JPS5813510B2 - マグクロダイレクトボンドレンガ - Google Patents
マグクロダイレクトボンドレンガInfo
- Publication number
- JPS5813510B2 JPS5813510B2 JP50079105A JP7910575A JPS5813510B2 JP S5813510 B2 JPS5813510 B2 JP S5813510B2 JP 50079105 A JP50079105 A JP 50079105A JP 7910575 A JP7910575 A JP 7910575A JP S5813510 B2 JPS5813510 B2 JP S5813510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromite
- particle size
- direct bond
- bricks
- brick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は塩基性耐火レンガ、特に低塩基度スラグに対し
ても強い抵抗性を有するマグクロダイレクトボンドレン
ガの製造方法に関する。
ても強い抵抗性を有するマグクロダイレクトボンドレン
ガの製造方法に関する。
マグクロダイレクトボンドレンガは低SiO2の原料を
用いて1700℃以上の高温度で焼成してペリクレース
とクロム鉱の粒子間に生成された直接結合組織を有して
おり、電気炉、真空脱ガス炉、混銑炉用の耐火物として
使用され、特に最近では鍋精錬炉等のように転炉に比較
して低塩基度スラグが用いられる炉の内張り用耐火物と
して重用されている。
用いて1700℃以上の高温度で焼成してペリクレース
とクロム鉱の粒子間に生成された直接結合組織を有して
おり、電気炉、真空脱ガス炉、混銑炉用の耐火物として
使用され、特に最近では鍋精錬炉等のように転炉に比較
して低塩基度スラグが用いられる炉の内張り用耐火物と
して重用されている。
マグネシアレンガは転炉等のような高塩基度スラグに対
して強い抵抗性を有しているか、一方低塩基度スラグに
対してはマグネシアクリンカーを構成している個々のべ
リクレースがその結晶間隙から離散しているため、あま
り強い抵抗性を有していない。
して強い抵抗性を有しているか、一方低塩基度スラグに
対してはマグネシアクリンカーを構成している個々のべ
リクレースがその結晶間隙から離散しているため、あま
り強い抵抗性を有していない。
マグネシアクリンカーとクロム鉱とで構成され高温で焼
成されたマグクロダイレクトボンドレンガはレンガを構
成しているクロム鉱が低塩基度スラグに強いばかりでな
く、ペリクレース中やペリクレース間隙にクロム鉱とペ
リクレースの反応の結果により2次スピネルが多く析出
し、低塩基度スラグに対してペリクレースを保護してい
る為、低塩基度スラグに対する抵抗性が強いという特性
を有している。
成されたマグクロダイレクトボンドレンガはレンガを構
成しているクロム鉱が低塩基度スラグに強いばかりでな
く、ペリクレース中やペリクレース間隙にクロム鉱とペ
リクレースの反応の結果により2次スピネルが多く析出
し、低塩基度スラグに対してペリクレースを保護してい
る為、低塩基度スラグに対する抵抗性が強いという特性
を有している。
このクロム鉱とべリクレース間のダイレクトボンドは高
温度においても高い強度を維持して、高温容積安定性、
荷重軟化性などの熱間性状に優れており、かつ上記に述
べるように低塩基度スラグに対しても強い抵抗性を有す
ることで知られているが、本発明はこの2次スピネルを
従来のマグクロダイレクトボンドレンガより多く析出さ
せ、レンガをさらに緻密にして、低塩基度スラグに対す
る抵抗性をさらに向上させる為のレンガ製造方法を提供
せんとするものである。
