JPS58169012A - 表面欠陥検出装置 - Google Patents

表面欠陥検出装置

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Publication number
JPS58169012A
JPS58169012A JP5409882A JP5409882A JPS58169012A JP S58169012 A JPS58169012 A JP S58169012A JP 5409882 A JP5409882 A JP 5409882A JP 5409882 A JP5409882 A JP 5409882A JP S58169012 A JPS58169012 A JP S58169012A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
inspected
line
fiber
defect detection
Prior art date
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Pending
Application number
JP5409882A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Furukawa
聡 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP5409882A priority Critical patent/JPS58169012A/ja
Publication of JPS58169012A publication Critical patent/JPS58169012A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/89Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
    • G01N21/8901Optical details; Scanning details
    • G01N21/8903Optical details; Scanning details using a multiple detector array

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は表面欠陥検出装置に関すb屯のである。
従来の表面欠陥検出装置を第1図に示す。この表面欠陥
検出装置は、被検査物であるシート状物体1をローラコ
ンベア2により矢符A方向へ移送しながら、スリット3
から出た光i14の光5をレンズ6によりシート状物体
lの表面へフィン状に集光し、シート状物体1表面での
反射光7をレンズ8によりフィンセンサ9へ結像する。
V−)状物体1の表面に欠陥(表面凹凸、汚れ等)があ
れば、その点で照射光5Fi散乱され、ティンセンサ9
上に届く光は減少拡散されてフィンセンサ9の出力(g
号が低下するため、その出力信号を表面欠陥検出回路へ
入力して出力信号の低下から表面欠陥を検出することが
できる。
この場合、ラインセンサ9上に集光する光は点光源の襲
まりとみなすことができ、フィンセンサ9は電荷集積型
であるため、その読み出しスキャンの一周期の間、電荷
を蓄積(積分)することKなる。ここで、シート状物体
1の表面での反射光の分?bt−考えると、第2図に示
すように、正常部で0反射光はパターンBのように比較
的急峻な分布となり、−万、欠陥部での反射光は、散乱
が原因してパターンCODのように山の高さが比〈裾野
が広い分布となる。したがうて、このときのS−N比は
、各パターンB、C,Dのピークを結ぶことにより、a
/bで定義できる。ところが、ラインセンサ9において
は、読み出しスキャンの一周期の間電荷が蓄積されてい
るため、その出力信号10(表面欠陥検出信号)Fi、
第3図のようになる。
つまり、欠陥部付近のパターンC,D(第2図)の裾野
の広がりが相互に加算されることにより、出力信号10
における欠陥部での落ち込み11(第3図)を減少させ
る結果と危る。したがって、第2図と第3図のS−N比
を比べると、 a/b < t/d であることが明らかである。すなわち、従来の表面欠陥
検出装置は、フィンセンサ9での電荷蓄積により出力信
号10の捩幅を増大させて、熱雑音のようなノイズに対
するS−N比を向上することが可能であるが、一方で欠
陥検出信号のS−N比が低下し、て欠陥検出精度が悪く
彦るという欠点を有していた。
したがって、この発明の目的は、表面欠陥検出信号のS
−N比を向上して欠陥検出を精度良く行なえる表面欠陥
検出装置を提供することである。
この発明の一実施例を第4図ないし第6図を用いて説明
する。すなわち、この表面欠陥検出装置は、第4図に示
すように、フィンセンサ9の前方にバンドルファイバ1
2を対向配置したものである。このバンドルファイz(
12u、直径10〜50μm程度の単・ロファイバ13
を数万本前後面12a、12bで正しく対バするように
配列して束ねたもので、各車むファイバ13の光軸をレ
ンズ8の光軸と手打に揃えて、その後面12bをライン
センサ9の前方に対同配置する。
この場合、各車・Uファイ/<13は、第5図に示す1
うに・開0数(NA)に1り入射光0入射角が  1制
限される。すなわち、単心ファイバ13内を通過できる
光は、ファイ/<中・b軸から10’〜40°程度以下
の入射角のもの(第2図において直−E、Fで示す角度
内のもの)K限られ、その角度内であれば、光14はコ
ア131とクラフト13bの境界部で全反射されて他方
のファイバ端面からフィンセンサ9へ入射さh、逆に上
