JPS58157069A - 光応答性電極 - Google Patents
光応答性電極Info
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- JPS58157069A JPS58157069A JP57039859A JP3985982A JPS58157069A JP S58157069 A JPS58157069 A JP S58157069A JP 57039859 A JP57039859 A JP 57039859A JP 3985982 A JP3985982 A JP 3985982A JP S58157069 A JPS58157069 A JP S58157069A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光応答性電@に関するものであり、史に評−
には、電極表面にトリス(4リビリジル)金−(■)型
高分子錯体な保持してなる光応答性電極に関するもので
ある。
には、電極表面にトリス(4リビリジル)金−(■)型
高分子錯体な保持してなる光応答性電極に関するもので
ある。
一般に、トリス(−リビリジル)金属(n)錯体(以下
、[m(ppy)、 Jという。)が溶液中で優れた
OT視光反応性を示すことはよく知られている。
、[m(ppy)、 Jという。)が溶液中で優れた
OT視光反応性を示すことはよく知られている。
しかしながらこの一体の浴液に、光応答性をもたない遍
・にの11極を浸漬し光照射を行なっても、電欅での丸
応答は全く観察されない。これは、可視光照射により光
励起された励起状態の一体(m(ppy) ””)が、
溶液中では極めて速やかに基鳳状暢に戻ってしまうため
である。
・にの11極を浸漬し光照射を行なっても、電欅での丸
応答は全く観察されない。これは、可視光照射により光
励起された励起状態の一体(m(ppy) ””)が、
溶液中では極めて速やかに基鳳状暢に戻ってしまうため
である。
しかしながら、M(ppy) を遍轟な高分子物質に
担持させて得られるM(ppy)fi 型高分子錯体
を11榛安面に保持せしめると、励起状響の錯体M (
p117 )−の電極11effiKおける電子授受反
応が町能と攻り、仁れKより、本来は光地答機能をもた
ない電極に光応答機能を発埃させることができることが
わかつ九。本発明は上記の知見に基き完成され友もので
ある。
担持させて得られるM(ppy)fi 型高分子錯体
を11榛安面に保持せしめると、励起状響の錯体M (
p117 )−の電極11effiKおける電子授受反
応が町能と攻り、仁れKより、本来は光地答機能をもた
ない電極に光応答機能を発埃させることができることが
わかつ九。本発明は上記の知見に基き完成され友もので
ある。
したがって本発明の目的は、溶液中ですぐれたar?J
!光反応性光示応性(ppy)” k%極極面面上保持
せしめることにより、電極に可視光応答性を付与するこ
とである。
!光反応性光示応性(ppy)” k%極極面面上保持
せしめることにより、電極に可視光応答性を付与するこ
とである。
本@明の他の目的は、すぐれたq視覚反応性を2十
有するM(ppy) k4−の形暢で光反応に用いる
ことである。
ことである。
本発明のj!!に他の目的は、すぐれたoJ視光反応て
なる光応香性篭極を提供することである。
なる光応香性篭極を提供することである。
本発明に使用されるM(ppy)”型尚分子蝦体は、た
とえば、分子中に/リビリノル基を膏する尚分子化合物
に、シス−ビス(deリピリソル) 金+1@(LD一
体(以下、r M(PP7)” Jという。)を反応さ
ぜることにより合成することができる。−リピリノル配
位子としては、たとえば、コ、コ′ −ビビリノル、o
−7エナントロリンなどtあげることができる。また、
中心金属としては、九とえば、ルテニウム、 オスイウ
ム、 イリジウム、 ロジウム、 **1どがあけられ
る。一般に分子中にポリビリノル基をMする高分子化合
物はすべて本@明に使用することができる。この高分子
化合物は、光反応に使用される水管九は水溶液その他の
浴謀あるいは浴液に実質上溶解しないもの、すなわち一
般に十子電約/ 、 000 以上のものが好ましい。
とえば、分子中に/リビリノル基を膏する尚分子化合物
に、シス−ビス(deリピリソル) 金+1@(LD一
体(以下、r M(PP7)” Jという。)を反応さ
ぜることにより合成することができる。−リピリノル配
