JPS58136179A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS58136179A JPS58136179A JP57017245A JP1724582A JPS58136179A JP S58136179 A JPS58136179 A JP S58136179A JP 57017245 A JP57017245 A JP 57017245A JP 1724582 A JP1724582 A JP 1724582A JP S58136179 A JPS58136179 A JP S58136179A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- period
- imaging
- signal
- elements
- smn
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数の撮像画素が配列形成された固体撮像素
子と、撮像画素に得られる信号電荷にもとすく信号を導
出するためのスイッチング素子を制御する、走査回路と
を備えて構成される固体撮像装置に関し、特に、静止画
撮像出力信号を得るにあたって、走査回路によるスイッ
チング素子の開閉制御態様が工夫されることにより、消
費電力が低減され、また、ノイズが低減された出力信号
が得られる改良された固体撮像装置に関する、。
子と、撮像画素に得られる信号電荷にもとすく信号を導
出するためのスイッチング素子を制御する、走査回路と
を備えて構成される固体撮像装置に関し、特に、静止画
撮像出力信号を得るにあたって、走査回路によるスイッ
チング素子の開閉制御態様が工夫されることにより、消
費電力が低減され、また、ノイズが低減された出力信号
が得られる改良された固体撮像装置に関する、。
光電変換部とスイッチング素子との胡合せで形成される
撮像画素が、多数所定のパターン、しＵえば、行列配置
をもってΩ次元的に配列された撮像面を有する固体撮像
素子と、斯かる固体撮像素子のスイッチング素子を選択
的に開状態として、各撮像画素の光電変換部で得られる
信号電荷にもとずく撮像出力信号を導出せしめる走査回
路とを、主要構成要素とする固体撮像装置が提案されて
いる１、この場合、固体撮像素子に於ける各スイッチン
グ朱子は、しｌえば、ＭＯ８形電界効果トランジスタ（
以下、ＭＯＳ −ＦＥＴという）で構成され、また、光
電変換部は、スイッチング素子の個々に対応して形成さ
れた多数の受光ダイオードで、あるいは、スイッチング
素子の２次元的配列上に形成された光電変換薄膜層で構
成される。
撮像画素が、多数所定のパターン、しＵえば、行列配置
をもってΩ次元的に配列された撮像面を有する固体撮像
素子と、斯かる固体撮像素子のスイッチング素子を選択
的に開状態として、各撮像画素の光電変換部で得られる
信号電荷にもとずく撮像出力信号を導出せしめる走査回
路とを、主要構成要素とする固体撮像装置が提案されて
いる１、この場合、固体撮像素子に於ける各スイッチン
グ朱子は、しｌえば、ＭＯ８形電界効果トランジスタ（
以下、ＭＯＳ −ＦＥＴという）で構成され、また、光
電変換部は、スイッチング素子の個々に対応して形成さ
れた多数の受光ダイオードで、あるいは、スイッチング
素子の２次元的配列上に形成された光電変換薄膜層で構
成される。
このような固体撮像装置で静止画撮像出力信号を１）↓
る場合、即ち、いわゆるステイル・カメラを構成する場
合には、固体撮像素子に関連して機械的あるいは′電子
的ンヤツターが設けられる。この磯ｔｌ＆的あるいは電
子的シャッターは、撮像が行わｔｌない時には閉動作状
態にあって撮像時にのみ短時間開動作状態とされる１そ
して、閉動作状態にあるときには、固体撮像素子の＋に
像面への入射光を遮って、もしくは、撮像面への入射光
により撮暉画累の光電変換部に得られる電荷が信号電荷
とならないようにして、伶像画素に信号電荷が蓄積され
ないようにし、また、開動作状態にあるときには、入射
光を撮像面へ到達させて撮像画素に信号化′荷が蓄積は
れるようにし、もしくは、撮像面・＼の入射光により撮
像画素の光電変換部に得られる電荷が信号電荷となるよ
うにして撮像画素に信号Ｍ荷が蓄積されるようにし、そ
のときの被写体障にもとずくｊ層像信号が静止画撮像出
力信号として得られるようにするのである１、 Ｊ９Ｔかる固体撮像装置の一例は、その要部を等節回路
で表わすとｉシ／図に示される如くとなる この等節回
路に於いて、／は固体撮像素子で、この固体撮像素子／
には水平方向（矢印Ｈ方向）及び垂直方向（矢印Ｖ方向
）に行列配置されたスイッチング素子としてのＭＯＳ−
ＦＥＴ Ｓ、＝、〜Ｓｍｎが配され、これらＭＯＳ−
ＦＥＴ Ｓｌｌ−Ｓｍｎの・ 一端、し１１えば、ソー
スに光電変換部Ｄ／ｚ−Ｄｍｎが夫々接続されており、
これらＭＯＳ−ＦＥＴＳ／／〜Ｓｍｎと光電変換部Ｄ／
ｌ−Ｄｍｎにより撮像面が構成されている１、ここで、
各ＭＯ８・ＦＥＴＳｉｉ＝Ｓｍｎのひとつと、光電変換
部Ｄ／ｌ−Ｄｍｎのひとつとの組合せが撮像画素Ｅ／７
”Ｅ４７Ｂ１の夫々を形成しており、その具体的構成は
第２図及び第３図に示される如くである３゜ 第コ図Ａは固体撮像素子／の具体的構成の一例に於ける
、ひとつの撮像画素が形成される部分の断面を示す６．
このし１１では、Ｐ形の半導体基体ユにＮ形の領域３及
びグが形成されている、そして、領域３及びグに跨って
絶縁層Ｓを介してゲート電−極乙が設けられ、列えば、
−領域３（上１−にイン領域とし領域ｑをソース領域と
する、ＭＯＳ−ＦＥＴ８ｔｔ”Ｓｍｎのひとつであるｌ
Ｖ［Ｏ８・ＦＥＴ Ｓが構成されている。７はＭＯＳ
−ＦＥＴ Ｓのドレイン電極である１また、半導体基
体λと領域グとの間のＰ−Ｎ接合部で、光電変換部Ｄ／
／”Ｄｍｎのひとつである光電変換部りを形成する受光
ダイオードが構成されており、領域りに入射される光の
電電変換がなされる。この場合、半導体基体２は接地さ
れて用いられ、従って、斯かる光電変換部りが受光ダイ
オードで形成された第λ図Ａに示される列ｉｒｉ、等節
回路的には、ＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓのサブストレートが
接地され、光電変換部りを形成する受光ダイオードのア
ノードに接地電位が与えられた第Ω図Ｂに示される如く
のものとなる。
る場合、即ち、いわゆるステイル・カメラを構成する場
合には、固体撮像素子に関連して機械的あるいは′電子
的ンヤツターが設けられる。この磯ｔｌ＆的あるいは電
子的シャッターは、撮像が行わｔｌない時には閉動作状
