JPS58171004A - 半導体光導波路装置 - Google Patents
半導体光導波路装置Info
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- JPS58171004A JPS58171004A JP5327982A JP5327982A JPS58171004A JP S58171004 A JPS58171004 A JP S58171004A JP 5327982 A JP5327982 A JP 5327982A JP 5327982 A JP5327982 A JP 5327982A JP S58171004 A JPS58171004 A JP S58171004A
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- substrate
- optical waveguide
- semiconductor optical
- znse
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/131—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using epitaxial growth
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・発明の技術分野
本発明は、半導体を用いた先導波路装置に関するもので
ある。
ある。
従来技術と問題点
従来のこの稲光導波路装置Ｉは、エポキシやボリクレタ
ンなどの有識材料、ガラス材料あるいはＬｉＮ４０ａや
ＧｍＡＩＡｚ／ＧｍＡａヘテロ構造などの単結晶で製作
されていた。しかし、有機材料では熱的、化学的安定性
の点で問題が残されており、ガラス材料やＬ番ＮｈＯａ
では材料製造技術に問題が残されており、さらに半導体
製造分野ですでに確立されている加工技術の適用が難し
いという欠点も有していた。有機材、料、ガラス材料あ
るいはＬｉＮｂ０．などの誘電体材料では、先導波路装
置や光変調器などの周辺素子として必要不可決な半導体
レーザや受光−子などの半導体素子との集積化が不可能
であるという致命的な欠点も有していた。ＧａＡＩＪｂ
／ＧａＡｚヘテロ構造結晶は半導体である為、上述の集
積化が可能であるが、化学的４：不安定なＡｔ元素を含
むため１：信頼性４：問題があったり、基板結晶のＧｇ
Ａｌとの屈折率差を大きくとれないという欠点もあった
。屈折率差を任意Ｃ；大きくとれないという点では、従
来のガラス材料や誘電体材料Ｉ：も共通する欠点である
。
ンなどの有識材料、ガラス材料あるいはＬｉＮ４０ａや
ＧｍＡＩＡｚ／ＧｍＡａヘテロ構造などの単結晶で製作
されていた。しかし、有機材料では熱的、化学的安定性
の点で問題が残されており、ガラス材料やＬ番ＮｈＯａ
では材料製造技術に問題が残されており、さらに半導体
製造分野ですでに確立されている加工技術の適用が難し
いという欠点も有していた。有機材、料、ガラス材料あ
るいはＬｉＮｂ０．などの誘電体材料では、先導波路装
置や光変調器などの周辺素子として必要不可決な半導体
レーザや受光−子などの半導体素子との集積化が不可能
であるという致命的な欠点も有していた。ＧａＡＩＪｂ
／ＧａＡｚヘテロ構造結晶は半導体である為、上述の集
積化が可能であるが、化学的４：不安定なＡｔ元素を含
むため１：信頼性４：問題があったり、基板結晶のＧｇ
Ａｌとの屈折率差を大きくとれないという欠点もあった
。屈折率差を任意Ｃ；大きくとれないという点では、従
