JPS58180053A - アクテイブマトリツクス基板 - Google Patents
アクテイブマトリツクス基板Info
- Publication number
- JPS58180053A JPS58180053A JP6315682A JP6315682A JPS58180053A JP S58180053 A JPS58180053 A JP S58180053A JP 6315682 A JP6315682 A JP 6315682A JP 6315682 A JP6315682 A JP 6315682A JP S58180053 A JPS58180053 A JP S58180053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- active matrix
- matrix substrate
- liquid crystal
- white
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアクティブマトリックス基板に関するものであ
る。さらに本発明はアクティブマトリックス基板の構造
に関するものである。
る。さらに本発明はアクティブマトリックス基板の構造
に関するものである。
近年、コンピューターの大砲化に伴ナイ、ＯＲＴディス
プレイに代りうる小型でかつ消費電力の少ない平面型デ
ィスプレイの要求が高まりつつあり多くの平面型ディス
プレイの開発が活発に展開されているのが現状である。
プレイに代りうる小型でかつ消費電力の少ない平面型デ
ィスプレイの要求が高まりつつあり多くの平面型ディス
プレイの開発が活発に展開されているのが現状である。
その中で液晶ディスプレイは唯一の受光型ディスプレイ
であり、さらに駆動電圧、消費電力も最も低く、反射型
でも透過型でも使用出来るため、最も注目を集めている
ディスプレイである。さらに液晶ディスプレイは）パネ
ルを構成する一方の基板にアクティブマトリックス基板
を用いると、数百本程度の走査ラインをも表示可能とな
るため、画像表示が可能トナりこの種の試作例はシリコ
ン基板をマトリックス基板として用いたものがすでにい
くつか発表されている。
であり、さらに駆動電圧、消費電力も最も低く、反射型
でも透過型でも使用出来るため、最も注目を集めている
ディスプレイである。さらに液晶ディスプレイは）パネ
ルを構成する一方の基板にアクティブマトリックス基板
を用いると、数百本程度の走査ラインをも表示可能とな
るため、画像表示が可能トナりこの種の試作例はシリコ
ン基板をマトリックス基板として用いたものがすでにい
くつか発表されている。
一方透明な絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成したと
ころの薄膜トランジスタマトリックス基板全液晶パネル
の一方に用いると、上下基板ともに、透明基板であるた
めに、ＴＩＪ（ツイストネマチック）モードの表示が可
能となるために、従来のシリコン基板をアクティブマト
リックス基板として用いた液晶パネルと比べて、非常に
コントラストの高い、見やすい表示像が得られる。
ころの薄膜トランジスタマトリックス基板全液晶パネル
の一方に用いると、上下基板ともに、透明基板であるた
めに、ＴＩＪ（ツイストネマチック）モードの表示が可
能となるために、従来のシリコン基板をアクティブマト
リックス基板として用いた液晶パネルと比べて、非常に
コントラストの高い、見やすい表示像が得られる。
第１図は、液晶パネルを構成する一方の基板に透明絶縁
基板上に薄膜スイッチング素子をマトリックス状に形成
したアクティブマトリックス基板を用いた液晶パネルの
断面図、第２図はアクティブマトリックス基板上の画素
回路図、第３図は、一画素の回路パターン図である。第
１図中の１は透明絶縁基板、２は薄膜トランジスタのソ
ース、ドレイン領域、３及び６は絶縁膜、４は金属配線
、５はゲート電極、７は液晶駆動電極、８は上側ガラス
基板、９は上側ガラス基板上の対向電極、１０は液晶層
である。第２図はアクティブマトリックス基板上の画素
回路図である。第２図（α）の１１は各画素回路中の薄
膜トランジスタのソース端子を接続するデータ信号ライ
ン、１２は各薄膜トランジスタのゲート端子を接続する
ゲート信号ツインである。また１３は画素回路でありそ
の詳細は第２図Ｃｂ）に示しである。第２図（ａ）の一
点鎖線１４にて凹まれた領域が画像表示領２図Ｃｂ）に
おける１６は薄膜トランジスタ、１７はコンデンサー、
１８は液晶駆動電極、１９は液晶層、２０は対向電極で
ある。第３図は一画素の回路パターン図である。図中の
１１は金属配線であるデータ信号ライン、１２はゲート
信号ラインであり１６に示す領域が薄膜トランジスタ領
域、１８は液晶駆動電極である。この様なアクティブマ
トリックス型液晶パネルにおいて画像表示を行なう場合
には、データ信号ラインからの信号を一走査線毎にそれ
ぞれの画素回路に書き込む線順次方式にて行なう。薄膜
トランジスタ１清は、半導体材料としてシリコン薄膜を
用いたものが、特性的にも信頼性的にも良く、またゲー