位子としては、たとえば、コ、コ′ −ビビリノル、o
−7エナントロリンなどtあげることができる。また、
中心金属としては、九とえば、ルテニウム、 オスイウ
ム、 イリジウム、 ロジウム、 **1どがあけられ
る。一般に分子中にポリビリノル基をMする高分子化合
物はすべて本@明に使用することができる。この高分子
化合物は、光反応に使用される水管九は水溶液その他の
浴謀あるいは浴液に実質上溶解しないもの、すなわち一
般に十子電約/ 、 000 以上のものが好ましい。
このような為分子化合物としては、たとえば次のような
カが挙けられる。一つはビニル基を分子中に有するポリ
ピリジル化合物、たとえはダーピニルーコ、2−ビピリ
ジル、 ダーメテルー弘′−ピニルーコ、コ′−ビピリ
ジル、1タービール−0−フェナントロリン、 グーメ
チル−7−ピニルー〇−7エナントロリンなEk*独−
’Q電合させて侮られる為分子化合物、ないしは他のビ
ニ □ル化合物と任意の割合で共重合させて得られる
高分子化合物が挙けられる。他の内としては、高分子化
合物に/IJピリジル化合物を反応させて合成される含
−リピリジル高分子化合物がある。この−例として、−
リステレンの芳香核を臭素化した後にリチウム化し、次
いでポリビリジル化合物を反応させることにより芳香1
11KIリビリジル基が導入されたポリスチレンが挙け
られる。さらに、41、ダ′ −ジホル建ルーコ、−′
−ビピリジルを4リビニルアルコールと反応させて得
られる高分子化合物、−り(タービニルピリジン)にγ
−ビコリーを反応させて祷られる高分子化合物などが挙
けられる。
カが挙けられる。一つはビニル基を分子中に有するポリ
ピリジル化合物、たとえはダーピニルーコ、2−ビピリ
ジル、 ダーメテルー弘′−ピニルーコ、コ′−ビピリ
ジル、1タービール−0−フェナントロリン、 グーメ
チル−7−ピニルー〇−7エナントロリンなEk*独−
’Q電合させて侮られる為分子化合物、ないしは他のビ
ニ □ル化合物と任意の割合で共重合させて得られる
高分子化合物が挙けられる。他の内としては、高分子化
合物に/IJピリジル化合物を反応させて合成される含
−リピリジル高分子化合物がある。この−例として、−
リステレンの芳香核を臭素化した後にリチウム化し、次
いでポリビリジル化合物を反応させることにより芳香1
11KIリビリジル基が導入されたポリスチレンが挙け
られる。さらに、41、ダ′ −ジホル建ルーコ、−′
−ビピリジルを4リビニルアルコールと反応させて得
られる高分子化合物、−り(タービニルピリジン)にγ
−ビコリーを反応させて祷られる高分子化合物などが挙
けられる。
これらの4リビリジル基な含有する高分子化合8+
豐とM(ppy) との反応は、水、アルコール鋼、
冨 アルコールと他の有機溶媒との混合媒体中、あるいは極
性有機接媒たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシドなどの媒体中、4 o −it。
冨 アルコールと他の有機溶媒との混合媒体中、あるいは極
性有機接媒たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシドなどの媒体中、4 o −it。
”Uの温度範囲でl〜IOθ時閣の範囲で行なわれる。
為分子化合物とM(PPP)”+の仕込み比、反応亀夏
、反広時閣の如何によりMの導入率を制−し、目的とす
るM (PFF )″+型構造を任意の割合で含有する
高分子化合*V合成することができる。しかしながら、
好ましいM(ppy)”の含M卓は、重合畠 体のくり返し単位嶺り、約l〜J Omol 16が適
当でちる。M(ilPF)″+蓋構遺の含有率が少が過
ぎれ畠 ば幼呆が少なく、また多過ぎると水への溶解性がtJ#
Iす友め、水中で使用する場合はfjI出し易いなどの
間噛が生ずる端間がある。
、反広時閣の如何によりMの導入率を制−し、目的とす
るM (PFF )″+型構造を任意の割合で含有する
高分子化合*V合成することができる。しかしながら、
好ましいM(ppy)”の含M卓は、重合畠 体のくり返し単位嶺り、約l〜J Omol 16が適
当でちる。M(ilPF)″+蓋構遺の含有率が少が過
ぎれ畠 ば幼呆が少なく、また多過ぎると水への溶解性がtJ#
Iす友め、水中で使用する場合はfjI出し易いなどの
間噛が生ずる端間がある。
このような^分子錯体を保持せしめる電極としてはカー
が7電極、あるーは白金、金などの金属11酸化チタン
、酸化亜鉛、ヒ素化ガリウム。