来のガラス材料や誘電体材料Ｉ：も共通する欠点である
。
Ｉ ｓ １−２ＧａｚＡｚ ｙＰｌ −ｙ／ＩｎＦ へ
テロ構造結晶は、１戸罵帯の発光、受光素子のみならず
光集積回路の材料としても重要であり、最近盛んに研究
されている。
テロ構造結晶は、１戸罵帯の発光、受光素子のみならず
光集積回路の材料としても重要であり、最近盛んに研究
されている。
光集積回路の実現−二は光導波路や変調器が不可欠であ
るが、この１％１−２ Ｇａ３Ａ＃ ｙＰｌ−３ｙ’Ｉ
ｍ？ヘテロ構造結晶での報告例は非常６：少ない。また
例え、この材料で先導波路、などの光回路を構成しても
、格子整合の条件から禁制帯エネルギーの大きなＺｓｌ
−ｚＧすＡＩｙＰｌ−ｙ結晶を得ることができず、こ
のため０．９２声島以下の短波長の光に対しては伝搬損
失が大きすぎて使用不可である。従って現在盛ん６；研
究されているＧａＡＩＡ＃／Ｇ＠Ａ＃レーずの光も使Ｊ
＠ネ可となる欠点を有している。
るが、この１％１−２ Ｇａ３Ａ＃ ｙＰｌ−３ｙ’Ｉ
ｍ？ヘテロ構造結晶での報告例は非常６：少ない。また
例え、この材料で先導波路、などの光回路を構成しても
、格子整合の条件から禁制帯エネルギーの大きなＺｓｌ
−ｚＧすＡＩｙＰｌ−ｙ結晶を得ることができず、こ
のため０．９２声島以下の短波長の光に対しては伝搬損
失が大きすぎて使用不可である。従って現在盛ん６；研
究されているＧａＡＩＡ＃／Ｇ＠Ａ＃レーずの光も使Ｊ
＠ネ可となる欠点を有している。
発明の目的
本発明の目的は、化学的４二安定で信頼性が高く、先生
導体素子との集積化６：適し、かつ可視光から赤外光に
亘る広い波長範囲で使用可能な半導体先導波路装置を提
供すること感；ある。
導体素子との集積化６：適し、かつ可視光から赤外光に
亘る広い波長範囲で使用可能な半導体先導波路装置を提
供すること感；ある。
発明の構成
上記の目的は、ｚｓＳ−結晶及びこれと略々格子整合し
たエビタキＶヤル成長ＩＮ、 −、ＧすＡＩｙＰ１−ｙ
結晶のへテロ構造から成る本発明の先導波路装［１：よ
って達成される。
たエビタキＶヤル成長ＩＮ、 −、ＧすＡＩｙＰ１−ｙ
結晶のへテロ構造から成る本発明の先導波路装［１：よ
って達成される。
発明の実施例
先導波路や光度調器を製作する６二は、材料中１＝屈折
率の異なる領域をもうける必要があり、そのため−二は
材料の一部分に不純物を導入して屈折率を変えたり、あ
るいは異種材料を堆積させたり結晶成長させたりしなけ
ればならない。第１図は本１４ 明１： 用イ４Ｅ）
Ｉｆ −ａｙＧｇｘＡｊｙＰｌ−ｙ結晶の組成比’ＩＦ
をＺＦ＆Ｓ−基板１二格子整合するように変化させたと
ｆｋ’Ｑｆ％ １−３Ｇ＠ｚＡＩ ｙＰｌ −ｙ結晶の
禁制帯エネルギーを組成比ｙｃ対してプロットしたもの
である。すなわち、Ｉｎ１−３ＧａｚＡｚ ｙＰｌ−ｙ
結晶の組成比ｙを変化させ、このときこの結晶の格子定
数がＺＷｈＳ−結晶の格子定数５．６６８１と等しくな
るよう４＝ｌｉｉ成比Ｓを変えたときの、禁制帯エネル
ギーを組成比ｙｃ対１してプロットしたものである。先
導波路あるいは光変調器として使用可能となる光は、こ
の禁制帯エネルギー感＝対応した波長以上の長波長の光
であり、従って図より０．６５声富以上の波長の光を導
波できることがわかる。０．６５μ欝の波長は可視光で
あり、従って可視光の先導波路が可能となる。基板＋：
ＩＭＰ （格子定数５．８６９Ａ ）を用いた従来例
では、上記格子整合の条件から禁制帯エネルギーの最大
値が制限され、可視光を導波できない。
率の異なる領域をもうける必要があり、そのため−二は
