JPS58168945A - ガスセンサおよびその製造方法 - Google Patents
ガスセンサおよびその製造方法Info
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- JPS58168945A JPS58168945A JP5110482A JP5110482A JPS58168945A JP S58168945 A JPS58168945 A JP S58168945A JP 5110482 A JP5110482 A JP 5110482A JP 5110482 A JP5110482 A JP 5110482A JP S58168945 A JPS58168945 A JP S58168945A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体特性を有する酸化物超微粒子を用いるガ
スセン？シよびその製造方法に係り、特にガス選択性に
優れ曳超微粒子ガスセンサおよびその製造方法に関する
。
スセン？シよびその製造方法に係り、特にガス選択性に
優れ曳超微粒子ガスセンサおよびその製造方法に関する
。
酸化書半導体諷のガスセンサには、一般に焼結形、薄膜
形、厚膜形がある。これらのガスセ／すの中で実用化さ
れているのは焼結形のみといって良いが、これには以下
のような欠点がある。即ち焼き固めて製造するため、組
成の均一化が困−で６９、ｔたパイノダ、焼き固め具合
、粉末の粒度など製品にバラツキ音生じさせる要因が多
く、さらに気孔が残るため機械的強度が低いため、１ｇ
ＩＩＪＩ性、安定性、轡命に問題を残している。その上
、原虐的−にガス選択性、低温−作性等の特性倉向上さ
せるのが峻しい。その念め薄膜形、厚膜形について研究
開発が進められている。
形、厚膜形がある。これらのガスセ／すの中で実用化さ
れているのは焼結形のみといって良いが、これには以下
のような欠点がある。即ち焼き固めて製造するため、組
成の均一化が困−で６９、ｔたパイノダ、焼き固め具合
、粉末の粒度など製品にバラツキ音生じさせる要因が多
く、さらに気孔が残るため機械的強度が低いため、１ｇ
ＩＩＪＩ性、安定性、轡命に問題を残している。その上
、原虐的−にガス選択性、低温−作性等の特性倉向上さ
せるのが峻しい。その念め薄膜形、厚膜形について研究
開発が進められている。
一方、最近超微粒子構造會有するガスセ／す素子が注目
ｔ−集めている。このガスセンサ素子は金属を低圧酸素
中で蒸発させる、いわゆるガス中蒸発法によって電極を
設置し次絶縁性基板上に超微粒子膜を形成することによ
って作成さｎる。（時開昭５５−２９７５８）この方法
では超微粒子にすることにより高感度、低温動作、精度
向上、集積化など種々の利患が期待できる。しかしこの
センサも調査の結果、基本的に超微粒子膜の機械的強度
および基板への付着強度が着しく小さく、さらにガス選
択性全向上させることは製法上困難であることが判明し
た。これは超微粒子が膜に付着する際のエネルギが極め
て小さいため、大きな＋ＩＡ械的強度、付着強度を有す
る超微粒子層が形成され気抵抗が大きく扱いにくいこと
、さらにガス選択性を向上させる九めに必要な触媒を超
微粒子膜中に効果的な形に添加する方法が困難であるこ
と等の場内による−のと思われる。
ｔ−集めている。このガスセンサ素子は金属を低圧酸素
中で蒸発させる、いわゆるガス中蒸発法によって電極を
設置し次絶縁性基板上に超微粒子膜を形成することによ
って作成さｎる。（時開昭５５−２９７５８）この方法
では超微粒子にすることにより高感度、低温動作、精度
向上、集積化など種々の利患が期待できる。しかしこの
センサも調査の結果、基本的に超微粒子膜の機械的強度
および基板への付着強度が着しく小さく、さらにガス選
択性全向上させることは製法上困難であることが判明し
た。これは超微粒子が膜に付着する際のエネルギが極め
て小さいため、大きな＋ＩＡ械的強度、付着強度を有す
