CN108550538A - 一种半导体芯片生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；将晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；将晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；将晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；将晶圆送入高温炉中进行掺杂；将晶圆输送至下一工序；通过在箱体顶板下方设置振动装置，实现晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；通过在振动装置下方设置旋转装置，实现了晶圆转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击，进而实现提高晶圆的加工质量；通过在光杆上设置抽吸板；实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物，进而提高反应效率。
Description
技术领域
本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件；刻蚀技术是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干刻蚀基本上包括离子轰击与化学反应两部份刻蚀机制。偏离子轰击效应者使用氩气，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。
现有技术中也出现了一些半导体芯片刻蚀的技术方案，如申请号为201410356255.1的一项中国专利公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法，包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。
该技术方案的刻蚀方法实现了无论刻蚀反应产物的挥发性高低均可持续地进行刻蚀，但晶圆刻蚀反应表面生成的反应产物不能及时排除，阻碍了新的反应的进行，进而影响了反应效率；反应气体注入过于集中，电离后的离子也就过于集中地轰击晶圆的局部区域，导致反应表面刻蚀层不均匀，影响晶圆加工质量。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种半导体芯片生产工艺，该工艺使用的刻蚀机通过在箱体顶板下方设置振动装置，实现晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；通过在振动装置下方设置旋转装置，实现了晶圆转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击；通过在光杆上设置抽吸板；实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：
步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；
步骤二：将步骤一中的晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；
步骤三：将步骤二中的晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；
步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；
步骤五：将步骤四中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；
步骤六：将步骤五中的晶圆输送至下一工序；
步骤四中的刻蚀机，包括箱体、振动装置、旋转装置、夹紧装置、加热器、抽吸装置、激励线圈、送气装置、偏压提供装置，所述箱体顶板上方设有偏压提供装置；所述偏压提供装置用于给晶圆施加偏压；所述箱体顶板下方设有振动装置；所述振动装置用于使晶圆振动；所述振动装置下方设有旋转装置，所述旋转装置用于给晶圆提供旋转的动力；所述旋转装置下方设有夹紧装置；所述夹紧装置用于夹持晶圆；所述夹紧装置下方设有抽吸装置；所述抽吸装置用于除去晶圆反应表面的反应产物；所述抽吸装置下方的箱体内壁上设有激励线圈，所述激励线圈用于把反应气体电离；所述激励线圈下方设有送气装置；所述送气装置用于通入反应气体；所述送气装置旋转安装在箱体底板上方；
