JPS58174577A - スパツタ方法及び装置 - Google Patents
スパツタ方法及び装置Info
- Publication number
- JPS58174577A JPS58174577A JP5660082A JP5660082A JPS58174577A JP S58174577 A JPS58174577 A JP S58174577A JP 5660082 A JP5660082 A JP 5660082A JP 5660082 A JP5660082 A JP 5660082A JP S58174577 A JPS58174577 A JP S58174577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- receiver
- gear
- revolving
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタ方法及び装Ｈに係り、特に対向ター
ゲット方式のスパッタ方法及び装置に関するものである
。
ゲット方式のスパッタ方法及び装置に関するものである
。
従来の対向ターゲット方式のスパッタ方法及び装置を第
１図、ＩＪ２図により説明する。
１図、ＩＪ２図により説明する。
第１図、ＩＪ２図で、処理室１０には、電源、例えば、
直流電源（図示省略）又は高周波電６Ｉｉ（図示省略）
が接続された電極１１．１２が上下方向に対向して内股
されている。電極１１．Ｌ！には、対向してターグツ）
１３．１４が配設されている。処理室１０の底壁には、
ウェーハ受は支持具すが設けられている。ウェーハ受は
支持具すには、ターゲット１３゜１４で形成された空間
に対応し、かつ、ターゲット１３．１４と同心円周上に
、この場合は、６個のウェーハ受け１６が配設されてい
る。なお、処理室ｌＯには、真空排気装ａ＜図示省略）
と連結された導管１７と、不活性ガス供給装置（図示省
略）に連結された導管１Ｂとが連結されている。
直流電源（図示省略）又は高周波電６Ｉｉ（図示省略）
が接続された電極１１．１２が上下方向に対向して内股
されている。電極１１．Ｌ！には、対向してターグツ）
１３．１４が配設されている。処理室１０の底壁には、
ウェーハ受は支持具すが設けられている。ウェーハ受は
支持具すには、ターゲット１３゜１４で形成された空間
に対応し、かつ、ターゲット１３．１４と同心円周上に
、この場合は、６個のウェーハ受け１６が配設されてい
る。なお、処理室ｌＯには、真空排気装ａ＜図示省略）
と連結された導管１７と、不活性ガス供給装置（図示省
略）に連結された導管１Ｂとが連結されている。
ウェーハ受け１６にウェーハ紛が添装された後に、処理
室１０は密閉され真空排気装置により導管１７を経て５
Ｘ １０−’Ｐａ程度まで真空排気される。真空排気
された処理室１０には、不活性ガス供給装置より導管用
な経て不活性ガス、例えば、アルゴンが□、： 所定量供給される。その後、電極１１．１２には、直・
：・ 流電源又は高周波電源により直流又は高周波が印加され
、アルゴンはイオン化される。このイオン化したアルゴ
ンは、ターゲット１３，１４に衝突し。
室１０は密閉され真空排気装置により導管１７を経て５
Ｘ １０−’Ｐａ程度まで真空排気される。真空排気
された処理室１０には、不活性ガス供給装置より導管用
な経て不活性ガス、例えば、アルゴンが□、： 所定量供給される。その後、電極１１．１２には、直・
：・ 流電源又は高周波電源により直流又は高周波が印加され
、アルゴンはイオン化される。このイオン化したアルゴ
ンは、ターゲット１３，１４に衝突し。
これによりターゲット１３．１４からはターゲット粒子
が発生する。このターゲット粒子は、ウェーハ受け１６
に添装されたウェーハ１９の膜形成面に到達した後に凝
固、付着し、これによりウェーノ・１９の膜形成面には
、膜が形成される。
が発生する。このターゲット粒子は、ウェーハ受け１６
に添装されたウェーハ１９の膜形成面に到達した後に凝
固、付着し、これによりウェーノ・１９の膜形成面には
、膜が形成される。
このようなスパッタ方法及び装置では、ターゲットから
発生したターゲット粒子の濃度分布が半径方向並びに円
周方向で不均一で、しかも、ウェーハが固定されている
ため、ウェーハの膜形成面に到達するターゲット粒子の
量が不均一となり、したがって、形成される膜厚が不均
一になるといった欠点があった。
発生したターゲット粒子の濃度分布が半径方向並びに円
周方向で不均一で、しかも、ウェーハが固定されている
ため、ウェーハの膜形成面に到達するターゲット粒子の