る超微粒子層が形成され気抵抗が大きく扱いにくいこと
、さらにガス選択性を向上させる九めに必要な触媒を超
微粒子膜中に効果的な形に添加する方法が困難であるこ
と等の場内による−のと思われる。
またガス選択性を向上させる之めに酸化物超微粒子と同
程度の粒径の触媒超微粒子と金混合し之膜を形成するこ
とが提案されている。（％開昭５５−７８２３５）この
ような膜を形成したガスセンサではガス選択性の向上は
認められるが、酸化物超微粒子と触媒超微粒子とは殆ど
点接触の状態であるため、酸化物と触媒およびガス相と
の３相界面が小さい九め、ガス選択性の向上に改善の余
地があった。
程度の粒径の触媒超微粒子と金混合し之膜を形成するこ
とが提案されている。（％開昭５５−７８２３５）この
ような膜を形成したガスセンサではガス選択性の向上は
認められるが、酸化物超微粒子と触媒超微粒子とは殆ど
点接触の状態であるため、酸化物と触媒およびガス相と
の３相界面が小さい九め、ガス選択性の向上に改善の余
地があった。
本発明の目的は、半導体特性金有する酸化物超微粒子と
触媒金属とからなる膜を有するガスセンサに於いて、ガ
スセンサの基本的特性を損うこと 。
触媒金属とからなる膜を有するガスセンサに於いて、ガ
スセンサの基本的特性を損うこと 。
なく、特にガス選択性を向上させたガスセンサおよびそ
の製造方法を提供することにある。
の製造方法を提供することにある。
本発明は、スパッタリングによって酸化物超微粒子１−
ヲ形成し、この層中に触媒金属化合物を含む溶液を浸透
させた後、触媒金属化合＃會還元すると、酸化ｄＩＩ超
倣粒子と触媒超微粒子との大部分が面接触の状態で混成
されることｔ見い出した結果、到達されたものである。
ヲ形成し、この層中に触媒金属化合物を含む溶液を浸透
させた後、触媒金属化合＃會還元すると、酸化ｄＩＩ超
倣粒子と触媒超微粒子との大部分が面接触の状態で混成
されることｔ見い出した結果、到達されたものである。
以下、本発明金更に詳細に説明する。
本発明に於いて、電極を設置した絶縁基板上に酸化物超
微粒子層を設ける方法は、スパッタリング法によって行
なわれる。スパッタリング法によｎば原子は絶縁性基板
に到達する間に、ガス分子ト衝突して冷却され、またス
パッタされ九原子同志の衝突により超微粒子が形成され
る。ガス中蒸発法によっても同様なメカニズムで超微粒
子が形成されるのであるが、本発明に於いてはスパッタ
された原子の有するエネルギがガス中蒸発法による蒸発
原すのエネルギより２桁程度大きい。従って本発明に於
いて絶縁性基板に到達しＡ際超微粒子同志の強固な結合
が生ずることになる。このため形成された膜の機械的強
度、絶縁性基板への付着強度が極めて大きなものとなる
。
微粒子層を設ける方法は、スパッタリング法によって行
なわれる。スパッタリング法によｎば原子は絶縁性基板
に到達する間に、ガス分子ト衝突して冷却され、またス
パッタされ九原子同志の衝突により超微粒子が形成され
る。ガス中蒸発法によっても同様なメカニズムで超微粒
子が形成されるのであるが、本発明に於いてはスパッタ
された原子の有するエネルギがガス中蒸発法による蒸発
原すのエネルギより２桁程度大きい。従って本発明に於
いて絶縁性基板に到達しＡ際超微粒子同志の強固な結合
が生ずることになる。このため形成された膜の機械的強
度、絶縁性基板への付着強度が極めて大きなものとなる
。
このようなスパッタリングエ楊に於いて、ガス圧ｔ’
８Ｘ１０−”ｌ’ｏｒｒ以上とすることが望ましい。
８Ｘ１０−”ｌ’ｏｒｒ以上とすることが望ましい。
すなわち通常の高膚道スパッタリングにおいては、５Ｘ
１Ｇ−１Ｔｏｒｒ以下のガス圧で行なわルるが、本発明
では高ガス圧雰−気・で行なうことが′１１ｔＬい。
１Ｇ−１Ｔｏｒｒ以下のガス圧で行なわルるが、本発明
では高ガス圧雰−気・で行なうことが′１１ｔＬい。
スパッタリングエ橿に於けるガス圧が８Ｘ１０”Ｔｏｒ
ｒよりも低いと酸化物超微粒子によって形成される層が
ポーラスな膜状になりに＜＜、酸化物微粒子単体の表面