が7電極、あるーは白金、金などの金属11酸化チタン
、酸化亜鉛、ヒ素化ガリウム。
シリコンなどの半導体電極などが用いられる。カー/ン
電極のうちでは、結晶方向が一定で、かつ坂本域平面が
電極*面に露邑しているペイサルルイングラファイト(
以下「BPGJという。)電極が艮好な結果を与える。
電極のうちでは、結晶方向が一定で、かつ坂本域平面が
電極*面に露邑しているペイサルルイングラファイト(
以下「BPGJという。)電極が艮好な結果を与える。
一分子一体の鵬を11′Ik表面に形成するKは、萬分
子@棒の水ないし有機媒体m液の所定量を電極表閣上に
適用した後乾燥すればよい、あるいは電極ゼ上1kJ、
分子鋤体−液に浸漬し友後引き上げてS ″ 乾様してもよい。−の厚さはjOム〜IOA程度が用い
られるが、脅に膜厚500〜に、00OAが良好な結果
を与える。
子@棒の水ないし有機媒体m液の所定量を電極表閣上に
適用した後乾燥すればよい、あるいは電極ゼ上1kJ、
分子鋤体−液に浸漬し友後引き上げてS ″ 乾様してもよい。−の厚さはjOム〜IOA程度が用い
られるが、脅に膜厚500〜に、00OAが良好な結果
を与える。
このようにして−製した光111龍化電極(以下「作用
電極」という。)t一対極と導嶽で連結し、水中もるい
は電解質yh:*解し九本や、椿性胃轡溶媒たとえばア
セトニトリル、 テトラヒドロフラン、ジオキナン、
ジメチルホルムアミド、 ジメチルスルホキシド、 ニ
トロメタンなどの溶液に浸漬し、作用電極に可視光を照
射すると光電流が観察される。極性有機媒体を用いると
きは電解質としてハロゲン化テトラアルキルアンモニウ
ム塩、有慎瞭のアルカリ金属塩などt俗解せしめて便用
する。
電極」という。)t一対極と導嶽で連結し、水中もるい
は電解質yh:*解し九本や、椿性胃轡溶媒たとえばア
セトニトリル、 テトラヒドロフラン、ジオキナン、
ジメチルホルムアミド、 ジメチルスルホキシド、 ニ
トロメタンなどの溶液に浸漬し、作用電極に可視光を照
射すると光電流が観察される。極性有機媒体を用いると
きは電解質としてハロゲン化テトラアルキルアンモニウ
ム塩、有慎瞭のアルカリ金属塩などt俗解せしめて便用
する。
液中ないし膜中に適当なレドックス試剤がmsないし共
存していれば光電流は著しく増大する。
存していれば光電流は著しく増大する。
上記レドックス試剤とは、トリス(ポリピリジル)金属
(II)錯体の励起状−との閣で璽子桜鯛反応がaJ能
な試剤を意味する。該一体の励起状暢から電子を受は城
る電子受容性レドックス試剤としてはビオロゲン類、第
二銅塩類、飢二111i:塩傾、鉄、鏑、ニッケル、
コバルト、 モリブデン、クロム、ルデニウム、 白金
などのシアン化錯体、 アン<:/一体、 テオット錯
体あるいは臂機配位性化合樽などの錯体、キノンおよび
その誘導体、テトシシアノキノノメタン、 ニトロペン
ぜンおよびその誘導体などが挙けられる。このうちビオ
ロゲン鎮としてはジメチルビオaCン、 ジエテルピオ
ロrンなどのはか、11を素数コO以下のゾアルキルビ
オロrン、高分子化合物に結合され良高分子ビオロrン
などが含まれる。励起状轢の一体に電子r供与する電子
供与性レドックス試剤としては芳査族アiン類、第−銅
塩−1第−鉄塩羨、金属塩の低原子1ii一体、ハイド
ロキノンおよびその一纏体などが*灯られる。これらの
電子受容性ないし供与性のレドックス試削は溶液中に共
存するだけでもよいが、電極表1に形成され九M(pp
y)”^分子一体被膜中KqIL看ないし取り込まれて
いるか、あるいはこれらのレドックス試剤なM(PPF
)”一分子細体411纏の上層ないし下層Km化して二
層喚−盾とすると光り答効来がさらに扁くなる。
(II)錯体の励起状−との閣で璽子桜鯛反応がaJ能
な試剤を意味する。該一体の励起状暢から電子を受は城
る電子受容性レドックス試剤としてはビオロゲン類、第
二銅塩類、飢二111i:塩傾、鉄、鏑、ニッケル、
コバルト、 モリブデン、クロム、ルデニウム、 白金
などのシアン化錯体、 アン<:/一体、 テオット錯
体あるいは臂機配位性化合樽などの錯体、キノンおよび
その誘導体、テトシシアノキノノメタン、 ニトロペン
ぜンおよびその誘導体などが挙けられる。このうちビオ
ロゲン鎮としてはジメチルビオaCン、 ジエテルピオ
ロrンなどのはか、11を素数コO以下のゾアルキルビ
オロrン、高分子化合物に結合され良高分子ビオロrン
などが含まれる。励起状轢の一体に電子r供与する電子
