JPS58182600A - 放射線像変換パネル - Google Patents
放射線像変換パネルInfo
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- JPS58182600A JPS58182600A JP57065609A JP6560982A JPS58182600A JP S58182600 A JPS58182600 A JP S58182600A JP 57065609 A JP57065609 A JP 57065609A JP 6560982 A JP6560982 A JP 6560982A JP S58182600 A JPS58182600 A JP S58182600A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線イ象変換パネルに
関する吃のであり、特に感度および1ljf?特性(鮮
鋭度および粒状性)が共に優れた両者のバランスの良い
放射線像変換パネルに関するものである。
関する吃のであり、特に感度および1ljf?特性(鮮
鋭度および粒状性)が共に優れた両者のバランスの良い
放射線像変換パネルに関するものである。
放射線傷変換方法の1つとして最近注目されているもの
に米国特許$3.r!り、527号、同第4’、211
.コ4弘号、同第44.2Jt、071号、同第参、コ
Jり、り41号明細4#等に記載された方法がある。こ
の方法は輝尽性螢光体〔放射線を照射した後、可視光線
2よび赤外線から選ばれる電磁波(以下励起光という)
で励起すると発光を示す螢光体。ここで放射線とはX線
、α線、β線、r線、高エネルギー中性子線、電子線、
真空紫外線、紫外線等の電磁波あるいは粒子at−いう
〕からなる層を有す杢放射線gJ変換/ンネルを利用す
るもので、被写体を透過した放射線を#パネルの輝尽性
螢光体に吸収せしめ、しかる後該・ンネルを励起光で走
査し、該螢光体中に蓄積されている放射Is儂を輝尽発
光として時系列化して取り出し、これを電気的に処理し
て画情化するものである。
に米国特許$3.r!り、527号、同第4’、211
.コ4弘号、同第44.2Jt、071号、同第参、コ
Jり、り41号明細4#等に記載された方法がある。こ
の方法は輝尽性螢光体〔放射線を照射した後、可視光線
2よび赤外線から選ばれる電磁波(以下励起光という)
で励起すると発光を示す螢光体。ここで放射線とはX線
、α線、β線、r線、高エネルギー中性子線、電子線、
真空紫外線、紫外線等の電磁波あるいは粒子at−いう
〕からなる層を有す杢放射線gJ変換/ンネルを利用す
るもので、被写体を透過した放射線を#パネルの輝尽性
螢光体に吸収せしめ、しかる後該・ンネルを励起光で走
査し、該螢光体中に蓄積されている放射Is儂を輝尽発
光として時系列化して取り出し、これを電気的に処理し
て画情化するものである。
かかる放射線型変換方法にあっては感度が鳩く、かつl
[IIi偉特性(鮮鋭度および粒状性)が鳥いことが望
ましい。感度および画情特性は用いられる光電変換装置
の種類や施される画情処理の種類などにも左右されるが
、放射線傷変換・にネルの特性に負う所が大きい。とこ
ろが、本発明者等の得九知見によれば、放射線傷変換パ
ネルの感度は用いる輝尽性螢光体の粒子径が大きくなる
ほど向上するが、得られる画情特性は逆に粒子径が大き
くなるほど低下してしまうし、また用いる輝尽性螢光体
の粒子径を小さくするほど得られる1mm時特性向上す
るが逆に放射線傷変換パネルの感度は低下してしまう傾
向を持つことが判った。
[IIi偉特性(鮮鋭度および粒状性)が鳥いことが望
ましい。感度および画情特性は用いられる光電変換装置
の種類や施される画情処理の種類などにも左右されるが
、放射線傷変換・にネルの特性に負う所が大きい。とこ
ろが、本発明者等の得九知見によれば、放射線傷変換パ
ネルの感度は用いる輝尽性螢光体の粒子径が大きくなる
ほど向上するが、得られる画情特性は逆に粒子径が大き
くなるほど低下してしまうし、また用いる輝尽性螢光体
の粒子径を小さくするほど得られる1mm時特性向上す
るが逆に放射線傷変換パネルの感度は低下してしまう傾
向を持つことが判った。
従って本発明の目的は感度が高く、同時に優れ九*儂特
性を得ることのできる放射線傷変換パネルを提供するに
ある。
性を得ることのできる放射線傷変換パネルを提供するに
ある。
本発明者等は、放射線傷変換/擢ネルの輝尽性螢光体層
に用いられろ輝尽性螢光体が粒子径100μm以上の粗
大粒子を1重量%よりも多量に含む場合に得られる画情
特性は着しく低下し、また輝尽性螢光体における粒子径
/声m以上の粒子の含有量が100重量%満たない場合
には放射@*5&換・(ネルの感度が著しく低下するこ
とを発見した。
に用いられろ輝尽性螢光体が粒子径100μm以上の粗
大粒子を1重量%よりも多量に含む場合に得られる画情