温度においても高い強度を維持して、高温容積安定性、
荷重軟化性などの熱間性状に優れており、かつ上記に述
べるように低塩基度スラグに対しても強い抵抗性を有す
ることで知られているが、本発明はこの2次スピネルを
従来のマグクロダイレクトボンドレンガより多く析出さ
せ、レンガをさらに緻密にして、低塩基度スラグに対す
る抵抗性をさらに向上させる為のレンガ製造方法を提供
せんとするものである。
良好なダイレクトボンドを歩留りよく製造するためには
SiO2の少ない高純度の原料を用いて高温度で焼成し
、かつ2次スピネルを多く析出させる為にはマグネシア
クリンカーとクロム鉱をできるかぎり微粉にして配合し
、高い温度で焼成すればよいことは従来から知られてい
たが、クロム鉱の微粉を多く使用することは焼成膨脹の
増大による組織劣化とレンガの耐スポーリング性を悪化
させ、かつバースチング性を増大させる為、従来より避
けられてきた。
SiO2の少ない高純度の原料を用いて高温度で焼成し
、かつ2次スピネルを多く析出させる為にはマグネシア
クリンカーとクロム鉱をできるかぎり微粉にして配合し
、高い温度で焼成すればよいことは従来から知られてい
たが、クロム鉱の微粉を多く使用することは焼成膨脹の
増大による組織劣化とレンガの耐スポーリング性を悪化
させ、かつバースチング性を増大させる為、従来より避
けられてきた。
その為従来のクロム鉱粒度で作られたマグクロダイレク
トボンドレンガでは低塩基度スラグからペリクレースを
保護する2次スピネルの析出量が不足であり、実用炉で
使用されて低塩基度スラグに接した場合、その溶損スピ
ードが早く、ユーザーの希望とするライニングライフが
得られなかった。
トボンドレンガでは低塩基度スラグからペリクレースを
保護する2次スピネルの析出量が不足であり、実用炉で
使用されて低塩基度スラグに接した場合、その溶損スピ
ードが早く、ユーザーの希望とするライニングライフが
得られなかった。
本発明はダイレクトボンドレンガにおけるクロム鉱の微
粒化に伴って起る焼成膨脹の増大による組織劣化という
欠陥を除いて低塩基度スラグに対するダイレクトボンド
レンガの使用を効果的にすると共により効率的として耐
用期間を高めることを目的として完成されたものである
。
粒化に伴って起る焼成膨脹の増大による組織劣化という
欠陥を除いて低塩基度スラグに対するダイレクトボンド
レンガの使用を効果的にすると共により効率的として耐
用期間を高めることを目的として完成されたものである
。
従来からマグクロダイレクトボンドレンガの原料である
マグネシアクリンカーとクロム鉱の使用比率は80:2
0〜50:50が一般的であり、焼成温度は大略170
0〜1760℃が普通であり、かつその粒度は先に述べ
たような理由からマグネシアクリンカーでは3mm以下
で0.2mmを中心とし、クロム鉱では2mm以下で0
.5mmを中心とした細微粒程度のものが用いられてい
た。
マグネシアクリンカーとクロム鉱の使用比率は80:2
0〜50:50が一般的であり、焼成温度は大略170
0〜1760℃が普通であり、かつその粒度は先に述べ
たような理由からマグネシアクリンカーでは3mm以下
で0.2mmを中心とし、クロム鉱では2mm以下で0
.5mmを中心とした細微粒程度のものが用いられてい
た。
本発明者等はクロム鉱の微粒化に伴なう組織の膨化を、
逆に粒度調整によって解決すべく次の実験を行なった。
逆に粒度調整によって解決すべく次の実験を行なった。
先ず本発明品はマグクロダイレクトボンドレンガの特性
を更に向上させるものであるから基本的な原料の使用比
率は一般のものを踏襲し、かつ2次スピネルの析出量を
増す為の焼成温度も従来のマグクロダイレクトボンドを
生成させるための焼成温度の限度である1700℃より
高温度で焼成されるべきで1800℃以上の温度で焼成
