JPS58139624A - 車両用負荷電流遮断回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発ｗＡ＃ｉ、負輛駆動用のスイッチングトランジスタ
で負荷のシ曹−トによる印加電圧の上昇を検出してオフ
させるようにフィードバッタ制御することで電流検出抵
抗を無くして回路の小型化を図るようにした車両用負荷
電流速１１ｒｗｉ路Ｅ１ｍする。

従来、１ＩＩｉｋシ曹−ト時−負荷に流れる電流を速動
するようにし大負荷電流遮断回路としては、例えは錆１
図に示すようなものがある。

第１図にお−て、１１：ｉエアコン、　＊−ｆｉ　、Ｋ
　＃用熱珈等のＩＩＩ駿＊Ｍであり、負荷１と歯列にＭ
Ｏ８ジ１罵テを用−たスイッチングトランジスタ２を怜
紗し、トチイブ回路３の出力４Ｔ１１号によ抄スイッチ
ングトランジスタ２をオンして負荷を駆動してψる＠ 筐た、スイッチングトランジスタ２と匣列に赦オーム糊
度の微少抵抗値をもつ１ｌＩＥ捷１検出用抵扮４を接続
し、負ｌｋｌのシ冒−トにより流れる過大な１１渡を電
流検出抵抗４の′＃端に生ずる電圧で検出し、この検出
電圧の上昇をコンパレータ５で検知してドライブ回路３
にリセット信号を出力し、９セット信号を受けたドライ
ブＩ！１１ｗｌ３けスイッチングトランジスタ２への信
号出力ｔゼロボルトにホールドすることでスイッチング
トランジスタ２をオフし、負荷ショート時に負＄ｒ　Ｋ
　ＷれるＷｔｔを遮断するようにしている。尚、ドライ
ブ回路３のリセット解除は、回路電源を切ってＰ４α人
することで行なわれる。

しかしながら、このような従来の負向域ｒＪｔ、遮１回
路にあっては、゛電流検出用ｆ＃抗４の両端の電圧降下
で貴靭のシ冒−トを検出して負荷に流れる電源を４＃１
する構成となっていたため、電流検出用＆抗４には正常
時にお−てもアンペアオーダの負伽＃釦・ｗ流が流れ、
このため電流検出用抵抗４としてｄワット数が大吉〈月
つ量イス的にも大自いものを会費とし、小勢化を図る良
めにスイッチングトランジスタ２．ドライブ油路３及び
コンパレータ５でなる回ド部を集柚化した場合にも、電
流検出用抵抗４Ｆｉ外付は抵抗としてＩｅＭＬなければ
ならず、回路の小型化を充分に−ることができないと−
う間一点があった・ 本ｌｌｅ明祉上記に−みてなされたもので、負荷ショー
ト時のｍ流変化を検出する電流検出用抵抗を無くして小
型化を図るため、負荷と、練負蓚を部製するスイッチン
グトランジスタと、負荷のシ冒−トによる上１スイッチ
ングトランジスタへの印加電圧の上昇を検出して該トラ
ンジスタをオフさせるようにフィードバック制御する制
御回路とで楕戚するようにしたもＯである。

