JPS58166578A - 情報カード装置 - Google Patents

情報カード装置

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JPS58166578A
JPS58166578A JP57049755A JP4975582A JPS58166578A JP S58166578 A JPS58166578 A JP S58166578A JP 57049755 A JP57049755 A JP 57049755A JP 4975582 A JP4975582 A JP 4975582A JP S58166578 A JPS58166578 A JP S58166578A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は小型で持ち運びが容易な情報記録担体に関し、
詳細には情報の読み出しが自身の能動的動作を伴って行
なうことが可能な情報発生装置に関する。
磁気記録を施した磁気カード、あるいは白−黒の光学パ
ターンを印刷したバーコード・カードなどが知られてい
る。これらカードは、適当な情報量をもち、しかも携帯
に便利である。
上述した情報カードを使用するに際しては、カードにお
いて記録されている情報の量が、長さないし面として現
れる点が問題である。すなわち、読取装置においては、
情報が記録された全領域にね（２） たってスキャンニングするために、複雑な構成をとるこ
とになる。また、情報量を増加させる場合には、複雑化
の傾向が一層大きくなる。
そこで本発明は、情報記録担体自身がスキャンニング機
能を併有し、それ数情報を受信する読取装置において広
範なスキャンニング動作を必要としない情報発生装置を
提供することを主目的とするものである。
さらに本発明は、スキャンニングならびに情報の発生に
必要なエネルギが読取の際に外部から与えられ、それ故
人容量の電源を備える必要のない情報発生装置を提供す
ることも目的とする。
さらに本発明は、必要なエネルギの受給および情報の送
出が、電気接点を介さないで可能である情報発生装置を
提供することも目的とする。
以下本発明を添付図に示す一実施例に従−って説明する
。第１図は本発明情報発生装置の断面を示し、１２図は
下面を示している。これらの図において、符号ｌＯは情
報発生装置の全容を差しており、それは縦横数センチメ
ートル、肉厚数ミリメー（３） 両面プリント配線板１１は、情報発生装置の基体をなす
もので、その一方の面（表面）には複数個の太陽電池チ
ップ１２〜１８が載置され、他方の面（裏面）には論理
回路チップ１９．２０と発光素子２１と図示しないが、
電圧安定化回路、パワーオンリセット回路を含む、周辺
回路素子とが載置され、これら両面に実装された各素子
を覆うように均一厚の合成樹脂被覆２２が施されている
。
樹脂被覆２２は透明樹脂によってなされるが、裏面にお
いて発光素子２１がのぞかれる窓２３を除いた部分は、
外表面に粗面処理を施す（型の内壁に予め微小凹凸を設
けておく）か、あるいは着色によって回路チップ２．３
が見えないようにしである。配線板１１の頭部２４には
、情報書き込み用の電極２５を印刷しであるが、樹脂被
覆２２を施した後に線２６の部分で切断される。
第３図ないし第５図は樹脂被覆を施す前の配線板を示し
ている。太陽電池チップ１２〜１８Ａは、いわゆる光起
電力効果（ｐｈｏｔｏ　　ｖｏｌｔａ−（４） ｔｉｅ”ｅｆｆｅｃｔ）を利用するも−ので、半田付に
よって配線板１１に取り付けられ、狭いスペースを有効
利用するため、表面の面積の大゛部分を占有している。
一方の回路チップ１９は、続出専用の半導体メモリで、
特に−且書き込まれたデータを無電源下でも保持する不