態にあって撮像時にのみ短時間開動作状態とされる１そ
して、閉動作状態にあるときには、固体撮像素子の＋に
像面への入射光を遮って、もしくは、撮像面への入射光
により撮暉画累の光電変換部に得られる電荷が信号電荷
とならないようにして、伶像画素に信号電荷が蓄積され
ないようにし、また、開動作状態にあるときには、入射
光を撮像面へ到達させて撮像画素に信号化′荷が蓄積は
れるようにし、もしくは、撮像面・＼の入射光により撮
像画素の光電変換部に得られる電荷が信号電荷となるよ
うにして撮像画素に信号Ｍ荷が蓄積されるようにし、そ
のときの被写体障にもとずくｊ層像信号が静止画撮像出
力信号として得られるようにするのである１、 Ｊ９Ｔかる固体撮像装置の一例は、その要部を等節回路
で表わすとｉシ／図に示される如くとなる この等節回
路に於いて、／は固体撮像素子で、この固体撮像素子／
には水平方向（矢印Ｈ方向）及び垂直方向（矢印Ｖ方向
）に行列配置されたスイッチング素子としてのＭＯＳ−
ＦＥＴ Ｓ、＝、〜Ｓｍｎが配され、これらＭＯＳ−
ＦＥＴ Ｓｌｌ−Ｓｍｎの・ 一端、し１１えば、ソー
スに光電変換部Ｄ／ｚ−Ｄｍｎが夫々接続されており、
これらＭＯＳ−ＦＥＴＳ／／〜Ｓｍｎと光電変換部Ｄ／
ｌ−Ｄｍｎにより撮像面が構成されている１、ここで、
各ＭＯ８・ＦＥＴＳｉｉ＝Ｓｍｎのひとつと、光電変換
部Ｄ／ｌ−Ｄｍｎのひとつとの組合せが撮像画素Ｅ／７
”Ｅ４７Ｂ１の夫々を形成しており、その具体的構成は
第２図及び第３図に示される如くである３゜ 第コ図Ａは固体撮像素子／の具体的構成の一例に於ける
、ひとつの撮像画素が形成される部分の断面を示す６．
このし１１では、Ｐ形の半導体基体ユにＮ形の領域３及
びグが形成されている、そして、領域３及びグに跨って
絶縁層Ｓを介してゲート電−極乙が設けられ、列えば、
−領域３（上１−にイン領域とし領域ｑをソース領域と
する、ＭＯＳ−ＦＥＴ８ｔｔ”Ｓｍｎのひとつであるｌ
Ｖ［Ｏ８・ＦＥＴ Ｓが構成されている。７はＭＯＳ
−ＦＥＴ Ｓのドレイン電極である１また、半導体基
体λと領域グとの間のＰ−Ｎ接合部で、光電変換部Ｄ／
／”Ｄｍｎのひとつである光電変換部りを形成する受光
ダイオードが構成されており、領域りに入射される光の
電電変換がなされる。この場合、半導体基体２は接地さ
れて用いられ、従って、斯かる光電変換部りが受光ダイ
オードで形成された第λ図Ａに示される列ｉｒｉ、等節
回路的には、ＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓのサブストレートが
接地され、光電変換部りを形成する受光ダイオードのア
ノードに接地電位が与えられた第Ω図Ｂに示される如く
のものとなる。
第３図Ａは（４）体撮像素子／の具体的構成の他の例に
於ける、ひとつの撮像画素が形成される部分の断面を示
す、この例に於いても、Ｐ形の半導体基体λにＮ形の領
域３及びグが形成され、領域３とグに跨って絶縁層Ｓを
介してゲート電極石が設けられて、領域３及びグを夫々
トノイン領域及びソ：ス領域とする、ＭＯＳ−ＦＥＴ
Ｓｌｌ−ＳｍｎのひとつであるＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓが
構成されている。そして、領域３に設けられたＭＯＳ−
ＦＥＴＳのドレイン電極７の他に、領域ケにＭＯ８φＦ
ＥＴ Ｓのソース電極ｇが設けられている。。
於ける、ひとつの撮像画素が形成される部分の断面を示
す、この例に於いても、Ｐ形の半導体基体λにＮ形の領
域３及びグが形成され、領域３とグに跨って絶縁層Ｓを
介してゲート電極石が設けられて、領域３及びグを夫々
トノイン領域及びソ：ス領域とする、ＭＯＳ−ＦＥＴ
Ｓｌｌ−ＳｍｎのひとつであるＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓが
構成されている。そして、領域３に設けられたＭＯＳ−
ＦＥＴＳのドレイン電極７の他に、領域ケにＭＯ８φＦ
ＥＴ Ｓのソース電極ｇが設けられている。。
斯かるＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓが構成される部分上に。
ソース電極ｇ上を除いて、絶縁層９が配され、その上に
、例えば、アルミニウム層で形成された電極１０が配さ
れ、この電極１０はソース電極ｇに接続されている１、
そして、電極／θ上に、ｆｌＪえば、アモルファス・シ
リコン薄膜で形成された光電変換層／／が配され、さら
に、光電変換層／／の上には透明電極（ターゲット電極
）／２が配されている、このＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓが構
成される部分上に拡がる光電変換層／／の一部分が、光
電変換部Ｄｌｌ−Ｄｍｎのひとつである光電変換部りを
形成しているのである、即ち、この騙りに於いては、光
電変換部Ｄ／ｌ−Ｄｍｎの夫々は独立した受光ダイオー
ド等の受光素子で形成されているのではなく、受光面に
拡がる光電変換層／／の一部分で形成さ／Ｉでいるので
ある、なお、撮像面への光はターゲット電極／２を透過
して入射せしめられる１、このりあａ、半導体基体ａは
接地され、丑た、ターゲット電極／２には所定の直流電
圧であるターゲット電圧ｖＴが供給されて用いられる１
、従って、斯かる）ｊ’；電変換部りが光重変換薄膜層
で形成された第３図Ａに示される例は、等価回路的には
、ＭＯＳ・ｆｊＥＴ Ｓのサブストノー２トが接地さ
れ、光電′牙換部Ｉ〕の一端にターゲット電圧ｖＴが与
えられた、第３図Ｂに示される如くのものとなる。
、例えば、アルミニウム層で形成された電極１０が配さ
れ、この電極１０はソース電極ｇに接続されている１、
そして、電極／θ上に、ｆｌＪえば、アモルファス・シ
リコン薄膜で形成された光電変換層／／が配され、さら
に、光電変換層／／の上には透明電極（ターゲット電極
）／２が配されている、このＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓが構
成される部分上に拡がる光電変換層／／の一部分が、光
電変換部Ｄｌｌ−Ｄｍｎのひとつである光電変換部りを
形成しているのである、即ち、この騙りに於いては、光
電変換部Ｄ／ｌ−Ｄｍｎの夫々は独立した受光ダイオー
ド等の受光素子で形成されているのではなく、受光面に
拡がる光電変換層／／の一部分で形成さ／Ｉでいるので
ある、なお、撮像面への光はターゲット電極／２を透過
して入射せしめられる１、このりあａ、半導体基体ａは
接地され、丑た、ターゲット電極／２には所定の直流電