供与性レドックス試剤としては芳査族アiン類、第−銅
塩−1第−鉄塩羨、金属塩の低原子1ii一体、ハイド
ロキノンおよびその一纏体などが*灯られる。これらの
電子受容性ないし供与性のレドックス試削は溶液中に共
存するだけでもよいが、電極表1に形成され九M(pp
y)”^分子一体被膜中KqIL看ないし取り込まれて
いるか、あるいはこれらのレドックス試剤なM(PPF
)”一分子細体411纏の上層ないし下層Km化して二
層喚−盾とすると光り答効来がさらに扁くなる。
作用電11に照射する光源としては可視光を出すもので
あれば何でもよく、たとえばタングステンラング、螢党
燈ラング、キセノンラング、タングステンハロゲンラン
プ、太陽光などが挙けられる。
あれば何でもよく、たとえばタングステンラング、螢党
燈ラング、キセノンラング、タングステンハロゲンラン
プ、太陽光などが挙けられる。
光照射の際、前記の如く、適当なレドックス試剤を共存
させると光応答性が増大する。この機構は次のように、
説明される。適当な電子受容性化合物(以下、「ム」と
称する)が共存すると光照射下M(ppy)+とム−が
生成する(スキームl参照)7哀 この場合にもM(ppy)””とムが単に#液中Km解
しているだけでは、次式で示される逆反応が極めて速い
ため通常の電極を用いては光応答は観察されない。
させると光応答性が増大する。この機構は次のように、
説明される。適当な電子受容性化合物(以下、「ム」と
称する)が共存すると光照射下M(ppy)+とム−が
生成する(スキームl参照)7哀 この場合にもM(ppy)””とムが単に#液中Km解
しているだけでは、次式で示される逆反応が極めて速い
ため通常の電極を用いては光応答は観察されない。
と電極間の電子移行がtq*@となり、カソード光電流
か諌れ(スキームl参照)、結果的に光応答性か尭撫す
る。浴液中にムが存在し、これが錯体徴横中に浸透して
ムが錯体***中に共存している場合には、作用[極K
かけ九電位の大きさくより光1波の力量が異なることか
見出された。すなわち、負の電位ないし小さい正の電位
を作用電極に与えfC場合はスキーム7によりカソード
光電流が得られ、大きい正の電位を与え九場合は逆にア
ノード光電流が得られる。このときの反応はスキームコ
により示される。
か諌れ(スキームl参照)、結果的に光応答性か尭撫す
る。浴液中にムが存在し、これが錯体徴横中に浸透して
ムが錯体***中に共存している場合には、作用[極K
かけ九電位の大きさくより光1波の力量が異なることか
見出された。すなわち、負の電位ないし小さい正の電位
を作用電極に与えfC場合はスキーム7によりカソード
光電流が得られ、大きい正の電位を与え九場合は逆にア
ノード光電流が得られる。このときの反応はスキームコ
により示される。
(スキームコ)
作用電極
とのように作用電極にかける電位に依存して光電流の方
向が異なることは本発明の1賛な時機の一つであり、本
発明を牛導体本子として応用することも考えられる。
向が異なることは本発明の1賛な時機の一つであり、本
発明を牛導体本子として応用することも考えられる。
スキームlの機構によるカソード光W*は、酸素が共存
する条件下では約104aK増加する。これは生成する
ム−が速やかKal素酸化されてAKK有利に作用する
ためである。電極表面KますM(ppy)” 高分子
錯体の被覆層を形成し、その上に不溶化したAの被覆N
Iを形成して二階構這とすると電極電位の如461によ
らずカソード光電流が祷られ、しかもその時の光電流の
値はjlKll11者を混合して電極に被覆しfCJi
11合よりも高い。このことは、スキーム/を参照すれ
ば明らかなことである。
する条件下では約104aK増加する。これは生成する
ム−が速やかKal素酸化されてAKK有利に作用する
ためである。電極表面KますM(ppy)” 高分子
錯体の被覆層を形成し、その上に不溶化したAの被覆N
Iを形成して二階構這とすると電極電位の如461によ
らずカソード光電流が祷られ、しかもその時の光電流の
値はjlKll11者を混合して電極に被覆しfCJi
11合よりも高い。このことは、スキーム/を参照すれ
ば明らかなことである。
一方、電極KまずAの被覆層を形成し、その上(M(p
py)” 高分子錯体の被61鳩を形成して二噛榊遺
とすると得られる光1115fはアノ−;9光亀流とな
る。
py)” 高分子錯体の被61鳩を形成して二噛榊遺
とすると得られる光1115fはアノ−;9光亀流とな
る。
適当な電子供与性化合書(以下rDJと称する。)への