以ド、本発明をｍ−に基づいて説明する。

嬉２図は本発明の一実給例を示した回路図である＠ まず構成を説明すると、１ＯＦｉ本発明のスイッチ回’
ＩＰＫより駆動される負荷であり、抵抗値Ｒを有する。

仁の負′Ｉｋ１０に対してはスイッチング用ＭＯＢｔｅ
　ｌｌｔ界効呆トランジスタ（以下「ＭＯＢ形ｙｚ’ｈ
」という）　１２のドレイン端子りが接続され、スイッ
チング用ＭＯａ杉Ｐ　Ｉ　’ｒ　１２のソース畑子ｓＦ
ｉ接鯖従続されて≠る。スイッチング用Ｍｏ８杉７　Ｘ
　Ｔ　１２のゲート端子Ｇに対しては抵抗値ｌ！を有す
る入力抵ｉ　１６を介してスイッチング信号Ｔｉｍが入
力されてお抄、この実施例では負荷１０　Ｋ対する電源
電圧ＶＤＩを１２Ｖ、又スイッチング信号Ｔｉｎは非作
＊、時にゼロボルト又、スイッチング時Ｋ　１０　Ｖと
なるようにして−る・スイッチング用ＭＯ８％’１ｌＮ
７１２のゲート潮干ＧＫは電流！１９Ｉ用＋ｉりＭ０１
！Ｉｉ？］ｌ１ｌ１４Ｏドレイン端子りが接続され、こ
のＭＯａ形ＩＦ１ｅＴ１２と同様にソース接地され、そ
のゲート端子Ｇ社スイッチング用−ＯＳ形ｆｆｌ！？１
２のドレイン端子りを帰還抵抗１８を介して帰−Ｗｐ続
している０又、ＭＯＢ形アｌ！１４のゲート嬉李６と接
地間にはツエｔダイオード２Ｄか゛接続され、ＭＯＲｈ
３ν罵〒１４のゲートに加わるノイズ等による過大な入
力電圧を＠収するようＫしていム讃、ゲー）Ｋ対しノイ
ズ等による過大な電圧入力の蛤れがない参会に祉ツェナ
ダイオード２Ｄは設けなくともよ−。

一方、スイッチング用ＭＯＥＩ形？ｌ’ｌ’１２及び電
流制限用Ｍｏ８杉Ｆｌｅ’ｌ’１４のそれぞれは、ゲー
ト電圧がゼ費ｌルトの時に蝶ドレイン１１ｔｉｔが流れ
ず、ゲート電圧が所定のスレツシロルド′ｗ１庄ｖｔｈ
以上となった時にゲート電圧の増加に応じたドレイン電
流が流れるエン＾ンスメント形の１’ｌＴを使用して−
る。

又Ｍｏ８杉？１？１４のゲートに対する帰ｉＩｔ接続路
に般社ている４４抵抗１８としては、負Ｍ　１０の抵抗
値員が大吉い場合にけＭｏ１ｔ形１罵Ｔ１４のゲー）忙
対する帰趨電流も小さいので帰還抵抗１８を般妙る必要
はなく、一方負＄１０の抵抗値Ｒが小さい参会にｔ１Ｍ
ＯＢ形ＩＮ〒１４のゲートに対する帰遷電流を所定餉以
下に＃１１えるような抵抗値を有する帰還抵抗１８を設
ける。更に、入力抵抗１６龜亀流ＰＩＡＪ限用のＭＯｇ
形１厭１４　Ｋ　１ｍ列層紗されたドレイン負鉤として
数けられているものであり、入力抵抗１６の抵抗値Ｒ１
としては、スイッチング１１１号としての入力ｖｌＦ＋
、ｖ１鳳がゼロボルトから１０　Ｖ　Ｋ　［化し走スイ
ッチオンの際に一皺電圧＋ＶＤＤの印加によりオン’ａ
Ｊ卵状酢にあるＭＯＢ形ν１１１１４のドレイン端子り
に入力電圧Ｔｉｎ＝　ｔＯＶが印加するオン側詐時に、
ＭＯＢ形７ＫＴ１２のゲート電圧Ｖｇｌをスイッチング
用ＭＯ８ｉ７３！７１２のスレッシ曹ルド電圧Ｖｔｈｌ
よりやや高めとするような抵抗値に設定される０更に又
、電流１ｂＩＩ限用のＭＯａ形１１〒１４のスレッシ目
ルド電圧７ｔｈ２は、負＠ｌＯが正常であるときにオン
して−るスイッチング用ＭＯＢ形νｍ？１２のドレイン
・ソース陶電圧Ｖｄ薯１より大きくなるように設定され
てφる０次に第２１ＪｇｌＩＣ示した本発明の作用を拒
３−のイぎち波形図を参照して説明する・尚、以下の説
明にお−て電源電圧十ＶＤＤ＝１２マ、スレッショルド
電圧ＶｔｈｌｅＶｔｈ２＝２Ｖ、負＠１０の抵抗＠Ｒ＝
２．４Ｍ。