圧であるターゲット電圧ｖＴが供給されて用いられる１
、従って、斯かる）ｊ’；電変換部りが光重変換薄膜層
で形成された第３図Ａに示される例は、等価回路的には
、ＭＯＳ・ｆｊＥＴ Ｓのサブストノー２トが接地さ
れ、光電′牙換部Ｉ〕の一端にターゲット電圧ｖＴが与
えられた、第３図Ｂに示される如くのものとなる。
ｉ１＋び第１図の等価回路に於いて、上述の各撮像画素
Ｅｌ／〜Ｅｍｎを形成するＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓ／ｌ−５
ｒｎｎのうちの各水平方向の行を構成するもののゲート
は共通接続され、垂直走査回路／３のｍ個の出力端Ｖ／
〜ｖｍに夫々接続される。また、ＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓ／
ｌ−８ｍｎのうちの各垂直方向のクリを構成するものの
ドレインが共通接続されて、スイッチング素子としての
ＭＯ８ΦＦＥＴ Ｔ／〜Ｔ、の各ノースへ夫々接続き
れる。っこれらのＭＯＳ−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔｎの各ゲー
トは水平走査回路／４’のｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎに夫
々接佃；され、また、各ドレインは共通接続されて、出
力抵抗素子／左を介して動作電圧ｖｖを供給する電源／
乙に接続される。そして、ＭＯＳ ＠ＦＥＴＴ ｔ ”
’−Ｔ ｎのドレインの共通接続点と出力抵抗素子／Ｓ
の間から出力端子／７が導出される３、なお、垂直走査
回路／３は、ｌ＋１１えば、シフ）ｌ／シスターを含ん
で構成され、そのｍ個の出力端Ｖ ／ ””−Ｖ ｍの
夫々に垂直走査信号を発生してＭＯＳ−ＦＥＴＳ／／〜
Ｓｍｎのゲートに供給し、ＭＯＳ−ＦＥＴＳ／／〜Ｓｍ
ｎを、行を構成するもの毎に順次閉状、態とする制御を
行い、捷だ、水平走査回路／ｑは、例えば、シフトンシ
スターを含んで構成され、そのｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎ
の夫々に、垂直走査回路／３からの垂直走査信号よシ充
分高い周波数の水平走査信号を発生してＭＯＳ−ＦＥＴ
Ｔ／〜Ｔｎのゲートに供給し、ＭＯＳ−ＦＥＴ Ｔｌ
〜Ｔｎを順次開状態とする制御を行う。
Ｅｌ／〜Ｅｍｎを形成するＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓ／ｌ−５
ｒｎｎのうちの各水平方向の行を構成するもののゲート
は共通接続され、垂直走査回路／３のｍ個の出力端Ｖ／
〜ｖｍに夫々接続される。また、ＭＯＳ−ＦＥＴ Ｓ／
ｌ−８ｍｎのうちの各垂直方向のクリを構成するものの
ドレインが共通接続されて、スイッチング素子としての
ＭＯ８ΦＦＥＴ Ｔ／〜Ｔ、の各ノースへ夫々接続き
れる。っこれらのＭＯＳ−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔｎの各ゲー
トは水平走査回路／４’のｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎに夫
々接佃；され、また、各ドレインは共通接続されて、出
力抵抗素子／左を介して動作電圧ｖｖを供給する電源／
乙に接続される。そして、ＭＯＳ ＠ＦＥＴＴ ｔ ”
’−Ｔ ｎのドレインの共通接続点と出力抵抗素子／Ｓ
の間から出力端子／７が導出される３、なお、垂直走査
回路／３は、ｌ＋１１えば、シフ）ｌ／シスターを含ん
で構成され、そのｍ個の出力端Ｖ ／ ””−Ｖ ｍの
夫々に垂直走査信号を発生してＭＯＳ−ＦＥＴＳ／／〜
Ｓｍｎのゲートに供給し、ＭＯＳ−ＦＥＴＳ／／〜Ｓｍ
ｎを、行を構成するもの毎に順次閉状、態とする制御を
行い、捷だ、水平走査回路／ｑは、例えば、シフトンシ
スターを含んで構成され、そのｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎ
の夫々に、垂直走査回路／３からの垂直走査信号よシ充
分高い周波数の水平走査信号を発生してＭＯＳ−ＦＥＴ
Ｔ／〜Ｔｎのゲートに供給し、ＭＯＳ−ＦＥＴ Ｔｌ
〜Ｔｎを順次開状態とする制御を行う。
また、光電変換部Ｄ／／〜Ｉ）ｍｎの夫々の、ＭＯＳ・
ＦＥＴ Ｓｌ／〜Ｓｍｎの夫々のソースに接続された＋
：ｌｌとは反ｔｊ側の端部は、共通接続されて端子／ｇ
が導出されており、この端子／ｇには所定の［Ｆ１’、
（Ｉ？“が与えられる１例えば、光電変換部Ｄ／／〜
ＤＩｌ’ｌ。が、第２図に示される列の如く、受光ダイ
オードで形成されている場合には端子／ｇには接地′小
ｆ☆が与えられ、第３図に示される例の如く、光ｆ’ｓ
、変換）等膜層で形成されている場合には、所定のター
ゲット電圧ＶＴに対応する電位が与えられる、−［＝述
の如くに構成された固体撮像装置に於いて、固体潜像素
子／の撮像面の各撮像画素Ｅｌｉ＝Ｅｒｎｎに被写体か
らの光が入射すると、光電変換部Ｄ／／〜Ｉ）ｍｎで光
電変換が行われて、各撮像画素Ｅ／／〜１”Ｊ ｍｎへ
の入射光陵に応じた電荷が発生し、この電荷がＭＯＳ−
ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎの夫々のソース［／（蓄積され
る場合に信号電荷が得られることになるのであり、撮像
出力信号が得られるときには、蓄積された信号電荷にも
とすく信号が、垂直走査回路／３からの垂直走査信号に
よりＭＯＳ−ＦＥＴＳ／ｌ−８ｍｎが選択的に開状態と
され、かつ、水産走査回路／４’からの水平走査信号に
よりＭＯ８４ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔ １１が選択的に開状
態とされることにより、出力端子／７に導かれて撮像出
力信号とされる１、 そして、従来の装置にあっては、静止画撮像出力信号を
得る場合、垂直走査（ロ）路／３？−１そのｍ個の出力
端Ｖ／〜ｖｍに、夫々、第ｑ図Ａに示される如くの垂直
走査信号φｖｔ〜φｖｍを発生し、また、水平走査回路
／グはそのｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎに、夫々、第グ図Ｂ
に示される如くの水平走査信号φｈ／〜φｈｎを発生す
るものとされている。即ち。
ＦＥＴ Ｓｌ／〜Ｓｍｎの夫々のソースに接続された＋
：ｌｌとは反ｔｊ側の端部は、共通接続されて端子／ｇ
が導出されており、この端子／ｇには所定の［Ｆ１’、
（Ｉ？“が与えられる１例えば、光電変換部Ｄ／／〜
ＤＩｌ’ｌ。が、第２図に示される列の如く、受光ダイ