特性は着しく低下し、また輝尽性螢光体における粒子径
/声m以上の粒子の含有量が100重量%満たない場合
には放射@*5&換・(ネルの感度が著しく低下するこ
とを発見した。
すなわち100μm以上の粒子が71量チ以丁であシ、
かつ/prR以上の粒子が50重量−以上であるような
粒子径分布を有する輝尽性螢光体を用いる場合にのみ、
感度および得られる画情特性が共に良好であp、両者の
バランスがとれた放射線像変換パネルになることを発見
し、これに暴いて本発明を完成したのである。
かつ/prR以上の粒子が50重量−以上であるような
粒子径分布を有する輝尽性螢光体を用いる場合にのみ、
感度および得られる画情特性が共に良好であp、両者の
バランスがとれた放射線像変換パネルになることを発見
し、これに暴いて本発明を完成したのである。
本発明の放射線像変換パネルは輝尽性螢光体粒子を結合
剤中に分散してなる螢光体−を有する放射線傷変換、v
ネルにおいて、該輝尽性螢光体が700μm以上の粒子
の含有率が1重量チ以Fであジ、かつ7μm以上の粒子
の含有率が10重量−以上(特に400重量%上)であ
るような粒子径分布を有することを特徴とする。好まし
くは輝尽性螢光体は40,11m以上の粒子の含有率が
/重量−以下であり、かつコμm以上の粒子の含有率が
!θ重を一以上(特に40@@@以上ンであるような粒
子径分布を有し、より好ましくは10μm以上の粒子の
含有率がコ重量−以下であり、かつ1μm以上の粒子の
含有率が3!重量−以上(特に10重量−以上)である
ような粒子径分布を有する。
剤中に分散してなる螢光体−を有する放射線傷変換、v
ネルにおいて、該輝尽性螢光体が700μm以上の粒子
の含有率が1重量チ以Fであジ、かつ7μm以上の粒子
の含有率が10重量−以上(特に400重量%上)であ
るような粒子径分布を有することを特徴とする。好まし
くは輝尽性螢光体は40,11m以上の粒子の含有率が
/重量−以下であり、かつコμm以上の粒子の含有率が
!θ重を一以上(特に40@@@以上ンであるような粒
子径分布を有し、より好ましくは10μm以上の粒子の
含有率がコ重量−以下であり、かつ1μm以上の粒子の
含有率が3!重量−以上(特に10重量−以上)である
ような粒子径分布を有する。
以rに輝尽性螢光体として2価のユーロピウム付活弗化
臭化バリウム螢光体(BapBr:Eu”)が用いられ
た放射ff8f*変換ノ(ネルを例にとって本発明を具
体的に説明する。
臭化バリウム螢光体(BapBr:Eu”)が用いられ
た放射ff8f*変換ノ(ネルを例にとって本発明を具
体的に説明する。
F記の表は粒子径分布の異なるBapBr:Eu2+
螢光体を用いて製造し九を枚の放射線傷変換/にネル(
AI、t )の感度および1g!j儂特性(鮮鋭度およ
び粒状性)を示すものである。放射4[変換74′ネル
A/〜lに用いられているB m F B r ! E
u ”+ 螢光体はそれぞれ図面のム/〜lに示され
る粒子径分布を有する。図面の粒子径分布について更に
祥しく説明すれば以下の通りである。
螢光体を用いて製造し九を枚の放射線傷変換/にネル(
AI、t )の感度および1g!j儂特性(鮮鋭度およ
び粒状性)を示すものである。放射4[変換74′ネル
A/〜lに用いられているB m F B r ! E
u ”+ 螢光体はそれぞれ図面のム/〜lに示され
る粒子径分布を有する。図面の粒子径分布について更に
祥しく説明すれば以下の通りである。
AIの曲線が表わす粒子径分布
扁コの曲線が表わす粒子径分布
ムぶの曲線が表わす粒子径分布
なお、各放射線傷変換パネルは次のようにしで製造した
。すなわち、まずBaFBr : Eu ”“螢光体l
t置部と硝化綿(結合剤)/を置部とを溶剤(ア七トン
、酢酸エチルおよび酢酸エチルの混液)を用いて混合し
、粘度がおよそ!0センチストークスの塗布液を調製し
た。次にこの塗布液を水平に置い九ポリエチレンテレフ
タレートフィルム(支持体)上に均一に塗布し、−昼夜
放置して自然乾燥することによって増厚が約300μm
の螢光体層を形成し、放射線傷変換パネルとした。
。すなわち、まずBaFBr : Eu ”“螢光体l
t置部と硝化綿(結合剤)/を置部とを溶剤(ア七トン
、酢酸エチルおよび酢酸エチルの混液)を用いて混合し
、粘度がおよそ!0センチストークスの塗布液を調製し
た。次にこの塗布液を水平に置い九ポリエチレンテレフ
タレートフィルム(支持体)上に均一に塗布し、−昼夜
放置して自然乾燥することによって増厚が約300μm
の螢光体層を形成し、放射線傷変換パネルとした。
また上記の表に示される感度、鮮鋭家および粒状性は以
Fのようにして測定し次。
Fのようにして測定し次。
感度については、放射線場変換lくネルに管電圧fOK
VPのX線を照射した後、パネルを)le −Neレー
ザー光(jJJnm)で走査して励起し、螢光体層から