材料の一部分に不純物を導入して屈折率を変えたり、あ
るいは異種材料を堆積させたり結晶成長させたりしなけ
ればならない。第１図は本１４ 明１： 用イ４Ｅ）
Ｉｆ −ａｙＧｇｘＡｊｙＰｌ−ｙ結晶の組成比’ＩＦ
をＺＦ＆Ｓ−基板１二格子整合するように変化させたと
ｆｋ’Ｑｆ％ １−３Ｇ＠ｚＡＩ ｙＰｌ −ｙ結晶の
禁制帯エネルギーを組成比ｙｃ対してプロットしたもの
である。すなわち、Ｉｎ１−３ＧａｚＡｚ ｙＰｌ−ｙ
結晶の組成比ｙを変化させ、このときこの結晶の格子定
数がＺＷｈＳ−結晶の格子定数５．６６８１と等しくな
るよう４＝ｌｉｉ成比Ｓを変えたときの、禁制帯エネル
ギーを組成比ｙｃ対１してプロットしたものである。先
導波路あるいは光変調器として使用可能となる光は、こ
の禁制帯エネルギー感＝対応した波長以上の長波長の光
であり、従って図より０．６５声富以上の波長の光を導
波できることがわかる。０．６５μ欝の波長は可視光で
あり、従って可視光の先導波路が可能となる。基板＋：
ＩＭＰ （格子定数５．８６９Ａ ）を用いた従来例
では、上記格子整合の条件から禁制帯エネルギーの最大
値が制限され、可視光を導波できない。
第２図は、光導波路、光変調器の重要な設計パラメータ
である１８１−ｇＧ＠ｚＡＩｙＰ１−ｙとｊｉｎｓ−と
の屈折率差を光エネルギー虐；対してプロットしたもの
である。図中のΔ魯は１＊１−ｇＧａｚＡｇＰｌ−１の
屈折率％１とｊｌｎｓａの屈折率、との蓋、すなわち６
１１ｍ１ｌ、−町である。広範題のｙ値−二亘って十分
な大きさの屈折率Δ鴇が実現できることが判る。
である１８１−ｇＧ＠ｚＡＩｙＰ１−ｙとｊｉｎｓ−と
の屈折率差を光エネルギー虐；対してプロットしたもの
である。図中のΔ魯は１＊１−ｇＧａｚＡｇＰｌ−１の
屈折率％１とｊｌｎｓａの屈折率、との蓋、すなわち６
１１ｍ１ｌ、−町である。広範題のｙ値−二亘って十分
な大きさの屈折率Δ鴇が実現できることが判る。
第５図は、本発明４：よるＩ’ｌｈ １−ｘＧ＠ｓＡＩ
ｙＰ＜ −ｙ’Ｚｖｈｓａへテロ構造結晶を用いた光
導波路の例である。（ａ）は盛土形、（勾はりフジ形、
（Ｃ）は平凸形、（ｄ）は拡散形、（−）は埋込形であ
る。図中の１は７ｓｌ −、ＧすＡＩｙＰ、−、＃ ２
はｚ＊ｓａ 、（ｅ）及び（−）ｇ中の５はＪＩＳｓ−
または１のＩｓ １−ｇＧ＠ＨＡｓ ｙ Ｐｌ−１より
も禁制帯エネルギーの大きい（すなわちｙの値の小さい
） ｌ５１−、Ｇｇ。
ｙＰ＜ −ｙ’Ｚｖｈｓａへテロ構造結晶を用いた光
導波路の例である。（ａ）は盛土形、（勾はりフジ形、
（Ｃ）は平凸形、（ｄ）は拡散形、（−）は埋込形であ
る。図中の１は７ｓｌ −、ＧすＡＩｙＰ、−、＃ ２
はｚ＊ｓａ 、（ｅ）及び（−）ｇ中の５はＪＩＳｓ−
または１のＩｓ １−ｇＧ＠ＨＡｓ ｙ Ｐｌ−１より
も禁制帯エネルギーの大きい（すなわちｙの値の小さい
） ｌ５１−、Ｇｇ。
ＡＩｙＰｌ−ｙであり、（ｊ）図中の４は７ｓ１−３Ｇ
＠ｚＡＩ ｙＰｌ−ｙｌの一部１；不純物を導入して屈
折率を大きくした領域である。光導波路の条件として、
第Ｓ図の１％１−ａｌＧａｘＡＩ ｙＰ １−ｙ １
（Ｄ 材料（Ｄ １ｊＡ 折率力、１％８ｍ ２ ア４
イは２％Ｓ−等３の材料の屈折率よりも大きくなけれ
ばならないが、これは第２図からも明らかなよう６二容
易４；満たすことができる条件である。
＠ｚＡＩ ｙＰｌ−ｙｌの一部１；不純物を導入して屈
折率を大きくした領域である。光導波路の条件として、
第Ｓ図の１％１−ａｌＧａｘＡＩ ｙＰ １−ｙ １
（Ｄ 材料（Ｄ １ｊＡ 折率力、１％８ｍ ２ ア４
