JPS5814645B2 - 積層型光結合器の製造方法 - Google Patents
積層型光結合器の製造方法Info
- Publication number
- JPS5814645B2 JPS5814645B2 JP51086191A JP8619176A JPS5814645B2 JP S5814645 B2 JPS5814645 B2 JP S5814645B2 JP 51086191 A JP51086191 A JP 51086191A JP 8619176 A JP8619176 A JP 8619176A JP S5814645 B2 JPS5814645 B2 JP S5814645B2
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- JP
- Japan
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- intermediate layer
- refractive index
- ion implantation
- optical
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Description
【発明の詳細な説明】
従来の積層型光結合器は第1図に示すような構成になっ
ており、主導波路1と副導波路2に中間層3を配し、中
間層をエッチング等により膜厚差を持たせることで結合
領域4と非結合領域5を形成している。
ており、主導波路1と副導波路2に中間層3を配し、中
間層をエッチング等により膜厚差を持たせることで結合
領域4と非結合領域5を形成している。
この結合領域4と非結合領域5との中間層の段差は、光
導波路の損失を増すばかりでなく結合特性にも影響する
。
導波路の損失を増すばかりでなく結合特性にも影響する
。
この段差による損失等を小さくする方法として緩傾斜を
有する形状の段を形成することは可能であるが、この緩
傾斜部分で結合領域と非結合領域との分離が困難となる
。
有する形状の段を形成することは可能であるが、この緩
傾斜部分で結合領域と非結合領域との分離が困難となる
。
本発明は上記欠点をイオン・インプランテーション(
ion implantation)を利用することに
よって改良したもので、次にその製造工程に従って説明
する。
ion implantation)を利用することに
よって改良したもので、次にその製造工程に従って説明
する。
第2図において、光屈折率n1を有する誘電体基板6、
例えば石英基板に光屈折率n2を有する主光導波路1、
例えばTa205の膜を形成後、光屈折率n3を有する
中間層3を例えばSiO2を非結合になる膜厚にRFス
パタリング(RF−S puttering )あるい
は真空蒸着等を施して形成する。
例えば石英基板に光屈折率n2を有する主光導波路1、
例えばTa205の膜を形成後、光屈折率n3を有する
中間層3を例えばSiO2を非結合になる膜厚にRFス
パタリング(RF−S puttering )あるい
は真空蒸着等を施して形成する。
次いで第3図に示すように、非結合領域となる中間層3
にイオン注入防止膜7、例えばホトレジストで被い、結
合領域とする部分のみを開孔してイオン注入防止膜7を
除去する。
にイオン注入防止膜7、例えばホトレジストで被い、結
合領域とする部分のみを開孔してイオン注入防止膜7を
除去する。
この開孔部分から結合領域の光屈折率を非結合領域の光
屈折率より大きくできるようなイオン例えばB+イオン
を注入する。
屈折率より大きくできるようなイオン例えばB+イオン
を注入する。
かくして結合領域の光屈折率n4ぱ非結合領域の光屈折
率n3に対し大きな屈折率を持たすことができ、その光
屈折率n4はイオンの注入量及び注入エネルギによって
変化することができ、結合度に応じた結合層8を形成で
きる。
率n3に対し大きな屈折率を持たすことができ、その光
屈折率n4はイオンの注入量及び注入エネルギによって
変化することができ、結合度に応じた結合層8を形成で
きる。
所定のイオン注入後、第4図に示すようにイオン注入防
止膜7を取り除き、第5図に示すように光屈折率n5を
有する副導波路2、例えばTa205の膜を形成し、結
合領域8と非結合領域3を分離し、段差のない積層型光
結合器を形成できる。
止膜7を取り除き、第5図に示すように光屈折率n5を
有する副導波路2、例えばTa205の膜を形成し、結
合領域8と非結合領域3を分離し、段差のない積層型光
結合器を形成できる。
かくしてイオン注入による積層型光結合器の構成例を示
したが、本発明は各層の光屈折率がn2)n 5 >
n 4 > n 3二n1の関係を満足し、中間層の光
屈折率n4とn3をイオン注入によって変えて作る積層
型結合器に対し各構成層の材料のいかにかかわらず適用
できるものである。
したが、本発明は各層の光屈折率がn2)n 5 >
n 4 > n 3二n1の関係を満足し、中間層の光
屈折率n4とn3をイオン注入によって変えて作る積層
型結合器に対し各構成層の材料のいかにかかわらず適用
できるものである。
第1図は従来のものの要部断面図、第2図乃至第5図は
この発明の一実施例を工程順に示した要部断面図である
。 図において、1は主光導波路、2は副光導波路、3は中
間層、4は光結合領域、5は光非結合領域、6は誘電体
基板、7はイオン注入防止膜、8は光結合層を示す。
この発明の一実施例を工程順に示した要部断面図である
。 図において、1は主光導波路、2は副光導波路、3は中
間層、4は光結合領域、5は光非結合領域、6は誘電体
基板、7はイオン注入防止膜、8は光結合層を示す。
Claims (1)
- 1 誘電体基板上に主光導波路を形成し、この主光導波
路上に非光結合領域となる中間層を形成し、この中間層
上にイオン注入防止膜を形成し、光結合領域とすべき前
記中間層部分の前記イオン注入防止膜部分に開孔を施し
、この開孔部分から光結合領域の屈折率を非光結合領域
の屈折率より大ならしめるイオンを前記中間層に注入し
、ついで、前記中間層上に副光導波路を形成することを
特徴とする積層型光結合器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51086191A JPS5814645B2 (ja) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | 積層型光結合器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51086191A JPS5814645B2 (ja) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | 積層型光結合器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5311045A JPS5311045A (en) | 1978-02-01 |
JPS5814645B2 true JPS5814645B2 (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=13879870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51086191A Expired JPS5814645B2 (ja) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | 積層型光結合器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5814645B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0421231Y2 (ja) * | 1984-02-14 | 1992-05-14 |
-
1976
- 1976-07-19 JP JP51086191A patent/JPS5814645B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0421231Y2 (ja) * | 1984-02-14 | 1992-05-14 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5311045A (en) | 1978-02-01 |
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