放射される輝尽発光を受光器(分光感度8−1の光電子
増倍管)で受光してその強電を測定した。f記の表にお
いて感度は相対値で示されている。
VPのX線を照射した後、パネルを)le −Neレー
ザー光(jJJnm)で走査して励起し、螢光体層から
放射される輝尽発光を受光器(分光感度8−1の光電子
増倍管)で受光してその強電を測定した。f記の表にお
いて感度は相対値で示されている。
鮮鋭度については、放射線傷変換p<ネルに鉛製のMT
Fチャートを通して管電圧rOKVpのX線を照射した
後ノにネルをHe−Neレーザー光で走査して励起し、
螢光体層から放射される輝尽発光を上記と同じ受光器で
受光して電気信号に変換し、これをアナログ/デジタル
変換して磁気テープに記録し、磁気テープをコ/ピユー
タ−で分析して磁気テープに記録されているXII儂の
変−伝達関数(MTF)を調べた。f記の表には空+1
4’1周波数コサイクル/ m mにおけるMTF値(
−)が示されている。
Fチャートを通して管電圧rOKVpのX線を照射した
後ノにネルをHe−Neレーザー光で走査して励起し、
螢光体層から放射される輝尽発光を上記と同じ受光器で
受光して電気信号に変換し、これをアナログ/デジタル
変換して磁気テープに記録し、磁気テープをコ/ピユー
タ−で分析して磁気テープに記録されているXII儂の
変−伝達関数(MTF)を調べた。f記の表には空+1
4’1周波数コサイクル/ m mにおけるMTF値(
−)が示されている。
また粒状性については、放射線場変換・kネルに管電圧
rOKVpのX1sを照射(7た後・〈ネAを1(e
−N eレーザー光で走査して励起し、螢光体層から放
射される輝尽発光を上記と同じ受光器で受光して電気信
号に変換し、これをフィルムスキャナーによって通常の
写真フイA・ムに記録し、得られたIli儂の粒状性を
目視で評価したつなお上記の表において粒状性は増感紙
(富士4獣フィルム製、ハイスクリーンスタンダード)
とX線写真フィルム(富士写真フィルム製、RX)を便
用し、た従来実用のX線写真撮影によって得意画情の粒
状性と比較して示されている。0印はX@写真撮影によ
って得た画像と同等の粒状性を意味し、◎印はそれより
本良好な粒状性を意味する。またΔ印はX線写真撮影に
よって得た画像よりもやや荒い粒状性を意味し、X印は
それよりも著しく荒い粒状性を意味する。
rOKVpのX1sを照射(7た後・〈ネAを1(e
−N eレーザー光で走査して励起し、螢光体層から放
射される輝尽発光を上記と同じ受光器で受光して電気信
号に変換し、これをフィルムスキャナーによって通常の
写真フイA・ムに記録し、得られたIli儂の粒状性を
目視で評価したつなお上記の表において粒状性は増感紙
(富士4獣フィルム製、ハイスクリーンスタンダード)
とX線写真フィルム(富士写真フィルム製、RX)を便
用し、た従来実用のX線写真撮影によって得意画情の粒
状性と比較して示されている。0印はX@写真撮影によ
って得た画像と同等の粒状性を意味し、◎印はそれより
本良好な粒状性を意味する。またΔ印はX線写真撮影に
よって得た画像よりもやや荒い粒状性を意味し、X印は
それよりも著しく荒い粒状性を意味する。
一ヒ記の表から明らかなように放射線像変換・確ネルに
用いられる輝尽性螢光体が大きな粒子を多量に含む程、
該・髪ネルの感度は上昇するが得られる一11象特性は
低Fする。逆に輝尽性螢光体が小さな粒子金多竜に含む
程得られる画f象特性は上昇するが感度は低下する。そ
してAコの、Vネルに比ベムlのパネルは明らかに感度
が極端に低下している。
用いられる輝尽性螢光体が大きな粒子を多量に含む程、
該・髪ネルの感度は上昇するが得られる一11象特性は
低Fする。逆に輝尽性螢光体が小さな粒子金多竜に含む
程得られる画f象特性は上昇するが感度は低下する。そ
してAコの、Vネルに比ベムlのパネルは明らかに感度
が極端に低下している。
従って&/のパネルの輝尽性螢光体に占める1μm以上
の粒子の含有率と墓コの・にネルのそれとの比較から、
1μm以上の粒子の含有率が約10重量−1特に約10
1量チに満たないと、感度が著しく悪化することが推察
される。一方/I67のパネルに比べAFのパネルは得
られる画像特性が大きく低ドしている。従ってA7のパ
ネルの輝尽性螢光体に占めるiooμm以上の粒子の含
有率が約/insを越えると得られる画gI%性が満足
できない程度に悪化してしまうことが推察される。これ
に対し1μm以上の粒子の含有率が約10重量%以上(
%に約60重量%以上、更には約1lttチ以上)で8
9、かつ/ 0−0μm以上の粒子の含有率が約1重量
嘩以下であるような粒子径分布を有する輝尽性螢光体を
用いた放射@1変換パネル(7f1コ〜7に7)は感度
および得られる画像特性が共に良好であり、両者のバラ
ンスが良い。これらの放射M!パネルの中でもA3−1
64のパネルがより優れた結果を与えるが、47のパネ
