JPS58171105A - 振幅変調器 - Google Patents
振幅変調器Info
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- JPS58171105A JPS58171105A JP57053481A JP5348182A JPS58171105A JP S58171105 A JPS58171105 A JP S58171105A JP 57053481 A JP57053481 A JP 57053481A JP 5348182 A JP5348182 A JP 5348182A JP S58171105 A JPS58171105 A JP S58171105A
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- JP
- Japan
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- transistor
- differential pair
- output
- transistors
- wave signal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/52—Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
- H03C1/54—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
- H03C1/542—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
- H03C1/545—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0004—Circuit elements of modulators
- H03C2200/0012—Emitter or source coupled transistor pairs or long tail pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0037—Functional aspects of modulators
- H03C2200/0066—Reduction of carrier leakage or the suppression of the carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0037—Functional aspects of modulators
- H03C2200/0079—Measures to linearise modulation or reduce distortion of modulation characteristics
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は振幅変調器に係シ、411に集積回路化に適し
た振幅変調器に関する。
た振幅変調器に関する。
トランジスタ回路を用いた従来の振幅変調器は、変調出
力に変調波成分が洩れるととKよって変調出力の中心レ
ベルが変動するので、変調出力をトランスなどに導いて
上記洩れ成分を打ち消している。しかし、振、幅変調器
を集積回路化などによシ小型化する場合には、前述した
ようなトランスなどを必要とし々い回路形式のものが望
ましい。
力に変調波成分が洩れるととKよって変調出力の中心レ
ベルが変動するので、変調出力をトランスなどに導いて
上記洩れ成分を打ち消している。しかし、振、幅変調器
を集積回路化などによシ小型化する場合には、前述した
ようなトランスなどを必要とし々い回路形式のものが望
ましい。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、変調出力
に変調波1号の洩れ成分を含まず、しかも変調直線性が
良い振幅変調器を提供するものである。
に変調波1号の洩れ成分を含まず、しかも変調直線性が
良い振幅変調器を提供するものである。
すなわち、本発明の振幅変調器は、ダブル74271回
路の第1の差動対トランジスタの各エミッタを共通接続
し、第2の差動対トランジスタの各エミッタはそれぞれ
抵抗を介したのち共通接続し、電流可変用の第3の差動
対トランジスタのエミッタ側を共通接続して定電流源回
路に接続し、第3の差動対トランジスタの互いに逆相の
各コレクタ電流を第1、第2の差動対トランジスタのエ
ミ、り電流源とし、変調波信号入力を前記電流可変用の
第3の差動対トランジスタに導き、搬送波信号入力を前
記第1、第2の差動対トランジスタに導くようにした4
のである。
路の第1の差動対トランジスタの各エミッタを共通接続
し、第2の差動対トランジスタの各エミッタはそれぞれ
抵抗を介したのち共通接続し、電流可変用の第3の差動
対トランジスタのエミッタ側を共通接続して定電流源回
路に接続し、第3の差動対トランジスタの互いに逆相の
各コレクタ電流を第1、第2の差動対トランジスタのエ
ミ、り電流源とし、変調波信号入力を前記電流可変用の
第3の差動対トランジスタに導き、搬送波信号入力を前
記第1、第2の差動対トランジスタに導くようにした4
のである。
したがって、第1、第2の差動対トランジスタの出力側
では、変調波信号の洩れ成分の互いに逆相の信号が合成