ト電極材料はシリコンが用いられる。したがってこの様
な薄膜トランジスタを用いたマトリックス回路において
は、ゲート信号ライン１２はポリシリコン薄膜にて形成
される。しかし、ポリシリコン薄膜は一般に可視光領域
に大きな吸収をもつため、たとえポリシリコンの膜厚が
２０００〜５ｏｏｏＸと薄い場合においても褐色もしく
は黄色を呈し、液晶パネルを表示する際の白レベルの質
を大きく低下する原因となっていた。例えば、データ信
号ラインをアルミニウム配線、ゲート信号ラインをポリ
シリコン配線とし、駆動電極を透明導電膜で形成する場
合、＆ｌＪポリシリコン配線画素領域中に占める面積比
率が３〜１０襲程度あるいはそれ以上であれば、白レベ
ルは薄黄色となり、ＴＮモード表示が本来白黒表示であ
るのに黄色黒表示となり、表示品質は大きく低下する。
基板上に薄膜スイッチング素子をマトリックス状に形成
したアクティブマトリックス基板を用いた液晶パネルの
断面図、第２図はアクティブマトリックス基板上の画素
回路図、第３図は、一画素の回路パターン図である。第
１図中の１は透明絶縁基板、２は薄膜トランジスタのソ
ース、ドレイン領域、３及び６は絶縁膜、４は金属配線
、５はゲート電極、７は液晶駆動電極、８は上側ガラス
基板、９は上側ガラス基板上の対向電極、１０は液晶層
である。第２図はアクティブマトリックス基板上の画素
回路図である。第２図（α）の１１は各画素回路中の薄
膜トランジスタのソース端子を接続するデータ信号ライ
ン、１２は各薄膜トランジスタのゲート端子を接続する
ゲート信号ツインである。また１３は画素回路でありそ
の詳細は第２図Ｃｂ）に示しである。第２図（ａ）の一
点鎖線１４にて凹まれた領域が画像表示領２図Ｃｂ）に
おける１６は薄膜トランジスタ、１７はコンデンサー、
１８は液晶駆動電極、１９は液晶層、２０は対向電極で
ある。第３図は一画素の回路パターン図である。図中の
１１は金属配線であるデータ信号ライン、１２はゲート
信号ラインであり１６に示す領域が薄膜トランジスタ領
域、１８は液晶駆動電極である。この様なアクティブマ
トリックス型液晶パネルにおいて画像表示を行なう場合
には、データ信号ラインからの信号を一走査線毎にそれ
ぞれの画素回路に書き込む線順次方式にて行なう。薄膜
トランジスタ１清は、半導体材料としてシリコン薄膜を
用いたものが、特性的にも信頼性的にも良く、またゲー
ト電極材料はシリコンが用いられる。したがってこの様
な薄膜トランジスタを用いたマトリックス回路において
は、ゲート信号ライン１２はポリシリコン薄膜にて形成
される。しかし、ポリシリコン薄膜は一般に可視光領域
に大きな吸収をもつため、たとえポリシリコンの膜厚が
２０００〜５ｏｏｏＸと薄い場合においても褐色もしく
は黄色を呈し、液晶パネルを表示する際の白レベルの質
を大きく低下する原因となっていた。例えば、データ信
号ラインをアルミニウム配線、ゲート信号ラインをポリ
シリコン配線とし、駆動電極を透明導電膜で形成する場
合、＆ｌＪポリシリコン配線画素領域中に占める面積比
率が３〜１０襲程度あるいはそれ以上であれば、白レベ
ルは薄黄色となり、ＴＮモード表示が本来白黒表示であ
るのに黄色黒表示となり、表示品質は大きく低下する。
本発明はかかる従来の液晶表示パネルの表示品質の低下
を解決するために発明されたものでありアクティブマト
リックス基板を構成するポリシリコン配線の様に、着色
した配線部もしくは薄膜トランジスタ部を金属薄膜にて
覆い、表示品質の低下を防ぐことを目的としている。
を解決するために発明されたものでありアクティブマト
リックス基板を構成するポリシリコン配線の様に、着色
した配線部もしくは薄膜トランジスタ部を金属薄膜にて
覆い、表示品質の低下を防ぐことを目的としている。
第４図は本発明によるアクティブマトリックス基板上の
一画素の回路パターンであり、第３図にて示した従来の
画素回路パターンを本発明により改良したものである。
一画素の回路パターンであり、第３図にて示した従来の
画素回路パターンを本発明により改良したものである。
図中の１１はデータ信号ラインでありアルミニウム配線
である。１２はゲート信号ツインでありポリシリコン配
線である。このポリシリコン配線は通常褐色を呈してい
るので本実施例においては、この褐色を呈したゲート信
号ラインの大部分を図中の２１にて示す白色金属薄膜に
て覆っている。この白色金属薄膜は、白色であればどん
な金属でもよい。本実施例においてはこの白色金属薄膜
はデータ信号ラインと同一工程で形成されるアルミニウ
ム薄膜を用いている。
である。１２はゲート信号ツインでありポリシリコン配
線である。このポリシリコン配線は通常褐色を呈してい
るので本実施例においては、この褐色を呈したゲート信
号ラインの大部分を図中の２１にて示す白色金属薄膜に
て覆っている。この白色金属薄膜は、白色であればどん
な金属でもよい。本実施例においてはこの白色金属薄膜
はデータ信号ラインと同一工程で形成されるアルミニウ
ム薄膜を用いている。
また図中の１６は薄膜トランジスタ領域、１８は駆動電
極である。アクティブマトリックス基板上の着色部分は