入力抵折１６の抵抗値Ｒ１ｘ７′Ｆ−Ωとして−る。ま
ず負値ｌＯが正常な場合の作用をｌ！ｌ！明する。今、
スイツチング信号としての入力電圧マ１ｎがゼロボルト
であったとすると、スイッチングｊｊ４ＭＯＢ％ν１ｅ
Ｔ１２のデー）１１［Ｖｇｌはゼロボルトであることか
らスイッチング用ＭＯＢ形ν鳶’ｒ１２ｒｔオフとなっ
ている。

一方、電流１Ｉｌｌ限用のＭＯＩＩ形ｙｍ〒１４のゲー
ト増千〇に対して口負葡ｌＯ及び帰道抵抗１８を介して
電源電圧十マＤＤ！ｔ２ｖが加わってオン可ｍｌ状態と
なっているが、ドレイン端子ｐを接続したスイッチング
用Ｍｏｌ形Ｆｌ’ｌ’１２のデーＦ電圧Ｖｇｌロゼロボ
ルトであるので電流制御用のＭＯ８形ｙｘテ１４もオフ
して−る・ 次に入力電圧Ｖｉｍがスイッチ操作部によりｌ０Ｖ（立
ち上ると入力抵抗１６を介してスイッチング用ＭＯｊｉ
％νｌテ１２のゲート・ソース間に’４ｆ在するゲート
容量ＯｇＢＫ充電電流が流れ、スイッチング用ＭＯＥＩ
形１１Ｃ？臣のデージ電圧Ｖｇｌが第３図の信号ｔＪ！
船図に示すように入力抵抗１６とデー）＄’ＩＯｇｊｌ
で定まる時定数で上昇し、このゲート電圧Ｖｇｌの上昇
社オン可能状鯵にある電流ｆｇ［用（ｓｉｔｏｓ杉１罵
〒１４のドレイン・ソース間電圧Ｖ櫨８２を上昇させる
。このようなデート容量Ｏｇ８の充電によるデート電圧
Ｖｇｌの、Ｆ昇により所定時間ｔａ１１にゲート電圧Ｖ
ｇｌがスイッチング用Ｍｏｌ形？１ｇＴ１２のスレッシ
旨ルド電圧ｖｔｈｉ＝２ｖｔ上回抄、スイ７　ｆ　＞　
ｆ　Ｊｌｌ　ＭＯ８１ＦＩ？１２にドレイン電流工ｄ１
が流れ始め、このドレイン電障工ｄ１の上昇にと蟻なっ
てスイッチング用Ｍｏｌ形νＭ？１２のドレイン・ソー
ス間電圧７６Ｂ１ｔｄ減少を始め、史ＫＶｔ１〒１の減
少は帰遷抵抗１８を介してＭＯ８杉ν罵？１４のデート
電圧が減少し、このような動作を仲り返すことｋよりス
イッチング用Ｍｏｓ形１１〒１２Ｆｉ負′＃に１０の抵
抗値Ｒ＝　２．４９で定まるドレイン電波。

工ｄｉを汚１すオン状態に向い、一方′＠流制限用の舅
ｏ８彪１罵Ｔ１４はドレイン・ソース間電圧Ｖ４８１ｑ
）減少によ抄オフ状態に向ψ、Ｍｋ終的にスイッチング
用ＭＯ８形７ｍ！１２がオン、電流制限用ＭＯ８庇？ｍ
’ｌ’１４がオフとなる負にのスイッチオン状独に移行
する。