揮発型のものである。
他方の回路チップ２０は、メモリ１９に記憶されたデー
タを読み出してシリアル信号に変える制御回路で、この
回路として低電圧特性の良いＣ−ＭＯＳ型の１チツプマ
イクロコンピユータが使用される。
半導体メモリ１９は、この情報発生装置に予め付与され
た固有の符号化情報を記憶している。この情報の書き込
みは製作の課程で前記の書き込み用の電極２５の適宜の
ものに通電することにより、情報を書き込むべきメモリ
アドレスの指定とそのアドレスへのデータ″ｌ”、０″
の書き込みとを行なう。情報は、この例では、スタート
コード、暗号コード、固有コード、およびストップコー
ドからなり、固有カード以外はこの情報発生装置を（５
） 含む同種の複数の情報発生装置とこれらの情報発生装置
の任意のものからの情報を受は取る１つまたはそれ以上
の読取装置との間で予め特定の値となるように取り決め
である。固有コードは、例えばその情報発生装置に固有
のもので他の情報発生装置と区別するように予め各個に
与えられている。
ｌチップマイクロコンビエータ２０は、制御プログラム
によって一連の演算手順が設定されたデジタルシーケー
ス制御回路であり、公知のごとく、制御プログラムが与
えられたプログラムメモリ（ＲＯＭ）　、一時データ記
憶メモリ　（ＲＡＭ）、制御中枢（ＣＰＵ）、入出力回
路（１１０インタフエース）、データならびに制御信号
の伝送線、およびタイミング回路から構成される。
発光素子２１は、発光ダイオードからなる。
第６図は各−気部品の接続を示している。太陽電池チッ
プ１２〜１９が生じる直流電圧は、半導体メモリ１９、
マイクロコンビエータ２０、および駆動回路２７に印加
される。コンピュータ２０は半導体メモリ１９の記憶デ
ータを一定の手順で（６） 読み出すとともに、パラレル−シリアル変換によってミ
ニビット線の周波数変調信号２０Ａを作成し、それを駆
動回路２７に印加する。
駆動回路２７は、コンビエータ２０と発光素子２１との
藺に電気回路を形成するように、配線板１１に数個の部
品を実装して構成される。
第７図は、駆動回路２７の構成を示してあり、遅延回路
２８、排他論理和ゲート２９、および駆動トランジスタ
３０を主要部品としており、第８図に示す動作を行なっ
ている。第８図（ａｌは、コンピュータ２０によって与
えられる周波数変調信号２０Ａを示しており、同図（ｂ
ｌはその変調信号を遅延させた遅延回路２８の出力を示
している。遅延回路２８は１００ないし１５０μｓの遅
延時間を有しており、ゲート２９は非遅延信号と遅延信
号との排他論理和をとった第８図（Ｃ１にしめずパルー
ス列信号を生じる。このパルス列の各パルス４Ｋ　号は
、コンピュータ２０から与えられる変調信号の立ち上が
りおよび立ち下がりのタイミングに相当する。従って、
発光素子２Ｉが、発光のために消（７） 費する電力の積算値はわずかで済み、装置の消費電力の
低減に貢献する。
この装置は、特に、情報信号の送出方式としてＦ２Ｆ変
調変調音採用している。Ｆ２Ｆ度調方式は、データとク
ロックとを一体化したセルフクロッキング型の情報配列
の一手段で、磁気カードの記録再生の分野において既に
用いられている０周知の通りＦ２Ｆ方式においては、所
定時間毎の信号反転ＰＩ、Ｐ２．Ｐ３・・・によりｌビ
ットのフレーズを規定し、各フレーズの中間時間の近傍
で信号反転ＤＩ、Ｄ２が存在するか否かで、データの”
１”、′０”を特徴づける。本装置におけるＦＺＦ方式
の採用は、送出情報ビットを減少し低消費電力化を図る
上で有効であり、それとともに電源電圧変動に対し情報
の復調精度の必要な許容範囲を確保することもできる。
第９図は、コンピュータ２０がそのＲＯＭに記憶された
制御プログラムに従って実行する演算の流れを示してい