其中，所述振动装置包括电磁铁、弹簧、连接柱、导向柱，所述电磁铁镶嵌在箱体顶板上方；所述电磁铁下方设有弹簧；所述弹簧内设有连接柱；所述连接柱一端设置大端面，连接柱的大端面一端悬空，连接柱的另一端与旋转装置固定连接；电磁铁通电，电磁铁产生的磁力吸引连接柱，连接柱带动下方的旋转装置，旋转装置带动下方的夹紧装置进而带动晶圆向上运动；电磁铁断电，旋转装置、夹紧装置、晶圆在弹簧力和自身重力的作用下向下运动；连续的让电磁铁通电和断电实现晶圆上下振动，进而实现了晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；所述旋转装置包括机箱、一号电机、驱动齿轮、从动齿轮、一号轴承，所述机箱顶板上表面与连接柱固定连接，机箱顶板上表面右侧固定连接一号电机机壳；所述一号电机轴端头与驱动齿轮固定连接；所述驱动齿轮与从动齿轮啮合；所述从动齿轮下端面与一号轴承内圈固定连接；所述一号轴承内圈下端面与夹紧装置固定连接；所述一号轴承外圈上端面与机箱底板外表面固定连接；所述夹紧装置包括夹爪顶板、夹爪，所述夹爪顶板上方与一号轴承内圈下端面固定连接；所述夹爪顶板下方设有夹爪；所述夹爪用于夹持晶圆；所述夹爪顶板下方固定连接加热器；所述加热器用于对晶圆进行加热；一号电机通电，一号电机带动驱动齿轮转动，驱动齿轮带动从动齿轮转动，从动齿轮带动一号轴承内圈转动，一号轴承内圈带动夹紧装置转动，实现了晶圆的转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击。
所述夹紧装置下方设有抽吸装置；所述抽吸装置包括横向支撑板、纵向支撑板、抽吸板、光杆，所述横向支撑板与纵向支撑板拼接成正方形框架；所述正方形框架固定连接在箱体圆筒内壁上；所述纵向支撑板支架之间设有两根光杆；所述光杆上滑动安装抽吸板；所述抽吸板用于去除晶圆反应表面产生的反应产物，抽吸板通过同步带轮实现移动；电机通电带动同步带轮转动，同步带轮通过同步带带动抽吸板移动，抽吸板移动的过程中对晶圆反应表面的反应产物进行清除；所述送气装置包括送气横杆，所述送气横杆通过轴承转动连接在箱体底板上，送气横杆由电机带动旋转；所述送气横杆的横杆表面设置一组圆柱孔；送气横杆内通入反应气体，在电机的带动下送气横杆转动，反应气体送入后被均匀的喷洒开，经过激励线圈电离，电离后的离子在偏压提供装置的作用下轰击晶圆反应面。
所述抽吸板上表面沿长度方向的中心线上设置一组圆柱孔，抽吸板两端端面中心位置上设置一个通孔；所述圆柱孔与通孔连通；所述抽吸板上表面上的圆柱孔两侧各设有一组刷毛；抽吸板移动带动抽吸板上表面的刷毛对晶圆的反应面上产生的固体产物进行刷除，被扬起的固体产物随后被抽吸板上表面上的抽气孔抽除。
所述横向支撑板内侧表面设有一组供气接头，所述供气接头用于将抽吸板上的气孔与真空泵相连接；所述横向支撑板内侧表面设置一组圆柱孔；所述圆柱孔中部的圆柱面上设有一号进气孔；所述供气接头滑动安装在圆柱孔内；所述供气接头一端为球面；所述供气接头另一端为圆柱面；所述供气接头的圆柱面上设置二号出气孔；所述供气接头另一端的端面设有弹簧；所述供气接头被压缩时，二号出气孔与一号进气孔连通；抽吸板移动，对接的供气接头不断的变换；抽吸板端面挤压供气接头的球面，供气接头另一端的弹簧压缩，供气接头球面上的出气口与抽吸板端面上的气孔对正时，二号出气孔与一号进气孔连通，实现了抽吸板与真空泵的连接；抽吸板继续移动，供气接头与抽吸板端面上的气孔断开连接。
所述纵向支撑板上方固定连接清洁板；所述清洁板底面固定连接压缩凸块；所述压缩凸块用于对抽吸板上的气孔内壁进行清理；抽吸板移动到光杆的两端，抽吸板的上表面挤压压缩凸块，压缩凸块变形后紧贴抽吸板上表面滑动，抽吸板移动到极限位置，压缩凸块刚好落入抽吸板上表面的气孔内，压缩凸块对气孔内壁起到摩擦作用；抽吸板反向移动时，压缩凸块变形沿气孔内壁滑出。
所述压缩凸块为波浪形柱状体，压缩凸块内部设置空腔；所述压缩凸块空腔内设有弹簧；压缩凸块为波浪形柱状体，使压缩凸块有更大的压缩量，压缩凸块空腔内设有弹簧，使压缩后释放压力时有一定的振动，使压缩凸块进入抽吸板上表面的气孔后还会振动，实现压缩凸块多了几次对气孔内壁的摩擦，提高了清洁效果。