ルに使用されている輝尽性螢光体に占める28m以上の
粒子の含有率とit6gの/Vネルのそれとを比較すれ
ば、−μm以上の粒子の含有率が約101量チ以上(%
に約101量チ以上、−には約10重量%以上)であれ
ばより優れた感度が得られること、また44のパネルに
使用されている輝尽性螢光体に占める40μm以上の粒
子の含有率と47のノにネルのそれとの比較から4oμ
m以上の粒子の含有率が約1重量−以Fであれば得られ
る画像特性がより優れ九ものになることが推察される。
の粒子の含有率と墓コの・にネルのそれとの比較から、
1μm以上の粒子の含有率が約10重量−1特に約10
1量チに満たないと、感度が著しく悪化することが推察
される。一方/I67のパネルに比べAFのパネルは得
られる画像特性が大きく低ドしている。従ってA7のパ
ネルの輝尽性螢光体に占めるiooμm以上の粒子の含
有率が約/insを越えると得られる画gI%性が満足
できない程度に悪化してしまうことが推察される。これ
に対し1μm以上の粒子の含有率が約10重量%以上(
%に約60重量%以上、更には約1lttチ以上)で8
9、かつ/ 0−0μm以上の粒子の含有率が約1重量
嘩以下であるような粒子径分布を有する輝尽性螢光体を
用いた放射@1変換パネル(7f1コ〜7に7)は感度
および得られる画像特性が共に良好であり、両者のバラ
ンスが良い。これらの放射M!パネルの中でもA3−1
64のパネルがより優れた結果を与えるが、47のパネ
ルに使用されている輝尽性螢光体に占める28m以上の
粒子の含有率とit6gの/Vネルのそれとを比較すれ
ば、−μm以上の粒子の含有率が約101量チ以上(%
に約101量チ以上、−には約10重量%以上)であれ
ばより優れた感度が得られること、また44のパネルに
使用されている輝尽性螢光体に占める40μm以上の粒
子の含有率と47のノにネルのそれとの比較から4oμ
m以上の粒子の含有率が約1重量−以Fであれば得られ
る画像特性がより優れ九ものになることが推察される。
すなわち、28m以上の粒子の含有率が約101量チ以
上(特に約40重を一以上、更KFi約tり重量饅以上
)であり、かつtopm以上の粒子が約1lttチ丁で
あるような粒子サイズ分布を有する輝尽性螢光体を用い
た放射線像変換パネルは感度および得られる画像特性が
より良好で両者のバランスがより良いことが明白である
。更に、A3〜AAのパネルの中でもA≠およびAtの
パネルがより優れ九感度と画像特性のバランスを示して
いるが、44にのパネルに使用された輝尽性螢光体に占
める5μm以上の含有率とA3のパネルのそれとの比較
およびムjの・にネルに使用された輝尽性螢光体に占め
る30μm以上の粒子の含有率と屋tのパネルのそれと
の比較から、5μm以上の粒子の含有率が約3j111
)以上(特に約10重量%以上、更には約55重を一以
上)であシ、かつ30μm以上の粒子の含有率が約−重
量嚢以丁であるような粒子径分布を有する輝尽性螢光体
を用いた放射線1象変換パネルは感度と得られる画像特
性が%に良好でろり、かつ両者のバランスも特によくと
れていることがわかる。
上(特に約40重を一以上、更KFi約tり重量饅以上
)であり、かつtopm以上の粒子が約1lttチ丁で
あるような粒子サイズ分布を有する輝尽性螢光体を用い
た放射線像変換パネルは感度および得られる画像特性が
より良好で両者のバランスがより良いことが明白である
。更に、A3〜AAのパネルの中でもA≠およびAtの
パネルがより優れ九感度と画像特性のバランスを示して
いるが、44にのパネルに使用された輝尽性螢光体に占
める5μm以上の含有率とA3のパネルのそれとの比較
およびムjの・にネルに使用された輝尽性螢光体に占め
る30μm以上の粒子の含有率と屋tのパネルのそれと
の比較から、5μm以上の粒子の含有率が約3j111
)以上(特に約10重量%以上、更には約55重を一以
上)であシ、かつ30μm以上の粒子の含有率が約−重
量嚢以丁であるような粒子径分布を有する輝尽性螢光体
を用いた放射線1象変換パネルは感度と得られる画像特
性が%に良好でろり、かつ両者のバランスも特によくと
れていることがわかる。
上述の表は輝尽性螢光体がBaFBr:Eu2+螢光体
である場合を例として記したものが、BaFBrHEu
”+螢光体以外の輝尽性螢光体についても粒子径分布と
感度、画像特性の関係が同表と同じような傾向を示すこ
とが確藺傷れ念。
である場合を例として記したものが、BaFBrHEu
”+螢光体以外の輝尽性螢光体についても粒子径分布と
感度、画像特性の関係が同表と同じような傾向を示すこ
とが確藺傷れ念。
従って本発明においてはト述した粒子径分布を有する輝
尽性螢光体なら全て便用可能である。がかる輝尽性螢光
体の例としては以Fのものが挙げられる、 米国時PIfF第J、tjり、1.27号明細書に記載
されているSrS:Ce 、Sm、SrS : ELI