積が大きくなり過ぎて不都合となり、ま九膜状となると
触媒金属化合物を含む溶液上浸透させることがＩｊｉｌ
離となる。またスパッタリングエ橿に於匹て基板は室温
以下に冷却されていることが望ましｂ０基板が′Ｎ１よ
り温度が上がり過ぎると酸化物超微粒子の層がポーラス
な膜状とな９にくくまｔは粒子が大きくなり３ｍするこ
とになる。基板が十分冷、却されている場合、基板上で
の超微粒子の粒成長は殆ど生じない０本発明において、
吸化物超黴粒子の粒径はガスセ／すの特性から５００Å
以下がよい。
ｒよりも低いと酸化物超微粒子によって形成される層が
ポーラスな膜状になりに＜＜、酸化物微粒子単体の表面
積が大きくなり過ぎて不都合となり、ま九膜状となると
触媒金属化合物を含む溶液上浸透させることがＩｊｉｌ
離となる。またスパッタリングエ橿に於匹て基板は室温
以下に冷却されていることが望ましｂ０基板が′Ｎ１よ
り温度が上がり過ぎると酸化物超微粒子の層がポーラス
な膜状とな９にくくまｔは粒子が大きくなり３ｍするこ
とになる。基板が十分冷、却されている場合、基板上で
の超微粒子の粒成長は殆ど生じない０本発明において、
吸化物超黴粒子の粒径はガスセ／すの特性から５００Å
以下がよい。
このようにして電極を設置した絶縁基板上に酸化物超微
粒子の膜が形成され、この酸化４ＩＪ超微粒子Ａ中に触
媒金属化合′４８を含むｆＩ液會浸選させる。
粒子の膜が形成され、この酸化４ＩＪ超微粒子Ａ中に触
媒金属化合′４８を含むｆＩ液會浸選させる。
ここで触媒金属は水などの溶媒中に溶解し得る化＆物の
形で添加される。このような触媒金属化合物としては塩
化パラジウム（ＰｄＣｊｔ） 、塩化白金酸（Ｈ，Ｐｔ
Ｃ４）などが挙げられる。これらの触媒金属化合ｇｏを
適当な８度となるように溶媒中に溶解してガスセンサ素
子を浸漬することが最も効果的でありかつ簡便な方法で
ある。次いで触媒金属化合物を含む溶液上浸透させた峰
化物超微粒子Ｊ−中の金属化合＊′ｔ−還元する。この
還元処理によって酸化切起微粒子の間隙に流入した溶液
中の金属化合物はパラジウム（Ｐｄ）、または白金（Ｐ
ｔ）などの金属単体に変換される。
形で添加される。このような触媒金属化合物としては塩
化パラジウム（ＰｄＣｊｔ） 、塩化白金酸（Ｈ，Ｐｔ
Ｃ４）などが挙げられる。これらの触媒金属化合ｇｏを
適当な８度となるように溶媒中に溶解してガスセンサ素
子を浸漬することが最も効果的でありかつ簡便な方法で
ある。次いで触媒金属化合物を含む溶液上浸透させた峰
化物超微粒子Ｊ−中の金属化合＊′ｔ−還元する。この
還元処理によって酸化切起微粒子の間隙に流入した溶液
中の金属化合物はパラジウム（Ｐｄ）、または白金（Ｐ
ｔ）などの金属単体に変換される。
このような製造方法によって第１図に模式的に示すよう
に酸化物超微粒子ｌの周四に面接触の状態で触媒金属粒
子２が介在している状態となる。
に酸化物超微粒子ｌの周四に面接触の状態で触媒金属粒
子２が介在している状態となる。
ここでガスセンサは、酸化物半導体の′蝋気抵抗変化ｔ
とらえるものであり、換言すれば、素子の電子状態が環
境の変化に応答して変化する現象を存在し、還元性のガ
スがこの吸着酸素を引き抜くとき、電子の移動が起こり
、抵抗が下がるのである。
とらえるものであり、換言すれば、素子の電子状態が環
境の変化に応答して変化する現象を存在し、還元性のガ
スがこの吸着酸素を引き抜くとき、電子の移動が起こり
、抵抗が下がるのである。
いま、ハイドロカーボンＣ−ＨＦの酸化反応を考えると
Ｃ、Ｈｙ＜ 、’ Ｈ，／ Ｏｓ＜Ｏｔ＋ＨｔＯ（Ｘ’
＜Ｘ、 Ｙ’＜Ｙ ）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・（１）轍路的にＣＯｔとＨ３Ｏに酸化
される前に反応中間体Ｃ，’Ｈア′０．が存在する。（
１）の反応は、素子表面でも生じ吸着酸ｌＡｔ引き抜く
。しかしこの反応は触媒上でさらに生じ易く、ここで生
じた反応中間体が素子裸面の吸着酸素ｔ−攻撃して引き
抜く。