されて互いに打ち消し合い、搬送波成分は互いに同相の
信号が合成されるようになる。この場合、第1の差動対
トランジスタでは搬送波信号が第3の差動対トランジス
タのコレクタ電流(変調波型I5りによシ振幅変調を受
けて変調出力が現われる。しかも、この変調出力は第1
の差動対トランジスタのコレクタ電流に比例するので変
調直線性が非常に良い。
では、変調波信号の洩れ成分の互いに逆相の信号が合成
されて互いに打ち消し合い、搬送波成分は互いに同相の
信号が合成されるようになる。この場合、第1の差動対
トランジスタでは搬送波信号が第3の差動対トランジス
タのコレクタ電流(変調波型I5りによシ振幅変調を受
けて変調出力が現われる。しかも、この変調出力は第1
の差動対トランジスタのコレクタ電流に比例するので変
調直線性が非常に良い。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第1図において、11は電源vccが供給される電
源端子、12は接地端子、13は変調波信号が印加され
る変調入力端子、14は搬送波信号が印加される被変調
波入力端子、15は変調出力が導出される出力端子であ
る。16はバイアス回路であって、これは電源端子11
と接地端子12との間に直列接続された抵抗R1tRl
rRH,ダイオードDI+D1および抵抗R4と、
同じく上記端子11.12間に直列接続されたNPN形
のトランジスタQ 1+Qz 、Qsおよび抵抗R8
とから成シ、トランジスタQsのペースは抵抗RIIR
Iの接続点に接続され、トランジスタQ霊のペースは抵
抗R,,R,の接続点に接続され、トランジスタQsの
ペースは抵抗R3およびダイオードD1の接続点に接続
されている。
る。第1図において、11は電源vccが供給される電
源端子、12は接地端子、13は変調波信号が印加され
る変調入力端子、14は搬送波信号が印加される被変調
波入力端子、15は変調出力が導出される出力端子であ
る。16はバイアス回路であって、これは電源端子11
と接地端子12との間に直列接続された抵抗R1tRl
rRH,ダイオードDI+D1および抵抗R4と、
同じく上記端子11.12間に直列接続されたNPN形
のトランジスタQ 1+Qz 、Qsおよび抵抗R8
とから成シ、トランジスタQsのペースは抵抗RIIR
Iの接続点に接続され、トランジスタQ霊のペースは抵
抗R,,R,の接続点に接続され、トランジスタQsの
ペースは抵抗R3およびダイオードD1の接続点に接続
されている。
一方、17VI−ダブルバランス回路でありて、第1乃
至第3の差動対トランジスタQa e QssQs
、Qy、Qs 、Qsを有しており、同相動作を行
なうトランジスタ94 1 Q tのペース同志が共通
接続されると共にコレクタ同志が共通接続され、同相動
作を行なうトランジスタートQ−のベース同志が共通接
続されると共にコレクタ同志が共通接続されている。上
記トランジスタQi−Q・のコレクタは前記出力端子1
5に接続されると共に負荷抵抗R@を介して電源端子1
1に接続され、トランジスタQ4 、Q?のコレクタ
は負荷抵抗R?を介して電源端子11に接続されている
。また、上記トランジスタQ4 、QフおよびQ5
、Q@のペースは、対応して抵抗USおよびReを介
して前記・々イアス回路16のトランジスタQlのエミ
ッタに接続されている。さらに、上記トランジスタQ
4 +Qsのエミッタ同志は共通接続されると共に電流
可変用トランジスタQsのコレクタに接続され、前記ト
ランジスタQg+Qyの各エミッタは対応してエミ、り
抵抗R10tR11を介したのち共通接続されると共に
電流可変用トランジスタQ―のコレクタに接続される。
至第3の差動対トランジスタQa e QssQs
、Qy、Qs 、Qsを有しており、同相動作を行
なうトランジスタ94 1 Q tのペース同志が共通
接続されると共にコレクタ同志が共通接続され、同相動
作を行なうトランジスタートQ−のベース同志が共通接
続されると共にコレクタ同志が共通接続されている。上
記トランジスタQi−Q・のコレクタは前記出力端子1
5に接続されると共に負荷抵抗R@を介して電源端子1
1に接続され、トランジスタQ4 、Q?のコレクタ
は負荷抵抗R?を介して電源端子11に接続されている
。また、上記トランジスタQ4 、QフおよびQ5
、Q@のペースは、対応して抵抗USおよびReを介
して前記・々イアス回路16のトランジスタQlのエミ
ッタに接続されている。さらに、上記トランジスタQ
4 +Qsのエミッタ同志は共通接続されると共に電流
可変用トランジスタQsのコレクタに接続され、前記ト
ランジスタQg+Qyの各エミッタは対応してエミ、り
抵抗R10tR11を介したのち共通接続されると共に
電流可変用トランジスタQ―のコレクタに接続される。
上記電流可変用トランジスタQa、Qsの各ペースは抵
抗RIW・R13を介してバイアス回路16のトランジ
スタQ!のエミッタに接続され、各エミ、りは共通接続
されると共に定電流源用トランジスタQ+oおよび抵抗
R目を直列に介して接地され、上記定電流源用トランジ
スタQteのペースは/々イアス回路16のトランジス
タQsのエミッタに接続されている。
抗RIW・R13を介してバイアス回路16のトランジ
スタQ!のエミッタに接続され、各エミ、りは共通接続
されると共に定電流源用トランジスタQ+oおよび抵抗
R目を直列に介して接地され、上記定電流源用トランジ