電子移動が起り、M(P?F)、 とD が生成する
。この場合もA共存下の場合と同様に単なる両名の混合
液ゼ用いては通常の電極での光応答は観察さnず、本発
明のM(ppy)” 型高分子錯体を笥椿衣面に機構
することにより、はじめて電極の光応答性か発塊する。
電子移動が起り、M(P?F)、 とD が生成する
。この場合もA共存下の場合と同様に単なる両名の混合
液ゼ用いては通常の電極での光応答は観察さnず、本発
明のM(ppy)” 型高分子錯体を笥椿衣面に機構
することにより、はじめて電極の光応答性か発塊する。
電極電位の如何罠よって、7ノ一ドyt1M流(スキー
ム3参■)ないしカソード)tll# (スキーム3参
WA)が得られる。
ム3参■)ないしカソード)tll# (スキーム3参
WA)が得られる。
作用電極
作P@を極
M (ppy )+とDをそれぞれI!IEして二#楢
造としま た電極系ではやはり単なる混合1!i櫃より効果が高い
。高分子錯体を被覆し九後KDY被覆した場合にはアノ
ード光電流が得られ、逆の場合にはカソード光電流か得
られる。
造としま た電極系ではやはり単なる混合1!i櫃より効果が高い
。高分子錯体を被覆し九後KDY被覆した場合にはアノ
ード光電流が得られ、逆の場合にはカソード光電流か得
られる。
一般に光応答性を得る淑度条件は約θ℃〜t。
℃のIa−から迦はれるが通常は層温でよい。本発明の
光応答性電極は、本来光応答性のない安価なありふれた
ff−Mン電極のような材料にも光応答性が容易に付与
できるので、工業上棲めて価儲が筒い。本発明の光1f
M能化電極は光センサ−、元11醜、半碑体累子、全く
新しVh[頷の光ダイオードとしての利用など応用上極
めて価慣が篇い。以下*m例19I:もって本発明ケ更
に評細に説明する。
光応答性電極は、本来光応答性のない安価なありふれた
ff−Mン電極のような材料にも光応答性が容易に付与
できるので、工業上棲めて価儲が筒い。本発明の光1f
M能化電極は光センサ−、元11醜、半碑体累子、全く
新しVh[頷の光ダイオードとしての利用など応用上極
めて価慣が篇い。以下*m例19I:もって本発明ケ更
に評細に説明する。
実施例1
ダーメチルーq′−ビニルビピリジルとスチレンをモル
比l/コ0でジオキサン中0.コ重量係のコ。
比l/コ0でジオキサン中0.コ重量係のコ。
コ′−アゾビスイソブチロニトリルを開始剤としてKO
’cI/Cて110時間重合させ、分子量コ9oθの共
重合体をSO4収率で得九、この重合体をシス−ビス(
コ、コ′−ビ♂リシル)ルテニウム(U)二11 化物
トvs−ブチルアルコール/キシレン(容蓋比で4I/
l )滉合媒体中、itgoc’cコダ時間反応させ、
にu(bpy) 型高分子錯体を合成し友、得られた
錯体の構造、平均組成を次に示す。
’cI/Cて110時間重合させ、分子量コ9oθの共
重合体をSO4収率で得九、この重合体をシス−ビス(
コ、コ′−ビ♂リシル)ルテニウム(U)二11 化物
トvs−ブチルアルコール/キシレン(容蓋比で4I/
l )滉合媒体中、itgoc’cコダ時間反応させ、
にu(bpy) 型高分子錯体を合成し友、得られた
錯体の構造、平均組成を次に示す。
この錯体のRw錯体部単位肖り/ mMのジメチルホル
ムアミド溶液を調製し、このうちダμl を表面積θ、
l?1のBPG電極のディスク面にマイクロシリンノか
ら滴下し、拡げ九後に風乾してを含むpilりの水溶液
中にこの被覆電極を浸漬し。
ムアミド溶液を調製し、このうちダμl を表面積θ、
l?1のBPG電極のディスク面にマイクロシリンノか
ら滴下し、拡げ九後に風乾してを含むpilりの水溶液
中にこの被覆電極を浸漬し。
電極として白金板を導線でつなぎ、室温下で500Wキ
tツノランプの光を紫外光カットフィルターと赤外光カ
ットフィルターを通して得た可視光を電極被横面に照射
すると数mAI<1の光電流が生じ友。
tツノランプの光を紫外光カットフィルターと赤外光カ
ットフィルターを通して得た可視光を電極被横面に照射
すると数mAI<1の光電流が生じ友。
実施例コ
実権例1でMILL九電極上電極チルビオafン/ O
mM、 CF COONa O,−Mを含む−7の水
溶液中に浸噴してアルジ7雰囲気下で、実施例Iと同機
に光照射すると光電流が生じた0作用電極電位が−0,
3V (vs、AI−ムp ci電極)では9りRA/
n”のカソード光電流が得られ、0.I Vでは6亭n
ム/11 のアノード光電流が得られえ。電極電位が−
