスクを除去
する各段階を含み、上記エツチング段階がエツチング液
の一様で緩やかな流れを上記部品に交互に接触させたり
離したシし去 なから重力によりその部品から流れるようにして八 行わする一体型の陰極基体および支持体の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US373052 | 1982-04-29 | ||
US06/373,052 US4376009A (en) | 1982-04-29 | 1982-04-29 | Limp-stream method for selectively etching integral cathode substrate and support |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58197279A true JPS58197279A (ja) | 1983-11-16 |
JPS634636B2 JPS634636B2 (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=23470713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58076073A Granted JPS58197279A (ja) | 1982-04-29 | 1983-04-28 | 一体型の陰極基体および支持体の製造法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4376009A (ja) |
JP (1) | JPS58197279A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4482425A (en) * | 1983-06-27 | 1984-11-13 | Psi Star, Inc. | Liquid etching reactor and method |
US4904896A (en) * | 1984-11-27 | 1990-02-27 | Rca Licensing Corporation | Vacuum electron tube having an oxide cathode comprising chromium reducing agent |
US4649061A (en) * | 1985-05-22 | 1987-03-10 | Rca Corporation | Method of apparatus for depositing oxide-cathode precursor material on a cathode substrate by air spraying |
US4849066A (en) * | 1988-09-23 | 1989-07-18 | Rca Licensing Corporation | Method for selectively etching integral cathode substrate and support utilizing increased etchant turbulence |
US5167747A (en) * | 1989-02-15 | 1992-12-01 | Kadija Igor V | Apparatus for manufacturing interconnects with fine lines and fine spacing |
US4904339A (en) * | 1989-05-26 | 1990-02-27 | Psi Star | Vertical spray etch reactor and method |
US5275690A (en) * | 1992-06-17 | 1994-01-04 | Santa Barbara Research Center | Method and apparatus for wet chemical processing of semiconductor wafers and other objects |
KR970003351B1 (ko) * | 1993-09-20 | 1997-03-17 | 엘지전자 주식회사 | 방열형 음극구조체 및 그 제조방법 |
FR2808377A1 (fr) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Thomson Tubes & Displays | Cathode a oxydes pour tube a rayons cathodiques |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE550885A (ja) * | 1955-09-09 | |||
GB1077228A (en) * | 1964-08-17 | 1967-07-26 | Sylvania Electric Prod | Indirectly heated cathode |
US3510372A (en) * | 1965-08-04 | 1970-05-05 | Dow Chemical Co | Method for etching curved surfaces |
US3986911A (en) * | 1970-06-12 | 1976-10-19 | Zenith Radio Corporation | Etching of shadow mask electrodes |
US4021279A (en) * | 1972-04-20 | 1977-05-03 | Stichting Reactor Centrum Nederland | Method of forming groove pattern |
US3861981A (en) * | 1973-01-24 | 1975-01-21 | Us Air Force | Portable etching system for holes drilled in metals |
-
1982
- 1982-04-29 US US06/373,052 patent/US4376009A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58076073A patent/JPS58197279A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS634636B2 (ja) | 1988-01-29 |
US4376009A (en) | 1983-03-08 |
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