JPS58178620A - 表面波素子 - Google Patents
表面波素子Info
- Publication number
- JPS58178620A JPS58178620A JP6161182A JP6161182A JPS58178620A JP S58178620 A JPS58178620 A JP S58178620A JP 6161182 A JP6161182 A JP 6161182A JP 6161182 A JP6161182 A JP 6161182A JP S58178620 A JPS58178620 A JP S58178620A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transducer
- surface wave
- transducers
- electrode leading
- wave element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1455—Transducers of particular shape or position constituted of N parallel or series transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表面波素子、特に３−４ＤＴ（インタデジタ
ルトランスデユーサ）構造の表面波素子に関するもので
ある。
ルトランスデユーサ）構造の表面波素子に関するもので
ある。
従来、低挿入損失の表面波素子として３−Ｉ ＤＴ槽構
造表面波素子が用いられている。
造表面波素子が用いられている。
第１図は従来の代表的な３−ＩＤＴ構造の表面波素子を
示す。図に示すように、従来の３−ＩＤＴ構造の表面波
素子は、基本的には圧電物質からな・る表面波の伝搬媒
体１と、その表面に１表面波の伝搬方向２に順次配列し
た三つの櫛型トランスデユーサ３，４；５で構成されて
いる。この場合、中央部トランスデユーサ４の入出力端
子はパッケージ（図示せず）のビン６．７に接続される
。また、外側部のトランスデユーサ３，５の入出力端子
は、それぞれパッケージのビン８，９とビン１ｏ、１１
に接続され、さらに外部回路（図示せず）で並列接続さ
れる。
示す。図に示すように、従来の３−ＩＤＴ構造の表面波
素子は、基本的には圧電物質からな・る表面波の伝搬媒
体１と、その表面に１表面波の伝搬方向２に順次配列し
た三つの櫛型トランスデユーサ３，４；５で構成されて
いる。この場合、中央部トランスデユーサ４の入出力端
子はパッケージ（図示せず）のビン６．７に接続される
。また、外側部のトランスデユーサ３，５の入出力端子
は、それぞれパッケージのビン８，９とビン１ｏ、１１
に接続され、さらに外部回路（図示せず）で並列接続さ
れる。
この種の従来の３−ＩＤＴ構造の表面波素子でたとえば
６ Ｑ ＭＨｚ程度の周波数のフィルタを構成する場合
には、実用上問題がないフィルタ特性たとえば６〜ｓ
ｄＢの小さい挿入損失、５ｏｄＢ以上の入出力間の高周
波的絶縁が得られる。しかし、この種の構造で数１ｏｏ
ＭＨｚ以上、たとえば１０ｏｏＭＨｚのフィルタを実現
しようとしても、入出力間の漏洩波の抑圧が悪い上に、
挿入損失が１０ｄＢ以上たとえば２０ ｄＢに゛敏速し
、この種の従来の構造の素子では、特に高い周波数範囲
で実用に供することができないという欠点があった。
６ Ｑ ＭＨｚ程度の周波数のフィルタを構成する場合
には、実用上問題がないフィルタ特性たとえば６〜ｓ
ｄＢの小さい挿入損失、５ｏｄＢ以上の入出力間の高周
波的絶縁が得られる。しかし、この種の構造で数１ｏｏ
ＭＨｚ以上、たとえば１０ｏｏＭＨｚのフィルタを実現
しようとしても、入出力間の漏洩波の抑圧が悪い上に、
挿入損失が１０ｄＢ以上たとえば２０ ｄＢに゛敏速し
、この種の従来の構造の素子では、特に高い周波数範囲
で実用に供することができないという欠点があった。
発明者らは、この種の３−ＩＤＴ構造の表面波素子の構
造に改良を加え、数１００ ＭＨｚ以上の高い周波数範
囲で使用することのできる表面波素子を実現した。
造に改良を加え、数１００ ＭＨｚ以上の高い周波数範
囲で使用することのできる表面波素子を実現した。
本発明の目的は数１００ ＭＨｚ以上の高い周波数範囲
においても使用可能な表面波素子を提供することである
。
においても使用可能な表面波素子を提供することである
。
以下１本発明の表面波素子の一実施例について説明する
。
。
第２図はこの実施例の要部の平面図である。
この表面波素子の要部は圧電物質からなる表面方向２２
に順次配列した三つの＠型トランスデユーサ２３．２４
．２５で構成される。この場合、中央に配列した第１の
櫛型トランスデユーサ２４の一方の電極引出部はパッケ
ージ（図示せず）のピン２６．２７に、また他方の電極
引出部はピン２８にそれぞれ接続されている。前記トラ
ンスデユーサ２４に関して対称に配列したトランスデユ