次に第３図のｆａｔ波形図で明らかにした貴信１０が正
常時のスイッチオンによるスイッチング用１■ル１鳶Ｔ
１２と電流制限用Ｍｏａ杉７ｍ　Ｔ１４の動作の詳細を
第４．５１１！！ｌＩに示す負付特性曲に図を参照して
説明する。まず入力電圧Ｖｉｎ＝ＯＶの時には、スイッ
チング用ＭＯ＋ｉ！７ｐ？１Ｔ１２はオフとなっている
ので、第４図の負麺曲銀に示すようにデーＦ電圧Ｖｇｌ
ｔｉスレッシ薔ルド電圧ｖｔｈｌ＝２Ｖ以下にあ抄、ド
レイン電流工ｄｌｔｆｉゼジとなっている。一方、電波
−眼用Ｍｏｌ形１１′に１４社電源電圧ｙＤＤ　＝１２
Ｖがゲート電圧Ｖｇ２として印加されてオン状態にある
ので、第５図の１４曲−におい％　７ｇ２＝１２Ｖとな
る１点の動作状態にあり、この時ドレイン電流工ｄ２＝
１．０ｍムでドレイン・ソース間電圧マに８２＝３Ｔと
なっている。次に入力電圧Ｔｉｍがゼロボルトから１（
ｆｆＫ立ち上ったとすると、スイモチンダ用ＭＯ彬１冨
２１２のゲート容量ａｇｓに対する充電でゲート電圧Ｖ
ｇｌが上昇し、例えば第４図の貴徊許性曲線におけるム
点となるＶｇｌ＝３７に上昇したとすると、ム点に対応
したドレイン電流工６１が流れ始め、この人点における
ドレイン電流１ｄｌＫよりドレイン・ソース間電圧ｖ６
８１はそれ迄の１２　Ｖ十 からＩＬ５に減少し、このドレイン・ソース間電圧マ４
Ｂ１０減少ぷん０．５マ／ｄＭＯＢ刑′Ｉ冨Ｔ１４のゲ
ート端子にゲージ電圧Ｖｇ２として帰還され、第５＃Ｉ
Ａの負竹曲１１！ＩＫボすようにゲート電圧Ｖｇ２は１
Ｌ５Ｖに減少したｂ点の動作吠腺となり、この為ドレイ
ン電流工６２が減少し、一方ドレイン・ソース聞電圧ｖ
４ｇ２ハソレ迄の３ｖから３．５マに上昇し、このドレ
イン・ソース開電圧Ｖｔｌ！１２の上＃はスイッチング
岸ＭＯ８杉ｙ罵Ｔ１２のゲート電圧Ｖｇｌの上昇をもた
らし、このような帰還動作の繰抄返しによりスイッチン
グ用ＭＯ８形ν１！１２は＃８４図におけるｐ点の鮎作
吠−に移行して負荷１０の抵抗普及とスイッチング用Ｍ
ｏｌ形ｙｘｒｘ２のドレインφソース間の導通抵抗で定
まるドレイン電流工ｄｌ＝４．８ムに安定し、一方、ス
イッチング用Ｍｏｌ形１鳶？１２のドレイン−ソース間
電汁は０．５ｖとＭＯＢ形ν鳶′ｒ１４のスレッシ翳ル
ド電圧ｖｔｈ＝２Ｖ以下となることから、給５図の賀舘
曲−゛におけるｄ点に移行してドレイン電流工ｄ２＝ｏ
となるオン状態に１にる。

次に負荷ｌＯがシ曹−Ｆ状１１にある時の作用を錦６図
の信号波影図を参照して説明する・入力電圧Ｖａｍがゼ
ロボルトにあるスイッチオフの伏膝では、負艙正常時と
ｌｉ［Ｋスイッチング用ＭＯ８％’ｌ！ＥＴ１２ｒｉｔ
　７、電流制限用ＭＯ８ＱＦＩＣＴ１４はオン状態にあ
る。こり状腺でスイッチ操作等により、入力電圧Ｔｉｎ
が１０　Ｖ　Ｋ立ち上るとすると、入力紙＠１６を介し
てスイッチング用ＭＯａ形？ＥＴ１２のゲート容＠Ｏｇ
Ｂが充電されてゲート電圧Ｖｇｌが上昇を始め、所定時
間Ｉｌｌ後にスレッシ璽ルド電圧ｖｔｈ＝２ｖを上回る
とスイッチング用ＭＯＢ形７　ＲＴ１２にドレイン電流
工＋１１が流れ始める。