量が不均一となり、したがって、形成される膜厚が不均
一になるといった欠点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術における欠点を除去
して、ウェーハの膜形成面に形成される膜厚を均一化で
きるスパッタ方法及び装ぼを提供することにある。
して、ウェーハの膜形成面に形成される膜厚を均一化で
きるスパッタ方法及び装ぼを提供することにある。
本発明の特徴は、対向して配設されたターゲットから発
生するターゲット粒子の濃度分布に対応してウェーハの
膜形成面を自公転並びに往復動させることにより、ウェ
ーハの膜形成面に形成される膜厚を均一化するようにし
たことにある。
生するターゲット粒子の濃度分布に対応してウェーハの
膜形成面を自公転並びに往復動させることにより、ウェ
ーハの膜形成面に形成される膜厚を均一化するようにし
たことにある。
本発明の一実施例を第３図により説明する。なお、第３
図で、第１図と同一部品等は同一符号で示し説明を省略
する。
図で、第１図と同一部品等は同一符号で示し説明を省略
する。
第３図で、ウェーハ受け１６’をターゲット１３，１４
で形成された空間に対応して自公転並びに往復動させる
装置は、ターゲット１３．１４と同心状に配設された公
転歯車受は艶と、公転歯車受は四に内周端が、例えば、
ベアリング器を介し挿設され、かつ、ウェーハ受は支持
具１５′がターグツ）１３．１４で形成された空間に対
応し同心円周上に少なくとも１個設けられた公転歯車ｎ
と、公転歯車四の外周端と噛合する公転駆動装置久と、
分板駆動歯車田を駆動する公転駆動装置（図示省略）
と、公転歯車受は鏡に公＠−車四の外局端の外側の位醒
で周設され、上端部にＶ溝を有するガイドリング冴と。
で形成された空間に対応して自公転並びに往復動させる
装置は、ターゲット１３．１４と同心状に配設された公
転歯車受は艶と、公転歯車受は四に内周端が、例えば、
ベアリング器を介し挿設され、かつ、ウェーハ受は支持
具１５′がターグツ）１３．１４で形成された空間に対
応し同心円周上に少なくとも１個設けられた公転歯車ｎ
と、公転歯車四の外周端と噛合する公転駆動装置久と、
分板駆動歯車田を駆動する公転駆動装置（図示省略）
と、公転歯車受は鏡に公＠−車四の外局端の外側の位醒
で周設され、上端部にＶ溝を有するガイドリング冴と。
ウェーハ受は支持具ｂ′に設けられた軸受５で軸支され
、ターゲット１３．１４で形成された空間に対応するウ
ェーハ受け１６′が設けられガイドリング冴の■溝に沿
って転勤可能な自転軸加と、公転歯車受は領を往復駆動
（！Ｊ３図では、上下駆動）する往復駆動装［（図示省
略）とで構成されている。公転歯車受けＩの下面には、
ベローズυがべ四−ズ７ランジ２８ｍを介し、例えば、
３個気密に配設されると共に、ベローズ器が公転駆動装
置久と同一中心軸でベローズフランジ３０ｍを介し気密
に設けられている。ベローズ４は、処理室１０の底壁昏
こ気密に設けられたカバー＆に一ベローズフランジ２８
ｂを介し気密に設けられ、ベローズ器は、処理室１０の
底壁に気密に設けられたカバー冨にベローズ器すを介し
気密に設けられている。カバー３１には、ボールネジボ
ックス羽が設けられ、ボールネジボックスあと噛合する
ボール軸あの一端がベローズフランジ２８ｍに設けられ
ている。ボール軸為の他端は、継手あを介しボールスプ
ラインのボールスプライン軸蕊に連結されている。ボー
ルスプラインのボーにスズ２インボツクスごは、おのお
の噛合し同期的に回動する歯寧田が設けられたスリーブ
Ｉに挿設されている。スリーブ器は、処１１室１０の底
壁に垂設されたプラケットψに設けられた軸受４１で軸
支されている。任意のスリーブ辞には、往復駆動装置で
回動する一率穏が設けられている。
、ターゲット１３．１４で形成された空間に対応するウ
ェーハ受け１６′が設けられガイドリング冴の■溝に沿
って転勤可能な自転軸加と、公転歯車受は領を往復駆動
（！Ｊ３図では、上下駆動）する往復駆動装［（図示省
略）とで構成されている。公転歯車受けＩの下面には、
ベローズυがべ四−ズ７ランジ２８ｍを介し、例えば、
３個気密に配設されると共に、ベローズ器が公転駆動装
置久と同一中心軸でベローズフランジ３０ｍを介し気密
に設けられている。ベローズ４は、処理室１０の底壁昏
こ気密に設けられたカバー＆に一ベローズフランジ２８
ｂを介し気密に設けられ、ベローズ器は、処理室１０の
底壁に気密に設けられたカバー冨にベローズ器すを介し
気密に設けられている。カバー３１には、ボールネジボ
