JPS58156928A - 放射線感応性組成物 - Google Patents
放射線感応性組成物Info
- Publication number
- JPS58156928A JPS58156928A JP3801182A JP3801182A JPS58156928A JP S58156928 A JPS58156928 A JP S58156928A JP 3801182 A JP3801182 A JP 3801182A JP 3801182 A JP3801182 A JP 3801182A JP S58156928 A JPS58156928 A JP S58156928A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- light
- high molecular
- halogen compound
- sensitive composition
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、微細加工に適した放射線感応性組成物に関す
る。より詳しくは、官能基又は、化合切自体の光による
変化によって生じた溶解度の変化を利用し友放射線感応
性組成智に関する。
る。より詳しくは、官能基又は、化合切自体の光による
変化によって生じた溶解度の変化を利用し友放射線感応
性組成智に関する。
従来のフォトレジストは主に、主鎖切断型のポジ型レジ
ストと架橋型のネガレジストが開発されている。前者で
は、高感度と耐ドライエツチング性は両立しにくく、後
者では、ｆＡｇＩ液による膨潤のため解偉度が制限を受
けるという欠点があった。
ストと架橋型のネガレジストが開発されている。前者で
は、高感度と耐ドライエツチング性は両立しにくく、後
者では、ｆＡｇＩ液による膨潤のため解偉度が制限を受
けるという欠点があった。
本発明は、膨潤による解像度低下が少なく、高感度で、
耐ドライエツチング特性の優れ九フォトレジストを提供
することにある。
耐ドライエツチング特性の優れ九フォトレジストを提供
することにある。
解＊［を低下させる主な原因である現儂液による膨潤を
少なくする丸めには、架橋型の反応ではなく、官能基が
変化し、現偉液による溶解性が異なる系を構成すれば良
い。官能基としては、光照射によシイオンまたは極性基
の生じる官能基が有効である。一方、耐ドライエツチン
グ性については、ベンゼン環を含むポリスチレンなどが
有効である。
少なくする丸めには、架橋型の反応ではなく、官能基が
変化し、現偉液による溶解性が異なる系を構成すれば良
い。官能基としては、光照射によシイオンまたは極性基
の生じる官能基が有効である。一方、耐ドライエツチン
グ性については、ベンゼン環を含むポリスチレンなどが
有効である。
前記官能基を有する高分子材料は、）・ロゲンの様な電
子陰性屓の高い物質を混入することによシ、よシ高装置
でしかも、′Ｐｓｇ１１度の目安となるｒ特性が飛躍的
に改善される。光照射によシ生じるイオン又は、極性基
は、混入された電気陰性度の高い１質によプ、よシ安定
に形成されやすくなるために、特性の飛躍的改善が期待
されるものと考えられる。
子陰性屓の高い物質を混入することによシ、よシ高装置
でしかも、′Ｐｓｇ１１度の目安となるｒ特性が飛躍的
に改善される。光照射によシ生じるイオン又は、極性基
は、混入された電気陰性度の高い１質によプ、よシ安定
に形成されやすくなるために、特性の飛躍的改善が期待
されるものと考えられる。
上記官能基と耐ドライエツチング性の優れた、例えばベ
ンゼン環などをＭする高分子材料と電気陰性度の高い物
質からなる組成物は、上記目的を達成するための優れた
高分子組成りである。また、同様に上記官能基を含む化
合物と、耐ドライエツチング性の優れた高分子材料と上
記電気陰性度の高い物質からなる組成物も優れた材料で
ある。
ンゼン環などをＭする高分子材料と電気陰性度の高い物
質からなる組成物は、上記目的を達成するための優れた
高分子組成りである。また、同様に上記官能基を含む化
合物と、耐ドライエツチング性の優れた高分子材料と上
記電気陰性度の高い物質からなる組成物も優れた材料で
ある。
前記官能基としては、スピロピラン系、トリフェニルメ
タン系、０−ニトロベンゾイル系及ヒこれらの誘導体が
ある。
タン系、０−ニトロベンゾイル系及ヒこれらの誘導体が
ある。
上記光照射をうけてイオン又は極性基を生じる官能基、