しかし壜がら、負Ａ　１０’はシ曹−ト状＃にある為に
ドレイン電流ｘａ１が上昇しても負荷１ｏにおける電圧
降下は生ぜず、帰還抵抗１８を介してＭＯ８形ｙｘ’ｒ
１４０ゲート端子ｅ４ｃ加わるゲート電圧Ｖｇ２　ｔｊ
電源電圧マＤ　Ｂｅ１２　ｖ　Ｋ　ｊａｉｌ定されて−
ゐ。この為、輩ｏｓ形ＩＦｍ！１４はオン状態を保ち、
更にスイッチング用ＭＯ８影１１！νのドレイン電流ｘ
１１１が増加して所定時１＄ｉｉ　ｔｄ２後に工直１＝
０．５ムに上昇すると、電流制限用ＭＯＳルＦＩＴ１４
のデーＦ電圧マｇ２はＩＬｓマと九り、この時ドレイン
ソースｆｉｌｌｌｌＥ圧ｖａｓ２−ｓ、ｓマとなって、
スイッチング用ＭＯｓ形ν１！臆のデー）電圧Ｖｇｌを
３．５ｖとする銅５図ｏｂ点及び第４図０１点で安定吠
紗となり、この時、負荷ｌＯを流れるドレインｍ流工ｄ
１幡０．５ムに押えられ、負荷１０が正常な時の駆−Ｉ
電流にくらべてｇ）　ｉｏ分の１４ＣｌｌｉＩＩ限され
る。尚、この負荷ショート時における電流遮断状蒙にお
いて、入力抵抗１６に流れる人力電ｔＩ１．ｌｉは電流
制限用ＭＯＳ形７１Ｔ１４に流れるドレイン電流Ｉ（１
２Ｋ等しく、ＩＪｈ５図の偵蓚曲線におけるｄ点に示す
ように約０．１ｍムと神くわずかな値である〇 第７図は、第２図の実施−における回路部ムをＭＯｊｉ
杉集柚回路により形成した榊造動面図である。

まず構成を説明すると、Ｍ基皆ηをドレインとしてドレ
イン端子羽を取り出し、この基板乙の上島に形成したＭ
−影エビタキシャルＮ２４の表面ＫＷチャンネル栖造の
スイッチング用ＭＯＢ形νＩＣ’！’１２を形成し、ス
イッチング用ＭＯ８％７罵Ｔ１２ｔｊ工く°タキシャル
層必の表面下に打ち込まれＴｈＮ＋釦域でなるソース１
２Ｂ１及びエピタキシャル層９の？Ｊ１面Ｋｍ化シリコ
ン８ｉｏ２による絶縁層篇を介してゲート１２　Ｃ１を
杉成し、ソース１２８に対してはムｊ電檜（資）を蒸着
してソース端子調をもって接地接続している。ｔ々電渡
臘１限用のＭＯＳ形１鳶〒１４もエピタキシャル層１４
内に打ち込まれたＰ領域によって空乏層を杉綾すると共
ｊ／ＣＰ＠域の内ｆｌＫ所定間隔を隔てて設けられたｒ
領域にてドレイン１４１）とリース１４　ａを形成し、
ドレイン１４　Ｄとリース１４８との褒駈に絶縁層％を
介してデー）　１４　Ｇを設けて−る。崗、Ｍｏｌ形１
１！１４　Ｂ　ＨＡ　ｌ　電枠３ｏの蒸着によってＭＯ
！！形？ｌ？１１’）ソース１２８と共通＊＊され、ソ
ース端子編を亀ってソース接地され、ＭＯ８形シ罵テ１
４のドレイン１４１）＃ｉムｌ電Ｉｌ！＋！３１１を介
してスイッチング用Ｍｏ１ｌ形ｆｆｌ？１２のゲート１
２　Ｇに外Ｍｉｌｌ続されている。更［、ＭＯ８形１鵞
！１４のゲート１４Ｇ４Ｃ！！続されるツェナダイオー
ド加かエピタキシャル層別内にに設されたＰ＋領域とＣ
動域で形成されてお勢、ツェナダイオード２ｏのアノー
ド＠はソース端子３４に外線！ＩＨされ、又カソード輸
子は電１１１１１１１ｍｌＪＩ　Ｍ０８％７ｍ？１４０
　ケ−）　１４　Ｇ　Ｋ外＆Ｉｆ！！紗されるｅ′！ｊ
！にツェナダイオード２００左佃の位置にはＰ＋領域で
形成されるガードリングあを介して絶縁！＃Ｉ２６上に
ポリシリコンでなる抵抗層をもって帰還抵抗１８か鰺威
されて−る・崗、帰還抵Ｍ１８Ｆｉ帰＃１１？１１．が
沖〈わずかであるので、上記のようにポリシリコンによ
る抵抗層として形成することができ、外部波絞している
入力紙［１６についても、入力電流ｔｊＯ，１ｍＡＮ度
と少ないので帰還抵Ｔｈ、　１Ｍと同様にポリシリコン
を用いた抵抗層により酪化シリ７ン８１０２でなる絶縁
層の上に同様に形成できる０まな、ＰｆｉＩ城でなるガ
ードリング３８Ｆｉドレイン基板２２に＾電圧が印加さ
れた時の素子表面の空乏層の伸びを助け、耐圧を高める
為に設けられて−るが、ドレイン基板２２に対する印加
電圧が低−場合にはガードリング３Ｂ＃ｉ＆けなくても
よへ第８−は第７凶の集梼檎造における噂価回路を示し
たもので、スイッチング用ＭＯ８Ｊｐν１Ｔ１２、電流
制限用ＭＯＳ形７１にＴ１４、入力抵抗１６、ｍｓ抵抗
１Ｂ、及びツェナダイオード九のそれぞれにつ−てけ第
２図の＠Ｎ’ｒ酩ムとＫじになるが、スイッチング用Ｍ
Ｏ８杉ＦＩＴ１２のドレイン・ソース関に菫−形エピタ
キシャル層別との−ＩＫ塾成されるＰ１％合によるダイ
オードＤ１〜Ｄ３が寄生ダイオードとして生ずるが、ダ
イオード］）１〜Ｄ３が形成されてもｔｇｌ路劃作側対
する影Ｗは全くない。