オードで形成されている場合には端子／ｇには接地′小
ｆ☆が与えられ、第３図に示される例の如く、光ｆ’ｓ
、変換）等膜層で形成されている場合には、所定のター
ゲット電圧ＶＴに対応する電位が与えられる、−［＝述
の如くに構成された固体撮像装置に於いて、固体潜像素
子／の撮像面の各撮像画素Ｅｌｉ＝Ｅｒｎｎに被写体か
らの光が入射すると、光電変換部Ｄ／／〜Ｉ）ｍｎで光
電変換が行われて、各撮像画素Ｅ／／〜１”Ｊ ｍｎへ
の入射光陵に応じた電荷が発生し、この電荷がＭＯＳ−
ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎの夫々のソース［／（蓄積され
る場合に信号電荷が得られることになるのであり、撮像
出力信号が得られるときには、蓄積された信号電荷にも
とすく信号が、垂直走査回路／３からの垂直走査信号に
よりＭＯＳ−ＦＥＴＳ／ｌ−８ｍｎが選択的に開状態と
され、かつ、水産走査回路／４’からの水平走査信号に
よりＭＯ８４ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔ １１が選択的に開状
態とされることにより、出力端子／７に導かれて撮像出
力信号とされる１、 そして、従来の装置にあっては、静止画撮像出力信号を
得る場合、垂直走査（ロ）路／３？−１そのｍ個の出力
端Ｖ／〜ｖｍに、夫々、第ｑ図Ａに示される如くの垂直
走査信号φｖｔ〜φｖｍを発生し、また、水平走査回路
／グはそのｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎに、夫々、第グ図Ｂ
に示される如くの水平走査信号φｈ／〜φｈｎを発生す
るものとされている。即ち。
垂直走査信号φＶ／〜φｖｍは、シャッターが開動作状
態とされる期間ｔ３では各々一定の低ノベルとなり、期
間ｔ３前の期間ｔａ及び期間ｔ８後の期間ｔｂに疲いて
、映像信号の／水平期間に対応する期間ｔｈＫ冒ノイノ
ベルるパルスψｖ／〜ψｖｍが、／垂直期間内にｍ個の
割合で順次発生していくものとされ、１次、水平走査信
号φｈｌ〜φｈｎは、同じく期間ｔ８では各々一定の低
ノベルとなり、期間ｔａ及び期間ｔｂに於いて、短期間
高７ベルをとるパルスψｈ／〜ψｈｎが、垂直走査信号
φＶ／〜φｖｍの各パルスψＶ／〜ψｖｍの夫々の期間
内でｎ個１１１１″工次発生していくものとされる。Ｍ
ｏ８− ＦＥＴ５／／〜Ｓｍｎ及びＴ／〜Ｔｎは、それ
らのゲートに、１１を面走査信号φＶ／〜φｖｍの・ぐ
ルスψＶ／〜ψｖｍ及び水・丘走査信号φｈｌ〜φｈｎ
のパルスψｈｌ〜ψｈｎカ供給きれるとき開状態とされ
る。
態とされる期間ｔ３では各々一定の低ノベルとなり、期
間ｔ３前の期間ｔａ及び期間ｔ８後の期間ｔｂに疲いて
、映像信号の／水平期間に対応する期間ｔｈＫ冒ノイノ
ベルるパルスψｖ／〜ψｖｍが、／垂直期間内にｍ個の
割合で順次発生していくものとされ、１次、水平走査信
号φｈｌ〜φｈｎは、同じく期間ｔ８では各々一定の低
ノベルとなり、期間ｔａ及び期間ｔｂに於いて、短期間
高７ベルをとるパルスψｈ／〜ψｈｎが、垂直走査信号
φＶ／〜φｖｍの各パルスψＶ／〜ψｖｍの夫々の期間
内でｎ個１１１１″工次発生していくものとされる。Ｍ
ｏ８− ＦＥＴ５／／〜Ｓｍｎ及びＴ／〜Ｔｎは、それ
らのゲートに、１１を面走査信号φＶ／〜φｖｍの・ぐ
ルスψＶ／〜ψｖｍ及び水・丘走査信号φｈｌ〜φｈｎ
のパルスψｈｌ〜ψｈｎカ供給きれるとき開状態とされ
る。
従って、シャッターが開状態とされる期間ｔ８に於いて
、この期間には固体撮像素子／のＭｏ８・ＦＥＴ Ｓ
ｌｌ−８ｍｎ及びＴ／〜Ｔｎは閉状態にあるので、光重
１変換部Ｄｌｌ〜Ｄ□。により得られる電荷がＭｏ８−
ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎのソースに蓄積されて、各撮像
画素Ｅｌｌ−Ｅｍｎでの信号電荷の酢漬が行われる１、
そして、期間ｔ８後、先ず、垂面走査回路／３からの垂
直走査信号φＶ／のパルスψｖ／が最初の行を形成する
Ｍｏ８−ＦＥＴ Ｓｌｌ〜Ｓ／。のゲートに供給されて
、これらのＭｏ８・Ｆ’ＥＴ Ｓ／／〜Ｓ／ｎが開状
態とされ、夫々のソースに蓄積された信号電荷にもとす
く信号がＭｏ８・ｌ・’ＥＴＴ／〜Ｔｎのソースに伝達
される７、そしてこのパルスψＶ／の期間に、水平走査
回路／ダからの水平走査信号φｈ／〜φｈｎのパルスψ
ｈ７〜ψｈｎがＭｏ８−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔ、のゲートに
順次供給されて、Ｍｏ８−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔｎが順次開
状態とされ、これによシそれらのソースに伝達されてき
ていた信号にもとず〈信号電流が出力抵抗素子／Ｓを順
次流れ、その結果、出力端イ／７にＭｏ８−ＦＥＴ Ｓ
ｌ／〜Ｓ／ｎに対応する撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎによる
撮像出力信号が得られる、次に、垂直−走査信号φｖ２
のパルスψｖ２が次の行を形成するＭｏ８−ＦＥＴ ５
２１−８２ｎのゲートに供給されて、これらのＭｏ８−
ＦＥＴ ｓ２１〜Ｓ２ｎが開状態とされるとともに、水
平走査信号φｈ／〜φｈｎのパルスψｈ／〜ψｈｎによ
りＭｏ８−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔｎが順次開状態とされ、
同様にして、出力端子／７にＭｏ５−ＦＥＴ ｓ２／〜
ｓ２ｎに対応する撮像画素Ｅ２／〜Ｅ２ｎにょる撮像出
力信号が得られる、以、下、同様にして、Ｍｏ８−Ｆ’
ＥＴＳｍ／〜ＳｍｎＫ対応する撮像画素Ｅｍ／〜Ｉうｎ
による撮像出力信号丑でか、／垂直期間に対応する期間
ｔｖ内に於いて順次、出力端子／７に得られ、／ｆｒｉ
ｌＩ′１明１１；１の撮像出力信号が得られる１、この
様にＬ−Ｃ１期間ｔ８に各撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎに於
いて）Ｙ、 ’、１．変ｉ！／！により得られ、蓄積さ
れた信号電荷にもとずくイ呂号が、Ｍｏ８−ＦＥＴ Ｓ
／／〜Ｓｍｎ及びＭｏ８−ＦＥＴ Ｔｌ−Ｔｎを介し
て導出されて、１′Ｔ？ｌｌｌ−画を表わす撮像出力信
号が得られるのである。
、この期間には固体撮像素子／のＭｏ８・ＦＥＴ Ｓ
ｌｌ−８ｍｎ及びＴ／〜Ｔｎは閉状態にあるので、光重
１変換部Ｄｌｌ〜Ｄ□。により得られる電荷がＭｏ８−
ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎのソースに蓄積されて、各撮像
画素Ｅｌｌ−Ｅｍｎでの信号電荷の酢漬が行われる１、
そして、期間ｔ８後、先ず、垂面走査回路／３からの垂
直走査信号φＶ／のパルスψｖ／が最初の行を形成する
Ｍｏ８−ＦＥＴ Ｓｌｌ〜Ｓ／。のゲートに供給されて
、これらのＭｏ８・Ｆ’ＥＴ Ｓ／／〜Ｓ／ｎが開状
態とされ、夫々のソースに蓄積された信号電荷にもとす
く信号がＭｏ８・ｌ・’ＥＴＴ／〜Ｔｎのソースに伝達
される７、そしてこのパルスψＶ／の期間に、水平走査
回路／ダからの水平走査信号φｈ／〜φｈｎのパルスψ
ｈ７〜ψｈｎがＭｏ８−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔ、のゲートに
順次供給されて、Ｍｏ８−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔｎが順次開
状態とされ、これによシそれらのソースに伝達されてき
ていた信号にもとず〈信号電流が出力抵抗素子／Ｓを順
次流れ、その結果、出力端イ／７にＭｏ８−ＦＥＴ Ｓ
ｌ／〜Ｓ／ｎに対応する撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎによる
撮像出力信号が得られる、次に、垂直−走査信号φｖ２
のパルスψｖ２が次の行を形成するＭｏ８−ＦＥＴ ５
２１−８２ｎのゲートに供給されて、これらのＭｏ８−
ＦＥＴ ｓ２１〜Ｓ２ｎが開状態とされるとともに、水
平走査信号φｈ／〜φｈｎのパルスψｈ／〜ψｈｎによ
りＭｏ８−ＦＥＴ Ｔ／〜Ｔｎが順次開状態とされ、
同様にして、出力端子／７にＭｏ５−ＦＥＴ ｓ２／〜
ｓ２ｎに対応する撮像画素Ｅ２／〜Ｅ２ｎにょる撮像出
力信号が得られる、以、下、同様にして、Ｍｏ８−Ｆ’
ＥＴＳｍ／〜ＳｍｎＫ対応する撮像画素Ｅｍ／〜Ｉうｎ
による撮像出力信号丑でか、／垂直期間に対応する期間
ｔｖ内に於いて順次、出力端子／７に得られ、／ｆｒｉ
ｌＩ′１明１１；１の撮像出力信号が得られる１、この
様にＬ−Ｃ１期間ｔ８に各撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎに於
いて）Ｙ、 ’、１．変ｉ！／！により得られ、蓄積さ
れた信号電荷にもとずくイ呂号が、Ｍｏ８−ＦＥＴ Ｓ
／／〜Ｓｍｎ及びＭｏ８−ＦＥＴ Ｔｌ−Ｔｎを介し
て導出されて、１′Ｔ？ｌｌｌ−画を表わす撮像出力信
号が得られるのである。
（〜かしながら１斯かる従来の装置にあっては、／ヤノ
ターが開動作状態とされる期間ｔ８前の期１！ｉｌ ｔ
ａ及び静止画撮像出力信号が得られた／垂直＋Ｕ＋間
に対応する期間ｔｖＯ後の期間、換言すれば、各静）１
−画撮像時に対する、いわゆる、スタンバイ１１′１に
於いても、垂直走査回路及び水平走査回路は友々、 Ｉ
！ｉ１１えば、シフトノジスターが動作状態にあって、
パルス（ψＶ／〜ψｖｍ及びψｈｌ〜ψｈｎ）の列を形
成する框１ｈ走査信号及び水平走査信号を発生しており
、これに伴って、Ｍｏ５−ＦＥＴ ｓ／／〜Ｓｍｎ及び
Ｔ／〜Ｔｎが撮像出力信号導出時と同様の開閉動作をし
ていて、これが不都合を生ずる。
ターが開動作状態とされる期間ｔ８前の期１！ｉｌ ｔ
ａ及び静止画撮像出力信号が得られた／垂直＋Ｕ＋間
に対応する期間ｔｖＯ後の期間、換言すれば、各静）１
−画撮像時に対する、いわゆる、スタンバイ１１′１に
於いても、垂直走査回路及び水平走査回路は友々、 Ｉ
！ｉ１１えば、シフトノジスターが動作状態にあって、
パルス（ψＶ／〜ψｖｍ及びψｈｌ〜ψｈｎ）の列を形
成する框１ｈ走査信号及び水平走査信号を発生しており
、これに伴って、Ｍｏ５−ＦＥＴ ｓ／／〜Ｓｍｎ及び
Ｔ／〜Ｔｎが撮像出力信号導出時と同様の開閉動作をし
ていて、これが不都合を生ずる。
即ち、各静止画撮像時に対するスタンバイ時にも、Ｂ
１’ｐｊ走査回路及び水平走査回路に於いて撮像時と同
等の電力が不要（で消費されており、捷／こ、撮塚時の
当初でンヤツターが開動作状態から開動作状態に移行さ
れる面前の時点に於ける各撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎには
、／ヤツターが閉動作状態にある場合に光重変換部Ｄ／
／〜Ｉ）ｍｎで、いわゆる、暗電流として得られる不要
電荷が、撮像面内で不均一な状態をもって蓄積されてい
ることになり、ンヤツターが開動作状態とされたときに
は、斯かる不要電荷がその後裔撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎ
に蓄積される信号電荷に混入して信号電荷の一部となり
、蓄積された信号市、荷にもとすいて導出される信号に
ノイズ成分を生せしめてしまうのである斯かる点に鑑み
本発明は、各撮像画素を構成するスイッチング素子に対
する走査回路による開閉制御態様を改良することにょシ
、低減せしめらＩ７た電力消費のもとに、暗電流にもと
すいて混入するノイズ成分が著しく低減された静止画撮
像出力信号を得ることができる固体撮像装置を提供する
ものである。、以下、本発明の実施例について述べる。
１’ｐｊ走査回路及び水平走査回路に於いて撮像時と同
等の電力が不要（で消費されており、捷／こ、撮塚時の
当初でンヤツターが開動作状態から開動作状態に移行さ
れる面前の時点に於ける各撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎには
、／ヤツターが閉動作状態にある場合に光重変換部Ｄ／
／〜Ｉ）ｍｎで、いわゆる、暗電流として得られる不要
電荷が、撮像面内で不均一な状態をもって蓄積されてい
ることになり、ンヤツターが開動作状態とされたときに
は、斯かる不要電荷がその後裔撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎ
に蓄積される信号電荷に混入して信号電荷の一部となり
、蓄積された信号市、荷にもとすいて導出される信号に
ノイズ成分を生せしめてしまうのである斯かる点に鑑み
本発明は、各撮像画素を構成するスイッチング素子に対
する走査回路による開閉制御態様を改良することにょシ
、低減せしめらＩ７た電力消費のもとに、暗電流にもと
すいて混入するノイズ成分が著しく低減された静止画撮
像出力信号を得ることができる固体撮像装置を提供する
ものである。、以下、本発明の実施例について述べる。
本発明Ｏて係る固体撮像装置の一例は、本発明が；Ｊ’
、’ ／図に示される如くの固体撮像装置に適用された
ものとして得られる。その場合、垂直走査回路７３及び