ックス羽が設けられ、ボールネジボックスあと噛合する
ボール軸あの一端がベローズフランジ２８ｍに設けられ
ている。ボール軸為の他端は、継手あを介しボールスプ
ラインのボールスプライン軸蕊に連結されている。ボー
ルスプラインのボーにスズ２インボツクスごは、おのお
の噛合し同期的に回動する歯寧田が設けられたスリーブ
Ｉに挿設されている。スリーブ器は、処１１室１０の底
壁に垂設されたプラケットψに設けられた軸受４１で軸
支されている。任意のスリーブ辞には、往復駆動装置で
回動する一率穏が設けられている。
公転駆動歯車軸には、磁性シール口が積装された公転駆
動歯車軸−が設けられている。公転駆動歯車軸柄は、カ
バー諺に設けられたボールネジボックス心と噛合するボ
ール軸部の一端に継手４７を介して連接されている。ボ
ール軸赫の他端は、継手槌を介しボールスプラインのボ
ールスプライン軸−に連接されている。ボールスプライ
ンのボールスプラインボックス父は、起動並びに停止が
往復駆動装置と同期している公転駆動装置で回動する歯
車（図示省略）が設けられたスリーブ５１に挿設されて
いる。スリーブ５１は、カバー諺の下端面に垂設された
ブラケット５２に設けられた軸受田で軸支されている。
動歯車軸−が設けられている。公転駆動歯車軸柄は、カ
バー諺に設けられたボールネジボックス心と噛合するボ
ール軸部の一端に継手４７を介して連接されている。ボ
ール軸赫の他端は、継手槌を介しボールスプラインのボ
ールスプライン軸−に連接されている。ボールスプライ
ンのボールスプラインボックス父は、起動並びに停止が
往復駆動装置と同期している公転駆動装置で回動する歯
車（図示省略）が設けられたスリーブ５１に挿設されて
いる。スリーブ５１は、カバー諺の下端面に垂設された
ブラケット５２に設けられた軸受田で軸支されている。
なお、自転軸々とガイドリング冴のＶ溝との摩擦力を調
節するために、自転軸調には、軸受Ｕが設けられ、ガイ
ド１１リング必には、第３図では上下方向に長大（図示
省略）を有する軸受座間がそれぞれ設けられている。
節するために、自転軸調には、軸受Ｕが設けられ、ガイ
ド１１リング必には、第３図では上下方向に長大（図示
省略）を有する軸受座間がそれぞれ設けられている。
ウェーハ受け１６′にウェーハ１９が添装された後鉦こ
、処理！１１０は密閉され真空排気装［（図示省略）に
排気された処理室１０には、不活性ガス供給装置（図示
省略）より導管１８を経て不活性ガス、例えば、アルゴ
ンが所定量供給される。その後、電極１１．１２には、
電源、例えば、直流電源（図示省略）又は高周波電源（
図示省略）により直流又は高周波が印加され、アルゴン
はイオン化される。このイオン化したアルゴンは、ター
ゲット１３．１４に衝突し、これによりターゲット１３
．１４からはターゲット粒子が発生する。このターゲッ
ト粒子は、ウェーハ受け１６′に添装されたウェーハの
膜形成面に到達した後に凝固、付着し、これによりウェ
ーハ１９の膜形成面には、膜が形成される訳であるが、
ターゲット１３，１４から発生したターゲット粒子の濃
度分布が半径方向並びに円周方向で不均一であるため、
つ８−ハ受け１６．１．、、、テこ添装された状態でつ
一ハ１９の膜形成面をターゲット粒子の濃度分布に対応
して次のように自公転並びに、この場合は、上下動させ
る。
、処理！１１０は密閉され真空排気装［（図示省略）に
排気された処理室１０には、不活性ガス供給装置（図示
省略）より導管１８を経て不活性ガス、例えば、アルゴ
ンが所定量供給される。その後、電極１１．１２には、
電源、例えば、直流電源（図示省略）又は高周波電源（
図示省略）により直流又は高周波が印加され、アルゴン
はイオン化される。このイオン化したアルゴンは、ター
ゲット１３．１４に衝突し、これによりターゲット１３
．１４からはターゲット粒子が発生する。このターゲッ
ト粒子は、ウェーハ受け１６′に添装されたウェーハの
膜形成面に到達した後に凝固、付着し、これによりウェ
ーハ１９の膜形成面には、膜が形成される訳であるが、
ターゲット１３，１４から発生したターゲット粒子の濃
度分布が半径方向並びに円周方向で不均一であるため、
つ８−ハ受け１６．１．、、、テこ添装された状態でつ
一ハ１９の膜形成面をターゲット粒子の濃度分布に対応
して次のように自公転並びに、この場合は、上下動させ
る。
往復駆動装置で歯車社を回動させると共に、歯車あを回
動させることで、ボール紬調が上下動する。ボール軸調
が上下動すると公転歯車受け□□□も連動して上下動す
る。これによりウェーハ受け１６′は、クエーハ受は支
持具ｂ′を介し上下動し、したがって、ウェーハ受け１