第９図は本発明の他の実施例を示したもので、スイッチ
ング用及び１概制限用の電界トランジスタとしてＰチャ
ンネル０Ｍ０８電界トランジスタを使用したことをｇ／
ｌ１ＩＩＩとする・すなわち、スイッチング用のＰチャ
ンネルＭｏｌ杉ＩＸテ１２’のドレイン端子ｐ傭に負＊
　１０　を艶続し、ゲート調子Ｇに入力抵抗１６を介し
てスイッチング信号としてゼ賢〆ル）から−１０Ｖ　Ｋ
立ち下る入力電ｆｊ、Ｖ１ｍを入力し、スイッチング用
ｒチャンネルＭＯａ形Ｆ１ｅＴ１２’のゲージ端子・に
電流１ＩｉＩＩ！用のシチャンネルＭＯＢ形ν鳶！１４
′のドレイン端子り管１１Ｉ！シ、更にスイッチング用
ＰチャンネルＭｏｌ形νｍ＋ｙｘ２′のドレイン端子Ｄ
　ｋｆ＊Ｍ抵抗１８を介してスイッチング用のＰ＋　−
？　ン＊　ルＭＯ８Ｂｙｌｙ１４’０　’ｆ　−）　ｍ
子Ｇａ１ＣＩ還俵綬し、ゲート端子ＧＫ加わるノイズｑ
ｅ高電圧を吸収するためにツェナダイオード加を縁続し
て≠ムその動作は入力電圧マ１菖と電源電圧マＤＤＯ値
が！イナスとなる以外韓第２図に示した１チヤンネルの
ＭＯ８杉ＩＦＩＴと同様であ勧、又、ｌＯ化した時０Ｉ
ｌｌ［、第７図の実−例におけるＰ領域と舅釦埴を反転
させるたけでよい・勿論、１Ｍ９図におけるＰチャンネ
ルＭＯ！１ｌｌ−ｉ’？ｍ’ｒ１２’、　１４’のそれ
ぞれはエンハンスメントタイプを使用する。