水平走査回路／４’の内容が従来の装置とＷなったもの
となる１即ち、本発明に係る装置に於いては、垂直走査
回路／３は、第Ｓ図Ａに示される如くの垂直走査信号φ
ｖ／′〜φｖｍ’をそのｍ個の出力端Ｖ／〜ｖｍに夫々
発生して、これらをＭＯ８−ＦＥＴ Ｓｚｌ−Ｅｍｎの
ゲートに供給し、また、水平走査回路／グは、第Ｓ図Ｂ
に示される如くの水平走査信号φｈ 、 ／〜φｈｎ’
をそのｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎに発生して、これらをＭ
Ｏ８−ＦＥＴＴ／〜Ｔｎのゲートに供給する１、垂直走
査信号φ曹′〜φｖ２′は、シャッターが開動作状態と
される期間ｔ８前の期間ｔａでは各々一定の高レベルを
とり、シャッターが開動作状態とされる期間ｔ。
、’ ／図に示される如くの固体撮像装置に適用された
ものとして得られる。その場合、垂直走査回路７３及び
水平走査回路／４’の内容が従来の装置とＷなったもの
となる１即ち、本発明に係る装置に於いては、垂直走査
回路／３は、第Ｓ図Ａに示される如くの垂直走査信号φ
ｖ／′〜φｖｍ’をそのｍ個の出力端Ｖ／〜ｖｍに夫々
発生して、これらをＭＯ８−ＦＥＴ Ｓｚｌ−Ｅｍｎの
ゲートに供給し、また、水平走査回路／グは、第Ｓ図Ｂ
に示される如くの水平走査信号φｈ 、 ／〜φｈｎ’
をそのｎ個の出力端ｈ／〜ｈｎに発生して、これらをＭ
Ｏ８−ＦＥＴＴ／〜Ｔｎのゲートに供給する１、垂直走
査信号φ曹′〜φｖ２′は、シャッターが開動作状態と
される期間ｔ８前の期間ｔａでは各々一定の高レベルを
とり、シャッターが開動作状態とされる期間ｔ。
には各々一定の低レベルをとり、期間ｔ８後の所定期間
、゛例えば、／垂直期間に対応する期間ｔｖに於いては
前述の垂直走査信号φＶ／〜φｖｍと同様のパルスψＶ
／〜ψｖｍの列を形成し、期間ｔｖ後の期間には各々が
再び期間ｔａと同様な一定の高７ベルをとるものとされ
る。また、水平走査信号φｈ 、 ／〜φｈｎ’は、期
間ｔａでは客々一定の高レベルをとり、期間ｔ８には各
々一定の低レベルをとり、期間ｔｖに於いては前述の水
平走査信号φｈ／〜φｈｎ’と同様のパルスψｈ７〜ψ
ｈｎの列を形成し、期間ｔｖ後の期間には各々が再び期
間ｔａと同様な一定の高レベルをとるものとされる１つ
斯かる垂直走査信号φｖ／′〜φｖｍ’及び水平走査信
号φｈ 、 ／〜φｈｎ’が、夫々、ゲートに供給され
るＭＯ８−ＦＥＴＳ／／〜Ｓｍｎ及びＴ／〜Ｔｎは、垂
直走査信号φｖｌ′〜φｖｍ’の高レベル部及び水平走
査信号φｈ 、 ／〜φｈｎ’の高レベル部で開状態と
される。
、゛例えば、／垂直期間に対応する期間ｔｖに於いては
前述の垂直走査信号φＶ／〜φｖｍと同様のパルスψＶ
／〜ψｖｍの列を形成し、期間ｔｖ後の期間には各々が
再び期間ｔａと同様な一定の高７ベルをとるものとされ
る。また、水平走査信号φｈ 、 ／〜φｈｎ’は、期
間ｔａでは客々一定の高レベルをとり、期間ｔ８には各
々一定の低レベルをとり、期間ｔｖに於いては前述の水
平走査信号φｈ／〜φｈｎ’と同様のパルスψｈ７〜ψ
ｈｎの列を形成し、期間ｔｖ後の期間には各々が再び期
間ｔａと同様な一定の高レベルをとるものとされる１つ
斯かる垂直走査信号φｖ／′〜φｖｍ’及び水平走査信
号φｈ 、 ／〜φｈｎ’が、夫々、ゲートに供給され
るＭＯ８−ＦＥＴＳ／／〜Ｓｍｎ及びＴ／〜Ｔｎは、垂
直走査信号φｖｌ′〜φｖｍ’の高レベル部及び水平走
査信号φｈ 、 ／〜φｈｎ’の高レベル部で開状態と
される。
従って、シャッターが開動作状態とされる期間ｔ８前の
期間ｔａに於いては、垂直走査回路／３及び水平走査回
路／ｌＩはパルス発生動作状態でなく、一定の高レベル
の出力を供給する定常状態、例えば、シフ）ｖシスター
の非動作状態にあり、電１力消費は小である。、また、
この期間ｔａでは、ＭＯ８・ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎ及
びＴｚ−Ｔｎｌ”ｊ：継・トｆ″Ｉ・的に開状態とされ
るので、各撮像画素Ｅ／／〜１’；ｍｎの光電変換部Ｄ
／／〜Ｉ）ｍｎで暗電流として得られる償゛荷は、ＭＯ
８−ＦＥＴ Ｓｚｌ−Ｅｍｎ及びＴ／〜Ｔｎを通じ、さ
らに、出力抵抗素子／左を介して電源／乙へと排除され
て、各撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎに蓄積されることはない
。よって、期間ｔ８の直前に於いて、各撮像画素Ｅ／／
〜ＦＥｍｎには不要電荷が蓄積されていないことになる
。
期間ｔａに於いては、垂直走査回路／３及び水平走査回
路／ｌＩはパルス発生動作状態でなく、一定の高レベル
の出力を供給する定常状態、例えば、シフ）ｖシスター
の非動作状態にあり、電１力消費は小である。、また、
この期間ｔａでは、ＭＯ８・ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎ及
びＴｚ−Ｔｎｌ”ｊ：継・トｆ″Ｉ・的に開状態とされ
るので、各撮像画素Ｅ／／〜１’；ｍｎの光電変換部Ｄ
／／〜Ｉ）ｍｎで暗電流として得られる償゛荷は、ＭＯ
８−ＦＥＴ Ｓｚｌ−Ｅｍｎ及びＴ／〜Ｔｎを通じ、さ
らに、出力抵抗素子／左を介して電源／乙へと排除され
て、各撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎに蓄積されることはない
。よって、期間ｔ８の直前に於いて、各撮像画素Ｅ／／
〜ＦＥｍｎには不要電荷が蓄積されていないことになる
。
その後、ンヤツターが開動作状態とされる期間ｔ、にな
ると、ＭＯＳ ΦＦ Ｅ Ｔ Ｓｚｌ−Ｅｍｎ及びＴ
／〜Ｔｎは閉状態とされて、各撮像画素Ｅ／／〜ト〕ｍ
ｎでの入射光計に応じた信号電荷の蓄積が行われること
、及び、期間ｔ８に続く／垂直期間に対応する期間ｔｖ
に於いて、ＭＯ８−ＦＥＴ Ｓ／ｌ〜Ｓｍｎ及び’ｒ、
−’ｒｎが選択的に開状態とされ、各撮像画素Ｅ／／〜
Ｅｍｎに蓄積された信号電荷にもとすく信号が導出され
て、出力端子／７に静止画を表わす撮像出力信号が得ら
れること、前述の従来装置と同様である。この場合、各
撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎには、期間ｔ８に於ける信号電
荷の蓄積前に不要電、荷が蓄積されていないので、各撮
像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎから導出される信号中に不要電荷
にもとすくノイズ成分が生せしめられることがない、。
ると、ＭＯＳ ΦＦ Ｅ Ｔ Ｓｚｌ−Ｅｍｎ及びＴ
