JPS58189982A - 分散形エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
分散形エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS58189982A JPS58189982A JP57071202A JP7120282A JPS58189982A JP S58189982 A JPS58189982 A JP S58189982A JP 57071202 A JP57071202 A JP 57071202A JP 7120282 A JP7120282 A JP 7120282A JP S58189982 A JPS58189982 A JP S58189982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cyanoethylated
- dielectric material
- electroluminescent device
- dispersion type
- reflective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示装置に適した分散形エレクトロルミネッ
センス素子に関する。
センス素子に関する。
近年、表示装置の表示手段として、陰極線管に賛えて平
面形の表示手段が注目されている。
面形の表示手段が注目されている。
平面形の表示手段の一つとしての分散形エレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、分散形ＥＬ素子という）を利用
したものは、消費電力が少なく、比較的大きな面積ａ）
ものを低コストで得ることができ、各種表示装置の表示
手段としての応用が大いに朗侍されている。
ネッセンス素子（以下、分散形ＥＬ素子という）を利用
したものは、消費電力が少なく、比較的大きな面積ａ）
ものを低コストで得ることができ、各種表示装置の表示
手段としての応用が大いに朗侍されている。
しかしながら、これまでの分散形ＥＬ業子（！。
輝閥、寿命の点で充分ではなく、いまだ実用化に至って
いないのが現状であって、上記のような利点を考えると
、＃度、寿命の点の４急な改善が望まれるところである
。
いないのが現状であって、上記のような利点を考えると
、＃度、寿命の点の４急な改善が望まれるところである
。
ところで、分散形ＢＬ素子は、誘電体中にＺｎＳ系螢光
体を分散して発光層とし、かかる発光１−に電圧を印加
して電場を生じさせることにより螢光体を発光させるも
のであるが、電場１度が大きい程輝度は高いことＫなる
。そこで、螢光体にできるだけ大きな強度の電場を加え
る必要があり、その一手段として発光層を形成する誘電
体として高い誘電率の誘電材料を用いろことが考えられ
る。さらに、誘電体としては、薄い膜状に形成５Ｔ訃で
１ｆければならず、これらの点から、誘電体材料として
、シアンエチル化セルローズ、シアノエチル化ポリビニ
ルアルコール（以下、ポリビニルアルコールをＰＶＡと
いう）、シアンエチル化プルラン、弗素ゴムなどがこれ
まで採用されてβたが、これら誘′市体材料の誘電率は
１５〜２１程変であって充分とはいえｒｘい。
体を分散して発光層とし、かかる発光１−に電圧を印加
して電場を生じさせることにより螢光体を発光させるも
のであるが、電場１度が大きい程輝度は高いことＫなる
。そこで、螢光体にできるだけ大きな強度の電場を加え
る必要があり、その一手段として発光層を形成する誘電
体として高い誘電率の誘電材料を用いろことが考えられ
る。さらに、誘電体としては、薄い膜状に形成５Ｔ訃で
１ｆければならず、これらの点から、誘電体材料として
、シアンエチル化セルローズ、シアノエチル化ポリビニ
ルアルコール（以下、ポリビニルアルコールをＰＶＡと
いう）、シアンエチル化プルラン、弗素ゴムなどがこれ
まで採用されてβたが、これら誘′市体材料の誘電率は
１５〜２１程変であって充分とはいえｒｘい。
シアンエチル化セルローズ、シアンエチル化）’ＶＡ１
ンアノエチル化プルランは高＝４率のシアノエチル化ポ
リオール類と相溶さ七ることにより、誘電率がかなり高
い誘電体が得らね、る、しかし、これらの材料は、脱湿
処理のために１２０°Ｃ〜１５０°Ｃの加熱を必要とし
、その結果、変質、分解するという欠点があった。これ
に対し、弗素ゴムは、極めて熱安定性が良く、ま？Ｑ吸
濤性も小さいことから、安定件の高いＥＬ素子を得るこ
とができる。しかし、先にも述べたように、弗素ゴムは
誘電率が小さく、また、シアノエチル化ポリオール類と
相溶させることは望めない。したがって、弗素ゴムを発
光Ｉ−の誘電体として用いた場合、寿命の点では然程問
題とはならないが、充分なる輝度を得ることができない
という欠点があった。
ンアノエチル化プルランは高＝４率のシアノエチル化ポ