イは２％Ｓ−等３の材料の屈折率よりも大きくなけれ
ばならないが、これは第２図からも明らかなよう６二容
易４；満たすことができる条件である。
第４図は本発明を光変調器−二応用した場合の一例であ
り、５はＩｎ１−２ＧａｚＡ＃ｙＰ１−ｙ結晶、６はｊ
ｌ絡ｓａ結晶、７はオーミック電極、８は変調器用の電
極であり、また図中の矢印は光波である。この場合、Ｚ
−一結晶の基板６として低抵抗のものを使用する。
り、５はＩｎ１−２ＧａｚＡ＃ｙＰ１−ｙ結晶、６はｊ
ｌ絡ｓａ結晶、７はオーミック電極、８は変調器用の電
極であり、また図中の矢印は光波である。この場合、Ｚ
−一結晶の基板６として低抵抗のものを使用する。
光度−を効率よくおこなうためには、 １ｓ１−ａｙＧ
ｇｘＡｊｙＰｌ−ｙ結晶５を高抵抗にして変調器用の電
極８をオーミック電極とするか、あるいは低抵抗４二し
て電流を流れやすくしたり、ｌ５１−、Ｇａ！ＡｚｙＰ
１−ｙ結晶５の領域５二ｐ −ｓ接合を形成してこの接
合の逆バイアス電界−二よる電気光学効果を利用しても
よい。
ｇｘＡｊｙＰｌ−ｙ結晶５を高抵抗にして変調器用の電
極８をオーミック電極とするか、あるいは低抵抗４二し
て電流を流れやすくしたり、ｌ５１−、Ｇａ！ＡｚｙＰ
１−ｙ結晶５の領域５二ｐ −ｓ接合を形成してこの接
合の逆バイアス電界−二よる電気光学効果を利用しても
よい。
この素子の使用可能な波長領域は１％１−１ｔＧ＃ｚＪ
ＬＩｙＰ１−ｙ結晶５のＡ＃組成比ｙで決定され、第１
図で示したごと（０，６５μ講以上の可視光から赤外光
までの広い範囲で可能となる。
ＬＩｙＰ１−ｙ結晶５のＡ＃組成比ｙで決定され、第１
図で示したごと（０，６５μ講以上の可視光から赤外光
までの広い範囲で可能となる。
ｖｉｈｓ図（１）の装置の製造オ法を説明する。まず高
圧溶融法で育成したＺｓＳ−結晶を基板方向が（００１
）となるよう４：切出して表面研磨を行ない、引続いて
塩酸と銅鍍の１対１混液で約１分間エツチングを行なう
ことＣ：より、ＺｎＳ−結晶の基板２を作成する。次Ｃ
：、このｊ１ｍｓｍ結晶の基板２を２Ｘ１０−’程度以
上の高真空中４：おいて、基板温度を４５０’Ｃ±１５
０”Ｃの範囲１：保ち、分子線エビタキシヤｉ法で基板
２の上Ｃ１μｍ１１程度の成長適度で、ｌ１ｈ１−２Ｇ
ＩＸｓＡＩｙＰ、−ｙ結晶１を１〜５声鵬の厚み４：成
長させる。組成比ＸとｙはＩｓ 、 Ｇａ 、 Ａ＃及
びＰの分子線強度比４＝より、Ｚ％Ｓ−結晶基板との格
子整合カド可能な組合せの範囲内で所望の値６；設定す
る。−例として、：Ｉ：α１．０及びｙｃ＝′１．０の
場合の結晶、すなわちＧｇＡｚ結晶な王妃の条件のもと
で成長させまた。引続き、慣用のホトエツチング手法に
よりホトレジストのエツチングマスクを成長層上Ｃ；形
成し、硫ｊｌｓ過鹸化水素水８水−１冨１：３の混液−
二よりエツチングを行ない、成員層の周辺部を除去し、
１１５図（−）の構造の先導波路装置を作成した。この
よう１ニジて得た先導波路装置は、波長ＩＪｐＩＢの半
導体レーデ光を十分導波し、所望の特性な賓することを
確認した。なお分子線エビタキＶヤル法に代えて液相エ
ピタキシャルによりＩｓ １−５１−５Ｇ＃ｙＰ１−ｙ
結晶を成長させることもできる。
圧溶融法で育成したＺｓＳ−結晶を基板方向が（００１
）となるよう４：切出して表面研磨を行ない、引続いて
塩酸と銅鍍の１対１混液で約１分間エツチングを行なう
ことＣ：より、ＺｎＳ−結晶の基板２を作成する。次Ｃ
：、このｊ１ｍｓｍ結晶の基板２を２Ｘ１０−’程度以
上の高真空中４：おいて、基板温度を４５０’Ｃ±１５
０”Ｃの範囲１：保ち、分子線エビタキシヤｉ法で基板