る。コンビエータ２０のＲＯＭにはこのｖｉｓａプログ
ラムに従う下位言語での命令語（８） の配列が予め記憶されている。
コンピュータ２０は、太陽電池チ・ノブ１２〜１８Ａが
供給する電圧値が所定レベルに立ち上がると、その都度
パワーオンスタートステップ３１より処理を開始する。
次いで、ステ・ノブ３２で駆動回路２７への出力信号２
０Ａを初期状態にする。
たとえば、′ｌ″レベルとする。この動作は、情報の第
１番目のビット（スタートコードの先頭ピント）を予め
決められた”１″のレベルにすることを意味する。
ステップ３３で、ビットカウンタ（ＣＰＵ内部レジしタ
またはＲＡＭの番地を指定して定める）の内容をリセツ
トする。ビ・ノドカウンタの内容は、そのとき送出して
いる情報のと・ノド番号に対応している。ステップ３４
，３５，３６．３７で、ＲＯＭ１９に予め書き込まれて
いるスタートコード、暗号コード、固有コード、および
スト・ノブコードを順次読み出して、内部ＲＡＭに一時
記憶する。
この続出−一時記憶に要する時間は、情報１ビ・ノドの
フレーズに比べてきわめて短い。
（９） 次いでコンピュータ２０は、ステ・ノブ３Ｂでいまピン
トカウンタの内容が示す番号Ｎの情報ビットのデータを
ＲＡＭから読み出し耳、別のＣＰＵ内部レジスタに記憶
する。
ステップ３９で、その読み出されたＮ番目のデータが″
ｌ″レベルであるか否かを判定する。もし、”ｌ”レベ
ルであると、ステップ４０で１フレーズの２分の１に相
当する時間Ｔｄ／２だけ待ち、ステップ４１で出力信号
２０Ａのレベルを反転させる。そして、ステップ４２で
さらに時間Ｔｄ／２だけ待ちステップ４３で出力レベル
を再度反転させる。一方、Ｎ番目のデータが″０′″レ
ベルであると、ステップ４４で１フレ一ズ分の時間Ｔｄ
だけ待ち、ステップ４３で出力レベルを反転させる。こ
のようにして、第８図（ａ）に示すＦ２Ｆタイプのコー
ド化周波敵信号が発生される。
ステップ４５で、ビットカウンタの内容をインクリメン
トし、その結果が次のステップ４６で予め設定した最大
数値ＭＡＸに達したか否かを判定する。もし、最大数値
に達していない間は、ステ（１０） ツブ３８〜４６の処理を再実行する。このようにして、
ピントカウンタが指定しインクリメントされていくビッ
ト番号０．ｌ、２．３・・・ＬＭＡＸ（７）一連の情報
が、ＩＦ２Ｆ変調されて”１”、“０”のレベル信号と
して駆動回路２７に与えられる。
前記のように、駆動回路２７はそのレベルが反転する都
度発光ダイオード２１を短時間だけ点灯させる。
一連の情報を送出すると、ステップ４７で一定時間Ｔだ
け待ち、その後にステップ３２にリターンして同一情報
をくり返し送出する。
待ち時間Ｔは、全情報を１回だけ送出するに必要な時間
とほぼ一致して定められ、その結果第１Ｏ図に示すよう
に、情報は一定のくり返し周期２Ｔで発生される。
なお、コンピュータ２０における”持ち”処理（４０，
４２，４４，４７）の方法は周知でたとえば内部タイマ
カウンタを作動してカウントデータの値を設定値と比較
して設定値に達するまで状態を保つことにより行なわれ
る。
第１１図は情報発生装置から送出された光情報信号を受
信する読取装置を示している。読取装置は、情報発生装
置ｌＯを受は入れる通路４８を設けており、情報発生装
置ｌＯが終端まで挿入されたとき作動する検知スイッチ
４９が設けである。
このスイッチ４９の作動により、駆動回路５０が付勢さ
れて照明器５１を点灯させる。照明光は情報発生装置ｌ
Ｏの透光樹脂を透過して太陽電池チップ１２〜１８Ａに
とどく。この照明光のエネルギは電気エネルギに換えら
れ、それに基づいて固有の光情報信号が発光素子２１よ
り発生する。
通路４８に孔５２が設けられ、そこを通して情報発生装
置１０からの光情報信号が受光素子５３に与えられる。