又は化合物は、光照射又は熱反応によシ可逆的に変化す
ることを特徴とする。
又は化合物は、光照射又は熱反応によシ可逆的に変化す
ることを特徴とする。
耐ドライエツチング性の優れ良化合物としてはベンゼン
環を有するポリスチレン、又はポリヨウ素化スチレン、
ポリビニルカルバゾールおよびそれらの誘導体などが好
ましい。
環を有するポリスチレン、又はポリヨウ素化スチレン、
ポリビニルカルバゾールおよびそれらの誘導体などが好
ましい。
前記電気陰性度の高い物質としては臭化水素などのハロ
ゲンを含むｌＩ２あるいは四臭化炭素、ブロモホルム、
クロロホルム、ミードホルムナトノハロゲンを含む炭素
化合物などが好ましい。
ゲンを含むｌＩ２あるいは四臭化炭素、ブロモホルム、
クロロホルム、ミードホルムナトノハロゲンを含む炭素
化合物などが好ましい。
以下実施例を用いて本発明をよシ詳細に説明する。
実施例１
６−ニトロ−８−メタアクリロキシメチル−１゜３’
、３’−）リメチルインドリノベンゾピリロスに’ラン
の１０モル％、スチレン９０モル％ヲ混合し、アゾイソ
ブチロニトリルを重合開始剤とし、ベンゼン溶液中、６
０Ｃで５時間反応させ、共重合体を得た。得られた重合
体５０重量％と四臭化炭素５０重量％をキシレンに溶解
させ、ウェハ上に塗布し、特性を評価した。微細パター
ンを含むマスクを介し、５００Ｗ水銀ランプを光源とし
、３０６ＩＩの距離でα８秒間露光した。露光後キシレ
ン１容、シクロヘキサン１容の現像液で現像した所、通
常のレジストに見られるところの膨潤によるパターンの
乱れのない１μｍのラインとスペースを解像するネガ型
しジスト儂が得られた。四臭化炭素の混入による効果を
調べた所、該組成物は、四臭化炭素の存在しない場合に
比して、その感度において３倍以上向上し、ｒｔｆ＃性
において３倍以上と改善された。
、３’−）リメチルインドリノベンゾピリロスに’ラン
の１０モル％、スチレン９０モル％ヲ混合し、アゾイソ
ブチロニトリルを重合開始剤とし、ベンゼン溶液中、６
０Ｃで５時間反応させ、共重合体を得た。得られた重合
体５０重量％と四臭化炭素５０重量％をキシレンに溶解
させ、ウェハ上に塗布し、特性を評価した。微細パター
ンを含むマスクを介し、５００Ｗ水銀ランプを光源とし
、３０６ＩＩの距離でα８秒間露光した。露光後キシレ
ン１容、シクロヘキサン１容の現像液で現像した所、通
常のレジストに見られるところの膨潤によるパターンの
乱れのない１μｍのラインとスペースを解像するネガ型
しジスト儂が得られた。四臭化炭素の混入による効果を
調べた所、該組成物は、四臭化炭素の存在しない場合に
比して、その感度において３倍以上向上し、ｒｔｆ＃性
において３倍以上と改善された。
実施例２
実施例１によシ得られ九共重合体７０重量％と三ヨウ化
メタン３０重量％をキシレンに溶解させ、ウェハ上に回
転塗布し、特性を評価した。実施例１と同様の露光方法
を用い１．２秒間露光し、現像し要所、１μｍの２イン
とスペースを解像するネガ型しジスト儂が得られた。
メタン３０重量％をキシレンに溶解させ、ウェハ上に回
転塗布し、特性を評価した。実施例１と同様の露光方法
を用い１．２秒間露光し、現像し要所、１μｍの２イン
とスペースを解像するネガ型しジスト儂が得られた。
実施例３
実施例１と同様にウェハ上にレジスト膜を形成し、２秒
間露光し丸。その後、４００ｎｍ以下の光を透過しない
フィルタと微細パターンを含むマスクを介し、ｌＯ秒間
露光μ現像した所、１μｍを解像するポジ型のレジスト
像が得られた。
間露光し丸。その後、４００ｎｍ以下の光を透過しない
フィルタと微細パターンを含むマスクを介し、ｌＯ秒間
露光μ現像した所、１μｍを解像するポジ型のレジスト
像が得られた。
実施例４
実施例１で得られ九レジスト像の、アルゴンイオンミリ
ングのエツチング速度を評ＩＩＩＩｉシた。アルゴンガ
ス圧、６．７Ｘ１０−” ｐａ 、加速電圧６００ｖ電
流密Ｉｆ ５Ｘ１０−’ Ａ／２−の条件下でレジスト
のエツチング速度はＱ、２５ｎｍ／ｓであり、ポリスチ
レンのそれとはとんど同じであシ、曳好な耐性を示し友
。
ングのエツチング速度を評ＩＩＩＩｉシた。アルゴンガ
ス圧、６．７Ｘ１０−” ｐａ 、加速電圧６００ｖ電
流密Ｉｆ ５Ｘ１０−’ Ａ／２−の条件下でレジスト
のエツチング速度はＱ、２５ｎｍ／ｓであり、ポリスチ
レンのそれとはとんど同じであシ、曳好な耐性を示し友
。
実施例５
６．８−ジブロモ−１，３’ 、３’−）リメチルイン