。
尽性螢光体なら全て便用可能である。がかる輝尽性螢光
体の例としては以Fのものが挙げられる、 米国時PIfF第J、tjり、1.27号明細書に記載
されているSrS:Ce 、Sm、SrS : ELI
。
8m、La OS:Eu 、Smおよび(7n 。
2
Ca)8:MnXI但しXはハロゲ7Cある)、米国特
許gp 、コア4.θ7を号明細書に記載されているZ
nS:Cu 、Pb、 BaO’xA/20g”Eu(
但し’xF!、o、1≧X≦10である)およびMTI
Q−x8iU :A(但しM”けMg、Ca。
許gp 、コア4.θ7を号明細書に記載されているZ
nS:Cu 、Pb、 BaO’xA/20g”Eu(
但し’xF!、o、1≧X≦10である)およびMTI
Q−x8iU :A(但しM”けMg、Ca。
Sr 、Zn 、Cd−1たはBaであり、Adze。
T b * E ’ 、T ” 、P b、T l +
B’ i *a M nであり、Xはθ、!≦X≦λ
、!であるJ、LnOX:xA(但しL nはL;]、
Y、GdおjびLuのうちの少なくともlっ、Xはαお
よびBrのうちの少なくとも7つ、Xはo<x≦0.7
である)、米国特許第弘、コJデ、デ4を号明細書に記
載サレテイる(Ba1−X、M x)FX:yA(但
しMI[はMg 、Ca 、8r 、Znお!びCdの
うちの少なくとも1つ、Xはα、Brおよび■のうちの
少なくとも1つ、AはElf・Tb・Ce、Tm+DY
+Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくと
も1つ、XはOSX≦O1孟、yiio<y≦O0lで
ある)、特開昭!!−/J/参3号公報に記載されてい
る( B l 1 x−y *Mg x % CsY
) F X : a E u ” ” (但しXハ
cg 。
B’ i *a M nであり、Xはθ、!≦X≦λ
、!であるJ、LnOX:xA(但しL nはL;]、
Y、GdおjびLuのうちの少なくともlっ、Xはαお
よびBrのうちの少なくとも7つ、Xはo<x≦0.7
である)、米国特許第弘、コJデ、デ4を号明細書に記
載サレテイる(Ba1−X、M x)FX:yA(但
しMI[はMg 、Ca 、8r 、Znお!びCdの
うちの少なくとも1つ、Xはα、Brおよび■のうちの
少なくとも1つ、AはElf・Tb・Ce、Tm+DY
+Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくと
も1つ、XはOSX≦O1孟、yiio<y≦O0lで
ある)、特開昭!!−/J/参3号公報に記載されてい
る( B l 1 x−y *Mg x % CsY
) F X : a E u ” ” (但しXハ
cg 。
Brおよび工のうちの少なくとも1つ、Xおよびyはo
< x + y≦0.1かつxy’40であり、綴は
io ≦a≦jt×10 である)、米国特許
第参、241 、r!参号明細書に記載されているBa
F)(: xCe 、yA(但しXti(J 、 B
rおよびIのうちの少なくとも1つ、AはIII、TI
。
< x + y≦0.1かつxy’40であり、綴は
io ≦a≦jt×10 である)、米国特許
第参、241 、r!参号明細書に記載されているBa
F)(: xCe 、yA(但しXti(J 、 B
rおよびIのうちの少なくとも1つ、AはIII、TI
。
t3d、SmおよびZrのうちの少なくとも1つ、 1
x d O(X≦コ×IO、yiiOくy≦!×1O−
2である)、特開昭lt−4JIt号公報ニ記載された
BaF −aHaX、−bMe’F−cMe”F!−
dMe”F3:eLn (但しXはα、Brおよび■の
うちの少なくとも1つ、Me’はliおよびNaのうち
の少なくとも1つ 7,4 、IIはBe、(:aおよ
びSrのうちの少なくとも7つ、M 、 NはA/ 、
Qa 、YおjびLaのうちの少なくとも/っ、Lnは
Eu、CeおよびTbのうちの少なくとも1つ、aはO
,ヂO≦8≦/、O!、bはO≦b≦O,デ、CはO≦
C≦/、コ、dはO≦d≦0.0J、eは10−6≦e
≦0.03であり、かつす、c、dは同時にOではない
)、特開昭!t−−2314号公報に記載されている特
開昭!≦−Jilt号公報の螢光体にMgF を添加
し九螢光体、特開昭lt−71717!号公報に記載す
tLテイルB a FX −a L i X ’ −b
BeX、−cM’Xa : dA ((lal、X、X
’ 。
2である)、特開昭lt−4JIt号公報ニ記載された
BaF −aHaX、−bMe’F−cMe”F!−
dMe”F3:eLn (但しXはα、Brおよび■の
うちの少なくとも1つ、Me’はliおよびNaのうち
の少なくとも1つ 7,4 、IIはBe、(:aおよ
びSrのうちの少なくとも7つ、M 、 NはA/ 、
Qa 、YおjびLaのうちの少なくとも/っ、Lnは
