JPS58191438A - 半導体製造装置における炉温度の制御方法 - Google Patents
半導体製造装置における炉温度の制御方法Info
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- JPS58191438A JPS58191438A JP57073398A JP7339882A JPS58191438A JP S58191438 A JPS58191438 A JP S58191438A JP 57073398 A JP57073398 A JP 57073398A JP 7339882 A JP7339882 A JP 7339882A JP S58191438 A JPS58191438 A JP S58191438A
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- Japan
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- memory
- furnace
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置において、半導体ウェハの酸素
、水素燃焼における酸化工程においても安定した、炉温
度の制御が行なえる方法に関するものである。
、水素燃焼における酸化工程においても安定した、炉温
度の制御が行なえる方法に関するものである。
従来、この種半導体ウニ・・の酸化工程における電気炉
の温度制御の方法を第１図に示す。図においてｌは炉芯
管、２はヒータ、３は酸素ガス流入管、４は水素ガス流
入管、５は測温用熱電対、６は温度補正用メモリ、７は
温度調整器を示す。そしである温度に炉温を制御するに
は、熱電対５の起電力を読み取り、温度補正メモ・す６
に入力する。
の温度制御の方法を第１図に示す。図においてｌは炉芯
管、２はヒータ、３は酸素ガス流入管、４は水素ガス流
入管、５は測温用熱電対、６は温度補正用メモリ、７は
温度調整器を示す。そしである温度に炉温を制御するに
は、熱電対５の起電力を読み取り、温度補正メモ・す６
に入力する。
この入力によ多温度調整器７はヒータ２に電力を供給し
、熱電対５の起電力が設定しようとする炉温と対応する
ようにコントロールしている。
、熱電対５の起電力が設定しようとする炉温と対応する
ようにコントロールしている。
この場１合、水素流入管４より水素を流入させ、温度補
正用メモリ６の補正量を一定とした時、つま多温度調整
器７の出力を一定とした時の熱電対５に表われる炉芯管
１内の温度を第２図に示す。
正用メモリ６の補正量を一定とした時、つま多温度調整
器７の出力を一定とした時の熱電対５に表われる炉芯管
１内の温度を第２図に示す。
即ち、水素を流入した時点ａよシ水素の燃焼によシ炉芯
管内温度は、ｂに示すカーブのように上昇し設定温度か
らズしてしまうという欠点があった。
管内温度は、ｂに示すカーブのように上昇し設定温度か
らズしてしまうという欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点を除くため、温度補正用
メモリを２系列化して炉温を制御し、炉温の上昇を防止
したものである。以下本発明の一実施例を図面によル詳
細に説明する。
メモリを２系列化して炉温を制御し、炉温の上昇を防止
したものである。以下本発明の一実施例を図面によル詳
細に説明する。
第３図は本発明制御方法の一実施例を示すプロ、り図で
、温度補正用メモリを２系列化したもので、第１図と同
じ機能ブロックには同一の参照符号を付した。図におい
て、８は追加した温度補正用メモリであり、従来からの
温度補正用メモリ６と同一タイプのもので、可変抵抗等
のポテンショ・メータで実現できる。また、９は水素流
入信号であシ、水素流入管４（第１図参照）に水素を流
入する時に得られる信号である。従来からの温度設定メ
モリ６には酸素流入時のみにある設定温度、例えば１ｏ
ｏｏ℃になるような設定とする。次に追加温度補正メモ
リ８には、水素燃焼時に１０００℃になるように測温し
温度補正メモリ８に入力する。温度調整器７の出力は、
水素流入信号９のない場合は、補正用メモリ６を、該水
素流入信号９のある場合は、温度補正用メモリ８を利用
しヒータ２（第１図参照）に出力をあたえ炉芯管１内の
温度を制御するようにしたものである。第４図はこの時
の炉温調整器の出力でＣは補正メモリ６を使用した時の
出力で、ａは水素流入信号ポイント、ｄは補正メモリ８
を使用した時の出力である。又、第５図は第４図のよう
な出力をあたえた時の炉芯管内温度で、ａは水素流入ポ
イント、ｅは炉温変化のグラフであシ水素燃焼後でも燃
焼前の炉芯管内温度が得られる。
、温度補正用メモリを２系列化したもので、第１図と同
じ機能ブロックには同一の参照符号を付した。図におい
て、８は追加した温度補正用メモリであり、従来からの
温度補正用メモリ６と同一タイプのもので、可変抵抗等
のポテンショ・メータで実現できる。また、９は水素流
入信号であシ、水素流入管４（第１図参照）に水素を流
入する時に得られる信号である。従来からの温度設定メ
モリ６には酸素流入時のみにある設定温度、例えば１ｏ
ｏｏ℃になるような設定とする。次に追加温度補正メモ
リ８には、水素燃焼時に１０００℃になるように測温し
温度補正メモリ８に入力する。温度調整器７の出力は、
水素流入信号９のない場合は、補正用メモリ６を、該水
素流入信号９のある場合は、温度補正用メモリ８を利用
しヒータ２（第１図参照）に出力をあたえ炉芯管１内の
温度を制御するようにしたものである。第４図はこの時
の炉温調整器の出力でＣは補正メモリ６を使用した時の
出力で、ａは水素流入信号ポイント、ｄは補正メモリ８
を使用した時の出力である。又、第５図は第４図のよう
な出力をあたえた時の炉芯管内温度で、ａは水素流入ポ
イント、ｅは炉温変化のグラフであシ水素燃焼後でも燃
焼前の炉芯管内温度が得られる。
以上説明したように、第１の実施例では、２系列の温度
補正メモリを用いる事にょシ、水素の燃焼による熱の発
生に関係なく炉芯管内温度を一定に保持する事が出来る
為、均一性の良い酸化シリコン膜が、得られるとともに
、不純物の熱拡散における濃度プロファイルを一定出来
る効果が生じる。
補正メモリを用いる事にょシ、水素の燃焼による熱の発
生に関係なく炉芯管内温度を一定に保持する事が出来る
為、均一性の良い酸化シリコン膜が、得られるとともに
、不純物の熱拡散における濃度プロファイルを一定出来
る効果が生じる。
なお、第１の実施例は、水素の入力信号と同時に温度調
整器の出力を変更したが、第６図に示すように水素入力
