JPS58185446A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
- Publication number
- JPS58185446A JPS58185446A JP6700282A JP6700282A JPS58185446A JP S58185446 A JPS58185446 A JP S58185446A JP 6700282 A JP6700282 A JP 6700282A JP 6700282 A JP6700282 A JP 6700282A JP S58185446 A JPS58185446 A JP S58185446A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- soot
- reaction tube
- deposition
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01846—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバ母材の製造方法に係り、特に気相化
学反応を用いたＭＣＶＤ法（−・ｔ−ｆ−ｙｌ ｃＪ勾
−１Ｃａｉｖａｐａ４ｄｔｐａａｉ、１＝ａｒｒ ）に
よる光フアイバ母材の製造方法の改良に関するものであ
る。
学反応を用いたＭＣＶＤ法（−・ｔ−ｆ−ｙｌ ｃＪ勾
−１Ｃａｉｖａｐａ４ｄｔｐａａｉ、１＝ａｒｒ ）に
よる光フアイバ母材の製造方法の改良に関するものであ
る。
Ｍ ＣＶ Ｉ） １１、にＬる牟ファイバ母材の製造方
法は、促宋、パら１図に７〕ζす・製造装置を用いて行
われていた。第１図にＬ・いて、１は図示矢印方向から
供給さＪ１イ、ηラスのＩＩ、ｊ料であるＳｔｃ％ 、
Ｇｔｃｌ、、 、 ｐＱｃｆ３ などの力４と・窒
素との反応ガスを気相化学反応させ−る６ ’Ａ ’ｌ
？かりなるＣＶＤ反応管、２け石英管からなイ）スート
堆積管、３は管固定チャック、４はスト除人棒、５は加
熱バーナ である。従来、）＆ 、 Ｌ−１、、＋ｉ用
いたυロ熱パー１−−５でＣＶＤ反応’ｌｌを反応ガス
人口＋１１＋１ Ａより加熱し、ＣＶＤ反応管２の内＋
１而にコアとなるガラス層を合成堆積させながＬ’）
ＩＪｌｌ ４バーナ ５を出口側Ｂに向って移動させ終
端に１全したら人口側Ａに戻し、このサイクルを繰＃）
返してガラスの堆積層を次第に厚くし、長手１ｊ向昏（
′リーなものとするが一般的である。この場合、又心ガ
スはＣＶ ｌ）反応管ｌ内部で気相化学反応し、ガラス
となる酸化物微粉末（スートという。）とな−ＩＣＣＶ
Ｄ反応管１の内壁面に堆積するから、その後こ１＋を溶
融して透明なガラス層とする。
法は、促宋、パら１図に７〕ζす・製造装置を用いて行
われていた。第１図にＬ・いて、１は図示矢印方向から
供給さＪ１イ、ηラスのＩＩ、ｊ料であるＳｔｃ％ 、
Ｇｔｃｌ、、 、 ｐＱｃｆ３ などの力４と・窒
素との反応ガスを気相化学反応させ−る６ ’Ａ ’ｌ
？かりなるＣＶＤ反応管、２け石英管からなイ）スート
堆積管、３は管固定チャック、４はスト除人棒、５は加
熱バーナ である。従来、）＆ 、 Ｌ−１、、＋ｉ用
いたυロ熱パー１−−５でＣＶＤ反応’ｌｌを反応ガス
人口＋１１＋１ Ａより加熱し、ＣＶＤ反応管２の内＋
１而にコアとなるガラス層を合成堆積させながＬ’）
ＩＪｌｌ ４バーナ ５を出口側Ｂに向って移動させ終
端に１全したら人口側Ａに戻し、このサイクルを繰＃）
返してガラスの堆積層を次第に厚くし、長手１ｊ向昏（
′リーなものとするが一般的である。この場合、又心ガ
スはＣＶ ｌ）反応管ｌ内部で気相化学反応し、ガラス
となる酸化物微粉末（スートという。）とな−ＩＣＣＶ
Ｄ反応管１の内壁面に堆積するから、その後こ１＋を溶
融して透明なガラス層とする。
しかし、第１図の挟置を用いた場合、反応して酸化物微
粉末となったものの一部がＣＶＤ反応管１内を流れるガ
スによって後方に押し流され、加熱バーナー５の移動範
囲（以下ＣＶＤ範囲という。）の後方のスート堆積管２
内にスート６として堆積するが、この堆積したスート６
の一部はＣＶＤ範囲内を移動する加熱バーナー５がＢ点
にきたときに加−されて半ガラス化（気泡を多く含んだ
ガラス）シ、スート堆槓管２のＣＶＤ範囲後方端部に半
ガラス化スート膜７を形成するに至る。このス−）１１
１７が形成されると、ＣＶＤ反応管ｌ内を流れる反応ガ
スの流れを乱し、ＣＶＤ反応管１の内壁面に堆積してガ
ラス層となった光ファイ・（母材とするものの光伝送特
