JPS5814645B2 - 積層型光結合器の製造方法 - Google Patents

積層型光結合器の製造方法

Info

Publication number
JPS5814645B2
JPS5814645B2 JP51086191A JP8619176A JPS5814645B2 JP S5814645 B2 JPS5814645 B2 JP S5814645B2 JP 51086191 A JP51086191 A JP 51086191A JP 8619176 A JP8619176 A JP 8619176A JP S5814645 B2 JPS5814645 B2 JP S5814645B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermediate layer
refractive index
ion implantation
optical
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP51086191A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5311045A (en
Inventor
黒田研一
西川啓
浜中宏一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP51086191A priority Critical patent/JPS5814645B2/ja
Publication of JPS5311045A publication Critical patent/JPS5311045A/ja
Publication of JPS5814645B2 publication Critical patent/JPS5814645B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 従来の積層型光結合器は第1図に示すような構成になっ
ており、主導波路1と副導波路2に中間層3を配し、中
間層をエッチング等により膜厚差を持たせることで結合
領域4と非結合領域5を形成している。
この結合領域4と非結合領域5との中間層の段差は、光
導波路の損失を増すばかりでなく結合特性にも影響する
この段差による損失等を小さくする方法として緩傾斜を
有する形状の段を形成することは可能であるが、この緩
傾斜部分で結合領域と非結合領域との分離が困難となる
本発明は上記欠点をイオン・インプランテーション(
ion implantation)を利用することに
よって改良したもので、次にその製造工程に従って説明
する。
第2図において、光屈折率n1を有する誘電体基板6、
例えば石英基板に光屈折率n2を有する主光導波路1、
例えばTa205の膜を形成後、光屈折率n3を有する
中間層3を例えばSiO2を非結合になる膜厚にRFス
パタリング(RF−S puttering )あるい
は真空蒸着等を施して形成する。
次いで第3図に示すように、非結合領域となる中間層3
にイオン注入防止膜7、例えばホトレジストで被い、結
合領域とする部分のみを開孔してイオン注入防止膜7を
除去する。
この開孔部分から結合領域の光屈折率を非結合領域の光
屈折率より大きくできるようなイオン例えばB+イオン
を注入する。
かくして結合領域の光屈折率n4ぱ非結合領域の光屈折
率n3に対し大きな屈折率を持たすことができ、その光
屈折率n4はイオンの注入量及び注入エネルギによって
変化することができ、結合度に応じた結合層8を形成で
きる。
所定のイオン注入後、第4図に示すようにイオン注入防
止膜7を取り除き、第5図に示すように光屈折率n5を
有する副導波路2、例えばTa205の膜を形成し、結
合領域8と非結合領域3を分離し、段差のない積層型光
結合器を形成できる。
かくしてイオン注入による積層型光結合器の構成例を示
したが、本発明は各層の光屈折率がn2)n 5 >
n 4 > n 3二n1の関係を満足し、中間層の光
屈折率n4とn3をイオン注入によって変えて作る積層
型結合器に対し各構成層の材料のいかにかかわらず適用
できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のものの要部断面図、第2図乃至第5図は
この発明の一実施例を工程順に示した要部断面図である
。 図において、1は主光導波路、2は副光導波路、3は中
間層、4は光結合領域、5は光非結合領域、6は誘電体
基板、7はイオン注入防止膜、8は光結合層を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 誘電体基板上に主光導波路を形成し、この主光導波
    路上に非光結合領域となる中間層を形成し、この中間層
    上にイオン注入防止膜を形成し、光結合領域とすべき前
    記中間層部分の前記イオン注入防止膜部分に開孔を施し
    、この開孔部分から光結合領域の屈折率を非光結合領域
    の屈折率より大ならしめるイオンを前記中間層に注入し
    、ついで、前記中間層上に副光導波路を形成することを
    特徴とする積層型光結合器の製造方法。
JP51086191A 1976-07-19 1976-07-19 積層型光結合器の製造方法 Expired JPS5814645B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51086191A JPS5814645B2 (ja) 1976-07-19 1976-07-19 積層型光結合器の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51086191A JPS5814645B2 (ja) 1976-07-19 1976-07-19 積層型光結合器の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5311045A JPS5311045A (en) 1978-02-01
JPS5814645B2 true JPS5814645B2 (ja) 1983-03-22

Family

ID=13879870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51086191A Expired JPS5814645B2 (ja) 1976-07-19 1976-07-19 積層型光結合器の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5814645B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421231Y2 (ja) * 1984-02-14 1992-05-14

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421231Y2 (ja) * 1984-02-14 1992-05-14

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5311045A (en) 1978-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3948583A (en) Isolation of passive devices and integration with active devices in optical waveguiding circuits
US4670972A (en) Method for making magnetic heads
CN101019052A (zh) 二维光子晶体及采用其的光设备
US7002742B2 (en) Polarizing function element, optical isolator, laser diode module and method of producing polarizing function element
CN110995196A (zh) 谐振器的制备方法和谐振器
US4701987A (en) Process for manufacturing high frequency quartz resonators
JPS5814645B2 (ja) 積層型光結合器の製造方法
JPH11202126A (ja) 誘電体多層膜フィルタ
TW201443500A (zh) 極化分離器及其製作方法
JP2973254B2 (ja) 複屈折構造
JPH1078510A (ja) フィルタ
JPWO2007004296A1 (ja) 誘電体多層膜を含んだ光学素子およびその製造方法
JP2741731B2 (ja) 偏光子
JPH0660966B2 (ja) 光デバイスの製造方法
JPH0588019A (ja) 偏光分離プリズムの製造方法
JPS603606A (ja) 光結合装置
JP2783491B2 (ja) 近赤外乃至可視光領域用積層型光偏光制御素子
JP3179745B2 (ja) パターン作製方法
JP2606525B2 (ja) 光導波路素子とその製造方法
JP2725904B2 (ja) マイクロ波ストリップラインフィルタの周波数調整法
JP2001091775A (ja) 積層型石英系光導波路の製造方法
JPS6173905A (ja) 交叉光導波路
JPS5997102A (ja) 光導波路装置及びその製造方法
JPS5960407A (ja) 光学フイルタ
JPH0723927B2 (ja) 光導波路の製造方法