本发明的有益效果如下：
1.本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺使用的刻蚀机通过在箱体顶板下方设置振动装置，实现晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；通过在振动装置下方设置旋转装置，实现了晶圆转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击；通过在光杆上设置抽吸板；实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物。
2.本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺使用的刻蚀机通过在抽吸板上表面设置刷毛和气孔，实现对晶圆反应面上产生的固体产物进行刷除，同时被扬起的固体产物随后被抽吸板上表面上的抽气孔抽除。
3.本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺使用的刻蚀机通过在光杆的一端上方设置压缩凸块，实现抽吸板移动到光杆的两端时，压缩凸块刚好落入抽吸板上表面的气孔内，压缩凸块对气孔内壁起到摩擦作用，进而实现对气孔内壁进行清洁。
4.本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺使用的刻蚀机通过把压缩凸块设置成波浪形柱状体，实现了压缩凸块有更大的压缩量，压缩凸块空腔内设有弹簧，使压缩后的弹簧释放压力时有一定的振动，实现压缩凸块多了几次对气孔内壁的摩擦，进一步提高了清洁效果。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的工艺流程图；
图2是本发明刻蚀机的主视图；
图3是本发明刻蚀机的抽吸板结构示意图；
图4是图2中A-A处的剖视图；
图5是图4中B处的放大视图；
图6是本发明刻蚀机的清洁板结构示意图；
图7是图2中C处的放大视图；
图中：箱体1、振动装置2、电磁铁21、连接柱22、导向柱23、旋转装置3、机箱31、一号电机32、驱动齿轮33、从动齿轮34、一号轴承35、一号轴承内圈351、一号轴承外圈352、夹紧装置4、夹爪顶板41、夹爪42、加热器5、抽吸装置6、横向支撑板61、供气接头611、一号进气孔612、二号出气孔613、纵向支撑板62、清洁板621、压缩凸块622、抽吸板63、光杆64、激励线圈7、送气装置8、送气横杆81、偏压提供装置9。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1至图7所示，本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：
步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；
步骤二：将步骤一中的晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；
步骤三：将步骤二中的晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；
步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；
步骤五：将步骤四中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；
步骤六：将步骤五中的晶圆输送至下一工序；
步骤四中的刻蚀机，包括箱体1、振动装置2、旋转装置3、夹紧装置4、加热器5、抽吸装置6、激励线圈7、送气装置8、偏压提供装置9，所述箱体1顶板上方设有偏压提供装置9；所述偏压提供装置9用于给晶圆施加偏压；所述箱体1顶板下方设有振动装置2；所述振动装置2用于使晶圆振动；所述振动装置2下方设有旋转装置3，所述旋转装置3用于给晶圆提供旋转的动力；所述旋转装置3下方设有夹紧装置4；所述夹紧装置4用于夹持晶圆；所述夹紧装置4下方设有抽吸装置6；所述抽吸装置6用于除去晶圆反应表面的反应产物；所述抽吸装置6下方的箱体内壁上设有激励线圈7，所述激励线圈7用于把反应气体电离；所述激励线圈7下方设有送气装置8；所述送气装置8用于通入反应气体；所述送气装置8旋转安装在箱体1底板上方；