リオール類と相溶さ七ることにより、誘電率がかなり高
い誘電体が得らね、る、しかし、これらの材料は、脱湿
処理のために１２０°Ｃ〜１５０°Ｃの加熱を必要とし
、その結果、変質、分解するという欠点があった。これ
に対し、弗素ゴムは、極めて熱安定性が良く、ま？Ｑ吸
濤性も小さいことから、安定件の高いＥＬ素子を得るこ
とができる。しかし、先にも述べたように、弗素ゴムは
誘電率が小さく、また、シアノエチル化ポリオール類と
相溶させることは望めない。したがって、弗素ゴムを発
光Ｉ−の誘電体として用いた場合、寿命の点では然程問
題とはならないが、充分なる輝度を得ることができない
という欠点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、弗素ゴム
を誘電体とする発光層における輝要な充分に得ることが
できるようにした分散形ＥＬ素子を提供するＩ／ｆｉあ
る。
を誘電体とする発光層における輝要な充分に得ることが
できるようにした分散形ＥＬ素子を提供するＩ／ｆｉあ
る。
この目的を達成するために、本発明は、冑誘電率かつ低
インピーダンスの反射層を設け、発光層における電場を
高めることができるようにした点を特徴とする。
インピーダンスの反射層を設け、発光層における電場を
高めることができるようにした点を特徴とする。
本発明は、弗素ゴム誘電体に螢光体を分散した発電層に
、誘電率が大きくインピーダンスが小さい反射層を組み
合わせ、電極間における発光層への電場配分をできるか
ぎり大さくするものである。
、誘電率が大きくインピーダンスが小さい反射層を組み
合わせ、電極間における発光層への電場配分をできるか
ぎり大さくするものである。
反射層を形成する誘電体のインピーダンスが小さくなけ
ればならないということは、コンダクタンスが大きいと
いうことであり、また、反射層は、発生層上に接して形
成し、このためへ反射層の誘′イ体としては、発光層の
Ｚｎ８螢光体を劣化させるイオン不純物を含んではなら
ない。
ればならないということは、コンダクタンスが大きいと
いうことであり、また、反射層は、発生層上に接して形
成し、このためへ反射層の誘′イ体としては、発光層の
Ｚｎ８螢光体を劣化させるイオン不純物を含んではなら
ない。
さらに、反射層の誘電体としては、薄い膜状に形成する
ものであるから、そのために混合される液状にあるとぎ
に製膜性を有するシアンエチル化セルローズやシアノエ
チル化ＰＶＡなどと相溶性を有し、かつ、高沸点で熱処
理中における減量ができるだけ小さいものが望ましい。
ものであるから、そのために混合される液状にあるとぎ
に製膜性を有するシアンエチル化セルローズやシアノエ
チル化ＰＶＡなどと相溶性を有し、かつ、高沸点で熱処
理中における減量ができるだけ小さいものが望ましい。
以上の点から考えると、反射層の誘電体として、一般に
、シアンエチル化ポリオール類の有機系高誘電率物質が
適している。
、シアンエチル化ポリオール類の有機系高誘電率物質が
適している。
次に、シアノエチル化ポリオール類のいくつカッ例を掲
げると、シアンエチル化サッカローズは誘電率が３８〜
４０でコンダクタンスは０．０１μであるのに対し、シ
アノエチル化ソルビ）−ル、シアノエチル化マンニトー
ルｃ−ｚ、誘ホ率カ４８〜５イでコンダクタンスは数μ
であって比較的大きく１反射ｊ−の誘電体として用いる
ことができる。さらに、シアノエチル化グリセリンは誘
電率が６０〜７０でコンダクタンスは数１０μ、シアノ
エチル化ジグリセリンは誘電率力８００〜１０００でコ
ンダクタンスは１００〜１０ＤＯμであり、これらの高
誘電率の材料を反射層の誘電体として用いることにより
、輝度が充分に向上した。
げると、シアンエチル化サッカローズは誘電率が３８〜
４０でコンダクタンスは０．０１μであるのに対し、シ
アノエチル化ソルビ）−ル、シアノエチル化マンニトー
ルｃ−ｚ、誘ホ率カ４８〜５イでコンダクタンスは数μ
であって比較的大きく１反射ｊ−の誘電体として用いる
ことができる。さらに、シアノエチル化グリセリンは誘
電率が６０〜７０でコンダクタンスは数１０μ、シアノ
エチル化ジグリセリンは誘電率力８００〜１０００でコ
ンダクタンスは１００〜１０ＤＯμであり、これらの高
誘電率の材料を反射層の誘電体として用いることにより
、輝度が充分に向上した。
以下、これらシアノエチル化ポリオール類を反射層の誘
電体とした本発明の実施例について説明する。
電体とした本発明の実施例について説明する。
実施例１：透明導電性基板上に為素ゴム１部（重ｉｔ）
、ＺｎＳ螢光体４部（重ｆ）よりなる膜厚３５Ｊ１ｍの
発光層を形成した。次に、シアンエチル化セルローズ１
部（重量）、シアノエチル化ソルビトール９部ＣＭ量）
、チタン酸バリウム粉末５０部（重量）に適量のＮメチ
ル２ピロリドンを加えて反射Ｊ−用ペーストを調合し、
乾燥した発光層にスクリーン印刷法により膜厚約１０姐