スタQteのペースは/々イアス回路16のトランジス
タQsのエミッタに接続されている。
なお、前記負荷抵抗R@ r Ryはそれぞれ抵抗値
が勢しく、また前記エミ、り抵抗R1゜。
が勢しく、また前記エミ、り抵抗R1゜。
R11はそれぞれの抵抗値が等しい・
而して、上記構成の振幅変調器において、定電流源用ト
ランジスタQloには一定電流が流れ、この一定電流は
電流可変用トランジスタQ、。
ランジスタQloには一定電流が流れ、この一定電流は
電流可変用トランジスタQ、。
Q−に分流し、一方の電流可変用トランジスタQ−の電
流は第1の差動対トランジスタQ4 。
流は第1の差動対トランジスタQ4 。
Qsに分流し、他方の電流可変用トランジスタQ9の電
流は第2の差動対トランジスタQ・ 。
流は第2の差動対トランジスタQ・ 。
Q7に分流している。そして、電流可変用トランジスタ
Qs 、Qeはエミ、りが共通接続されておシ、これ
らのトランジスタQs=Q會のペースバイアス供給源で
ある/ぐイアス回路16のトランジスタQ鵞のエミ、り
は低インピーダンスとなっているので、変調波信号入力
は上記トランジスタQs ・Qe Kよシ差動増幅さ
れ、それぞれのコレクタには互いに逆相の変調波電流が
流れる。ところが、負荷抵抗R,には、一方の電流可変
用トランジスタQmからトランジスタQ11に分流する
電流およびこれとは逆相に他方の電流可変用トランジス
タQ1からトランジスタQ・に分流する電流が流れるの
で、これらの互いに逆相の電流が打ち消し合って変調波
信号の洩れ成分は現われない。同様に1負荷抵抗R7に
も互いに逆相の変調波電流が流れるが、やはシ打ち消し
合って現われない。
Qs 、Qeはエミ、りが共通接続されておシ、これ
らのトランジスタQs=Q會のペースバイアス供給源で
ある/ぐイアス回路16のトランジスタQ鵞のエミ、り
は低インピーダンスとなっているので、変調波信号入力
は上記トランジスタQs ・Qe Kよシ差動増幅さ
れ、それぞれのコレクタには互いに逆相の変調波電流が
流れる。ところが、負荷抵抗R,には、一方の電流可変
用トランジスタQmからトランジスタQ11に分流する
電流およびこれとは逆相に他方の電流可変用トランジス
タQ1からトランジスタQ・に分流する電流が流れるの
で、これらの互いに逆相の電流が打ち消し合って変調波
信号の洩れ成分は現われない。同様に1負荷抵抗R7に
も互いに逆相の変調波電流が流れるが、やはシ打ち消し
合って現われない。
一方、第1の差動対トランジスタQa 、Qmおよび
第2の差動対トランジスタQa=Q丁のペースバイアス
供給源である〜バイアス回路16のトランジスタQlの
エミ、りは低インピーダンスとなりておシ、搬送波信号
入力は第1.第27)fm対)ランジスタによシそれぞ
れ差動増幅される。この場合、第1の差動対トランジス
タQa+Qsにおいては、その工(ツタ電流源でおるト
ランジスタQsのコレクタ電流(変調波電流)によって
前記搬送波信号が振幅変調を受け、との変調された電流
が負荷抵抗R6。
第2の差動対トランジスタQa=Q丁のペースバイアス
供給源である〜バイアス回路16のトランジスタQlの
エミ、りは低インピーダンスとなりておシ、搬送波信号
入力は第1.第27)fm対)ランジスタによシそれぞ
れ差動増幅される。この場合、第1の差動対トランジス
タQa+Qsにおいては、その工(ツタ電流源でおるト
ランジスタQsのコレクタ電流(変調波電流)によって
前記搬送波信号が振幅変調を受け、との変調された電流
が負荷抵抗R6。
R,に流れる。これに対して、第2の差動対トランジス
タQ@ 、Q?においては、工之ツタ抵抗R1゜の値
がトランジスタQ6のエミッタ抵抗またエミ、り抵抗R
11O値がトランジスタQyのエミ、り抵抗上より充分
高くなるように回m 路定数が選ばれているので、そのエミッタ電流源である
トランジスタQ9のコレクタ電流(変調波型I5りが変
化しても搬送波信号は変調を受けない。そして、トラン
ジスタQ−の搬送波出力は、これと同相であって振幅変
調を受けている前記トランジスタQiの変調出力と共に
負荷抵抗R6で合成される。同様にトランジスタQtの
搬送波出力は、これと同相であって振幅変調を受けてい
る前記トランジスタQa(Da調比出力共に負荷抵抗8
丁で合成される。
タQ@ 、Q?においては、工之ツタ抵抗R1゜の値
がトランジスタQ6のエミッタ抵抗またエミ、り抵抗R
11O値がトランジスタQyのエミ、り抵抗上より充分
高くなるように回m 路定数が選ばれているので、そのエミッタ電流源である
トランジスタQ9のコレクタ電流(変調波型I5りが変
化しても搬送波信号は変調を受けない。そして、トラン
ジスタQ−の搬送波出力は、これと同相であって振幅変
調を受けている前記トランジスタQiの変調出力と共に
負荷抵抗R6で合成される。同様にトランジスタQtの
搬送波出力は、これと同相であって振幅変調を受けてい
る前記トランジスタQa(Da調比出力共に負荷抵抗8
丁で合成される。
したがって、出力端子15には、変調波信号入力によっ
て搬送波信号入力が振幅変調を受けた変調出力が現われ
、またここKは変調波信号の洩れ成分が現われないので
、変調出方の中心レベルは変動しない。しかも、上記回
路の変調動作は、第1の差動対トランジスタQ4 、
Qlの相互コンダクタンスを変化させてお)、この相互
コンダクタンスはコレクタ電流に一次の形で比例してい
るため、非常に良い変調直線性が得られる。