以上説明してきたように本発明によれば、その構成を、
負楯と、該負荷を駆動するスイッチング）ランジスタと
、負荷のシ璽−トによるトランジスタ印加電圧の上昇を
検出して上Ｆスイッチン々゛トランジスタをオフするよ
うにフィードバック制御するＩＩＩ御回路とで構成した
ため、従来回路に用−ていた９１薇の謝絶電流を検出す
るための電流検出用抵抗が不賛となり、蔓にスイッチン
グ用及び電流制限用の電界効果トランジスタとしてＭＯ
Ｂ杉集槓回路に過した同一＊ｆｈの電界効果トランジス
タを使用した負荷のスイッチング及び負荷ショート時の
電流’ｉｎ　＊ｔを行なっているので、スイッチングｌ
１Ｉ−に必要亀能動素子及び受動素子の全てをＭ０８楕
柚回路に組み込んでスイッチ回路全体を小型チップ上に
集ｒａ形成することができ、このようが集権化により回
路接絞を簡略化すると共に％加齢性を＾めることによる
コストの大幅な低減を実現できると−う効果が得られ、
スイッチ回路自体の信頼性も向上する。

【図面の簡単な説明】

嬉１図は電渡、検出抵抗を用いた従来装雪のｍ−を示し
た回路ブロック図、第２図は本発明の一実施例を示した
回路図、第３図は資性正常時の信号波形図、第４図は第
２図の５４１旙例におけるスイッチング用ＭＯ８杉νＩ
丁の負荷曲線図、第５図は第２図の実施例における電流
制限用ＭＯＴ形ＦＩＴの負葡曲線第６図蝶貴舘シ曹−ト
時の信号波形図、第７図はＭＯ８纒柚構造とした本発明
のスイッチ回路の艶面構１に図、第８図社第７図の塾価
回路図、第９図はｒチャンネルＭｏ１ｔ杉１）を用−た
本発明の他の実施例を示した回路図である。 ｌＯ・−・負荷　　　　　１２．１２’・・スイッチン
グ用ＭＯＢ形１ｒ１４、１４−・・蒐［１１＋１＆用Ｍ
Ｏ８Ｉｉ？１Ｔ１６・・・入力抵抗　　　　　１８・・
・帰還、抵抗加・−ツェナダイオード　　　＆・・・１
Ｍドレイン基板冴・・・エピタキシャル層　　　　あ・
−・絶縁層あ・・・リン斗ガッス　　３ｕ・・・Ａｄ″
＃１１棒〜・・・ドレイン端子ｊ子３４−・・ソース端
子あ・・・入力端子　　　　蕊・・・ガードリング第１
図 第３図 す絨襠正書（１武） ４ｍ　ｌＬ４　、、月２３日 脣奸庁真省　島　凧　春　樹　威 Ｌ　事件０＠示 一和５１年畳許願ＩＩＩ雪１３（１４１２抛＠０４称 阜崗鳩負萄電諷纏ｌｌｌ１ｔ−踏 ＆　葡正會する看 事件と０ＦＩＩ４係　４１）ｔＰ出躯人猿所　神奈川県
−ｇ＊神蕪用区憲町２書烏名称　（錦・）β１ｌｌｉｉ
励阜一式会社４（ｔＪｉｌｌ１人　　〒ＩＯＩ　　電１
に１１１０−１１１１１曽＆　補正命令の日付　　鰯＄
Ｉｆ等ｉ月２６日（発送日）龜　補正によ）増加する発
＠Ｏ叙 １、補止Ｏ対象　　ｉｉｌ　　　画 ＆　補止Ｏ円審 一自扇ａｗＡｏ−倫を胴紙に蟻書１示す嶺に一人し電す
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 負楓と一該負荷を駆動するスイッチングトランジスタと
   、負荷のシＩｆ−）Ｋよる上記スイッチングトランジス
   タへの印加電圧の上昇を検出して該トランジスタをオフ
   １１せるようにフィードバッタ制御する一ｊＩＩ１１回
   路とで構成したことを特許とする車＃Ｔ用１に電流遮断
   回路・