JPS5818215Y2 - デンシジユウ - Google Patents

デンシジユウ

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JPS5818215Y2
JPS5818215Y2 JP1975157990U JP15799075U JPS5818215Y2 JP S5818215 Y2 JPS5818215 Y2 JP S5818215Y2 JP 1975157990 U JP1975157990 U JP 1975157990U JP 15799075 U JP15799075 U JP 15799075U JP S5818215 Y2 JPS5818215 Y2 JP S5818215Y2
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JP
Japan
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electron beam
anode
cross
cylindrical body
radiation source
Prior art date
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Application number
JP1975157990U
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JPS5299760U (ja
Inventor
国吉秀雄
竹原英章
Original Assignee
日本ビクター株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 電子ビームが各種の技術分野にかける各種の機器にかい
て広く利用されていることは周知のと訃りであるが、そ
の利用に際して、特定な断面形状を備えた電子ビームが
必要とされることがあり、例えば、近年になって研究開
発が盛んに行なわれるようになった画像記録の技術分野
にネ・いても、それに用いられる電子ビームとして、そ
の断面形伏が長円(だ円)あるいは矩形のものが必要と
されることがある、な・どはその→1である。
ところで、このような特定な断面形伏を有する電子ビー
ムを得る手段としては、電子ビームの流れの途中へ、高
い電圧が与えられた特定な断面形伏の透孔よりなる電子
ビーム制限孔を設けるという手段の採用もその一つに挙
げることができるが、微細な所定の断面形状を有し、し
かも輝度の高い電子ビームが必要とされる場合に、上記
のように単に、電子ビームの流れの中へ高い電圧が与え
られた特定の断面形状の透孔よりなる電子ビーム制限孔
を設けても、その電子ビーム制限孔が構成されている部
材(以下、スリットマスクという)がそれに射突する電
子ビームによる過度の加熱によって変形したシ、ひどい
場合には前記の電子ビームによる過度な加熱がスリット
マスクの許容損失を超過してそれを焼損させたり、lた
、焼損を起こさない昔でもその寿命が非常に短いものと
なって、それのひんばんな交換が必要とされるなどの諸
問題点が生じるので、好ましい結果が得られ難い。
もつとも、スリットマスクにおける適度の温度上昇は、
かえってそれの透孔部分の清浄化に寄与するという効果
を生じるのであるが、前述のように、高輝度の電子ビー
ムを得るためにスリットマスクに対して高電圧を与えた
場合には、どうしても前述のような点が問題となるので
ある。
本考案は、電子ビーム制限孔に加える印加電圧を低くし
て、その部分で生じる電力損失を減少させ、寸た、出射
系の電極構造を特殊なものとすることにより、電子ビー
ム制限孔から出射する電子ビームがその開き角の狭いも
のとし、高い輝度で、しかも所定の断面形状を有する電
子ビームが容易に得られるようにした電子銃を提供して
、上述のような従来の問題点を解消したものであり、以
下、添付図面を参照してその具体的な内容を明らかにす
る。
第1図及び第2図は、それぞれ本考案の電子銃の各界な
る実施態様のものの縦断側面図であり、各図にかいて、
1は細長い平断面形状を有する熱電子放射源であり、図
示の例にネーいては、熱電子放射源1はタングステン線
をコ字伏に折曲したフィラメントで構成されている(以
下、熱電子放射源1をフィラメント1と言鐵することも
ある)。
フィラメント1は磁器3に設けた引出線2,2に接続さ
れ、外部電源12によって点火される。
また、図中で点線図示の電極Gは、必要に応じて設けら
れる遮蔽電極G(格子G)であって、この遮蔽電極Gは
前記した磁器3に取付けられ、図示しない電源からフィ
ラメント1に対して僅かに負の電圧が与えられるように
するか、あるいはフィラメント1と同電位となされる。
前記したフィラメント1(及び遮蔽電極G)は、図中の
矢印X(7)ネ・よび矢印Rで略示した移動調整機構及
び回転調整機構とにより、図中の左右方向(X−X方向
)と紙面に直交する方向(Y−Y方向)、及び電子銃の
管軸Z−2を中心とする円周方向〔R方向)とに移動回
転調節されることにより、電子ビームの進路位置、及び
電子ビームの断面形状における長手方向の向きとが所要
のように設定できるようになされてネ・す、後述する電
子ビーム制限孔Sに対して、正しい進路で、かつ正しい
姿勢で電子ビームが照射できるようにする。
