JPS58130532A - スピンコ−ト法 - Google Patents

スピンコ−ト法

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JPS58130532A
JPS58130532A JP208483A JP208483A JPS58130532A JP S58130532 A JPS58130532 A JP S58130532A JP 208483 A JP208483 A JP 208483A JP 208483 A JP208483 A JP 208483A JP S58130532 A JPS58130532 A JP S58130532A
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JP
Japan
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substrate
washing
water injection
oscillation
cleaning
Prior art date
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Application number
JP208483A
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English (en)
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JPH0125223B2 (ja
Inventor
Shogo Matsui
正五 松井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS58130532A publication Critical patent/JPS58130532A/ja
Publication of JPH0125223B2 publication Critical patent/JPH0125223B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の基板等に被膜を行うプリ洗浄付
スピンコード法に関するものである。
一般に半導体装置の基板は研−工Ｉ７！４時に、その衆
−がワックス、油類等によって汚染されるので洗浄によ
シ前記汚染会を児全に除去し、清浄な基板とすることは
良質の半導体装置を生殖するだめの不可欠の工程である
ことは周知である。したがって前記汚染切の除去には、
トリクレン、洗剤あるいは水勢を使用して超音波洗浄そ
の他の洗浄法尋で洗浄を行う。この基板表向の清浄度が
半導体装置の品質およびシーりに大きく影響するので、
洗浄の終った基板は、一旦クリーンルーム中に備付けら
れた清浄な容ｉ！ｉＫ保管され九〇ち、該容器中に保管
され九基板をスピンコーターに憂して、たとえばレジス
ト等をスピンコードするのである。
ところが前記基板が保管中あるいは容器よりスピンコー
ターへ移す作業において、ゴミ等が付着する懸念がある
。このように基板にゴに等が付着した状態でスピンコー
ドすると、被膜の剥離、電食等が発生して、半導体装置
の品質を低下させる原因となっていた。
本発明は、前記の問題点を解決すべく１されたもので、
予め洗浄され九基板にスピンコードを行う直前に再度洗
浄するようにし九新規なるプリ洗浄付スピンコード法を
提供するものである。ｍ率に述べると本発明は、回転軸
に設けられ九吸着端に基板を吸着させた状態で基板を回
転せしめ、回転軸に設は九超音波ｌｌＡｌＩｂ４１Ｉ柳
を―作せめ九状麿で水流噴射管からの水流噴射により基
板を洗浄する１機と、水流噴射を停止した恢超ｆ波伽鯛
を停止する玉揚と、基板を乾燥する１櫨と、該基板を回
転させながらレジストを基板上にスピンコードする玉揚
とを有することを特徴とするスビ／コート沫により連成
される。
以下−一を＃照しながら、本考楽に係るプリ洗浄付スピ
ンコーターの実施例について＃Ｐ細に説明する。
図面は、本％明の一実施例を説明する丸めの模式的斜視
図で、１はガラス、砿気等からなる基板、２は回転軸２
１に付設した＠着層を介して前記基４ｋｌを回転させる
モータ、３は＠に２回転軸２１の外周に付設し、図示し
ない真空ポンプによシ吸引管３１を介して、前記着板１
を鉄層支持する吸着管、番は超音波振１ＩＩＪ機構、５
は前記基板ｌを洗浄する水流噴射管、６は不活性ガス供
給管で、フは被損材料吹付管である。
予め超音ＩＩＬ洗浄等により清浄保管され九基板１をモ
ーター転軸２１の外周に付設した吸着管３に回転自在で
、モータ回転軸２１に付設し九吸着曙に載置し、図示し
なめ真空ポンプを動作せしめ、吸引管３１を介して前記
基板１を吸着せしめる。
これら−遍の作業および基板１４０保管は何れもクリー
ンルーム中で行なわれ、しかも作業者は防轟服で作業を
行うが、このような状態でも塵芥が付着する慣れがある
。そこで前記基板ｌを吸着した状態でモータ２を回転せ
しめて、基板１を矢印ム方向に回転せしめると同時に超
音＃ＬＩＩＩＡ−機構６を動作せしめ、前記基板ＩＫ−
回転振−を同時に与えながらスピンコードを行うに先立
って、水流噴射管６に水を供給して水流噴射によ抄基板
１に付着し九鳳芥を洗浄し九るのち、雇音液振−を止め
て、基板ｌを充分乾燥する。そして引続きモータ２を回
転させながら不活性ガスたとえば窒素（輩鵞）等を供給
管６よシ供給しながら、不活性ガス雰−気中において被
覆材料たとえばレジスト等を吹付は所定の被膜を形成す
るようにし丸ものである・超音波振Ｉｌｂ機構を動作せ
しめ水流噴射により基板を洗浄し九場合％ダ′クエハで
ＯゴオＯ出現率は、α１閑でろうた〇 一方、水ｔＩ１．噴射のみにより基板を洗浄した場合５
“　ウェハでのゴ建の出現率は２〜ＪＩＩ！であり九。
このように超音波振動と水ｆｔ噴射による基板洗浄との
併用５ＩｔＪ兼によ）他めて仇浄効釆を高めることかで
趣る。
以上の説明から明らかなように、本発明に係るグ１Ｊ６
Ｅ浄付スピンコーターによれば、洗浄後基板に付着した
塵芥を再度洗浄により除去し九のち、Ｊ［へのコーティ
ングを行うことなるので、半導体装置としての鳥品質が
期待できるとともに、良−率の同上に寄与する暫が大で
るる。
本　−面の１１１１ｊＩＬな説明 図面は本発明に係るプリ洗浄付スピンコーターの一実施
例を説明するための慎式的斜視図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＋１）　　回転軸ＫＩ＆けられた吸着端に基板をａ看さ
    せた状態で基板を回転せしめ、回転軸に設けた超音波振
    動機構を一作せめた状−で水流噴射管からの水流噴射に
    より基板を洗浄する工程と、水流噴射を停止した後超音
    波４１Ａ−を停止する工程と、基板を乾燥する工程と、
    該基板を回転させながらレジストを基板上にスピンコー
    ドする工程とを有することを特徴とするスピンコード法
    。
JP208483A 1983-01-10 1983-01-10 スピンコ−ト法 Granted JPS58130532A (ja)

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JP208483A JPS58130532A (ja) 1983-01-10 1983-01-10 スピンコ−ト法

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JP208483A JPS58130532A (ja) 1983-01-10 1983-01-10 スピンコ−ト法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58130532A true JPS58130532A (ja) 1983-08-04
JPH0125223B2 JPH0125223B2 (ja) 1989-05-16

Family

ID=11519479

Family Applications (1)

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JP208483A Granted JPS58130532A (ja) 1983-01-10 1983-01-10 スピンコ−ト法

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JP (1) JPS58130532A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0191426A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Shiotani Seisakusho:Kk スピンコート装置
JP2015099852A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置
US10090189B2 (en) 2013-11-19 2018-10-02 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0191426A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Shiotani Seisakusho:Kk スピンコート装置
JP2015099852A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置
US10090189B2 (en) 2013-11-19 2018-10-02 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle

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JPH0125223B2 (ja) 1989-05-16

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