されることが望ましく、それらを前提として実験を行な
った。
を更に向上させるものであるから基本的な原料の使用比
率は一般のものを踏襲し、かつ2次スピネルの析出量を
増す為の焼成温度も従来のマグクロダイレクトボンドを
生成させるための焼成温度の限度である1700℃より
高温度で焼成されるべきで1800℃以上の温度で焼成
されることが望ましく、それらを前提として実験を行な
った。
レンガを構成しているペリクレース中やペリクレース間
隙に2次スピネルを多く析出する為には、クロム鉱を微
粉で使用することが効果的であるがクロム鉱を微粉で使
用すると焼成膨脹の増大を起し、焼成後レンガの見掛気
孔率が高くなるという不利を生ずることは先に述べたと
おりであり、先ず微粉化の影響を見たのが第1表である
。
隙に2次スピネルを多く析出する為には、クロム鉱を微
粉で使用することが効果的であるがクロム鉱を微粉で使
用すると焼成膨脹の増大を起し、焼成後レンガの見掛気
孔率が高くなるという不利を生ずることは先に述べたと
おりであり、先ず微粉化の影響を見たのが第1表である
。
実験はマグネシアクリンカー:クロム鉱=70:30の
使用比率でクロム鉱の粒度を各種変更してAが従来品、
B,Cと微粉化の程度を増した配合としその配合で18
00℃以上の温度で焼成して製造したレンガの品質を比
較した。
使用比率でクロム鉱の粒度を各種変更してAが従来品、
B,Cと微粉化の程度を増した配合としその配合で18
00℃以上の温度で焼成して製造したレンガの品質を比
較した。
スラグ損耗率は第1図に示された試験炉でCaO/Si
02=1.39のスラグを用い1700℃で試料を15
分間スラグ中に10r.p.mで回転した後の被食容積
%で示したものである。
02=1.39のスラグを用い1700℃で試料を15
分間スラグ中に10r.p.mで回転した後の被食容積
%で示したものである。
図中1は使用スラグ、2は試験試料耐火物、3はそのホ
ルダーで10r.p.mの速度で回転している。
ルダーで10r.p.mの速度で回転している。
4は黒鉛ルツボ、5はマグネシア炉芯管、6はコークス
、7は電極板、8は熱電対である。
、7は電極板、8は熱電対である。
以上の試験結果から、B及びCの普通一般的に言われて
いるクロム鉱の微粉を増量したものでは焼成後レンガの
膨脹が大きくなった結果、Aに比べてポーラスになりス
ラグによる損耗率も大きくなっており、従来から知られ
ている事実と一致する。
いるクロム鉱の微粉を増量したものでは焼成後レンガの
膨脹が大きくなった結果、Aに比べてポーラスになりス
ラグによる損耗率も大きくなっており、従来から知られ
ている事実と一致する。
次に従来ダイレクトボンドレンガには膨脹性を増大する
ものとして用いられなかった従来のクロム鉱の微粉より
更に微細に粉砕したクロム鉱、いわゆる超微粉クロム鉱
、直径0.044mm以下の使用量を変えて検討したも
のである。
ものとして用いられなかった従来のクロム鉱の微粉より
更に微細に粉砕したクロム鉱、いわゆる超微粉クロム鉱
、直径0.044mm以下の使用量を変えて検討したも
のである。
その他の条件は第1表と同じである。
この結果から、実に意外なことに0.044mm以下の
微粉が見掛気孔率を低下して同時に低塩基度スラグ損耗
率を低下せしめることが判明した。
微粉が見掛気孔率を低下して同時に低塩基度スラグ損耗
率を低下せしめることが判明した。
本発明はこの発見に基づいてなされたものである。
なお、従来からクロム鉱の一部を酸化クロムで代用する
ことが行なわれていたが、もちろん本発明における0.
044mm以下のクロム鉱の一部又は全部を酸化クロム
で代用することも同じ効果を生じ、本発明におけるクロ
ム鉱はこの酸化クロムを包含した意味である。
ことが行なわれていたが、もちろん本発明における0.