＜Ｘ、 Ｙ’＜Ｙ ）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・（１）轍路的にＣＯｔとＨ３Ｏに酸化
される前に反応中間体Ｃ，’Ｈア′０．が存在する。（
１）の反応は、素子表面でも生じ吸着酸ｌＡｔ引き抜く
。しかしこの反応は触媒上でさらに生じ易く、ここで生
じた反応中間体が素子裸面の吸着酸素ｔ−攻撃して引き
抜く。
添加されている触媒の最も顕著な効果がこの酸素引き抜
きを活発化させることである。反応中間体による素子六
面上へのこの攻撃は触媒近傍で生ずると考えられ、この
攻撃が生じにくい場合は、触 ！謹上で殆ど
ｔｌ）の反応は完了してしまう。
きを活発化させることである。反応中間体による素子六
面上へのこの攻撃は触媒近傍で生ずると考えられ、この
攻撃が生じにくい場合は、触 ！謹上で殆ど
ｔｌ）の反応は完了してしまう。
一方、酸化物超微粒子と触媒金属粒子との接触状９が＃
！２図のような点接触の場合と本発明（＃！１図）の場
合を比較すると、第１図（本発明）の方が＋１３酸化吻
超徽粒子と触媒金属との鍛触面積が大きく、＋２１ｆｉ
媒自体の表面積も大きい。こ几らの理由から［ｆｉ接触
の方が触媒上で生成した反応中間体による素子表面への
数基は起こり易い。つまりガス感度は上がることを意味
する。逆に言えば、点接触の場合触媒上で生成し之反応
中間体が素子に作用する範囲が狭くガス感度にあまり寄
与しない。
！２図のような点接触の場合と本発明（＃！１図）の場
合を比較すると、第１図（本発明）の方が＋１３酸化吻
超徽粒子と触媒金属との鍛触面積が大きく、＋２１ｆｉ
媒自体の表面積も大きい。こ几らの理由から［ｆｉ接触
の方が触媒上で生成した反応中間体による素子表面への
数基は起こり易い。つまりガス感度は上がることを意味
する。逆に言えば、点接触の場合触媒上で生成し之反応
中間体が素子に作用する範囲が狭くガス感度にあまり寄
与しない。
まｆ’−１Ｈｔ −００４のガスについては、反応中間
体が生成しない。（２）の理由から本発明の場＆にはこ
れらのガスは触媒上で酸化が殆ど完了してしまうので、
素子に影１１（素子表面の吸着酸素の引き抜き）を与え
ない。即ちノ１イパロカーボンとこれらのガスとの選択
性が顕著となる。ｉｇ２凶のような点接触では触媒量を
増したとしてもガス感度の向上には限度がある。
体が生成しない。（２）の理由から本発明の場＆にはこ
れらのガスは触媒上で酸化が殆ど完了してしまうので、
素子に影１１（素子表面の吸着酸素の引き抜き）を与え
ない。即ちノ１イパロカーボンとこれらのガスとの選択
性が顕著となる。ｉｇ２凶のような点接触では触媒量を
増したとしてもガス感度の向上には限度がある。
陶、本発明に於いて、スパッタリングによって酸化吻超
倣粒子の機械的強度および付４−ＡＫが優れているので
、酸化物超微粒子膜を触媒金属化合９Ｉｔ含む溶液中に
浸漬しても漢の脱ｍ等を防止でき、従って酸化物超微粒
子と触媒金属粒子とを効果的に面接触状態で混成させる
ことができる。また触媒金属化合物を含む溶液中の触媒
金Ｊ１ｍ！＃！度ｔｖ４！１することによって酸化吻超
倣粒子間に介在する触媒金属量ｔ−４４効果の大きい分
量に調整することができる。
倣粒子の機械的強度および付４−ＡＫが優れているので
、酸化物超微粒子膜を触媒金属化合９Ｉｔ含む溶液中に
浸漬しても漢の脱ｍ等を防止でき、従って酸化物超微粒
子と触媒金属粒子とを効果的に面接触状態で混成させる
ことができる。また触媒金属化合物を含む溶液中の触媒
金Ｊ１ｍ！＃！度ｔｖ４！１することによって酸化吻超
倣粒子間に介在する触媒金属量ｔ−４４効果の大きい分
量に調整することができる。
以上のように本発明によれば、半導体特性を備え次酸化
物超微粒子のもつ、高いガス感度、低温動作性などの特
性金活かしながら、触媒金属の有するガス選択性ｔさら
に向上させることができる。
物超微粒子のもつ、高いガス感度、低温動作性などの特
性金活かしながら、触媒金属の有するガス選択性ｔさら