／〜Ｔｎは閉状態とされて、各撮像画素Ｅ／／〜ト〕ｍ
ｎでの入射光計に応じた信号電荷の蓄積が行われること
、及び、期間ｔ８に続く／垂直期間に対応する期間ｔｖ
に於いて、ＭＯ８−ＦＥＴ Ｓ／ｌ〜Ｓｍｎ及び’ｒ、
−’ｒｎが選択的に開状態とされ、各撮像画素Ｅ／／〜
Ｅｍｎに蓄積された信号電荷にもとすく信号が導出され
て、出力端子／７に静止画を表わす撮像出力信号が得ら
れること、前述の従来装置と同様である。この場合、各
撮像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎには、期間ｔ８に於ける信号電
荷の蓄積前に不要電、荷が蓄積されていないので、各撮
像画素Ｅ／／〜Ｅｍｎから導出される信号中に不要電荷
にもとすくノイズ成分が生せしめられることがない、。
そして、静止画撮像出力信号が得られた、期間ｔｖＯ後
には、垂直走査回路／３及び水平走査回路／ｌｌは、再
び、一定の高レベルの出力を供給する定常状態となり、
これに伴って、ＭＯ８’−ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎ及
びＴｌ〜Ｔｎは開状態となって、次の撮像に対するスタ
ンバイ状態をとる。この様にして、スタンバイ時に於け
る、垂直及び水平走査回路／３及び／ｌでの消費電力の
低減と、各撮像画素Ｅ／ ｔ −Ｅｍｎでの暗電流とし
て得られる不要電荷の排除が行われるのである。
には、垂直走査回路／３及び水平走査回路／ｌｌは、再
び、一定の高レベルの出力を供給する定常状態となり、
これに伴って、ＭＯ８’−ＦＥＴ Ｓ／／〜Ｓｍｎ及
びＴｌ〜Ｔｎは開状態となって、次の撮像に対するスタ
ンバイ状態をとる。この様にして、スタンバイ時に於け
る、垂直及び水平走査回路／３及び／ｌでの消費電力の
低減と、各撮像画素Ｅ／ ｔ −Ｅｍｎでの暗電流とし
て得られる不要電荷の排除が行われるのである。
なお、シャッターとしては、固体撮像素子／の撮像面の
前方に配される通常の機械的シャッターを用いることが
でき、また、固体撮像素子／が、第３図に示される如く
、光電変換部Ｄ／／〜Ｉ）ｍｎを光電変換薄膜層で形成
するものである場合には、そのターゲット市′圧ＶＴを
、第Ｓ図Ｃに示される如くの、期間ｔ８に於いてのみ低
レベルをとり他の１（１１間で高レベルをとるものとす
ることにより、団間ｔ８に於いて光電変換部Ｄ／／〜Ｉ
）ｍｎで得られる′１１；’荷のみが信号電荷とされる
ようにして、電子的シャッターを構成するようにしても
よい１、以トＨ９，明した如く、本発明に係る固体撮像
装置によれば、静止画撮像出力信号を得るにあたって、
固体撮像素子を駆動する垂直及び水平走査回路が、各撮
像画素に信号電荷が蓄積される信号電荷蓄積期間前には
、各撮像画素を形成するスイッチング素子を継続的に開
状態とする定常状態とされ、信号電荷蓄積期間後の所定
期間に、スイッチング素子を選択的に開状態とするパル
ス発生動作状態とされることにより、垂直及び水平走査
回路に於ける消費電力の低減がはかれるとともに、信号
電荷蓄積期間前に於ける各撮像画素からの不要電荷の排
除ができて、混入ノイズ成分が著しく低減された出力信
号を得ることができる１、
前方に配される通常の機械的シャッターを用いることが
でき、また、固体撮像素子／が、第３図に示される如く
、光電変換部Ｄ／／〜Ｉ）ｍｎを光電変換薄膜層で形成
するものである場合には、そのターゲット市′圧ＶＴを
、第Ｓ図Ｃに示される如くの、期間ｔ８に於いてのみ低
レベルをとり他の１（１１間で高レベルをとるものとす
ることにより、団間ｔ８に於いて光電変換部Ｄ／／〜Ｉ
）ｍｎで得られる′１１；’荷のみが信号電荷とされる
ようにして、電子的シャッターを構成するようにしても
よい１、以トＨ９，明した如く、本発明に係る固体撮像
装置によれば、静止画撮像出力信号を得るにあたって、
固体撮像素子を駆動する垂直及び水平走査回路が、各撮
像画素に信号電荷が蓄積される信号電荷蓄積期間前には
、各撮像画素を形成するスイッチング素子を継続的に開
状態とする定常状態とされ、信号電荷蓄積期間後の所定
期間に、スイッチング素子を選択的に開状態とするパル
ス発生動作状態とされることにより、垂直及び水平走査
回路に於ける消費電力の低減がはかれるとともに、信号
電荷蓄積期間前に於ける各撮像画素からの不要電荷の排
除ができて、混入ノイズ成分が著しく低減された出力信
号を得ることができる１、
第１図は本発明が適用される固体撮像装置の−［３’１
１の概要を示す等価回路図、第λ図Ａ及びＢは第１図に
示される例の一部分の具体的構成の一グ］を示す断面図
及びその等価回路図、第３図Ａ及びＢは第１図に示され
る例の一部分の具体的構成の他の例を示す断面図及びそ
の等価回路図、第９図は従来の固体撮像装置の動作説明
に供される波形図、第５図は本発明に係る固体撮像装置
の動作説明に供される波形図である。 図中、／は固体撮像素子、ユは半導体基体、Ｓは絶縁層
、乙はゲート電極、／３は垂直走査回路、／ｌは水平走
査回路、／Ｓは出力抵抗素子、／７は出力端子、Ｓ ＋
Ｓ／／ −８ｍｎ ｒ及びＴ、−ＴｎはＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、Ｄ及びＤｌｌ〜Ｄｍｎは光電変換部である。 第１図
１の概要を示す等価回路図、第λ図Ａ及びＢは第１図に
示される例の一部分の具体的構成の一グ］を示す断面図
及びその等価回路図、第３図Ａ及びＢは第１図に示され
る例の一部分の具体的構成の他の例を示す断面図及びそ
の等価回路図、第９図は従来の固体撮像装置の動作説明
に供される波形図、第５図は本発明に係る固体撮像装置
の動作説明に供される波形図である。 図中、／は固体撮像素子、ユは半導体基体、Ｓは絶縁層
、乙はゲート電極、／３は垂直走査回路、／ｌは水平走
査回路、／Ｓは出力抵抗素子、／７は出力端子、Ｓ ＋
Ｓ／／ −８ｍｎ ｒ及びＴ、−ＴｎはＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、Ｄ及びＤｌｌ〜Ｄｍｎは光電変換部である。 第１図
Claims (1)
- スイッチング素子と該スイッチング素子との電気的接続
がされた光電変換部とを含んで形成された撮像画素が、
複数個、所定の配列をもって配されて構成される撮像面
と、上記スイッチング素子を開閉制御する走査回路部と
を有し、上記走査回路部が、上記撮像画素に信号電荷が
蓄積される信号電荷蓄積期間前には、上記スイッチング
素子を継続的に開状態とする定常状態とされ、上記信号
−Ｗ＃蓄積期間後の所定期間に、上記スイッチング本手
を１讐択的に開状態とするパルス発生動作状態とされる