Eu、CeおよびTbのうちの少なくとも1つ、aはO
,ヂO≦8≦/、O!、bはO≦b≦O,デ、CはO≦
C≦/、コ、dはO≦d≦0.0J、eは10−6≦e
≦0.03であり、かつす、c、dは同時にOではない
)、特開昭!t−−2314号公報に記載されている特
開昭!≦−Jilt号公報の螢光体にMgF を添加
し九螢光体、特開昭lt−71717!号公報に記載す
tLテイルB a FX −a L i X ’ −b
BeX、−cM’Xa : dA ((lal、X、X
’ 。
X〃およびX′はtl 、 B rおよび■のうちの少
なくとも/り、M Fi、AIおよびGaのうちの少な
くと41つ、AFiEu + Tb * Ce + T
m+ DY+pr IHO、Nd 、Yb 、Er 、
()d 、Lu 。
なくとも/り、M Fi、AIおよびGaのうちの少な
くと41つ、AFiEu + Tb * Ce + T
m+ DY+pr IHO、Nd 、Yb 、Er 、
()d 、Lu 。
8mおよびYのうちの少なくとも1つ、a#i0sa≦
o、i、bはO≦b≦0./XCはO≦C≦0./Xd
は10−’≦d≦O0λであり、かっ0≦a+b+c≦
o、iである)等の輝尽性螢光体。
o、i、bはO≦b≦0./XCはO≦C≦0./Xd
は10−’≦d≦O0λであり、かっ0≦a+b+c≦
o、iである)等の輝尽性螢光体。
実用的な面からは、輝尽性螢光体は≠!0〜1l100
n、%に010〜7!Onmの励起光によって300−
400nmの輝尽発光を示すものであるのが好ましい。
n、%に010〜7!Onmの励起光によって300−
400nmの輝尽発光を示すものであるのが好ましい。
本発明の放射線傷変換パネルは前述した粒子径分布を有
する輝尽性螢光体層を有するものである。
する輝尽性螢光体層を有するものである。
螢光体層が自己支持性のものである場合には螢光体層自
体が放射線傷変換パネルとなり得るが、一般には螢光体
1は適当な支持体上に設けられて放射4111g1変換
パネルが構成される。螢光体層の厚みは場合によって異
なるが、一般にコOμ〜/ mm。
体が放射線傷変換パネルとなり得るが、一般には螢光体
1は適当な支持体上に設けられて放射4111g1変換
パネルが構成される。螢光体層の厚みは場合によって異
なるが、一般にコOμ〜/ mm。
好ましくは100μm〜200μmの範囲である。
螢光体層を構成する丸めの結合剤は特に限定はされない
。
。
支持体としては種々のシート状物質が用いられ、特に限
定されるものではないが可撓性を有する高分子材料から
なるシートが好オしい。
定されるものではないが可撓性を有する高分子材料から
なるシートが好オしい。
螢光体層と支持体の間には光反射−もしくは光吸収層、
またはF塗層などの補助層が設けられてもよい。
またはF塗層などの補助層が設けられてもよい。
螢光体層を物理的、化学的に保護するために一般には螢
光体層上に保糧膜が設けられる。保障膜の厚さはJ−コ
Oμ程度が望ましい。
光体層上に保糧膜が設けられる。保障膜の厚さはJ−コ
Oμ程度が望ましい。
なお放射線傷変換・ンネルは、特開昭!4−/4310
0号公報に開示されているように着色剤によって着色さ
れていてもよく、また螢光体層中に特開昭zz−i参1
す7号公報に開示されているように白色粉体が分散され
ていてもよい。いずれも鮮鋭度を更に改良する効果があ
る。
0号公報に開示されているように着色剤によって着色さ
れていてもよく、また螢光体層中に特開昭zz−i参1
す7号公報に開示されているように白色粉体が分散され
ていてもよい。いずれも鮮鋭度を更に改良する効果があ
る。
以上説明し九ように、本発明は感度および得られる画情
特性が共に良好であり、両者の・2う/スの良い放射#
1IyII!変換・髪ネルを提供するものであり、その
工業的利用価値は勘大である、
特性が共に良好であり、両者の・2う/スの良い放射#
1IyII!変換・髪ネルを提供するものであり、その
工業的利用価値は勘大である、
図面はBaFBr:Eu2+螢光体の粒子径分布を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (3)
- (1) II尽性螢光体を結合剤中に分散してなる螢
光体層を有する放射線傷変換・(ネルにおいて、該輝尽
性螢光体が100μm以上の粒子の含有率が/重量−以
下であり、かつ1μm以上の粒子の含有率がlσ重量優
以上であるような粒子径分布を有することを4?徴とす
る放射線傷変換パネル。 - (2)上記輝尽性螢光体が60μm以上の粒子が1重量
−以下であり、かつコμm以上の粒子が10重を一以上
であるような粒子径分布を有することを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の放射線傷変換・髪ネル。 - (3)上記輝尽性螢光体が30μm以上の粒子が一重量
一以下であり、かつ1μm以上の粒子が35重量−以上