６′に添装されたウェーハ１９の膜形成面は、ターゲッ
ト粒子の半径方向濃度分布に対応して上下動する。また
、公転駆動歯車＆は、公転駆動装置を駆動することで公
転歯車受け（９）と同期して上下動すると共に回動し、
それと共に、公転歯車受は加と上下動する公転歯車ηが
回動する。これによりウェーハ受け１６’は、ウェーハ
受は支持具１５’を介し回動し、したがって、ウェーハ
受け１６’に添装されたウェーハ１９の膜形成面は、タ
ーゲット粒子の円周方向濃度分布に対応して公転する。
動させることで、ボール紬調が上下動する。ボール軸調
が上下動すると公転歯車受け□□□も連動して上下動す
る。これによりウェーハ受け１６′は、クエーハ受は支
持具ｂ′を介し上下動し、したがって、ウェーハ受け１
６′に添装されたウェーハ１９の膜形成面は、ターゲッ
ト粒子の半径方向濃度分布に対応して上下動する。また
、公転駆動歯車＆は、公転駆動装置を駆動することで公
転歯車受け（９）と同期して上下動すると共に回動し、
それと共に、公転歯車受は加と上下動する公転歯車ηが
回動する。これによりウェーハ受け１６’は、ウェーハ
受は支持具１５’を介し回動し、したがって、ウェーハ
受け１６’に添装されたウェーハ１９の膜形成面は、タ
ーゲット粒子の円周方向濃度分布に対応して公転する。
更に、ウェーハ受は支持具１５’が回動することで自転
軸製はガイドリング為の■溝に沿って転動する。これ裔
こよりウェーハ受け１６′は回動し、したがって、ウェ
ーハ受け１６’に添装されたウェーハ１９の膜形成面は
、ターゲット粒子の半径方向濃度分布に対応して自転す
る。
軸製はガイドリング為の■溝に沿って転動する。これ裔
こよりウェーハ受け１６′は回動し、したがって、ウェ
ーハ受け１６’に添装されたウェーハ１９の膜形成面は
、ターゲット粒子の半径方向濃度分布に対応して自転す
る。
上記した実施例によれば、ウェーハの膜形成面をターゲ
ット粒子の半径方ｌ向並びに円周方向濃度分布に対応し
て自公転並びに上下動させるので、ターゲット粒子の半
径方向並びに円周方向濃度分布が不均一でありでもウェ
ーハの膜形成面に到達するターゲット粒子の量が均一化
し、したがって、形成される膜厚を均一化することがで
きる。
ット粒子の半径方ｌ向並びに円周方向濃度分布に対応し
て自公転並びに上下動させるので、ターゲット粒子の半
径方向並びに円周方向濃度分布が不均一でありでもウェ
ーハの膜形成面に到達するターゲット粒子の量が均一化
し、したがって、形成される膜厚を均一化することがで
きる。
本発明は、以上説明したように、ウェーハの膜形成面を
ターゲットから発生するターゲット粒子の濃度分布に対
応して自公転並びに往復動させることによって、ウェー
ハの膜形成面に膜を形成させるよう看こしたもので、タ
ーゲット粒子の濃度分布が不均一であってもウェーハの
膜形成面に到達するターゲット粒子の量を均一化できる
ので、ウェーハの膜形成面に形成される膜厚を均一化で
さる効果がある。
ターゲットから発生するターゲット粒子の濃度分布に対
応して自公転並びに往復動させることによって、ウェー
ハの膜形成面に膜を形成させるよう看こしたもので、タ
ーゲット粒子の濃度分布が不均一であってもウェーハの
膜形成面に到達するターゲット粒子の量を均一化できる
ので、ウェーハの膜形成面に形成される膜厚を均一化で
さる効果がある。
ｌ！１図は、従来のターゲット方式のスパッタ装置の縦
断面図、第２図は、その平面図、第３図は、本発明の一
実施例を示すスパッタ装置の縦断面図である。 １０・・・・・・処理室、１１．１２・・−・・電極、
１３．１４・・・・・・ターゲット、１５′・・・・
・・ウェーハ受は支持具、１６′・・・・・・クエーハ
受け、１９・・・・・・ウェー／％、２０・・・・・・
公転−車受け、４・・・・・・公転歯車、幻・・・・・
・公転駆動歯車、あ・・・ガイドリング、２５．４１．
５３．５４・・・・・・軸受、漢・・・・・・自転軸、
２７．２９−＝−ベローズ、２８ａ、２８ｂ、３０ｍ。 ３０ｂ・・・・・・ベローズフランジ、３１，３２・・
・・・・カバー、３３、４５・・・・・・ボールネジボ
ックス、３４．４６・・・・・・ボール軸、 ３５．４
７．４８・・・・・・継手、３６，４９・・・・・・ボ
ールスプライン軸、胛、５０・・・・・・ボールスプラ
インボックス、３８，４２・・・・・・歯車、３９．５
１・・−・・スリーブ、４０゜５２・・・・・・プラケ
ット、４・・・・・・磁性シール、Ｉ・・・・・・公転
駆動歯車軸、ε・・・・・・軸受座 才１図 生ｚｒｓ 刀− ％− イ１−