て搬送波信号入力が振幅変調を受けた変調出力が現われ
、またここKは変調波信号の洩れ成分が現われないので
、変調出方の中心レベルは変動しない。しかも、上記回
路の変調動作は、第1の差動対トランジスタQ4 、
Qlの相互コンダクタンスを変化させてお)、この相互
コンダクタンスはコレクタ電流に一次の形で比例してい
るため、非常に良い変調直線性が得られる。
なお、本発明は上記実施例に限られるものではなく、ト
ランジスタQsのペース電圧を固定し、トランジスタQ
sのペースに変調波信号入力を印加してもよく、また上
記トランジスタQs=Q−の差動入力として変調波信号
入力を印加するようKしてもよい。
ランジスタQsのペース電圧を固定し、トランジスタQ
sのペースに変調波信号入力を印加してもよく、また上
記トランジスタQs=Q−の差動入力として変調波信号
入力を印加するようKしてもよい。
また、上記実施例は片側入力片側出力形式の回路を示し
たが、差動入力差動出力形式の回路に変更してもよい。
たが、差動入力差動出力形式の回路に変更してもよい。
さらに、トランジスタQs 、Qsそれぞれのベース
自エミ、り間電圧にばらつきがあると、トランジスタQ
@ 、Qeのペース電圧相互間にオフセットが生じて差
動対トランジスタQ4+Q6およびQ’g、Q?の電流
比が変化するので、このオフセットを防止する介めに第
2図に示すようにトランジスタQs 、Q・それぞれ
のエミ、りに抵抗R1glR11gを挿入し、この抵抗
R11lR宜6の各一端を定電流源用トランジスタQt
oに共通接続するようにしてもよい、このようにして、
抵抗RII I Rtsの電圧降下がトランジスタQs
−Qeのペース・エミ、り間電圧に比べて大きくなるよ
うにしておけば、ペース・工ξ。
自エミ、り間電圧にばらつきがあると、トランジスタQ
@ 、Qeのペース電圧相互間にオフセットが生じて差
動対トランジスタQ4+Q6およびQ’g、Q?の電流
比が変化するので、このオフセットを防止する介めに第
2図に示すようにトランジスタQs 、Q・それぞれ
のエミ、りに抵抗R1glR11gを挿入し、この抵抗
R11lR宜6の各一端を定電流源用トランジスタQt
oに共通接続するようにしてもよい、このようにして、
抵抗RII I Rtsの電圧降下がトランジスタQs
−Qeのペース・エミ、り間電圧に比べて大きくなるよ
うにしておけば、ペース・工ξ。
声量電圧のばらつきが見掛は上小さくなシ、オフセット
が殆んど生じない、また、上記抵抗R111,R1@に
代えてそれぞれダイオードを用いるようにしてもよい。
が殆んど生じない、また、上記抵抗R111,R1@に
代えてそれぞれダイオードを用いるようにしてもよい。
なお、第2図、第1図と同一部分は同一符号を付してそ
の説明を省略する。
の説明を省略する。
上述したように本発明の振幅変調器によれば、変調出力
に変調波信号の洩れ成分を含まないので、従来必要とし
た洩れ成分除去用のトランス々どが不要となシ、集積回
路化などによる小型化に好適である。しかも、変調直−
性が良いので高性能変調器として適用範囲が広い。
に変調波信号の洩れ成分を含まないので、従来必要とし
た洩れ成分除去用のトランス々どが不要となシ、集積回
路化などによる小型化に好適である。しかも、変調直−
性が良いので高性能変調器として適用範囲が広い。
第1図は本発明に係る振幅変調器の一実施例を示す回路
図、第2図は同じく他の実施例を示す回路図である。 Q4〜Ql(+・・・トランジスタ、R,、R7・・・
負荷抵抗、R1゜、R11・・・抵抗、13・・・変調
入力端子、14・・・被変ll波入力端子、15・・・
出力端子。 第1図
図、第2図は同じく他の実施例を示す回路図である。 Q4〜Ql(+・・・トランジスタ、R,、R7・・・
負荷抵抗、R1゜、R11・・・抵抗、13・・・変調
入力端子、14・・・被変ll波入力端子、15・・・
出力端子。 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 搬送波信号入力が導かれる第1の差動対トランジスタQ
41Ql と、同じく上記搬送波信号入力が導かれる第
2の差動対トランジスタQ@。 Q7と、これらの差動対トランジスタのうち同相動作を
するトランジスタQ a * Q yの各コレクタお
よびトランジスタQg 、Q@の各コレクタにそれぞ
れ接続される負荷抵抗と、前記第1の差動対トランジス
タの各エミッタにコレクタが接続される電流可変用トラ
ンジスタQ−と、前記第2の差動対トランジスタの各エ
ミ、りにそれぞれ一端側が接続され他端側か一括接続さ
れ第2の差動対トランジスタのエミ、り抵抗よシ充分大
救い値の抵抗と、この抵抗の一括接続点にコレクタが接
続されペースと前記トランジスタQ8のベースとの関に
変調波信号入力が印加される電流可変用トランジスタQ
・と、これらの電流可変用トランジスタ。s+Q・のエ
ミッタ側共通接続点に接続される定電流源回路とを具備
することを特徴とする振幅変調器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053481A JPS58171105A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 振幅変調器 |
EP83102834A EP0090329B1 (en) | 1982-03-31 | 1983-03-22 | Amplitude modulator |