ゲート信号ラインのポリシリコン部分の他に、例えばソ
ース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域をシリコン
薄膜（ポリシリコンあるいはアモルファスシリコン）に
て構成した場合には、この部分も白色金属薄膜にて覆う
ことが出来る。しかしパターンの制限により着色部を完
全に白色金属薄膜にて覆うことはむづかしい。白色金属
薄膜はアルミニウムでもよいしクロムでもよいし銀でも
よい。しかし、本実施例の様にデータ信号ラインと同一
工程で同時に形成出来る方が工程数が増加することがな
いためコスト的に有利である。またこのアクティブマト
リックス基板を液晶セルを構成する一方の基板として用
いる場合に望ましい。なぜならば、液晶の表示モードと
してＴＮモードを用いる時、上側ガラス板上に一枚偏光
板を設置するが、この場合、白色金属表面が完全拡散面
に近い場合には、この白色金属薄膜の明るさは／４とな
ってしまうからである。白色金属薄膜の表面が鏡面に近
い場合には、明るさは１／２になる。第５図は本発明の
他の実施例を示す。本実施例においては、液晶駆動電極
１８は、ゲート信号ラインと重なり合っていて、この重
なり容量を液晶の保持容量として用いるものである。本
実施例のような画素回路パターンにおいても図中の２１
にて示す様に着色したゲート信号ラインを白色金属薄膜
にて覆うことにより表示品質の大幅な向上が可能となる
。特に液晶の表示モードがＴＩの場合には白の質が向上
し、カラーフィルター等を用いた透過盤もしくは反射型
のカラー液晶パネルにおいては、三原色の色調整が容易
となり大きなメリットとなる。
極である。アクティブマトリックス基板上の着色部分は
ゲート信号ラインのポリシリコン部分の他に、例えばソ
ース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域をシリコン
薄膜（ポリシリコンあるいはアモルファスシリコン）に
て構成した場合には、この部分も白色金属薄膜にて覆う
ことが出来る。しかしパターンの制限により着色部を完
全に白色金属薄膜にて覆うことはむづかしい。白色金属
薄膜はアルミニウムでもよいしクロムでもよいし銀でも
よい。しかし、本実施例の様にデータ信号ラインと同一
工程で同時に形成出来る方が工程数が増加することがな
いためコスト的に有利である。またこのアクティブマト
リックス基板を液晶セルを構成する一方の基板として用
いる場合に望ましい。なぜならば、液晶の表示モードと
してＴＮモードを用いる時、上側ガラス板上に一枚偏光
板を設置するが、この場合、白色金属表面が完全拡散面
に近い場合には、この白色金属薄膜の明るさは／４とな
ってしまうからである。白色金属薄膜の表面が鏡面に近
い場合には、明るさは１／２になる。第５図は本発明の
他の実施例を示す。本実施例においては、液晶駆動電極
１８は、ゲート信号ラインと重なり合っていて、この重
なり容量を液晶の保持容量として用いるものである。本
実施例のような画素回路パターンにおいても図中の２１
にて示す様に着色したゲート信号ラインを白色金属薄膜
にて覆うことにより表示品質の大幅な向上が可能となる
。特に液晶の表示モードがＴＩの場合には白の質が向上
し、カラーフィルター等を用いた透過盤もしくは反射型
のカラー液晶パネルにおいては、三原色の色調整が容易
となり大きなメリットとなる。
本発明は以上説明した如く、表示用のアクティブマトリ
ックス基板における着色部を白色金属薄膜にて覆うこと
により表示の質の向上をねらったものであり、表示品質
の向上に大きく貢献出来るものである。
ックス基板における着色部を白色金属薄膜にて覆うこと
により表示の質の向上をねらったものであり、表示品質
の向上に大きく貢献出来るものである。
第１図はアクティブマトリックス基板を用いた液晶パネ
ルの断面図、第２図及び第３図はアクティブマトリック
ス基板上の回路図及び画素パターン図、第４図及び第５
図は本発明による画素パターンの一例を示す説明図。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・ソース、ドレイン領域 ６・・・・・・絶縁膜 ４・・・・・・金属配線 ５・・・・・・ゲート電極 ６・・・・・・絶縁膜 ７・・・・・・透明導電膜 ８・・・・・・上側ガラス板 ９・・・・・・対向電極 １０・・・・・・液晶層 １１・・・・・・データ信号ライン １２・・・・・・ゲート信号ライン １３・・・・・・画素回路 １４・・・・・・表示領域 １５・・・・・・接続端子 １６・・・・・・薄膜トランジスタ １７・・・・・・コンデンサ １８・・・・・・液晶駆動電極 １９・・・・・・液晶層 ２０・・・・・・対向電極 ２１・・・・・・白色金属薄膜 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 （ａ） 第３図 ’）−／ 第４図 第５図
ルの断面図、第２図及び第３図はアクティブマトリック
ス基板上の回路図及び画素パターン図、第４図及び第５