ーサ２３．２４の一方の電極引出部は共通に構成されて
ビン２９に、またそれぞれの他方の電極引出部はビン３
０．３１に接続されている。
に順次配列した三つの＠型トランスデユーサ２３．２４
．２５で構成される。この場合、中央に配列した第１の
櫛型トランスデユーサ２４の一方の電極引出部はパッケ
ージ（図示せず）のピン２６．２７に、また他方の電極
引出部はピン２８にそれぞれ接続されている。前記トラ
ンスデユーサ２４に関して対称に配列したトランスデユ
ーサ２３．２４の一方の電極引出部は共通に構成されて
ビン２９に、またそれぞれの他方の電極引出部はビン３
０．３１に接続されている。
この場合、たとえば入力部である第１トランスデユーサ
２４と、出力部である第２．第３トランスデユーサ２３
．２５の端子部が、表面波素子のチップをはさんで隔離
されているため、高周波たとえば９００１Ｈ１ｚ［おい
ても、入出力間の漏洩波が５０ｄＢ以下に抑圧されると
ともに、フィルタ特性の挿入損失も６〜６ｄＢまで小さ
くなることを、発明者らは実験により確認した。
２４と、出力部である第２．第３トランスデユーサ２３
．２５の端子部が、表面波素子のチップをはさんで隔離
されているため、高周波たとえば９００１Ｈ１ｚ［おい
ても、入出力間の漏洩波が５０ｄＢ以下に抑圧されると
ともに、フィルタ特性の挿入損失も６〜６ｄＢまで小さ
くなることを、発明者らは実験により確認した。
さらに、この実施例の表面波素子において、第２、第３
トランスデユーサ２３．２５の電極引出し部の一方を共
通電極引出部で結合し、その入出力部を並列接続すると
ともに、共通電極引出部あるいは電極引出部のいずれか
一方を接地すると。
トランスデユーサ２３．２５の電極引出し部の一方を共
通電極引出部で結合し、その入出力部を並列接続すると
ともに、共通電極引出部あるいは電極引出部のいずれか
一方を接地すると。
入出力間の漏洩波の抑圧が効果的になるとともに。
第２．第３トランスデユーサ２３．２５に外部電気回路
を対称的に接続することが容易となり、実用上有効であ
ることを確認した。
を対称的に接続することが容易となり、実用上有効であ
ることを確認した。
さらに、第２．第３トランスデユーサ２３゜２５０電極
引出部を接続したビン２９．３０問およびピン２９．３
１間にＬＣ回路３２．３３をそれぞれ挿入接続して、対
称的な回路構成にすると、素面波素子と外部回路との整
合あるいは同調などが可能となる。また、この種のＬＣ
回路３２゜３３をパッケージに集積化することも可能で
、外部回路への実装が容易になる。
引出部を接続したビン２９．３０問およびピン２９．３
１間にＬＣ回路３２．３３をそれぞれ挿入接続して、対
称的な回路構成にすると、素面波素子と外部回路との整
合あるいは同調などが可能となる。また、この種のＬＣ
回路３２゜３３をパッケージに集積化することも可能で
、外部回路への実装が容易になる。
以下より具体的な例をあげて本発明を説明する。
表面波の伝搬媒質として１表面にＺｎＯ単結晶圧電薄膜
を形成したサファイア基板を用いた。この場合、サファ
イア基板として、サファイアＲ面を用い、この基板上に
、膜厚１．３μｍの（１１２０）ＺｎＯエピタキシャル
単結晶膜を高周波スパッタ法で形成した。表面波の励振
用、検知用の櫛型電極は第２図に示した３−４ＤＴ構成
にし、各櫛型電極の線幅は２．３μｍにした。この場合
、第１゜第２．第３トランスデユーサの櫛型電極の対数
はそれぞれ２３，５．５で電極材料はムＱ蒸着膜を用い
た。また、各トランスデユーサの電極引出部の幅は２０
０μｍ、素子のチップの大きさは２．５１１１ Ｘ ２
．５鵡であり、このチップを大きさ６１１Ｘ６１１Ｂの
セラミックパッケージに封入した。
を形成したサファイア基板を用いた。この場合、サファ
イア基板として、サファイアＲ面を用い、この基板上に
、膜厚１．３μｍの（１１２０）ＺｎＯエピタキシャル
単結晶膜を高周波スパッタ法で形成した。表面波の励振
用、検知用の櫛型電極は第２図に示した３−４ＤＴ構成
にし、各櫛型電極の線幅は２．３μｍにした。この場合
、第１゜第２．第３トランスデユーサの櫛型電極の対数
はそれぞれ２３，５．５で電極材料はムＱ蒸着膜を用い
た。また、各トランスデユーサの電極引出部の幅は２０
０μｍ、素子のチップの大きさは２．５１１１ Ｘ ２
．５鵡であり、このチップを大きさ６１１Ｘ６１１Ｂの
セラミックパッケージに封入した。
封入の際、第１トランスデユーサの２個所の電極引出部
は２本の１００μｍ径のムＵ線でパッケージの内部端子
にそれぞれボンディングした。また第２．第３トランス
デユーサの３個所の引出電極も、３本の１００μｍ径の
ムＵ線でパッケージの内部端子にそれぞれボンディング
した。第２．第３トランスデユーサの出力端子間にそれ
ぞれ接続されたＬＣ回路は、Ｌユ３０ｎＨ，Ｃ，：５ｐ
Ｆのπ回路とした。その結果、９００ ＭＨｚ とい
う超高周波においても、挿入損失ｅｄＢ以下、漏洩波の