其中，所述振动装置2包括电磁铁21、弹簧、连接柱22、导向柱23，所述电磁铁21镶嵌在箱体1顶板上方；所述电磁铁21下方设有弹簧；所述弹簧内设有连接柱22；所述连接柱22一端设置大端面，连接柱22的大端面一端悬空，连接柱22的另一端与旋转装置3固定连接；电磁铁21通电，电磁铁21产生的磁力吸引连接柱22，连接柱22带动下方的旋转装置3，旋转装置3带动下方的夹紧装置4进而带动晶圆向上运动；电磁铁21断电，旋转装置3、夹紧装置4、晶圆在弹簧力和自身重力的作用下向下运动；连续的让电磁铁21通电和断电实现晶圆上下振动，进而实现了晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；所述旋转装置3包括机箱31、一号电机32、驱动齿轮33、从动齿轮34、一号轴承35，所述机箱31顶板上表面与连接柱22固定连接，机箱31顶板上表面右侧固定连接一号电机32机壳；所述一号电机32轴端头与驱动齿轮33固定连接；所述驱动齿轮33与从动齿轮34啮合；所述从动齿轮34下端面与一号轴承内圈351固定连接；所述一号轴承内圈351下端面与夹紧装置4固定连接；所述一号轴承外圈352上端面与机箱31底板外表面固定连接；所述夹紧装置4包括夹爪顶板41、夹爪42，所述夹爪顶板41上方与一号轴承内圈351下端面固定连接；所述夹爪顶板41下方设有夹爪42；所述夹爪42用于夹持晶圆；所述夹爪顶板41下方固定连接加热器5；所述加热器5用于对晶圆进行加热；一号电机32通电，一号电机32带动驱动齿轮33转动，驱动齿轮33带动从动齿轮34转动，从动齿轮34带动一号轴承内圈351转动，一号轴承内圈351带动夹紧装置4转动，实现了晶圆的转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击。
作为本发明的一种实施方案，所述夹紧装置4下方设有抽吸装置6；所述抽吸装置6包括横向支撑板61、纵向支撑板62、抽吸板63、光杆64，所述横向支撑板61与纵向支撑板62拼接成正方形框架；所述正方形框架固定连接在箱体1圆筒内壁上；所述纵向支撑板62支架之间设有两根光杆64；所述光杆64上滑动安装抽吸板63；所述抽吸板63用于去除晶圆反应表面产生的反应产物，抽吸板63通过同步带轮实现移动；电机通电带动同步带轮转动，同步带轮通过同步带带动抽吸板63移动，抽吸板63移动的过程中对晶圆反应表面的反应产物进行清除；所述送气装置8包括送气横杆81，所述送气横杆81通过轴承转动连接在箱体1底板上，送气横杆81由电机带动旋转；所述送气横杆81的横杆表面设置一组圆柱孔；送气横杆81内通入反应气体，在电机的带动下送气横杆81转动，反应气体送入后被均匀的喷洒开，经过激励线圈7电离，电离后的离子在偏压提供装置9的作用下轰击晶圆反应面。
作为本发明的一种实施方案，所述抽吸板63上表面沿长度方向的中心线上设置一组圆柱孔，抽吸板63两端端面中心位置上设置一个通孔；所述圆柱孔与通孔连通；所述抽吸板63上表面上的圆柱孔两侧各设有一组刷毛；抽吸板63移动带动抽吸板63上表面的刷毛对晶圆的反应面上产生的固体产物进行刷除，被扬起的固体产物随后被抽吸板63上表面上的抽气孔抽除。
作为本发明的一种实施方案，所述横向支撑板61内侧表面设有一组供气接头611，所述供气接头611用于将抽吸板63上的气孔与真空泵相连接；所述横向支撑板61内侧表面设置一组圆柱孔；所述圆柱孔中部的圆柱面上设有一号进气孔612；所述供气接头611滑动安装在圆柱孔内；所述供气接头611一端为球面；所述供气接头611另一端为圆柱面；所述供气接头611的圆柱面上设置二号出气孔613；所述供气接头611另一端的端面设有弹簧；所述供气接头611被压缩时，二号出气孔613与一号进气孔612连通；抽吸板63移动，对接的供气接头611不断的变换；抽吸板63端面挤压供气接头611的球面，供气接头611另一端的弹簧压缩，供气接头611球面上的出气口与抽吸板63端面上的气孔对正时，二号出气孔613与一号进气孔612连通，实现了抽吸板63与真空泵的连接；抽吸板63继续移动，供气接头611与抽吸板63端面上的气孔断开连接。