DE8383102834T DE3361264D1 (en) | 1982-03-31 | 1983-03-22 | Amplitude modulator |
US06/480,005 US4547752A (en) | 1982-03-31 | 1983-03-29 | Amplitude modulator with three differential transistor pairs |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053481A JPS58171105A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 振幅変調器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171105A true JPS58171105A (ja) | 1983-10-07 |
JPH0239881B2 JPH0239881B2 (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12944030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57053481A Granted JPS58171105A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 振幅変調器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4547752A (ja) |
EP (1) | EP0090329B1 (ja) |
JP (1) | JPS58171105A (ja) |
DE (1) | DE3361264D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0165364B1 (fr) * | 1984-06-20 | 1988-09-07 | International Business Machines Corporation | Procédé de standardisation et de stabilisation de tranches semiconductrices |
JPS61177006A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-08 | Sony Corp | Am変調器 |
EP0451372B1 (en) * | 1990-04-13 | 1994-08-17 | BELL TELEPHONE MANUFACTURING COMPANY Naamloze Vennootschap | Modulator circuit |
DE69315553T2 (de) * | 1993-03-16 | 1998-05-20 | Alsthom Cge Alcatel | Differenzverstärkeranordnung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5360552A (en) * | 1976-11-12 | 1978-05-31 | Nec Corp | Modulator or demodulator |
JPS571926A (en) * | 1980-06-04 | 1982-01-07 | Hitachi Ltd | Diagnosis apparatus for vibration of rotary apparatus |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3550040A (en) * | 1968-05-31 | 1970-12-22 | Monsanto Co | Double-balanced modulator circuit readily adaptable to integrated circuit fabrication |
JPS5537121B2 (ja) * | 1974-05-30 | 1980-09-26 | ||
JPS5544222A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-28 | Hitachi Denshi Ltd | Modulation system |
JPS5657313A (en) * | 1979-10-16 | 1981-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Balanced modulator |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053481A patent/JPS58171105A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-22 EP EP83102834A patent/EP0090329B1/en not_active Expired
- 1983-03-22 DE DE8383102834T patent/DE3361264D1/de not_active Expired
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