044mm以下のクロム鉱の一部又は全部を酸化クロム
で代用することも同じ効果を生じ、本発明におけるクロ
ム鉱はこの酸化クロムを包含した意味である。
即ち、焼成後レンガ中に2次スピネルを多く析出させる
ためには、直径0.044mm以下のクロム鉱を多く使
用することが望ましいが、レンガの組織を良好とし、か
つ気孔率や損耗率を増大せしめない範囲は15〜20%
の使用範囲にしほられる。
ためには、直径0.044mm以下のクロム鉱を多く使
用することが望ましいが、レンガの組織を良好とし、か
つ気孔率や損耗率を増大せしめない範囲は15〜20%
の使用範囲にしほられる。
この範囲であればデンスでかつスラグ損耗率の少い耐ス
ラグ性に優れたレンガが作られることが知られる。
ラグ性に優れたレンガが作られることが知られる。
本発明者らは、さらにこの関%を明確にするために従来
のクロム鉱の粗粒2〜0.5mmの一部あるいは全部を
微粉0.5〜0.044mmへ置換して試験を行なった
結果を第3表に示す。
のクロム鉱の粗粒2〜0.5mmの一部あるいは全部を
微粉0.5〜0.044mmへ置換して試験を行なった
結果を第3表に示す。
この試験の結果から、0.5〜0.044mmの使用量
も超微粉の使用量と同様に使用量の限界があることが判
った。
も超微粉の使用量と同様に使用量の限界があることが判
った。
即ち0.044mm以下の使用量15%を前提として0
.5〜0.044mmの使用量が0〜10%のレンガE
,H,I,Mがデンスで耐スラグ性に優れていることが
把握された。
.5〜0.044mmの使用量が0〜10%のレンガE
,H,I,Mがデンスで耐スラグ性に優れていることが
把握された。
即ち、以上の検討結果からデンスで2次スピネルの析出
量の多いマグクロレンガの製造方法は、クロム鉱の粒度
を0.044mm以下で15〜20%、0.5〜0.0
44mmで0〜10%かつその合計量が25%を超えな
い量を使用すればよいことが判った。
量の多いマグクロレンガの製造方法は、クロム鉱の粒度
を0.044mm以下で15〜20%、0.5〜0.0
44mmで0〜10%かつその合計量が25%を超えな
い量を使用すればよいことが判った。
以上の第1〜第3表で検討したものは、マグネシアクリ
ンカー:クロム鉱=70:30のものであったが、本発
明はマグネシアクリンカーとクロム鉱の使用比率が80
:20〜50:50の範囲のものに応用しても大体同様
な結果を得た。
ンカー:クロム鉱=70:30のものであったが、本発
明はマグネシアクリンカーとクロム鉱の使用比率が80
:20〜50:50の範囲のものに応用しても大体同様
な結果を得た。
即ち、例えばマグネシアクリンカー80%の場合ではク
ロム鉱を20%使用し、その場合0.5mm以下の粒度
は0.5〜0.044mmを0〜10%、0.044m
m以下を15〜20%使用し、残りがある場合にはクロ
ム鉱を2〜0.5朋で使用して同様の結果を得さらにマ
グネシアクリンカー50%の場合も、使用するクロム鉱
の2〜0.5mmの使用量が増えるのみで0.5〜0.
044mmのものは0〜10%、0.044mm以下が
15〜20%の範囲内で使用してほぼ同一の目的を達成
することができた。
ロム鉱を20%使用し、その場合0.5mm以下の粒度
は0.5〜0.044mmを0〜10%、0.044m
m以下を15〜20%使用し、残りがある場合にはクロ
ム鉱を2〜0.5朋で使用して同様の結果を得さらにマ
グネシアクリンカー50%の場合も、使用するクロム鉱
の2〜0.5mmの使用量が増えるのみで0.5〜0.