受光素子５３は、光情報信号を電気信号に変換し、この
電気信号は波形整形回路５４に付与される。波形整形回
路５４では、発光素子２１の点灯、消灯に対応した矩形
波パルス列信号を再現して復調回路５５に与える。復調
回路５５は公知のタイプでパルス列を受けて各パルスの
時間間隔を測定することにより、Ｆ２Ｆ信号を１”、”
０′のデータ列に復調することカベできる。
以上本発明の情報発生装置の実施例および読取装置の例
について説明したが、本発明は説明した例に限定される
ものではなく、請求の範囲の趣旨に基づいて個々の構成
部品を変形し、また以下に述べるような変形例も適用さ
れる。論理回路装置をなす半導体メモリ１９は、ｌチッ
プマイクロコンビエータ２０に内蔵されるＲＯＭとして
もよ０゜第２の変換装置である発光素子２１は自発光を
制御されるが、透過型あるいは反射型の液晶表示器を使
用することもできる。
光情報信号の情報形態はＦＺＦ方式にとられれるもので
はない。
第１．第２の変換装置は、光学的な支障がなければ、同
一面に配置することができる。
書き込み用電極２５は切断するほかに、情報を書き込ん
だ後に例えば非透明樹脂モールドしてもよい。
情報発生装置ｌＯの表面に操作部位がのぞくよ（ｌ　３
） うにしてスイッチ機構を設け、そのスイ・ノチノ操作状
態により、発生するコード信号の内容を予め記憶した複
数の中から選択するようにしてもよＩＩ）。
上述したように本発明は初期の目的を達成できるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第１０図は情報発生装置の実施例を示すも
ので、第１図は断固、第２図は下面図、第３図は樹脂モ
ールド前の上面図、第４図は同側面図、第５図は同下面
図、第６図は電気プロ・ツク図、第７図は駆動回路の電
気結線図、第８図はその作動タイムチャート、第９図は
コンピュータプログラムの流れ図、第１θ図は情報発生
のタイムチャート、第１１図は読取、装置の構成図であ
る。 １０・・・情報発生装置、１１・・・プリント配線板、
１２〜１８Ａ・・・太陽電池チ・ノブ（第１の変換装置
）、１９・・・半導体メモリ、２０・・・マイクロコン
ピュータ、２１・・・発光素子（第２の変換装置）。 代理人弁理士　岡　部　　　隆 （ｌ　４）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）光エネルギを受けて電気エネルギ信号を発生ずる
    第１の交換装置と、 該第１の変換装置より電気エネルギ信号を受けて所定の
    プログラムに基づく符号化電気情報信号を発生する論理
    回路袋５置と、 前記第１の変換装置より電気エネルギ信号を受けて前記
    論理回路装置からの電気情報信号に従って光学的情報信
    号を発生する１２の変換装置と、を備えた情報発生装置
    。 （２）前記論理回路装置が、続出専用の半導体メモリと
    、その記憶データを読み出してシリアル信号に換える制
    御回路とからなる特許請求の範囲第１項に記載の情報発
    生装置。 （３）前記第２の変換装置が、１つの自発光素子を含ん
    でいる特許請求の範囲第２項に記載の情報発生装置。 （１） （４）前記第１の変換装置の受光面と前記第２の変換装
    置の情報発生面とを光学的に分離して配置した特許請求
    の範囲第１項に記載の情報発生装置。 （５）全体が板状であり、その一方の面に前記第１の変
    換装置の受光面を配置し、他方の面に前記第２の変換装
    置の情報発生面を配置してなる特許請求の範囲第４項に
    記載の情報発生装置。
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