作为本发明的一种实施方案，所述纵向支撑板62上方固定连接清洁板621；所述清洁板621底面固定连接压缩凸块622；所述压缩凸块622用于对抽吸板63上的气孔内壁进行清理；抽吸板63移动到光杆64的两端，抽吸板63的上表面挤压压缩凸块622，压缩凸块622变形后紧贴抽吸板63上表面滑动，抽吸板63移动到极限位置，压缩凸块622刚好落入抽吸板63上表面的气孔内，压缩凸块622对气孔内壁起到摩擦作用；抽吸板63反向移动时，压缩凸块622变形沿气孔内壁滑出。
作为本发明的一种实施方案，所述压缩凸块622为波浪形柱状体，压缩凸块622内部设置空腔；所述压缩凸块622空腔内设有弹簧；压缩凸块622为波浪形柱状体，使压缩凸块622有更大的压缩量，压缩凸块622空腔内设有弹簧，使压缩后释放压力时有一定的振动，使压缩凸块622进入抽吸板63上表面的气孔后还会振动，实现压缩凸块622多了几次对气孔内壁的摩擦，提高了清洁效果。
工作时，电磁铁21通电，电磁铁21产生的磁力吸引连接柱22，连接柱22带动下方的旋转装置3，旋转装置3带动下方的夹紧装置4进而带动晶圆向上运动；电磁铁21断电，旋转装置3、夹紧装置4、晶圆在弹簧力和自身重力的作用下向下运动；连续的让电磁铁21通电和断电实现晶圆上下振动，进而实现了晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；一号电机32通电，一号电机32带动驱动齿轮33转动，驱动齿轮33带动从动齿轮34转动，从动齿轮34带动一号轴承内圈351转动，一号轴承内圈351带动夹紧装置4转动，实现了晶圆的转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击；送气横杆81内通入反应气体，在电机的带动下送气横杆转动81，反应气体送入后被均匀的喷洒开，经过激励线圈7电离，电离后的离子在偏压提供装置9的作用下轰击晶圆反应面；电机通电带动同步带轮转动，同步带轮通过同步带带动抽吸板63移动，抽吸板63移动的过程中对晶圆反应表面的反应产物进行清除；抽吸板63移动带动抽吸板63上表面的刷毛对晶圆的反应面上产生的固体产物进行刷除，被扬起的固体产物随后被抽吸板63上表面上的抽气孔抽除；抽吸板63移动带动与抽吸板63端面圆柱孔对接的供气接头611不断的变换；抽吸板63端面挤压供气接头611的球面，供气接头611另一端的弹簧压缩，供气接头611球面上的出气口与抽吸板63端面上的气孔对正时，二号出气孔613与一号进气孔612连通，实现了抽吸板63与真空泵的连接；抽吸板63继续移动，供气接头611与抽吸板63端面上的气孔断开连接；抽吸板63移动到光杆64的两端，抽吸板63的上表面挤压压缩凸块622，压缩凸块622变形后紧贴抽吸板63上表面滑动，抽吸板63移动到极限位置，压缩凸块622刚好落入抽吸板63上表面的气孔内，压缩凸块622对气孔内壁起到摩擦作用；抽吸板63反向移动时，压缩凸块622变形沿气孔内壁滑出；压缩凸块622为波浪形柱状体，使压缩凸块622有更大的压缩量，压缩凸块622空腔内设有弹簧，使压缩后释放压力时有一定的振动，使压缩凸块622进入抽吸板63上表面的气孔后还会振动，实现压缩凸块622多了几次对气孔内壁的摩擦，提高了清洁效果。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：该工艺包括如下步骤：
步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；
步骤二：将步骤一中的晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；
步骤三：将步骤二中的晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；
步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；
步骤五：将步骤四中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；
步骤六：将步骤五中的晶圆输送至下一工序；