抑圧５ｏｄＢ以上のバンドパスフィルタが実現された。
は２本の１００μｍ径のムＵ線でパッケージの内部端子
にそれぞれボンディングした。また第２．第３トランス
デユーサの３個所の引出電極も、３本の１００μｍ径の
ムＵ線でパッケージの内部端子にそれぞれボンディング
した。第２．第３トランスデユーサの出力端子間にそれ
ぞれ接続されたＬＣ回路は、Ｌユ３０ｎＨ，Ｃ，：５ｐ
Ｆのπ回路とした。その結果、９００ ＭＨｚ とい
う超高周波においても、挿入損失ｅｄＢ以下、漏洩波の
抑圧５ｏｄＢ以上のバンドパスフィルタが実現された。
なお、本実施例で用いたＺｎＯ単結晶圧電薄膜を表面に
蒸着したサファイア基板は高音速材料で、この種の高周
波用表面波素子の形成に有効な働きを示しており、従来
の水晶圧電結晶ではとうてい達成できない特性を与えて
いる。
蒸着したサファイア基板は高音速材料で、この種の高周
波用表面波素子の形成に有効な働きを示しており、従来
の水晶圧電結晶ではとうてい達成できない特性を与えて
いる。
以上の説明からも明らかなように、本発明にかかる表面
波素子は、特に数１００ ＭＨｚ以上の周波数範囲で有
効である。具体例として、表面波フィルタについて述べ
たが１本発明にかかる表面波素子は表面波フィルタに限
定されたものではなく、その適用は表面波発振器、遅延
線をはじめ、光音波デバイスにも及び、その工業的価値
の大きいものである。
波素子は、特に数１００ ＭＨｚ以上の周波数範囲で有
効である。具体例として、表面波フィルタについて述べ
たが１本発明にかかる表面波素子は表面波フィルタに限
定されたものではなく、その適用は表面波発振器、遅延
線をはじめ、光音波デバイスにも及び、その工業的価値
の大きいものである。
第１図は従来の表面波素子の一例を示す平面図。
第２図は本発明による表面波素子の一実施例の平面図で
ある。 ２１・・・・・・表面波の伝搬媒体、２２・・・・・・
表面波の２３・・・・・・第２櫛型トランスデユーサ、
２５・・・・・・第３櫛型トランスデユーサ。
ある。 ２１・・・・・・表面波の伝搬媒体、２２・・・・・・
表面波の２３・・・・・・第２櫛型トランスデユーサ、
２５・・・・・・第３櫛型トランスデユーサ。
Claims (2)
- （１）少なくとも、表面波の伝搬媒体と、その面上に、
表面波の伝搬方向に、順次配列した三つの櫛型トランス
デユーサとを有し、これら三つの櫛型トランスデユーサ
のうち中央に配列した第１トランスデユーサと、どの第
１トランスデユーサの両側に配列した第２．第３トラン
スデユーサとで構成され、前記第１゛トランスデユーサ
の電極引出部のいずれか一方が、前記第１．第２トラン
スデユーサ間および前記第１．第３トランスデユーサ間
を前記電極引出部の他方側へ延長され接続されているこ
とを特徴とする表面波素子。 - （２） 第２．第３トランスデユーサが並列接続され
、かつ電極引出部のいずれかの一方が接地されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面波素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6161182A JPS58178620A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6161182A JPS58178620A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178620A true JPS58178620A (ja) | 1983-10-19 |
Family
ID=13176128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6161182A Pending JPS58178620A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178620A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161412A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-26 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
-
1982
- 1982-04-13 JP JP6161182A patent/JPS58178620A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161412A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-26 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
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