JPS58130271A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
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- JPS58130271A JPS58130271A JP1277282A JP1277282A JPS58130271A JP S58130271 A JPS58130271 A JP S58130271A JP 1277282 A JP1277282 A JP 1277282A JP 1277282 A JP1277282 A JP 1277282A JP S58130271 A JPS58130271 A JP S58130271A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は例えばＸ線螢光増倍管の製造に使用して好適
な真空蒸着方法に関する。
な真空蒸着方法に関する。
一般にＸ線螢光増倍管におけるガス吸着に当っては、Ｔ
ｌ”、ターによる真空蒸着方法を採用しているが、この
場合、従来、第１図（ａ） 、 （ｂ）に示すような蒸
発源を使用していた。即ち、Ｗ製棒状ヒータ１の周ＤＫ
、被蒸発金属である１゛！ゲツター２と、とのＴｉダッ
タ−２が流れるのを抑えるためのＷ製スペーサ３が並列
に螺旋状に巻かれている。尚、実際にはＴｌ’、ター２
及びスペーサ３は殆どヒータ１の端部近くまで巻かれて
おシ、又ヒータ１の両端にはそれぞれ通電端子（図示せ
ず）が固着されている。そして、蒸着に当りては、一定
電流を上記ヒータ１に流して加熱し、その熱によってＴ
ｌグ、ター２を溶かして行う。このときのヒータ１両端
の電圧の変化を第２図に示す。
ｌ”、ターによる真空蒸着方法を採用しているが、この
場合、従来、第１図（ａ） 、 （ｂ）に示すような蒸
発源を使用していた。即ち、Ｗ製棒状ヒータ１の周ＤＫ
、被蒸発金属である１゛！ゲツター２と、とのＴｉダッ
タ−２が流れるのを抑えるためのＷ製スペーサ３が並列
に螺旋状に巻かれている。尚、実際にはＴｌ’、ター２
及びスペーサ３は殆どヒータ１の端部近くまで巻かれて
おシ、又ヒータ１の両端にはそれぞれ通電端子（図示せ
ず）が固着されている。そして、蒸着に当りては、一定
電流を上記ヒータ１に流して加熱し、その熱によってＴ
ｌグ、ター２を溶かして行う。このときのヒータ１両端
の電圧の変化を第２図に示す。
上記従来の方法においては、ヒータ１は真空中で、外部
から見えず、又蒸発量をモニターするためのセンサーを
設電できない場所に設けである。
から見えず、又蒸発量をモニターするためのセンサーを
設電できない場所に設けである。
この場合、一定電流を一定時間通電する方法では、ヒー
タ１を形成している線の太さがパラつくと、ヒータ１の
温度もパラついて蒸発音も大きく変化して実用に供さな
くなる。更に蒸発量の不足を補うために１通電時間を長
くしたり、再度通電する方法をとると、前者では、ヒー
タ１近辺に設けである薄膜に悪影響を及ぼし、後者では
スペーサ３の断面が発生し易くなる。
タ１を形成している線の太さがパラつくと、ヒータ１の
温度もパラついて蒸発音も大きく変化して実用に供さな
くなる。更に蒸発量の不足を補うために１通電時間を長
くしたり、再度通電する方法をとると、前者では、ヒー
タ１近辺に設けである薄膜に悪影響を及ぼし、後者では
スペーサ３の断面が発生し易くなる。
この発明の目的は、上記従来の欠点を除去し、所定の適
正蒸発量を容易に制御できる真空蒸着方法を提供するこ
とである。
正蒸発量を容易に制御できる真空蒸着方法を提供するこ
とである。
この発明は、被蒸発物を棒状ヒータの周シに螺旋状に巻
き、該ヒータに通電加熱して蒸着を行う真空蒸着方法に
おいて、ヒータ端子間電圧がＯから上昇して一旦下降し
、仁の下降点の値から再び上昇した上昇点の値との差を
検出して所定蒸発量を制御している。
き、該ヒータに通電加熱して蒸着を行う真空蒸着方法に
おいて、ヒータ端子間電圧がＯから上昇して一旦下降し
、仁の下降点の値から再び上昇した上昇点の値との差を
検出して所定蒸発量を制御している。
例としてグ、ターフラ、シ、の場合について説明する。
第２図において、先ず一定電流會流すと、ヒータ１の両
端電圧は４０点まで上昇し続いて５の点ｔで下降、更に
６のように上昇する。そして、４の点でＴｌ”ツタ−２
が溶は始め、それが更に溶けるとスペーサ３の隙間に流
れて狸めるために１スペーサ３の抵抗が低下し、電圧が
下がる。更に通電されてＴｌグ、ター２が完全に溶けき
る七、ス（−ｔ３の温度は上昇を始めて６のように電圧
の上昇として表われる。この下降点５と再上昇点Ｃとの
電圧差と、蒸発量の相関をとると第３図のようにな）、
可成９良い相関関係を得ることができた。