性を悪化させるとともに、堆積ガラス層にクラックが発
生する原因となるという問題を生ずる。
粉末となったものの一部がＣＶＤ反応管１内を流れるガ
スによって後方に押し流され、加熱バーナー５の移動範
囲（以下ＣＶＤ範囲という。）の後方のスート堆積管２
内にスート６として堆積するが、この堆積したスート６
の一部はＣＶＤ範囲内を移動する加熱バーナー５がＢ点
にきたときに加−されて半ガラス化（気泡を多く含んだ
ガラス）シ、スート堆槓管２のＣＶＤ範囲後方端部に半
ガラス化スート膜７を形成するに至る。このス−）１１
１７が形成されると、ＣＶＤ反応管ｌ内を流れる反応ガ
スの流れを乱し、ＣＶＤ反応管１の内壁面に堆積してガ
ラス層となった光ファイ・（母材とするものの光伝送特
性を悪化させるとともに、堆積ガラス層にクラックが発
生する原因となるという問題を生ずる。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、ガラスの原料を含んだ反応ガスを気相化学反
応させるＣＶＤ反応管後方に接続するスート堆積管内に
半ガラス化シート膜が形成されないようにすることかで
きる光ファイ・（母材の製造方法を提供することにある
。
ところは、ガラスの原料を含んだ反応ガスを気相化学反
応させるＣＶＤ反応管後方に接続するスート堆積管内に
半ガラス化シート膜が形成されないようにすることかで
きる光ファイ・（母材の製造方法を提供することにある
。
本発明の特徴は、ＣＶＤ反応管の後方に接続するスート
堆積管として上記ＣＶＤ反応管との接続端部内を上記Ｃ
ＶＤ反応管内で生じた酸化物微粉末の一部が上記反応管
を移動しながら加熱する加熱源に上って加熱されて半ガ
ラス化するのを防止する断熱構造としたものを用いるよ
うにした点にある。
堆積管として上記ＣＶＤ反応管との接続端部内を上記Ｃ
ＶＤ反応管内で生じた酸化物微粉末の一部が上記反応管
を移動しながら加熱する加熱源に上って加熱されて半ガ
ラス化するのを防止する断熱構造としたものを用いるよ
うにした点にある。
以下本発明の方１去の一実施例を第２図を用いて詳細し
く：説明する。
く：説明する。
第２図は本発明の光フアイバ母材の製造方法の一実施例
を説明するだめの製造装置の一例を示す構成図で、第１
Ｌｊｌと同一部分は同じ符号で示し、ここでは説明を
省略する。第２図は第１図と同様ＭＣＶＤ法による光フ
アイバ母材の製造装置を示してあり、第２図においては
、ガラスの原料である５Ｌｃｊ４． Ｇｃｄ４． ｐａ
ｃｅ、などのガスと酸素とからなる１″ム 反応ガスを気相化学反応させる石英管からなるＣＶＤ反
応反応管後方に接続するＣＶＤ反応管１の内径より大き
い内径のスート堆積管２として、ＣＶＤ反応管１との接
続端部内を加熱バーナ５による加熱を断熱する断熱構造
としたもの、すなわち、半ガラス化防止管８を設けたも
のを用いである。
を説明するだめの製造装置の一例を示す構成図で、第１
Ｌｊｌと同一部分は同じ符号で示し、ここでは説明を
省略する。第２図は第１図と同様ＭＣＶＤ法による光フ
アイバ母材の製造装置を示してあり、第２図においては
、ガラスの原料である５Ｌｃｊ４． Ｇｃｄ４． ｐａ
ｃｅ、などのガスと酸素とからなる１″ム 反応ガスを気相化学反応させる石英管からなるＣＶＤ反
応反応管後方に接続するＣＶＤ反応管１の内径より大き
い内径のスート堆積管２として、ＣＶＤ反応管１との接
続端部内を加熱バーナ５による加熱を断熱する断熱構造
としたもの、すなわち、半ガラス化防止管８を設けたも
のを用いである。
なお、第２図ではＣＶＤ反応反応管後長さ２０噸、肉厚
１．７■、長さ１０００−の石英管を用いてあり、スー
ト堆積管２として外径３８．、肉厚２−１長さ５００
ｗｍの溶融石英管を用いである。加熱バーナ５はＡ点の
位置からＢ点の位置に向って移動させてガラス層の堆積
を行い、Ｂ点に達したらＡ点に向って早戻りさせ、再び
Ｂ点の位置に向って移動させ、このサイクルを繰り返さ
せるようにしである。半ガラス化防止管８は外径１６ｍ
、肉厚１，５■、長さ３０ｍの石英管からなり、これを
スート堆積管２のＣＶＤ反応反応管後接続端部内に溶接
しである。
１．７■、長さ１０００−の石英管を用いてあり、スー
ト堆積管２として外径３８．、肉厚２−１長さ５００
ｗｍの溶融石英管を用いである。加熱バーナ５はＡ点の
位置からＢ点の位置に向って移動させてガラス層の堆積
を行い、Ｂ点に達したらＡ点に向って早戻りさせ、再び
Ｂ点の位置に向って移動させ、このサイクルを繰り返さ
せるようにしである。半ガラス化防止管８は外径１６ｍ
、肉厚１，５■、長さ３０ｍの石英管からなり、これを