0,3V のとき空気存在下で同様の操作を行なうと約
lμA/、@雪のカソード光電流が得られた。空気存在
下では電極電位o、tr vでも光電流はアノード電流
は生じなくカソード光電流が生じた。高分子錯体を被覆
しない5pai[極を用いて同様な操作を行なっても光
電流は全く得られなかった。
mM、 CF COONa O,−Mを含む−7の水
溶液中に浸噴してアルジ7雰囲気下で、実施例Iと同機
に光照射すると光電流が生じた0作用電極電位が−0,
3V (vs、AI−ムp ci電極)では9りRA/
n”のカソード光電流が得られ、0.I Vでは6亭n
ム/11 のアノード光電流が得られえ。電極電位が−
0,3V のとき空気存在下で同様の操作を行なうと約
lμA/、@雪のカソード光電流が得られた。空気存在
下では電極電位o、tr vでも光電流はアノード電流
は生じなくカソード光電流が生じた。高分子錯体を被覆
しない5pai[極を用いて同様な操作を行なっても光
電流は全く得られなかった。
実施例3
分子量約t、oooのポリスチレンのp−位をU/憾ジ
クロルメチル化た後、l−メチル−+ 、 tI’−ビ
ピリジニウム塩化物とn−ブタノール/午シレン(容積
比′/l)混合媒体中で煮沸下にてl1時間反応させ、
下記の構造および組成の高分子メチルビオロダンを合成
した。
クロルメチル化た後、l−メチル−+ 、 tI’−ビ
ピリジニウム塩化物とn−ブタノール/午シレン(容積
比′/l)混合媒体中で煮沸下にてl1時間反応させ、
下記の構造および組成の高分子メチルビオロダンを合成
した。
Ru(bpyC型高分子錯体溶液を一μ)用いたはかは
実施例1と全く同様にしてBPG電極を被覆し死後、仁
の上に上記高分子メチルビオログ−のメタノール溶液(
メチルビオクグン単位にしてJ、j rmM )コsl
をのせて拡げ、風乾することにより二項被覆電極を作製
し丸、Cの電極に、−0,コV(マ5−AP−ムl1C
1> の電位をかけ、アルジン雰囲気下実施例1と同
じ方法で光照射するとコ3tnA / cm”のカソー
ド光電流が得られ丸。
実施例1と全く同様にしてBPG電極を被覆し死後、仁
の上に上記高分子メチルビオログ−のメタノール溶液(
メチルビオクグン単位にしてJ、j rmM )コsl
をのせて拡げ、風乾することにより二項被覆電極を作製
し丸、Cの電極に、−0,コV(マ5−AP−ムl1C
1> の電位をかけ、アルジン雰囲気下実施例1と同
じ方法で光照射するとコ3tnA / cm”のカソー
ド光電流が得られ丸。
Ru(bpy)”+型高分子錯体と高分子メチルビオa
4”ンの混合溶液を被覆し九電極を用いた場合、同じ条
件下でのカソード光電流はj?mA/備2でありた。
4”ンの混合溶液を被覆し九電極を用いた場合、同じ条
件下でのカソード光電流はj?mA/備2でありた。
実施例ダ
弘−メテルーダ′−ビニルー−、II−ビピリジル含t
が約コO嚢のアクリル酸との共重合体(分子量約−〇、
000)をシス−ビス(コ、コl−ビピリジル)ルテニ
ウム鉄(II)錯体と反応させて得られるF・(bpy
) ” di^分子錯体のメタノール溶液なりPO3 電極に適用して風乾することによ)、厚さ約5、θ00
Aの一櫨嗅を形成させえ。この被膜上にジセチルビオ
ロrンのクロロホルム溶液を適用して厚さ約ノ、θ00
Aの被膜を形成させて二層構造とし九電極を作製した
。この電極を用いて、実権例1と同様な方法で直接太陽
光を照射した。空気共存下、電極電圧−o、3v で約
t00nム/信 のカソード光電流が得られた。
が約コO嚢のアクリル酸との共重合体(分子量約−〇、
000)をシス−ビス(コ、コl−ビピリジル)ルテニ
ウム鉄(II)錯体と反応させて得られるF・(bpy
) ” di^分子錯体のメタノール溶液なりPO3 電極に適用して風乾することによ)、厚さ約5、θ00
Aの一櫨嗅を形成させえ。この被膜上にジセチルビオ
ロrンのクロロホルム溶液を適用して厚さ約ノ、θ00
Aの被膜を形成させて二層構造とし九電極を作製した
。この電極を用いて、実権例1と同様な方法で直接太陽
光を照射した。空気共存下、電極電圧−o、3v で約
t00nム/信 のカソード光電流が得られた。
実施例3
’I−メfルークービニルーO−フェナントロリンとス
チレンの共重合体(分子量約so、ooo>を用い、金
属としてルテニウムの代りにイリゾウムを。
チレンの共重合体(分子量約so、ooo>を用い、金
属としてルテニウムの代りにイリゾウムを。
Iリビリゾル配位子としてO−フエナントロリ/を用i