２の上Ｃ１μｍ１１程度の成長適度で、ｌ１ｈ１−２Ｇ
ＩＸｓＡＩｙＰ、−ｙ結晶１を１〜５声鵬の厚み４：成
長させる。組成比ＸとｙはＩｓ 、 Ｇａ 、 Ａ＃及
びＰの分子線強度比４＝より、Ｚ％Ｓ−結晶基板との格
子整合カド可能な組合せの範囲内で所望の値６；設定す
る。−例として、：Ｉ：α１．０及びｙｃ＝′１．０の
場合の結晶、すなわちＧｇＡｚ結晶な王妃の条件のもと
で成長させまた。引続き、慣用のホトエツチング手法に
よりホトレジストのエツチングマスクを成長層上Ｃ；形
成し、硫ｊｌｓ過鹸化水素水８水−１冨１：３の混液−
二よりエツチングを行ない、成員層の周辺部を除去し、
１１５図（−）の構造の先導波路装置を作成した。この
よう１ニジて得た先導波路装置は、波長ＩＪｐＩＢの半
導体レーデ光を十分導波し、所望の特性な賓することを
確認した。なお分子線エビタキＶヤル法に代えて液相エ
ピタキシャルによりＩｓ １−５１−５Ｇ＃ｙＰ１−ｙ
結晶を成長させることもできる。
第３図（ｈ）のような構造とするには、基板２上にこれ
と同一幅のｌ５ｌ−３ＧａｚＡＩｙＰ１−１結晶１を成
長させたのち、エツチングにより周辺部の縦方向の一部
を除去すればよい。第６図（Ｃ）のような構造とするに
は、Ｚｆ＆Ｓ−結晶の基板２１：予めエツチング（：よ
り溝を形成したのち、分子線エビタキＶヤル法６；より
格子整合したＩｎ１−２ＧａｚＡ＃ｙＰ１−ｙ結晶１を
成長させ、引続いて分子線強度比を変頁すること（：よ
り、結晶１よりもｙの値が小さなＩ絡１．４ＧａｚＡｚ
ｙｐ１−ｙ結晶３を成長させればよい。第３図（ｔＬＬ
（＃）の構造も、慣用のオートエツチングと、不純物ド
ーピング技術６二より形成できる。
と同一幅のｌ５ｌ−３ＧａｚＡＩｙＰ１−１結晶１を成
長させたのち、エツチングにより周辺部の縦方向の一部
を除去すればよい。第６図（Ｃ）のような構造とするに
は、Ｚｆ＆Ｓ−結晶の基板２１：予めエツチング（：よ
り溝を形成したのち、分子線エビタキＶヤル法６；より
格子整合したＩｎ１−２ＧａｚＡ＃ｙＰ１−ｙ結晶１を
成長させ、引続いて分子線強度比を変頁すること（：よ
り、結晶１よりもｙの値が小さなＩ絡１．４ＧａｚＡｚ
ｙｐ１−ｙ結晶３を成長させればよい。第３図（ｔＬＬ
（＃）の構造も、慣用のオートエツチングと、不純物ド
ーピング技術６二より形成できる。
発明の詳細
な説明したよう１；、１％ １−３ＧＩＩＬｚＡＩｙＰ
１−ｙ／Ｚ％Ｓ−のヘテロ構造結晶−二より、０．６５
μ罵以上の可視光から赤外光までの広い波長範囲の光の
導波路、変調器が可能となる。また、本発明（：よる材
料は半導体材料であることから、半導体レーデなどの光
源や受光素子などとの集積化も期待される。さら４：、
ＧａＡＩＡｚ ｃおけるＡｔ元素などの化学的櫨；不
安定な元素を含まないため、信頼性、安定性−二価れた
素子が可能となる。
１−ｙ／Ｚ％Ｓ−のヘテロ構造結晶−二より、０．６５
μ罵以上の可視光から赤外光までの広い波長範囲の光の
導波路、変調器が可能となる。また、本発明（：よる材
料は半導体材料であることから、半導体レーデなどの光
源や受光素子などとの集積化も期待される。さら４：、
ＧａＡＩＡｚ ｃおけるＡｔ元素などの化学的櫨；不
安定な元素を含まないため、信頼性、安定性−二価れた
素子が可能となる。
第１図、第２図は本発明の構成を説明するための概念図
、ｉＩｓ図、第４図は本発明の構成の一例を示す装置の
斜視図である。 １ 、５−１ｎ１−、Ｇａ、Ａｘ、Ｐ、−、結晶、２
、６ ＝−１；＊Ｓａ結晶、５・・・ＺｓＳ−結晶等、