步骤四中的刻蚀机，包括箱体(1)、振动装置(2)、旋转装置(3)、夹紧装置(4)、加热器(5)、抽吸装置(6)、激励线圈(7)、送气装置(8)、偏压提供装置(9)，所述箱体(1)顶板上方设有偏压提供装置(9)；所述偏压提供装置(9)用于给晶圆施加偏压；所述箱体(1)顶板下方设有振动装置(2)；所述振动装置(2)用于使晶圆振动；所述振动装置(2)下方设有旋转装置(3)，所述旋转装置(3)用于给晶圆提供旋转的动力；所述旋转装置(3)下方设有夹紧装置(4)；所述夹紧装置(4)用于夹持晶圆；所述夹紧装置(4)下方设有抽吸装置(6)；所述抽吸装置(6)用于除去晶圆反应表面的反应产物；所述抽吸装置(6)下方的箱体内壁上设有激励线圈(7)，所述激励线圈(7)用于把反应气体电离；所述激励线圈(7)下方设有送气装置(8)；所述送气装置(8)用于通入反应气体；所述送气装置(8)旋转安装在箱体(1)底板上方；
其中，所述振动装置(2)包括电磁铁(21)、弹簧、连接柱(22)、导向柱(23)，所述电磁铁(21)镶嵌在箱体(1)顶板上方；所述电磁铁(21)下方设有弹簧；所述弹簧内设有连接柱(22)；所述连接柱(22)一端设置大端面，连接柱(22)的大端面一端悬空，连接柱(22)的另一端与旋转装置(3)固定连接；所述旋转装置(3)包括机箱(31)、一号电机(32)、驱动齿轮(33)、从动齿轮(34)、一号轴承(35)，所述机箱(31)顶板上表面与连接柱(22)固定连接，机箱(31)顶板上表面右侧固定连接一号电机(32)机壳；所述一号电机(32)轴端头与驱动齿轮(33)固定连接；所述驱动齿轮(33)与从动齿轮(34)啮合；所述从动齿轮(34)下端面与一号轴承内圈(351)固定连接；所述一号轴承内圈(351)下端面与夹紧装置(4)固定连接；所述一号轴承外圈(352)上端面与机箱(31)底板外表面固定连接；所述夹紧装置(4)包括夹爪顶板(41)、夹爪(42)，所述夹爪顶板(41)上方与一号轴承内圈(351)下端面固定连接；所述夹爪顶板(41)下方设有夹爪(42)；所述夹爪(42)用于夹持晶圆；所述夹爪顶板(41)下方固定连接加热器(5)；所述加热器(5)用于对晶圆进行加热。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述夹紧装置(4)下方设有抽吸装置(6)；所述抽吸装置(6)包括横向支撑板(61)、纵向支撑板(62)、抽吸板(63)、光杆(64)，所述横向支撑板(61)与纵向支撑板(62)拼接成正方形框架；所述正方形框架固定连接在箱体(1)圆筒内壁上；所述纵向支撑板(62)支架之间设有两根光杆(64)；所述光杆(64)上滑动安装抽吸板(63)；所述抽吸板(63)用于去除晶圆反应表面产生的反应产物，抽吸板(63)通过同步带轮实现移动；所述送气装置(8)包括送气横杆(81)，所述送气横杆(81)通过轴承转动连接在箱体(1)底板上，送气横杆(81)由电机带动旋转；所述送气横杆(81)的横杆表面设置一组圆柱孔。
3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述抽吸板(63)上表面沿长度方向的中心线上设置一组圆柱孔，抽吸板(63)两端端面中心位置上设置一个通孔；所述圆柱孔与通孔连通；所述抽吸板(63)上表面上的圆柱孔两侧各设有一组刷毛。
4.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述横向支撑板(61)内侧表面设有一组供气接头(611)，所述供气接头(611)用于将抽吸板(63)上的气孔与真空泵相连接；所述横向支撑板(61)内侧表面设置一组圆柱孔；所述圆柱孔中部的圆柱面上设有一号进气孔(612)；所述供气接头(611)滑动安装在圆柱孔内；所述供气接头(611)一端为球面；所述供气接头(611)另一端为圆柱面；所述供气接头(611)的圆柱面上设置二号出气孔(613)；所述供气接头(611)另一端的端面设有弹簧；所述供气接头(611)被压缩时，二号出气孔(613)与一号进气孔(612)连通。
5.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述纵向支撑板(62)上方固定连接清洁板(621)；所述清洁板(621)底面固定连接压缩凸块(622)；所述压缩凸块(622)用于对抽吸板(63)上的气孔内壁进行清理。
6.根据权利要求5所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述压缩凸块(622)为波浪形柱状体，压缩凸块(622)内部设置空腔；所述压缩凸块(622)空腔内设有弹簧。
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