記角度以上であれば、光15Fiコア13mとクラフト
13bの境界部で屈折して単心ファイバ13外へ放射さ
れフィンセンサーへは入射されない。ところで、V−)
状物体1の欠陥部で0反射光のパターンGFi、第6図
に示すように、正常部での反射光のパターンHに比べて
裾野が広がるため、バンドにファイバ12に入射するさ
いに入射角の大きな成分が含まれることになるが、上記
各単心ファイバ13の開口数により入射角の大きな成分
、すなわちパターンGの裾野部分I(第6図の斜線領域
)がカッ)され、その結果、フィンセン+9内に*4出
しスキャンの1周期分の間電荷蓄積がなされても、ライ
ン七ンす9の出力信号(表面欠陥検出信号)の落ち込み
(@3図の落ち込みIIK相当)を大きくでき、出力信
号のS−N比を向上することができる。し九がって、そ
の出力信号を表面欠陥検出回路へ入力して、その出力信
号の低下から欠陥検出を精度良く行なうことがで舞る。
以上のように、この発明の表面欠陥検出装置は、被検査
物表面へ照射したライン光が被検査物搬送方向と交差す
るように被検査物の斜め上方より光を照射するフィン光
投射手段と、被検査物表面上の光照射位置の前記ライン
光投射手段と反射側の斜め上方に配置したラインセンサ
と、被検査物表面での反射光を前記フィンセンサへライ
ン状に集光する集光手段と、多数の単心ファイバをそれ
ぞれのファイバ端部が前後面で正しく対応するように配
列したもので各単心ファイバの光軸を前記集光手段の光
軸と平行に揃えて後面を前記ラインセンサの前方に対向
配置したバンドルファイバと、前記ラインセンサの出力
信号を入力して被検査物表面の欠陥を検出する欠陥検出
回路とを備えているため、表面欠陥検出信号のS−N比
を向上して欠陥検出を精度良く行なうことができるとい
う効果がある。
つぎに、表面欠陥検出信号のS−N比を向上で自る他の
表面欠陥検出装置を第7図に開示する。この表面欠陥検
出装置は、光源としてレーザー光源16を用い、そのレ
ーザー光17をポリゴンミツ−18に入射させる。ポリ
ゴンミツ−18が回転すると、ミラー18での反射光1
9がV−)状物体10表面上を幅方向ヘスキャンする。
受光器は、電荷非集積型であるフォトダイオードアレイ
20を用いる。いま、仮に、ス/7)光19の照射位置
が点Kにあったとすると、フォトダイオードプレイ20
の受光面では点に’に集光される。このとき、フォトダ
イオードアレイ20t′i、点に′に対応するビット會
続み出すものとする。これは、ポリゴンミツ−18の駆
動同期信号とフォトダイオードプレイ200紋与出しク
ロックを同期させれば可能である。
このようK、フォトダイオードアレイ20は、スポット
光が入射している点に’0みのビットを順次読み出して
いく丸め、出力波形は第2図の各パターンB、C,Dの
ビータのみを結んだ波形となる。すなわち、パターンC
,Dの裾野の悪影響を除いて欠陥構出信号のS−N比を
向上でき、欠陥検出を精度良く行なえる。なお、電荷非
集積型であるフォトダイオードアレイ20の出力電圧レ
ベルは、第1図に示す電荷集積型のフィンセンサ9の出
力電圧レベルに比して小さいが、この開示例では光源と
じてレーザー光源16を用いているため充分な九癒を確
保でき、欠陥検出に支障をきたすことはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の構成図、第2図はフィンセンサの受光
面での反射光分布を示す図、第3図はフィンセンサの出
力信号波形図、第4図はこの発明の一実施例の構成図、
第5図は単心ファイバの作用説明図、第6図は欠陥部で
の反射光パターン図、第7図は開示例の説明図である。 1・・・シート状物体(被検査物表面)、4・・・光源
、8・・レンズ(集光手段)、9・・・フィンセンサ、
12・・・ハンドルファイ□バ、12ト・・前面、12
b・・・後面、   1第7区 り続補正書(自発) 1、事1′1の表/Iζ 昭和57年 特 tf  願第054098弓2発明υ
)名称 表面欠陥検出装置 3袖市をする者− ・Iif’lとの関係  出願人 11   所 大阪府門真市人字閂頁1048番地名 
称 (583)松下電11株式会社代表各   小  
林    都 4、代 理 人 5、補正製置7の1」f−1昭和   年   月  
  日とあるを「電荷非蓄積型」と訂正する。 (2)明細書第8真第4行目、「電荷集積型」とあるを
「電荷EMN型」と訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被検査物表面へ照射したライン光が被検査物搬送方向と
    交差するように被検査物の斜め上方より光を照射するラ
    イン光投射手段と、被検査物表面上の光照射積重の前記
    ライン光投射手段と反射側の斜め上方に配置したライン
    センナと、被検査物表面での反射光を前記ラインセンサ
    ヘライン状に集光する集光手段と、多数の単心ファイバ
    をそれぞれのファイバ端部が前後面で正しく対応するよ
    うに配列したもので各単心フ1イパの光軸を前記集光手
    段の光軸と平行に揃えて後面を前記フィンセンサの前方
    に対向配置したパンドνファイバと、前記ラインセンサ
    の出力信号を入力して被検査物表面の欠陥を検出する欠
    陥検出回路とを備えた表面欠陥検出装置。
JP5409882A 1982-03-31 1982-03-31 表面欠陥検出装置 Pending JPS58169012A (ja)

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Cited By (7)

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