図は本発明による画素パターンの一例を示す説明図。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・ソース、ドレイン領域 ６・・・・・・絶縁膜 ４・・・・・・金属配線 ５・・・・・・ゲート電極 ６・・・・・・絶縁膜 ７・・・・・・透明導電膜 ８・・・・・・上側ガラス板 ９・・・・・・対向電極 １０・・・・・・液晶層 １１・・・・・・データ信号ライン １２・・・・・・ゲート信号ライン １３・・・・・・画素回路 １４・・・・・・表示領域 １５・・・・・・接続端子 １６・・・・・・薄膜トランジスタ １７・・・・・・コンデンサ １８・・・・・・液晶駆動電極 １９・・・・・・液晶層 ２０・・・・・・対向電極 ２１・・・・・・白色金属薄膜 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 （ａ） 第３図 ’）−／ 第４図 第５図
Claims (6)
- （１） 絶縁基板上に、薄膜スイッチング素子及び駆
動電極から成る画素回路をマトリックス状に形成したア
クティブマトリックス基板において、該薄膜スイッチン
グ素子間を結ぶ信号線もしくは該薄膜スイッチング素子
は、一部分着色薄膜にて構成されており、該着色薄膜は
白色金属薄膜にて覆われていることを特徴とするアクテ
ィブマトリックス基板。 - （２） 着色薄膜はシリコン薄膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第一項記載のアクティブマトリック
ス基板。 - （３） 白色金属薄膜は、Ａｔ、Ｏｒあるし）はＡｇ
のうちの一つから成ることを特徴とする特許請求の範囲
第一項記載のアクティブマトリックス基板。 - （４） 白色金属薄膜の表面は鏡面であることを特徴
とする特許請求の範囲第一項記載のアクティブマトリッ
クス基板。 - （５）絶縁基板は、液晶パネルを構成する透明基板の一
つであることを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の
アクティブマトリックス基板。 - （６） 白色金属薄膜は、薄膜スイッチング素子間を
結ぶ信号線と同一工程、同一材料にて成ることを特徴と
する特許請求の範囲第一項記載のアクティブマトリック
ス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315682A JPS58180053A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | アクテイブマトリツクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315682A JPS58180053A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | アクテイブマトリツクス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180053A true JPS58180053A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13221083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6315682A Pending JPS58180053A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | アクテイブマトリツクス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180053A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4807000A (en) * | 1987-03-02 | 1989-02-21 | Honeywell Inc. | High density small element optical mosaic detector |
| EP0687934A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | France Telecom | Ecran d'affichage à cristaux liquides à grille diffusante |
| WO2011021510A1 (ja) | 2009-08-20 | 2011-02-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6315682A patent/JPS58180053A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4807000A (en) * | 1987-03-02 | 1989-02-21 | Honeywell Inc. | High density small element optical mosaic detector |