前記したフィラメント1と対向して設けられた第、1陽
極Aは、フィラメント1と対面する部分に、少くとも前
記のフィラメント1の平断面形状における長手方向と直
交する面内における断面の外形抜が半円形となされてい
る如き部分を有する筒体4と、前記の筒体4と連続する
筒体4bとによって構成されており、この第1陽極A内
にトける電子ビームの通路中には、所定パターンの透孔
よりなる電子ビーム制限孔Sが設けられている。
前記した第1陽極Aにおける筒体4の部分は、例えば、
第5図a −d図に斜視図で示すように、その先端部分
を半球状のものとした筒体(第5図a、b図)とされた
り、あるいはその先端部分を半円筒状のものとした筒体
(第5図csd図)とされるのである。
第1図乃至第4図に訃いては、第1陽極IC$−ける筒
体4として、その先端部分を半球状のものとした場合の
例を示してトリ、芽た、第1図〜第3図に訃いては、筒
体4の先端に円形の陽極孔4aを穿設し、筒体4と筒体
4bとの境界部分に所定パターン(長円あるいは矩形等
)の透孔よりなる電子ビーム制限孔Sが穿設されたスリ
ットマスク5を設けた場合の構成例を示している。
このような構成例のものとする場合に用いられるスリッ
トマスク5としては、例えば、耐熱金属板にエツチング
穿孔などの手段により所定パターンの透孔を穿設したも
のであってもよい。
前記のスリットマスク5を第3図a図の縦断面図に示す
ように、筒体4と筒体4bとの境界部分で挟着支持する
ような取付は態様のものとした場合には、スリットマス
ク5の交換作業が容易であるという利点が得られる。
第3図す図はスリットマスク5の平面図である。
また、第4図a図は筒体4の先端部分に断面V字状の溝
4vを切削して、そこに電子ビーム制限孔Sを構成させ
た場合の筒体4部分の縦断側面図であり、第4図す図は
この場合の筒体4の先端部分の平面図である。
第5図す図は前記した第4図a s b図によってその
断面図と平面図とが示されるような筒体4の斜視図であ
り、捷た、第5図a図は前記した第3図a図によってそ
の断面が示されるような筒体4の斜視図である。
第5図C図は、先端部分が半円筒形となされている筒体
4の先端に円形の陽極孔4aを設けた例(筒体4の内部
の適当な所にスリットマスクが設けられる)であり、普
た第4図a図は、先端部分が半円筒形となされている筒
体4の先端にV字状の溝4Vを切削して、そこに電子ビ
ーム制限孔を構成させた場合の筒体4の斜視図である。
上記した各構成例で示した筒体4にネ・いては、電子ビ
ーム制限孔Sを、筒体4の基底部に設ける場合と、筒体
4の先端近くに設ける場合との2つの場合についてだけ
しか示していないが、実施に当って電子ビーム制限孔S
を設けるべき位置は、第1陽極A内の適当な位置であっ
てもよいのである。
前記した第1陽極Aには、電源13にトける接続点14
から中位の正電圧V1が与えられる。
第1図示の実施態様で示される電子銃においては、第1
陽極Aの筒体4bが比較的長く構成されており、スリッ
トマスク5の電子ビーム制限孔Sから出射した電子ビー
ム7を、筒体4bの外側に設けられた磁界レンズMによ
ってプリホーカスして電子ビーム7の開き角を狭はめて
から、第1陽極Aと、フィラメント1に対して高電圧V
2が与えられている第2陽極10との間に形成されてい
る静電レンズ8mによって集束し結像点11に所定パタ
ーンの断面形状を有し、かつ高い電流密度の電子ビーム
像を結像させる。
な卦、前記した電圧V1としては1〜5四程度、電圧v
2としては5〜25KV程度の電圧値とする。
曾た、第2図示の実施態様で示される電子銃に釦いては
、第1陽極Aと第2陽極10との間に形成させた静電レ
ンズ8pによって、スリットマスク5の電子ビーム制限
孔Sから出射した電子ビームをプリホーカスして、開き
角の狭ばめられた電子ヒーム9を磁界レンズ16によっ
て集束し、結像点11に所定パターンの断面形状を有し
、かつ、高い電流密度の電子ビーム像を結像させる。
なp1第2図中の17は磁界レンズ16用の電源であり
、また、第1図、第2図において15は接地線を示す。
上記のように構成された本考案の電子銃にネ・いては、
フィラメント1に対向して設けられる第1陽極Aにおけ
るフィラメント1と対面する部分の筒体4の先端部分が
、適当な半径R′の半球状または半円筒状となされると
共に、前記のフィラメント1と筒体4の先端部分との距
離を適当に設定することにより、略々平行か、あるいは
長焦点距離をもつ電子ビームを得て、それにより第1陽
極に設けられた電子ビーム制限孔Sを有する部材を照射
するようにしたから、電子ビーム制限孔Sから出射する
電子ビームをその開き角の小さな状態のものとすること
が容易にでき、したがって、輝度の高い電子ビームを電
子ビーム制限孔Sから出射させることができる。
なお、添付した第1図、第2図にネ・いては、電子ビー
ムがクロスオーバ一点6を有する場合のものとして図示
されており、かつ、そのクロスオーバ一点6ばその何れ
の図筒にトいても電子ビーム制限孔Sの位置よりもフィ
ラメント1寄りに在るものとして示されているが、クロ
スオーバ一点6は電子ビーム制限孔Sの位置付近に生じ
ていてもよいのである。
上記のようにして電子ビームが照射される電子ビーム制
限孔Sが設けられている部材5、すなわちスリットマス
ク5には、それに照射された電子ビームの内で、電子ビ