に向上させることができる。
以下、本発明の一実ｊ６ＩｆＩｌを説明する。
スパッタリング用ターゲツト材としては酸化第二錫（８
ｎＯ１）焼結体（−８０）ヲ用い、市販の平行平板ａｌ
＋％Ｍ１１波スパッタリング装置１ｆ用して超微粒子ガ
スセンサ素子を試作し次。スノ（ツタリング条件は、 （ｉ） スパンｆｉ ＋Ｖｙｆ雰囲気： ０．３Ｔｏ
ｒｒＡｒ叩 高周波電カニ約１００Ｗ （Ｉｌｌ） スバツタリ／グ速に：約３０人／Ｈ叱り
基板距１１１１：３０閣 である。＠３図に試作し７ｔ＃微粒子ガスセ／す素子の
構造金示す。絶縁基板（４０Ｘ３０Ｘ１．２）は酸化ア
ルミニウム（Ａ４０ｍ ） であり、くシ状に畦極４會
形成させである。超微粒子膜５の膜厚は約６０００人で
６９、大きさｕ２５ｍＸ２５ｍ である。
ｎＯ１）焼結体（−８０）ヲ用い、市販の平行平板ａｌ
＋％Ｍ１１波スパッタリング装置１ｆ用して超微粒子ガ
スセンサ素子を試作し次。スノ（ツタリング条件は、 （ｉ） スパンｆｉ ＋Ｖｙｆ雰囲気： ０．３Ｔｏ
ｒｒＡｒ叩 高周波電カニ約１００Ｗ （Ｉｌｌ） スバツタリ／グ速に：約３０人／Ｈ叱り
基板距１１１１：３０閣 である。＠３図に試作し７ｔ＃微粒子ガスセ／す素子の
構造金示す。絶縁基板（４０Ｘ３０Ｘ１．２）は酸化ア
ルミニウム（Ａ４０ｍ ） であり、くシ状に畦極４會
形成させである。超微粒子膜５の膜厚は約６０００人で
６９、大きさｕ２５ｍＸ２５ｍ である。
この素子ｔｐｔの！１度が約１００ｇ／／、の塩化白金
酸水溶液中に浸漬し友後、水素中９００にて３０分乾燥
させ友。この処理によってＳｎＯ！超微粒子膜中には約
１．５ｗｔ％のｐｔがｓｎｏｗ超微粒子と面接触の状態
で混成されていることを確認し几。
酸水溶液中に浸漬し友後、水素中９００にて３０分乾燥
させ友。この処理によってＳｎＯ！超微粒子膜中には約
１．５ｗｔ％のｐｔがｓｎｏｗ超微粒子と面接触の状態
で混成されていることを確認し几。
次に所定量のメタン、水素、エタノールを混合し九清＃
空気（Ｎｔ：０ま−４：１．２ｔ／１４１Ｍ） ｔ−流
した電気炉中に本センナ素子を設置し、電極間の′１！
気抵抗１に測定することによってガス感ｅｔ求めた。
空気（Ｎｔ：０ま−４：１．２ｔ／１４１Ｍ） ｔ−流
した電気炉中に本センナ素子を設置し、電極間の′１！
気抵抗１に測定することによってガス感ｅｔ求めた。
３００Ｃに保持した場合に得られ次ガス感度を第４図に
示す、縦軸は電極間の電気抵抗値（Ω）、横軸は清浄空
気中に混合された各ガスの濃度（ｐｐｍ）を示している
。Ａが水素、Ｂがエタノール、Ｃがメタンである。この
図から空気中の電気抵抗値に対し、メタｙｚｓｏｏｐｐ
ｍで約１／４．１１００ＯＯＰＩ）で約１／２０と抵抗
が下がることがわかる。水素、エタノールの場合にはほ
とんど電気抵抗は変化しない。従って本センナ素子によ
って、メタンを選択的に検知できる。一般に８１） Ｏ
ｔ薄膜ガスセンサは水素に最も良く感じ、次にエタノー
ルに感じ、メタンにはほとんど感じない。本実施例の効
果は、Ｓ”Ｏｍ を超微粒子化し几こと、および触媒ｔ
−，ｔも効率曳い形態に構成したことによって得られた
ものである。
示す、縦軸は電極間の電気抵抗値（Ω）、横軸は清浄空
気中に混合された各ガスの濃度（ｐｐｍ）を示している
。Ａが水素、Ｂがエタノール、Ｃがメタンである。この
図から空気中の電気抵抗値に対し、メタｙｚｓｏｏｐｐ
ｍで約１／４．１１００ＯＯＰＩ）で約１／２０と抵抗
が下がることがわかる。水素、エタノールの場合にはほ
とんど電気抵抗は変化しない。従って本センナ素子によ
って、メタンを選択的に検知できる。一般に８１） Ｏ
ｔ薄膜ガスセンサは水素に最も良く感じ、次にエタノー
ルに感じ、メタンにはほとんど感じない。本実施例の効
果は、Ｓ”Ｏｍ を超微粒子化し几こと、および触媒ｔ
−，ｔも効率曳い形態に構成したことによって得られた
ものである。
第１図は本発明における酸化物超微粒子層の構造を示す
模式図、第２図は従来例における虐化榔超微粒子層の構
造を示す模式図、第３図（４）は本発明の実施例を示す