であるような粒子径分布を有することを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の放射線傷変換・kネル。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57065609A JPS58182600A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 放射線像変換パネル |
US06/485,834 US4547672A (en) | 1982-04-20 | 1983-04-18 | Radiation image storage panel |
EP83103790A EP0092240B1 (en) | 1982-04-20 | 1983-04-19 | Radiation image storage panel |
DE8383103790T DE3375532D1 (en) | 1982-04-20 | 1983-04-19 | Radiation image storage panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57065609A JPS58182600A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 放射線像変換パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58182600A true JPS58182600A (ja) | 1983-10-25 |
JPH0379680B2 JPH0379680B2 (ja) | 1991-12-19 |
Family
ID=13291919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57065609A Granted JPS58182600A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 放射線像変換パネル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4547672A (ja) |
EP (1) | EP0092240B1 (ja) |
JP (1) | JPS58182600A (ja) |
DE (1) | DE3375532D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59138999A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JPS6195351A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Kasei Optonix Co Ltd | 増感紙 |
JPS6283700A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
US4914303A (en) * | 1987-03-11 | 1990-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | X-Ray intensifier foil |
US5152884A (en) * | 1988-10-19 | 1992-10-06 | Exxon Chemicals Patents Inc. | Zeolites for reforming catalysts |
EP0445338A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Ausgangsleuchtschirm für einen Röntgenbildverstärker |
GB2258660B (en) * | 1991-08-14 | 1995-06-07 | De La Rue Thomas & Co Ltd | Luminescent materials and their preparation |
US5772916A (en) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Liberty Technologies, Inc. | Phosphor screen, method of producing the same, and method for preparing a phosphor powder for producing a phosphor screen |
JP2000028799A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 両面集光読取方法用放射線像変換パネルと放射線像読取方法 |