の反射層を形成した。次いで、アルミニウム真空蒸着法
あるいは導電ペースト印刷法により、反射層上に背面電
極を形成した。
、ＺｎＳ螢光体４部（重ｆ）よりなる膜厚３５Ｊ１ｍの
発光層を形成した。次に、シアンエチル化セルローズ１
部（重量）、シアノエチル化ソルビトール９部ＣＭ量）
、チタン酸バリウム粉末５０部（重量）に適量のＮメチ
ル２ピロリドンを加えて反射Ｊ−用ペーストを調合し、
乾燥した発光層にスクリーン印刷法により膜厚約１０姐
の反射層を形成した。次いで、アルミニウム真空蒸着法
あるいは導電ペースト印刷法により、反射層上に背面電
極を形成した。
このようにして形成した分散形ＥＬ単素子は、５０Ｈｚ
、 １００ Ｖの印加電圧で約５ ｆＬ 、 ２５
０）Ｊｚ 。
、 １００ Ｖの印加電圧で約５ ｆＬ 、 ２５
０）Ｊｚ 。
１００Ｖで約２０ｆｌ、の輝度が得られ、Ｔｏ索ゴムで
反射層を形成してもある程度の輝度の向上があるが、そ
の場合の輝度の約１５倍の輝度がこの実施例で得られた
、 また、反射層の誘電体として、シアノエチル化ＰＶＡあ
るいはシアンエチル化プルランにシアノエチル化マンニ
トールを相溶さ七たものも、同程度のｆｊ＃度の向上が
あった。
反射層を形成してもある程度の輝度の向上があるが、そ
の場合の輝度の約１５倍の輝度がこの実施例で得られた
、 また、反射層の誘電体として、シアノエチル化ＰＶＡあ
るいはシアンエチル化プルランにシアノエチル化マンニ
トールを相溶さ七たものも、同程度のｆｊ＃度の向上が
あった。
実施例２ニジアノ工チル化ＰＶＡＩ部（ｆｉｉ３ｔ）、
シアノエチル化グリセリンｑ ｍ （ｉｔ ）、チタン
酸バリウム粉末５０部（重量）に適量のへメチル２ピロ
リドンを配合して反射ノーペーストを−合し、実施例１
で述べた発光層にスクリーン印刷法により験厚約１０μ
ｍの反射層を形成した。
シアノエチル化グリセリンｑ ｍ （ｉｔ ）、チタン
酸バリウム粉末５０部（重量）に適量のへメチル２ピロ
リドンを配合して反射ノーペーストを−合し、実施例１
で述べた発光層にスクリーン印刷法により験厚約１０μ
ｍの反射層を形成した。
次いで、導（ペースト部属１１法により反射層上に背面
電極を形成した。
電極を形成した。
このようにして得られた分散形ＥＬ単素子は、５０Ｈ１
，１００Ｖの印加電圧で５．５〜６ｆＬ 、 ２５０
Ｈｚ、１００■で約２５ｆＬの輝度が得られ、反射層を
弗素ゴムで形成した分散形ＥＬ単素子対し、１８〜２倍
の輝度が得られた。
，１００Ｖの印加電圧で５．５〜６ｆＬ 、 ２５０
Ｈｚ、１００■で約２５ｆＬの輝度が得られ、反射層を
弗素ゴムで形成した分散形ＥＬ単素子対し、１８〜２倍
の輝度が得られた。
実施例５：実施例２のシアノエチル化グリセリンに代え
て、シアノエチル化ジグリセリンを用いて分散形ＥＬ単
素子形成した。この分散形ＥＬ単素子は、５０Ｈ２，１
００Ｖの印ａｎ ’ｉｔ圧で６〜７ ｆＬ 、 ２５０
Ｈｚ、１００■で２５〜３０ｆＬの＊ｇ１が得られた。
て、シアノエチル化ジグリセリンを用いて分散形ＥＬ単
素子形成した。この分散形ＥＬ単素子は、５０Ｈ２，１
００Ｖの印ａｎ ’ｉｔ圧で６〜７ ｆＬ 、 ２５０
Ｈｚ、１００■で２５〜３０ｆＬの＊ｇ１が得られた。
以上、本発明による分散形ＥＬ単素子、弗素ゴムで反射
層を形成した場合のＥＬ素子の１５〜２倍の輝度となり
、非常に明るいＥＬ素子である。また、本発明による分
散形ＥＬ単素子、防止封止を完備すると、５０Ｈｚ駆動
で、輝度が１／２になるまでの時間は、４０００〜５０
００時間、２５０Ｈｚ駆動で約１０００時間となり、寿
命も著しく改善された。
層を形成した場合のＥＬ素子の１５〜２倍の輝度となり
、非常に明るいＥＬ素子である。また、本発明による分
散形ＥＬ単素子、防止封止を完備すると、５０Ｈｚ駆動
で、輝度が１／２になるまでの時間は、４０００〜５０
００時間、２５０Ｈｚ駆動で約１０００時間となり、寿
命も著しく改善された。
以上説明したように、本発明によれば、弗素ゴムを誘電
体とする発光層に高誘電率かつ低インピーダンスの反射
層を設けたことにより、発光層が安定であって発光層に
おける電場配分が太き（なるから、寿命を長（、かつ、
輝度を筒めることがでさ、前記従来技術の欠点を除いて
優れた機能の分散形ＥＬ単素子提供することができる。
体とする発光層に高誘電率かつ低インピーダンスの反射
層を設けたことにより、発光層が安定であって発光層に
おける電場配分が太き（なるから、寿命を長（、かつ、
輝度を筒めることがでさ、前記従来技術の欠点を除いて
優れた機能の分散形ＥＬ単素子提供することができる。
、、−’ｆ １
代理人弁理士 麟 １）利Ｃ幸
−ｉｆ 、ｉ −：
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 弗素ゴム誘電体に螢光体を分散させてなる発光層
を備えた分散形エレクトロルミネッセンス素子において