４・・・不純物導入部分、７．８・・・電極。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 玉蟲久五部（外５名）第１図 １２１ 光エネルギ−［ｅＶ） １３ 図
、ｉＩｓ図、第４図は本発明の構成の一例を示す装置の
斜視図である。 １ 、５−１ｎ１−、Ｇａ、Ａｘ、Ｐ、−、結晶、２
、６ ＝−１；＊Ｓａ結晶、５・・・ＺｓＳ−結晶等、
４・・・不純物導入部分、７．８・・・電極。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 玉蟲久五部（外５名）第１図 １２１ 光エネルギ−［ｅＶ） １３ 図
Claims (1)
- Ｚ露Ｓ−結晶及び該２％Ｓ−結晶と略々格子整合したエ
ピタキシャル成長” １−ｘＧａｚＡａ ｙＰｌ −ｙ
（（１≦１≦１．０．０≦ｙ≦１．０）結晶とのへテ
ロ構造結晶４；より構成したことを特徴とする半導体先
導波路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327982A JPS58171004A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体光導波路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327982A JPS58171004A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体光導波路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171004A true JPS58171004A (ja) | 1983-10-07 |
Family
ID=12938292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5327982A Pending JPS58171004A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体光導波路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837345A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-22 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5327982A patent/JPS58171004A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837345A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-22 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
| US5983672A (en) * | 1996-09-30 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
| US6269661B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-08-07 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
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