スート堆積管２のＣＶＤ反応反応管後接続端部内に溶接
しである。
本発明では上記した構成の装置を用いて光フアイバ母材
を製造するようにしたので、ＣＶＤ反応管ｌ内で生じた
ドーパントとしてＧ’ｔ Ｐなどの襟化物を含んだＳル
０２の酸化物微粉末、すなわち、スートの一部が半ガラ
ス化防止ｊ８を通って排出さｔＩるから、加熱バーナー
５がＢ点を加熱すると内でもぞのスートが溶融する温度
まで上昇することがなく、スートの半ガラス化現象が発
生して半ガラス化スート暎が形成されることがない。ま
た、ＣＶＤ反応反応管後−ト堆積管２との接続部（ｍ接
ｇ＋付近の内壁に付着する微量のスートは完全にガラス
化され、クラックの原因となる半ガラス層が杉１＋ｌｊ
されることはない。
を製造するようにしたので、ＣＶＤ反応管ｌ内で生じた
ドーパントとしてＧ’ｔ Ｐなどの襟化物を含んだＳル
０２の酸化物微粉末、すなわち、スートの一部が半ガラ
ス化防止ｊ８を通って排出さｔＩるから、加熱バーナー
５がＢ点を加熱すると内でもぞのスートが溶融する温度
まで上昇することがなく、スートの半ガラス化現象が発
生して半ガラス化スート暎が形成されることがない。ま
た、ＣＶＤ反応反応管後−ト堆積管２との接続部（ｍ接
ｇ＋付近の内壁に付着する微量のスートは完全にガラス
化され、クラックの原因となる半ガラス層が杉１＋ｌｊ
されることはない。
したがって、本発明の方法の実施例によれば、半ガラス
化スート膜が形成されないので、排スートの除去が容易
であり、また、スート膜によって反応ガスの流れが乱さ
れるという現象が発生することがなく、さらに、クラッ
クが発生しないので、光伝送特性が安定した光フアイバ
母材を製造することができる。
化スート膜が形成されないので、排スートの除去が容易
であり、また、スート膜によって反応ガスの流れが乱さ
れるという現象が発生することがなく、さらに、クラッ
クが発生しないので、光伝送特性が安定した光フアイバ
母材を製造することができる。
なる・、第２図には、半ガラス化防止管８を設けて断熱
構造としであるが、その形状、ガラスの材質については
、上記に限定するものではない。
構造としであるが、その形状、ガラスの材質については
、上記に限定するものではない。
以上説明したように１本発明によれば、ガラスの原料を
含んだ反応ガスを気相化学反応させるＣＶＤ反応管後方
に接続するスート堆横管内に半ガラス化スート膜が形成
されないようにできるので。
含んだ反応ガスを気相化学反応させるＣＶＤ反応管後方
に接続するスート堆横管内に半ガラス化スート膜が形成
されないようにできるので。
伝送特性が安定した光フアイバ母材を製造できるという
効果がある。
効果がある。
第１図はＭＣＶＤ法（（よる従来の光７アイパＪけ材の
製造装置の構成図、第２１４は本発明の光フアイバ母材
の製造方法の一実施例を説明するだめのＭＣＶＤ法によ
る光フアイバ母材の製造装置の一例を示す構成図である
。 ■・・ＣＶＤ反応管、２・・スート堆積管、４・・スー
ト除去棒、５ カロ熱バーナー、７・・スート、８・半
ガラス化防止管。 代理人 弁理上 佐 藤 不 二 雄Ｙ １ 閏 算 Ｚ 図 ５Ａ Ｉ５
製造装置の構成図、第２１４は本発明の光フアイバ母材
の製造方法の一実施例を説明するだめのＭＣＶＤ法によ
る光フアイバ母材の製造装置の一例を示す構成図である
。 ■・・ＣＶＤ反応管、２・・スート堆積管、４・・スー
ト除去棒、５ カロ熱バーナー、７・・スート、８・半
ガラス化防止管。 代理人 弁理上 佐 藤 不 二 雄Ｙ １ 閏 算 Ｚ 図 ５Ａ Ｉ５
Claims (1)
- 】 気相化学反応をさせるＣＶＤ反応管の後方にスート
堆積管を接続し、前記反応管内で生じた酸化物微粉末を
前記ＣＶＤ反応管内壁而に面ラス層として堆積させ そ
の後Ａｆｌ記ガツガラスを溶融して光フアイバ母材を製
造するときに、前記スート堆積管として前記ＣＶＤ反応
管との接続端部内を前記微粉末の一部が前記反応管を４
動しながら加熱する９口熱源によって加熱されて半ガラ
ス化するのを防止する断熱構造としたものを用いて光フ