044mmのものは0〜10%、0.044mm以下が
15〜20%の範囲内で使用してほぼ同一の目的を達成
することができた。
これらの結果を第4表に示す。
マグクロレンガの低塩基度スラグに対する抵抗性を増大
する目的を達成するためには、レンガ中に2次スピネル
を多く析出し、かつ緻密なレンガ組織が必要である。
する目的を達成するためには、レンガ中に2次スピネル
を多く析出し、かつ緻密なレンガ組織が必要である。
2次スピネルの析出量増大には微粉のクロム鉱を使用す
れば良ということは判ってはいたが、従来から用いられ
た微粉は0.5mm以下、或いは0.2mm以下であり
、せいぜい0.1mm以下であった。
れば良ということは判ってはいたが、従来から用いられ
た微粉は0.5mm以下、或いは0.2mm以下であり
、せいぜい0.1mm以下であった。
これらの粒度のクロム鉱の使用量を増量して1800℃
以上の高温で焼成した場合レンガの焼成膨脹が増大し緻
密なレンガ組織が得られなかったのである。
以上の高温で焼成した場合レンガの焼成膨脹が増大し緻
密なレンガ組織が得られなかったのである。
本発明は従来のクロム鉱微粉よりも更に微細な超微粉ク
ロム鉱を使用し、かつ良好なレンガ組織を作るうえに有
害な0.5〜0.044mmのクロム鉱の使用量をある
程度制限することにより、従来の方法で製造されたもの
の欠点を補うことに成功したものである。
ロム鉱を使用し、かつ良好なレンガ組織を作るうえに有
害な0.5〜0.044mmのクロム鉱の使用量をある
程度制限することにより、従来の方法で製造されたもの
の欠点を補うことに成功したものである。
超微粉を使用し0.5〜0.044mmの使用量を制限
することは全体の粒度バランスを調整する意味もあるが
クロム鉱を出来るだけ2次スピネル化しフリーのクロム
鉱のバースチング性を抑制する効果を与える為である。
することは全体の粒度バランスを調整する意味もあるが
クロム鉱を出来るだけ2次スピネル化しフリーのクロム
鉱のバースチング性を抑制する効果を与える為である。
しかし0.5〜0.044mmのクロム鉱は2次スピネ
ル化が難しいうえ、レンガ中に広く分散している為、こ
れを増やすことはレンガ焼成時に容積変化を大にする原
因となるので、これを抑制する必要がある。
ル化が難しいうえ、レンガ中に広く分散している為、こ
れを増やすことはレンガ焼成時に容積変化を大にする原
因となるので、これを抑制する必要がある。
この方法で製造された耐火物は電気炉、混銑炉、真空脱
ガス炉、鍋精錬炉等のような転炉に比較して低塩基度ス
ラグを用いて操業される炉の内張り用耐火物として使用
すれば、従来品に比し低塩基度スラグの侵蝕に耐えて長
時間使用することができる。
ガス炉、鍋精錬炉等のような転炉に比較して低塩基度ス
ラグを用いて操業される炉の内張り用耐火物として使用
すれば、従来品に比し低塩基度スラグの侵蝕に耐えて長
時間使用することができる。
又本発明の方法によってマグネシアクリンカー:クロム
鉱の比を80:20〜50:50の範囲の焼成マグクロ
レンガの原素材中のクロム鉱を本発明の記載の粒度分布
に調整したうえ、さらにその素材中のCaO/SiO2
のモル比を種々に変えたものについて混錬、焼成した結
果、第5表に示すような結果を得た。
鉱の比を80:20〜50:50の範囲の焼成マグクロ
レンガの原素材中のクロム鉱を本発明の記載の粒度分布
に調整したうえ、さらにその素材中のCaO/SiO2
のモル比を種々に変えたものについて混錬、焼成した結
果、第5表に示すような結果を得た。
この結果から本発明の方法によりマグネシアクリンカー
:クロム鉱の比が80:20〜50:50の範囲の焼成
マグクロレンガの原素材中のクロム鉱の粒度分布を 0.044〜0mm 15〜20重量部0.5〜0
.044mm 0〜10 〃2〜0.5
残 部 に粒度調整すると共に原素材中のSin2の含量を2係
以下とし、かつCaO/SiO2のモル比を0.7〜0
.9に調整して1800℃以上の温度で焼成すれば最も
優れたマグクロダイレクトボンドレンガを得られること
が明らかである。
:クロム鉱の比が80:20〜50:50の範囲の焼成
マグクロレンガの原素材中のクロム鉱の粒度分布を 0.044〜0mm 15〜20重量部0.5〜0
.044mm 0〜10 〃2〜0.5
残 部 に粒度調整すると共に原素材中のSin2の含量を2係
以下とし、かつCaO/SiO2のモル比を0.7〜0
.9に調整して1800℃以上の温度で焼成すれば最も
優れたマグクロダイレクトボンドレンガを得られること
が明らかである。
次に実施の例をあげる。
実施例
第6表に示すような粒度分布と組成を用いて混錬、成形
、焼成してレンガを製造した生成品の性質は表の如くで
これを用いて実用炉を用いて使用回数を試験したところ
従来品に比較して2倍以上の実績があった。
、焼成してレンガを製造した生成品の性質は表の如くで
これを用いて実用炉を用いて使用回数を試験したところ
従来品に比較して2倍以上の実績があった。
第1図は本発明の試験に使用する実験炉の概略図である
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マグネシアクリンカー:クロム鉱の比が80:20
〜50:50の範囲の原素材を用いる焼成マグクロダイ
レクトボンドレンブの製造方法において、全素材に対す