断面図、第２図は、その平面図、第３図は、本発明の一
実施例を示すスパッタ装置の縦断面図である。 １０・・・・・・処理室、１１．１２・・−・・電極、
１３．１４・・・・・・ターゲット、１５′・・・・
・・ウェーハ受は支持具、１６′・・・・・・クエーハ
受け、１９・・・・・・ウェー／％、２０・・・・・・
公転−車受け、４・・・・・・公転歯車、幻・・・・・
・公転駆動歯車、あ・・・ガイドリング、２５．４１．
５３．５４・・・・・・軸受、漢・・・・・・自転軸、
２７．２９−＝−ベローズ、２８ａ、２８ｂ、３０ｍ。 ３０ｂ・・・・・・ベローズフランジ、３１，３２・・
・・・・カバー、３３、４５・・・・・・ボールネジボ
ックス、３４．４６・・・・・・ボール軸、 ３５．４
７．４８・・・・・・継手、３６，４９・・・・・・ボ
ールスプライン軸、胛、５０・・・・・・ボールスプラ
インボックス、３８，４２・・・・・・歯車、３９．５
１・・−・・スリーブ、４０゜５２・・・・・・プラケ
ット、４・・・・・・磁性シール、Ｉ・・・・・・公転
駆動歯車軸、ε・・・・・・軸受座 才１図 生ｚｒｓ 刀− ％− イ１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 対向して配設されたターゲットから発生するター
ゲット粒子の濃度分布に対応して配置されたウェーハに
膜形成させる方法において、前記ウェーハの膜形成面を
前記ターゲット粒子の濃度分布に対応して自公転並びに
往復動させることを特徴とするスパッタ方法。 ２、処理室に対向して内設された電極と、該電極に接続
された電源と、前記電極に対向して配設されたターゲッ
トと、ウェーハが添装されるつ其−ハ受けと、該ウェー
ハ受けを前記ターゲ。 トで形成された空間に対応して支持するウェーハ受は支
持具とで構成された装置において、前記ウェーハ受けを
前記ウェーハ受は支持具に回とを特徴とするスパッタ装
置。 ３、前記自公転並びに往復動させる装ＷＩ士、前記ター
ゲットと同心状に配設された公転歯車受けされ、かつ、
前記ウェーハ受は支持具が設けられた公転歯車と、＃公
転歯車の外周端と噛合する公転駆動歯車と、腋公転駆動
歯車が設けられた分板駆動装置と、公転歯車受けに周設
されたガイドリングと、ウェーハ受は支持具に軸支され
前記ウェーハ受けが設けられたガイドリングを転勤可能
な自転軸と、公転歯車受けが設けられた往復駆動装置と
で構成したことを特徴とする特許請求の範囲＄２項記載
のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5660082A JPS58174577A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | スパツタ方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5660082A JPS58174577A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | スパツタ方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174577A true JPS58174577A (ja) | 1983-10-13 |
| JPS6153426B2 JPS6153426B2 (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=13031703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5660082A Granted JPS58174577A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | スパツタ方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58174577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149376A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| US20220162737A1 (en) * | 2020-11-25 | 2022-05-26 | Oem Group, Llc | Systems and methods for in-situ etching prior to physical vapor deposition in the