固体撮像装置６．
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017245A JPS58136179A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 固体撮像装置 |
| US06/551,990 US4533954A (en) | 1982-02-05 | 1983-02-05 | Solid state image pickup apparatus |
| PCT/JP1983/000031 WO1983002868A1 (en) | 1982-02-05 | 1983-02-05 | Solid-state image pickup device |
| DE8383900572T DE3381887D1 (de) | 1982-02-05 | 1983-02-05 | Halbleiter-bildaufzeichnungsvorrichtung. |
| EP83900572A EP0100368B1 (en) | 1982-02-05 | 1983-02-05 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017245A JPS58136179A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136179A true JPS58136179A (ja) | 1983-08-13 |
Family
ID=11938560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57017245A Pending JPS58136179A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4533954A (ja) |
| EP (1) | EP0100368B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58136179A (ja) |
| DE (1) | DE3381887D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983002868A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2737072B1 (fr) * | 1995-07-20 | 1997-08-22 | Commissariat Energie Atomique | Circuit de lecture de detecteurs de rayonnements electromagnetiques avec remise a zero du circuit de lecture par les detecteurs |
| JP3893181B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2007-03-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び該装置の駆動方法 |
| US6448561B1 (en) | 1996-02-26 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and driving method of the apparatus |
| US6127684A (en) * | 1996-02-26 | 2000-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and driving method of the apparatus |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715485A (en) * | 1971-10-12 | 1973-02-06 | Rca Corp | Radiation sensing and signal transfer circuits |
| US4057830A (en) * | 1972-06-27 | 1977-11-08 | Texas Instruments Incorporated | Electronic photography system |
| US3934161A (en) * | 1974-04-29 | 1976-01-20 | Texas Instruments Incorporated | Electronic shutter for a charge-coupled imager |
| US4032976A (en) * | 1976-04-16 | 1977-06-28 | Rca Corporation | Smear reduction in ccd imagers |
| US4131919A (en) * | 1977-05-20 | 1978-12-26 | Eastman Kodak Company | Electronic still camera |
| JPS583630B2 (ja) * | 1977-09-16 | 1983-01-22 | 松下電子工業株式会社 | 固体光像検出装置 |
| US4233632A (en) * | 1977-11-07 | 1980-11-11 | Hitachi, Ltd. | Solid state image pickup device with suppressed so-called blooming phenomenon |
| JPS5940347B2 (ja) * | 1977-12-21 | 1984-09-29 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| DE2939490A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe |
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| JPS5780864A (en) * | 1980-11-08 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Driving circuit for ccd photosensor |
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