アイバ母材を製造することを特徴とする光フアイバ母材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700282A JPS58185446A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700282A JPS58185446A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185446A true JPS58185446A (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=13332290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6700282A Pending JPS58185446A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185446A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100653009B1 (ko) | 2004-12-02 | 2006-12-01 | 엘에스전선 주식회사 | Ｍｃｖｄ 공정용 수트 제거장치 및 이를 위한 수트 제거봉 |
| US20150336838A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Draka Comteq B.V. | Method and a device for manufacturing an optical preform by means of an internal vapour deposition process, as well as corresponding substrate tube assembly |
| CN108751693A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-11-06 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 用于玻璃接管车床的卡盘隔热装置 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6700282A patent/JPS58185446A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100653009B1 (ko) | 2004-12-02 | 2006-12-01 | 엘에스전선 주식회사 | Ｍｃｖｄ 공정용 수트 제거장치 및 이를 위한 수트 제거봉 |
| US20150336838A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Draka Comteq B.V. | Method and a device for manufacturing an optical preform by means of an internal vapour deposition process, as well as corresponding substrate tube assembly |
| US9463994B2 (en) * | 2014-05-22 | 2016-10-11 | Draka Comteq B.V. | Method and a device for manufacturing an optical preform by means of an internal vapour deposition process, as well as corresponding substrate tube assembly |
| US9828279B2 (en) | 2014-05-22 | 2017-11-28 | Draka Comteq B.V. | Method and device for manufacturing an optical preform by means of an internal vapour deposition process, and a corresponding substrate tube assembly |
| CN108751693A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-11-06 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 用于玻璃接管车床的卡盘隔热装置 |
| CN108751693B (zh) * | 2018-06-11 | 2021-11-26 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 用于玻璃接管车床的卡盘隔热装置 |
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