ーム制限孔Sを通過した部分以外の部分と第1陽極Aに
印加されている電圧V1との積で与れられる電力損失を
発生し、それによってスリットマスク力功日熱されるこ
とになるが、本考案の電子銃では前記の第1陽極Aに印
加される電圧V1が、例えば1〜5KVというような低
位の正電圧であるので、スリットマスク5に発生する電
力損失を容易に低く抑えることができ、既述した従来例
のような問題点は生じない。
スリットマスク5の電子ビーム制限孔Sから出射した電
子ビーム1ば、電子ビーム制限孔Sの断面形状に従った
断蒔形伏を有し、かつ、開き角が小さいために高い輝度
を有しているが、この電子ビーム7はプリホーカス用電
子レンズによって、その開き角がさらに狭められてから
電子レンズによって結像点11に結像される。
第1図示の実施例に示す電子銃にホーいては、前記した
プリホーカス用電子レンズが磁界レンズMによって構成
されて釦す、この磁界レンズMによってプリホーカスさ
れてさらに開き角の狭められた電子ビームは高電圧V2
が印加された第2陽極10と前記した第1陽極Aとの間
に形成された静電レンズ8mからなる電子レンズによっ
て集束され、また、第2図示の実施例に示す電子銃にト
いては、前記したプリホーカス用電子レンズが、第1陽
極Aと第2陽極10との間に形成させた静電レンズ8p
によって構成されてネーリ、この静電レンズ8pによっ
てプリホーカスされて開き角がさらに狭められた電子ビ
ームは、磁界レンズ16からなる電子レンズによって集
束されることは、既述したとトリである。
上記した第1図及び第2図に示す倒れの実施態様の電子
銃にネ・いても、第1陽極Aと第2陽極10との間に形
成される静電レンズ8m、8pによる電界の影響がスリ
ットマスク付近に強く作用するようなことがないように
静電レンズを構成すべきである。
玄た、第1陽極Aにおける筒体4として、その先端部分
の形状が半球状のものとするか、あるいは半円筒状のも
のとするかは、必要とされる断面形状の電子ビームを得
るのに、どちらの形態のものが好都合か、など、その他
の諸条件を考慮して決定すればよい。
以上の説明から明らかなように、本考案の電子銃におい
ては、細長い平断面形状を有するフィラメント1から放
射された電子ビームを、略々平行か、あるいは長焦点距
離をもつ電子ビームとして電子ビーム制限孔Sが照射さ
れるから、輝度が高り、シかも所定の断面形状を有する
電子ビームを電子ビーム制限孔Sから出射でき、lた、
第1陽極電圧v1を中位の正電圧としてスリットマスク
5を電力損失の低下を可能として既述した問題点を解消
し、さらに、電子ビーム制限孔Sから比較的に狭い開き
角を示して出射される電子ビームを、プリホーカス用の
電子レンズわ通してさらにその開き角を狭めてから結像
用の電子レンズに与えるようにすることにより、高い電
流密度を有し、かつ、所定の断面形状を有する電子ビー
ム像を結像させることができると共に、前記のプリホー
カス用の電子レンズを用いたために次段レンズでの球面
収差を減することもでき、さらにオた、電子銃に印加さ
れる電圧が各電極間に分散されるために電極間での放電
の心配がなくなるなどの諸利点が得られる。
【図面の簡単な説明】 第1図及び第2図は本考案の電子銃の各界なる実施態様
のものの縦断側面図、第3図a図及び第4図a図はそれ
ぞれ異なる実施態様の第1陽極Aに釦ける筒体4の縦断
側面図、第3図す図はスリットマスクの平面図、第4図
す図は第4図a図示のものの先端部分の平面図、第5図
a−d図は第1陽極AK$−ける筒体4の斜視図である
。 1・・・熱電子放射源〔フィラメント)、4,4b・・
・筒L4c・・・孔、5・・・スリットマスク、7,9
・・電子ビーム、10・・・第2電極、11・・結像点
、13.17・・・電源、M、16・・・磁界レンズ、
A・・・第1陽極、8m58p・・・静電レンズ、G・
・・遮蔽電極、S・・・電子ビーム制限孔、4a・・・
陽極孔、4V・・・切削溝。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 細長い平断面形状を有する熱電子放射源と、前記の熱電
    子放射源と対向し前記の熱電子放射源と対面する部分に
    、少くとも前記の熱電子放射源の平断面形状にトける長
    手方向と直交する面内における断面の外形抜が半円形と
    なされている如き部分を有する筒体を備えしめると共に
    、電子ビームの通路中に所定パターンの透孔よりなる電
    子ビーム制限孔を備え、かつ、前記の熱電子放射源に対
    して中位の正電圧が印加される第1陽極と、前記の第1
    陽極との間に、前記の電子ビーム制限孔の付近に電界の
    影響を与えることのない静電レンズが形成されるように
    、前記の熱電子放射源に対して正の高電圧が加えられる
    ようになされた第2陽極とを備え、また、前記の熱電子
    放射源に対して電子ビームの進路位置及び電子ビームの
    断面形状にかける長手方向の向きとが調整できるような
    手段を設けてなる電子銃。
JP1975157990U 1975-11-22 1975-11-22 デンシジユウ Expired JPS5818215Y2 (ja)

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