るクロム鉱を 粒度 0.044〜0mmを15〜20重量%〃 0.
5 〜0.044mmを0〜10重量%〃 2
〜0.5mmを残部 の粒度分布を有するよう粒度調整して1800℃以上の
温度で焼成することを特徴とするマグクロダイレクトボ
ンドレンガの製造方法。 2 マグネシアクリンカー:クロム鉱の比が80:20
〜50:50の範囲の原素材を用いる焼成マグクロダイ
レクトボンドレンガの製造方法において、全素材に対す
るクロム鉱を 粒度 0.044〜0mmを15〜20重量%〃 0.
5 〜0.044mmを0〜10重量%〃 2
〜0.5mmを残部 の粒度分布を有するよう粒度調整すると共に、原素材中
のSiO2の含量を2%以下とし、かつCaOとSi0
2のモル比を0.7〜0.9に調整して1800℃以上
の温度で焼成することを特徴とするマグクロダイレクト
ボンドレンガの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50079105A JPS5813510B2 (ja) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | マグクロダイレクトボンドレンガ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50079105A JPS5813510B2 (ja) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | マグクロダイレクトボンドレンガ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS52912A JPS52912A (en) | 1977-01-06 |
JPS5813510B2 true JPS5813510B2 (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=13680600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50079105A Expired JPS5813510B2 (ja) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | マグクロダイレクトボンドレンガ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5813510B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6140673U (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | 日本電気株式会社 | 半導体素子試験装置 |
JPS61179405A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 多端子レ−ザダイオ−ドモジユ−ル |
JPS628110A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Hoya Corp | スラブ状集束性光伝送体 |
JPS62191818A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-22 | ベブ・カ−ル・ツアイス・イエ−ナ | 恒星投影用投影機 |
JPH06138336A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-05-20 | General Electric Co <Ge> | 高輝度光源用の光学的結合組立体 |
-
1975
- 1975-06-24 JP JP50079105A patent/JPS5813510B2/ja not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6140673U (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | 日本電気株式会社 | 半導体素子試験装置 |
JPS61179405A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 多端子レ−ザダイオ−ドモジユ−ル |
JPS628110A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Hoya Corp | スラブ状集束性光伝送体 |
JPS62191818A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-22 | ベブ・カ−ル・ツアイス・イエ−ナ | 恒星投影用投影機 |
JPH06138336A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-05-20 | General Electric Co <Ge> | 高輝度光源用の光学的結合組立体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS52912A (en) | 1977-01-06 |
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