same chamber |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106282951B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-07-06 | 河南科技大学 | 一种磁控溅射镀膜机用的基片固定夹具及使用方法 |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP5660082A patent/JPS58174577A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS=1980 * |
| IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS=1981 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149376A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| US20220162737A1 (en) * | 2020-11-25 | 2022-05-26 | Oem Group, Llc | Systems and methods for in-situ etching prior to physical vapor deposition in the same chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153426B2 (ja) | 1986-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4037932B2 (ja) | 基板回転装置及び基板回転方法 | |
| EP3327172A1 (en) | Powder coating apparatus | |
| JPH1088336A (ja) | スパッタリング装置 | |
| US3656453A (en) | Specimen positioning | |
| US2414406A (en) | Coating apparatus | |
| JPS58174577A (ja) | スパツタ方法及び装置 | |
| JP2000282234A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0688229A (ja) | 二重円筒マグネトロンに於けるスパッタリングターゲットの磁場ゾーン回転の電気制御 | |
| JPH0428860A (ja) | イオンプレーティング装置用回転テーブル | |
| JPH0350832B2 (ja) | ||
| JP3056222B2 (ja) | スパッタ装置およびスパッタ方法 | |
| CN210529047U (zh) | 一种可移动靶的溅射镀膜装置 | |
| JPH0452275A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP2015168827A (ja) | スパッタリングカソード | |
| JP2932677B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP7057430B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置用の磁石ユニット | |
| JP7158065B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP6997877B2 (ja) | スパッタリング装置及び成膜方法 | |
| JPH05140738A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH01309967A (ja) | スパッタリング用基板ホルダの駆動装置 | |
| JPH08134642A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0510464U (ja) | カルーセル型スパツタリング装置 | |
| JPH02115365A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH0317268A (ja) | 真空処理装置、及びその方法 | |
| CN117604475A (zh) | 一种半球工件镀膜加工装置及镀膜方法 |