た他は実施例1と同様忙してIr(ph・!I)。
た他は実施例1と同様忙してIr(ph・!I)。
型高分子錯体(但しph@n はO−7工ナントロリン
配位子を示す)を合成した。この高分子錯体の濃厚クロ
薗ホルム溶液を/ CI4” の白金電極に適用し乾
燥して厚さ約へ〇〇OAの被膜を形成させ死後、この被
膜上にさらにベンジルビオロゲン0.7Mのメタノール
溶液コOslを適用してベンジルビオロゲンを吸着させ
た。この電極を用いて300”Wのタングステンランプ
を用いたほかは実施例1と同様に光照射したところ、ブ
ルゾン雰囲気下、電極電位−〇、/ V (vi、 A
、? −AN C4)で5θnA/cmのカソード光電
流が得られた。
配位子を示す)を合成した。この高分子錯体の濃厚クロ
薗ホルム溶液を/ CI4” の白金電極に適用し乾
燥して厚さ約へ〇〇OAの被膜を形成させ死後、この被
膜上にさらにベンジルビオロゲン0.7Mのメタノール
溶液コOslを適用してベンジルビオロゲンを吸着させ
た。この電極を用いて300”Wのタングステンランプ
を用いたほかは実施例1と同様に光照射したところ、ブ
ルゾン雰囲気下、電極電位−〇、/ V (vi、 A
、? −AN C4)で5θnA/cmのカソード光電
流が得られた。
実施例6
実施例コにおいて、メチルビオロゲンの代りにゾロ7ア
ン!ルーを用いたほかは実施例コと全く同様に空気存在
下で光照射を行なったところ、電極電位−〇、コVで約
!r 00 tsk/amのカソード光電流が得られた
。
ン!ルーを用いたほかは実施例コと全く同様に空気存在
下で光照射を行なったところ、電極電位−〇、コVで約
!r 00 tsk/amのカソード光電流が得られた
。
実施例7
実施例−において、メチルビオロゲンの(lにハイドロ
キノンを用いたほかは実施例コと同様に光照射を行なっ
たところ、ブルゾン雰囲気下、電極電位0.7 Vでダ
OnA/?蕩のアノード光電流が得られ丸。
キノンを用いたほかは実施例コと同様に光照射を行なっ
たところ、ブルゾン雰囲気下、電極電位0.7 Vでダ
OnA/?蕩のアノード光電流が得られ丸。
実施例を
実施例/においてBPG電極の代)に酸化チタ ン(
TIO) 電極を用いてRw(bpy)鵞+型高分子
錯体S を被覆し、実施例コと同様の方法で可視光照射な行なっ
たところ、′4!気存在下、電極電位−〇・3vでコ0
0 m17cm のカソード光電離が得られた。
TIO) 電極を用いてRw(bpy)鵞+型高分子
錯体S を被覆し、実施例コと同様の方法で可視光照射な行なっ
たところ、′4!気存在下、電極電位−〇・3vでコ0
0 m17cm のカソード光電離が得られた。
実施例を
実施例−において水の代)kアセトニトリルを媒体とし
て月い、かつこれにθ、/Mのテトラエチルアンモニウ
ム臭化物を溶解させ九ほかは実施例コと全く同411に
光照射を行々つ九ところ、空気存在下、電極電位−(7
,IIV で約/ jlA/ca のカソード光電流
が得られた。
て月い、かつこれにθ、/Mのテトラエチルアンモニウ
ム臭化物を溶解させ九ほかは実施例コと全く同411に
光照射を行々つ九ところ、空気存在下、電極電位−(7
,IIV で約/ jlA/ca のカソード光電流
が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 11) 電極表1IfKトリス(/リビリジル)金属
(II)型高分子錯体な保持せしめたことを特徴とする
光応答性11 (2)電極表l1iK、トリス(/リビリジル)金属(
II)型高分子錯体と電子受容性レドックス試@または
電子供与性レドックス試剤とを保持せしめたことt特徴
とする光応答性電極。 13)電極表面に前記高分子錯体が被覆され、蒔値媛の
上に前記レドックス試剤が被覆されている時1fFll
lIXの軛囲箒コ項紀載の光応答性電極。 (4)亀tt表#Jに前記レドックス試剤が被覆され、
該III嫌の上に前記高分子錯体が被覆されている脣#
!F訪求の1@囲纂コ項記載の光応答性電極。 (5)電&i表面に前記高分子錯体と前記レドックス試
剤の混合物が被覆されている時奸縛求の範囲第コ璃記禦