平面図、第３図■は第３図囚のＡ−Ｂ＠に沿う断面図、
第４図はガスセ／のガス感贋を示すグラフである。 １・・酸化物超微粒子、２・・・触媒金属粒子、３・・
・絶 ７箔 ３ 図 Ｕし （ｆ５） 第 η 図 が−人儂崖（Ｐｒ＊）
模式図、第２図は従来例における虐化榔超微粒子層の構
造を示す模式図、第３図（４）は本発明の実施例を示す
平面図、第３図■は第３図囚のＡ−Ｂ＠に沿う断面図、
第４図はガスセ／のガス感贋を示すグラフである。 １・・酸化物超微粒子、２・・・触媒金属粒子、３・・
・絶 ７箔 ３ 図 Ｕし （ｆ５） 第 η 図 が−人儂崖（Ｐｒ＊）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電極を設置した絶縁基板上に鐵化吻超倣粒子層會設
けたガスセンナに於いて、前記酸化物超微粒子層は半導
体特性會有する酸化物超微粒子と触媒金属との大部分が
面接触の状態で混成された層であることｔ％黴とするガ
スセンサ。 ２、＃化物超微粒子が、５００Å以下の粒径であること
ｔ−特徴とする特許請求の範囲第１墳６ｉ２載のガスセ
ンナ。 ３、触媒金属が、パラジウムまたは白金であることｔ％
像とする特許請求の範囲第１項記載のガスセンナ。 ４、電他倉設筐した絶縁基板上に酸化物超微粒子膜ｔス
パッタリング法によって形成する工種と、前記酸化物超
微粒子膜中に触媒金属化合＊１＊む溶液を浸透させる工
程と、この溶液全浸透させ皮酸化物超微粒子膜中の触媒
金属化＆＃に還元することｔ−Ｗ像とするガスセンサの
製造方法。 ５、触媒金、ｇｔ−含む溶液が、ツクラジウムまたは白
金の塩化物１！：を有することｔ特徴とする特許請求の
範囲第４項記載のガスセ／すの製造方法。 ６、スパッタリングｔ８Ｘ１０−ＩＴｏｒｒ以上のガス
圧で行なうことｔ−特徴とする特許請求の範囲第４墳記
械のガスセンナの製造方法。 ７、スパッタリング中に絶縁性基板を室温以下に冷却す
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のカスセ
／すの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110482A JPS58168945A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110482A JPS58168945A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168945A true JPS58168945A (ja) | 1983-10-05 |
Family
ID=12877495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5110482A Pending JPS58168945A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222153A (ja) * | 1984-09-29 | 1987-09-30 | Hiroshi Komiyama | 金属と誘電体とを含むガス感応性複合体とその製造方法 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5110482A patent/JPS58168945A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222153A (ja) * | 1984-09-29 | 1987-09-30 | Hiroshi Komiyama | 金属と誘電体とを含むガス感応性複合体とその製造方法 |
| JPH0479540B2 (ja) * | 1984-09-29 | 1992-12-16 | Hiroshi Komyama |
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