、高誘電率かつ低インピーダンスの反射層を設け、前記
発光層における電場強麿を増強可能に構成したことを特
徴とする分散形エレクトロルミネッセンス素子。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記反射層は、シ
アノエチル化ポリオール類を含む誘電体とチタン酸バリ
ウム粉末からなることを特徴とする分数形エレクトロル
ミネッセンス素子。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記誘電体は、シ
アノエチル化ソルビトールを含有してなることを特徴と
する分散形エレクトロルミネッセンス素子。 ４、特許請求の範囲第２項において、前記誘電体は、シ
アノエチル化ポリビニルアルコールにシアンエチル化マ
ンニトールを相溶させてなることを特徴とする分散形エ
レクトロルミネッセンス素子。 ５、 ＃許請求の範囲第２項において、前記誘電体は
、シアノエチル化プルランにシアンエチル化マンニトー
ルを相溶させてなることを特徴とする分散形エレクトロ
ルミネッセンスＩ子。 ６、特許請求の範囲第２項において、罰記誘市体は、７
７ノエチル化グリセリンを含有してなることを特徴とす
る分散形エレクトロルミネッセンス素子、 ７ 特許請求の範囲第２項において、前記誘電体は、シ
アンエチル化ジグリセリンを含有してなることを特徴と
する分散形エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071202A JPS58189982A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 分散形エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071202A JPS58189982A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 分散形エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189982A true JPS58189982A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=13453846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57071202A Pending JPS58189982A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 分散形エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189982A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0257598U (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-25 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154095A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-01 | Nippon Telegraph & Telephone | El light emitting element |
| JPS5915937A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Copal Co Ltd | 写真処理システム装置の紙送り機構 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57071202A patent/JPS58189982A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154095A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-01 | Nippon Telegraph & Telephone | El light emitting element |
| JPS5915937A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Copal Co Ltd | 写真処理システム装置の紙送り機構 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0257598U (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-25 |
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