ドリノベンゾビリロスピラン２５重量％、ポリスチレン
５０重量％、四臭化炭素２５重量％をキシレンに溶解さ
せ、回転塗布によシクエハ上にレジスト膜を形成させ九
。実施例１と同様に１０秒間露光し、キシレン１容、シ
クロヘキサン２０容の現像液で現像した所、ｌ＃ｍを解
像するレジスト像を得た。
ドリノベンゾビリロスピラン２５重量％、ポリスチレン
５０重量％、四臭化炭素２５重量％をキシレンに溶解さ
せ、回転塗布によシクエハ上にレジスト膜を形成させ九
。実施例１と同様に１０秒間露光し、キシレン１容、シ
クロヘキサン２０容の現像液で現像した所、ｌ＃ｍを解
像するレジスト像を得た。
本発明によれば、官能基の変化によシ、現儂第に対する
溶解性が制御されるため、膨潤の少ない高解像度のフォ
トレジストが得られる。また、高分子母体を任意に選択
することができ、耐ドライエツチング特性、を始めとす
る実用的緒特性を持九せることができる。
溶解性が制御されるため、膨潤の少ない高解像度のフォ
トレジストが得られる。また、高分子母体を任意に選択
することができ、耐ドライエツチング特性、を始めとす
る実用的緒特性を持九せることができる。
一方、官能基としてフォトクロミック材料を用いる−こ
とによシ、同一の現像液によ）、ポジ型、ネガ型の両パ
ターンを得ることが可能である。
とによシ、同一の現像液によ）、ポジ型、ネガ型の両パ
ターンを得ることが可能である。
また、照射後、あるいは現像後においても、パ第１頁の
続き ０発 明 者 上野巧 国分寺市東恋ケ窪１丁目列番 国分寺市東恋ケ窪１丁目カ番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
続き ０発 明 者 上野巧 国分寺市東恋ケ窪１丁目列番 国分寺市東恋ケ窪１丁目カ番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光照射をうけてイオン又は極性基を生じる官能基を
有する高分子化合物とハロゲン化合切−よりなることを
ｑ＃像とする放射線感応性組成物。 ２、光照射をうけてイオン又は極性基を生じる化合豐と
高分子化合物およびハロゲン化合切よりなることｔ−特
徴とする放射線感応性組成り。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3801182A JPS58156928A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 放射線感応性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3801182A JPS58156928A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 放射線感応性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58156928A true JPS58156928A (ja) | 1983-09-19 |
Family
ID=12513631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3801182A Pending JPS58156928A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 放射線感応性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58156928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184455A (ja) * | 1986-01-25 | 1987-08-12 | モートン インターナショナル インコーポレイテッド | 光重合性組成物 |
-
1982
- 1982-03-12 JP JP3801182A patent/JPS58156928A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184455A (ja) * | 1986-01-25 | 1987-08-12 | モートン インターナショナル インコーポレイテッド | 光重合性組成物 |
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