US6108142A (en) * | 1998-11-04 | 2000-08-22 | Disney Enterprises, Inc. | System for displaying a phosphorescent image and method therefor |
JP3863688B2 (ja) | 1999-08-18 | 2006-12-27 | 富士フイルムホールディングス株式会社 | 希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体の製造方法 |
US7446323B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-11-04 | Agfa-Gevaert | Radiation image storage panel suitable for use in mammographic applications |
US20090039288A1 (en) * | 2006-12-18 | 2009-02-12 | Kulpinski Robert W | Single sided dual scanning for computed radiography |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55163500A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radiation image conversion panel |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2310852A (en) * | 1940-08-21 | 1943-02-09 | Rca Corp | Luminescent light source and method of manufacture |
US2412654A (en) * | 1942-02-27 | 1946-12-17 | Rca Corp | Luminescent screen and method of manufacture |
DE2621696A1 (de) * | 1976-05-15 | 1977-12-01 | Merck Patent Gmbh | Roentgenverstaerkerfolien |
US4068128A (en) * | 1976-12-30 | 1978-01-10 | Gte Sylvania Incorporated | (Hf1-x Zrx)3 P2 O11 luminescent material, method of preparation and X-ray intensifying screen containing same |
DE3175963D1 (en) * | 1980-06-16 | 1987-04-09 | Toshiba Kk | Radiation excited phosphor screen and method for manufacturing the same |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP57065609A patent/JPS58182600A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-18 US US06/485,834 patent/US4547672A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-19 DE DE8383103790T patent/DE3375532D1/de not_active Expired
- 1983-04-19 EP EP83103790A patent/EP0092240B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55163500A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radiation image conversion panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0092240A1 (en) | 1983-10-26 |
DE3375532D1 (en) | 1988-03-03 |
US4547672A (en) | 1985-10-15 |
EP0092240B1 (en) | 1988-01-27 |
JPH0379680B2 (ja) | 1991-12-19 |
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