端電圧は４０点まで上昇し続いて５の点ｔで下降、更に
６のように上昇する。そして、４の点でＴｌ”ツタ−２
が溶は始め、それが更に溶けるとスペーサ３の隙間に流
れて狸めるために１スペーサ３の抵抗が低下し、電圧が
下がる。更に通電されてＴｌグ、ター２が完全に溶けき
る七、ス（−ｔ３の温度は上昇を始めて６のように電圧
の上昇として表われる。この下降点５と再上昇点Ｃとの
電圧差と、蒸発量の相関をとると第３図のようにな）、
可成９良い相関関係を得ることができた。
そこで、この発明では、先ず一定電流を流して下降点５
を求め、次に予め実験から求めた所定７ラツシ、量（適
正蒸発量）の得られる電圧差だけ、下降点６よシ高い電
圧即ち再上昇点−の電圧Ｖ、に設定し、今度はこの電圧
を保持するように電流を調節する。
を求め、次に予め実験から求めた所定７ラツシ、量（適
正蒸発量）の得られる電圧差だけ、下降点６よシ高い電
圧即ち再上昇点−の電圧Ｖ、に設定し、今度はこの電圧
を保持するように電流を調節する。
この発ｗＡＫよれば、ヒータ端子間電圧が、０から上昇
して一旦下降し、この下降点の値から再び上昇した上昇
点の値との差を検出して制御しているので、容易に所定
フラッジ、量（適正蒸発量）’を得ることができる。
して一旦下降し、この下降点の値から再び上昇した上昇
点の値との差を検出して制御しているので、容易に所定
フラッジ、量（適正蒸発量）’を得ることができる。
この発明はｒ、ターフラ、シ＆に限らず類似の方法によ
る真空蒸着に適用できる。
る真空蒸着に適用できる。
第１図（ａ） ＊ （ｂ）は従来及びこの発明の真空蒸
着方法で用いる蒸発源を示す斜視図と断面図、第２図は
蒸発源のヒータ端子間電圧と時間との関係を示す特性曲
線図、第３図はヒータの端子間電圧の電圧差と蒸発量と
の関係を示す特性曲線図である。 １・・・ヒータ、２・・・Ｔ１ダッタ−（被蒸発物）、
３・・・ス（−サ、４・・・上昇点、５・・・下降点、
６・・・再上昇点。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１１ＩＩ （ａ） （ｂ） 第２図 第−３図 メ、発量 −
着方法で用いる蒸発源を示す斜視図と断面図、第２図は
蒸発源のヒータ端子間電圧と時間との関係を示す特性曲
線図、第３図はヒータの端子間電圧の電圧差と蒸発量と
の関係を示す特性曲線図である。 １・・・ヒータ、２・・・Ｔ１ダッタ−（被蒸発物）、
３・・・ス（−サ、４・・・上昇点、５・・・下降点、
６・・・再上昇点。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１１ＩＩ （ａ） （ｂ） 第２図 第−３図 メ、発量 −
Claims (1)
- 被蒸発物を棒状ヒータの周りに螺旋状に巻き、該ヒータ
に通電加熱して被蒸発物を所要基体面上に蒸着を行なう
真空蒸着方法において、前記ヒータ端子間電圧が、０か
ら上昇して一旦下降し、この下降点の値とそれから再び
上昇した上昇点の値との差を検出して蒸発量を制御する
ことを特徴とした真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277282A JPS58130271A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277282A JPS58130271A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130271A true JPS58130271A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11814692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277282A Pending JPS58130271A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100829736B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 진공 증착장치의 가열용기 |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1277282A patent/JPS58130271A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100829736B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 진공 증착장치의 가열용기 |
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