信号９に遅延回路１ノを付加すればさらに炉芯管内温度
変化量の少ない制御が可能である。この時の温度調整器
７の出力を第７図に示す、ａ点即ち水素流入信号ポイン
トからｆ点に至る時間が遅延回路１１による遅れであシ
、と・のような出力の時の炉芯管内温度を第８図に示す
。
整器の出力を変更したが、第６図に示すように水素入力
信号９に遅延回路１ノを付加すればさらに炉芯管内温度
変化量の少ない制御が可能である。この時の温度調整器
７の出力を第７図に示す、ａ点即ち水素流入信号ポイン
トからｆ点に至る時間が遅延回路１１による遅れであシ
、と・のような出力の時の炉芯管内温度を第８図に示す
。
なおｇは炉温変化のカーブである。
以上詳細に説明したように本発明によれば拡散炉の温度
を常に一定に保持する事が出来るので均一性の良い酸化
シリコン膜が得られるとともに不純物の熱拡散における
濃度グロファイルを一定化出来る効果が生じる。
を常に一定に保持する事が出来るので均一性の良い酸化
シリコン膜が得られるとともに不純物の熱拡散における
濃度グロファイルを一定化出来る効果が生じる。
第１図は従来の拡散炉の炉温制御方法を示す構成図、第
２図は従来の炉温変化を示す図、第３図は本発明制御方
法のプロ、り図、第４図は同じくその温度調整器出力を
示す図、第５図は同じくその炉温変化グラフを示す図、
第６図は本発明の他の実施例を示すブロック図、第７図
は同じくその温度調整器出力を示す図、第８図は同じく
その炉温変化グラフを示す図である。 １・・・炉芯管、２・・・ヒータ、３・・・酸素ガス流
入管、４・・・水素ガス流入管、５・・・測温用熱電対
、６，８・・・温度補正用メモリ、７・・・温度調整器
、９・・・水素流入信号、１ノ・・・遅延回路。 ｉｙ ３ ’、’４ 第 ４１スｌ タＳ りＰｉ第６図
２図は従来の炉温変化を示す図、第３図は本発明制御方
法のプロ、り図、第４図は同じくその温度調整器出力を
示す図、第５図は同じくその炉温変化グラフを示す図、
第６図は本発明の他の実施例を示すブロック図、第７図
は同じくその温度調整器出力を示す図、第８図は同じく
その炉温変化グラフを示す図である。 １・・・炉芯管、２・・・ヒータ、３・・・酸素ガス流
入管、４・・・水素ガス流入管、５・・・測温用熱電対
、６，８・・・温度補正用メモリ、７・・・温度調整器
、９・・・水素流入信号、１ノ・・・遅延回路。 ｉｙ ３ ’、’４ 第 ４１スｌ タＳ りＰｉ第６図
Claims (1)
- 酸素、水素燃焼用炉の温度を２系列の温度補正メモリを
設け、酸素のみの流入時には第１の温度補正メモリによ
シ、また水素を流入させた場合は第２の温度補正メモリ
によ多温度調整器を介してヒータに出力を与え、炉芯管
内の温度を制御することを特徴とする半導体製造装置に
おける炉温度の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073398A JPS58191438A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体製造装置における炉温度の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073398A JPS58191438A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体製造装置における炉温度の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191438A true JPS58191438A (ja) | 1983-11-08 |
| JPH0119262B2 JPH0119262B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=13517047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073398A Granted JPS58191438A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体製造装置における炉温度の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58191438A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9886231B2 (en) | 2008-03-28 | 2018-02-06 | Kopin Corporation | Head worn wireless computer having high-resolution display suitable for use as a mobile internet device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681933A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Toshiba Corp | Oxidizing furnace for semiconductor substrate |
| JPS5730338A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Nec Corp | Thermal oxidizing device for semiconductor |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP57073398A patent/JPS58191438A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681933A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Toshiba Corp | Oxidizing furnace for semiconductor substrate |
| JPS5730338A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Nec Corp | Thermal oxidizing device for semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0119262B2 (ja) | 1989-04-11 |
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