| EP0687934A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | France Telecom | Ecran d'affichage à cristaux liquides à grille diffusante |
| FR2721427A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-22 | Bruno Vinouze | Ecran d'affichage à cristaux liquides à grille diffusante. |
| WO2011021510A1 (ja) | 2009-08-20 | 2011-02-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US8476654B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI391728B (zh) | 四色液晶顯示器 | |
| KR100416173B1 (ko) | 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법, 및 액정 장치 및 전자기기 | |
| US7777840B2 (en) | Transflective liquid crystal display device having first and second data drivers and generating first and second signals of different voltage values | |
| CN100371812C (zh) | 电光装置和电子设备 | |
| KR100426980B1 (ko) | 전기 광학 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 | |
| KR100533802B1 (ko) | 액정 패널용 기판, 액정 패널 및 이것을 사용한 전자기기및 액정 패널용 기판의 제조 방법 | |
| US6433764B1 (en) | Liquid crystal display | |
| KR100312327B1 (ko) | 반사투과형 액정 표시장치 | |
| US6636286B1 (en) | Transflective liquid crystal display device having reflective and transparent pixel electrodes | |
| JP2003207795A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2003344836A (ja) | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 | |
| JP3406515B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US5515187A (en) | Liquid crystal display with signal line, storage capacitor and source elongated portions forming storage capacitors between two switching elements | |
| JPH01156725A (ja) | 表示装置 | |
| US6819385B2 (en) | Transflective pixel structure | |
| JP4709375B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| US7027028B2 (en) | Electrooptic device, driver circuit for electrooptic device, and electronic equipment | |
| US20040135939A1 (en) | Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same | |
| JPH0474714B2 (ja) | ||
| JP2003207794A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| JP2009048217A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2005173565A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20010098656A (ko) | 액정 장치, 투사형 표시 장치 및 전자기기 | |
| JPS58180053A (ja) | アクテイブマトリツクス基板 | |
| JPH02245741A (ja) | 反射型液晶表示デバイス |