の光応答性電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57039859A JPS58157069A (ja) | 1982-03-13 | 1982-03-13 | 光応答性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57039859A JPS58157069A (ja) | 1982-03-13 | 1982-03-13 | 光応答性電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58157069A true JPS58157069A (ja) | 1983-09-19 |
JPH0324747B2 JPH0324747B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=12564695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57039859A Granted JPS58157069A (ja) | 1982-03-13 | 1982-03-13 | 光応答性電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58157069A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189877A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Rikagaku Kenkyusho | 多核型金属錯体膜被覆光応答性電極 |
JPS6171564A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Rikagaku Kenkyusho | 電荷蓄積素子および電荷蓄積方法 |
JPH01220380A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-09-04 | Gebr Sulzer Ag | 光電気化学電池・その製法及び使用法 |
JP2018058799A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 2,5−ジアルコキシ−2,5−ジヒドロフラン等の製造方法及び製造装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5418853A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor high polymer composition |
-
1982
- 1982-03-13 JP JP57039859A patent/JPS58157069A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5418853A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor high polymer composition |
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JPS60189877A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Rikagaku Kenkyusho | 多核型金属錯体膜被覆光応答性電極 |
JPH0564435B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1993-09-14 | Rikagaku Kenkyusho | |
JPS6171564A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Rikagaku Kenkyusho | 電荷蓄積素子および電荷蓄積方法 |
JPH0578154B2 (ja) * | 1984-09-17 | 1993-10-28 | Rikagaku Kenkyusho | |
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JP2018058799A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 2,5−ジアルコキシ−2,5−ジヒドロフラン等の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0324747B2 (ja) | 1991-04-04 |
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