JPS58128Y2 - キタイケンチソシ - Google Patents
キタイケンチソシInfo
- Publication number
- JPS58128Y2 JPS58128Y2 JP7892572U JP7892572U JPS58128Y2 JP S58128 Y2 JPS58128 Y2 JP S58128Y2 JP 7892572 U JP7892572 U JP 7892572U JP 7892572 U JP7892572 U JP 7892572U JP S58128 Y2 JPS58128 Y2 JP S58128Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- cylindrical body
- main body
- detector
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、気体、特に還元性気体と接触した時に、電子
若しくは正孔の伝導により自己の内部抵抗値に変化を生
ずる金属酸化物半導体、たえ（ｆＳｎＯ２、ＺｎＯ０Ｆ
ｅ２０３等を主体として構成する気体検知素子の改良さ
れた構造に関するものである。
若しくは正孔の伝導により自己の内部抵抗値に変化を生
ずる金属酸化物半導体、たえ（ｆＳｎＯ２、ＺｎＯ０Ｆ
ｅ２０３等を主体として構成する気体検知素子の改良さ
れた構造に関するものである。
、一般に、この種検知素子は常温中で使用する）場合に
、外部要因、特に湿度の影響に大きく左右され易く、気
体に対する素子の検知性能が著しく阻害されるため、該
素子に加熱器を埋設装備し、素子を高温で用いることが
知られている。
、外部要因、特に湿度の影響に大きく左右され易く、気
体に対する素子の検知性能が著しく阻害されるため、該
素子に加熱器を埋設装備し、素子を高温で用いることが
知られている。
以下、添付図面を参照にして詳述すると、第１図は在来
実施例を示すもノテ、１は、たとえばＳｎＯ２，ＺｎＯ
９Ｆｅ２０３等の金属酸化物半導体を主成分とする主体
で、該主体１内には夫々螺旋状に捲線した加熱器２と検
出器３とが少許の間隙を保有すべく対設されている。
実施例を示すもノテ、１は、たとえばＳｎＯ２，ＺｎＯ
９Ｆｅ２０３等の金属酸化物半導体を主成分とする主体
で、該主体１内には夫々螺旋状に捲線した加熱器２と検
出器３とが少許の間隙を保有すべく対設されている。
そして、上記加熱器２には電源４の陽陰極に、上記検出
器３は警報器等の制御機器５に接続されている。
器３は警報器等の制御機器５に接続されている。
即ち、平常時においては、主体１の電子、若しくは正孔
伝導はほとんど行われず、該主体１の内部抵抗変化が生
じないため制御機器５の作動は行われないようにしであ
る。
伝導はほとんど行われず、該主体１の内部抵抗変化が生
じないため制御機器５の作動は行われないようにしであ
る。
しかし、還元性気体が主体１に接触すると、主体１の電
子、若しくは正孔の伝導が活発に行われ、該主体１の内
部抵抗に著しい変化が生じ、制御機器５が作動し、警報
器等により表示が戊されるようにしである。
子、若しくは正孔の伝導が活発に行われ、該主体１の内
部抵抗に著しい変化が生じ、制御機器５が作動し、警報
器等により表示が戊されるようにしである。
しかして、在来品における検知素子を考察するに、加熱
器２の熱効率をあげ、しかも電源４の容量を小さくシ、
且つ、検出器３を加熱器２にできるだけ接近させて導電
率を上げ、しかも主体１を小さくして検知素子の気体に
対する感知性能を向上させることが主眼となるのである
が、実際、加熱器２及び検出器３を数十ミクロンの導線
で形成するため、該加熱器２と検出器３の接近は、両者
２，３の接触による短絡の憂いがあり、このことは検知
素子の製作上、大きな障害となっている。
器２の熱効率をあげ、しかも電源４の容量を小さくシ、
且つ、検出器３を加熱器２にできるだけ接近させて導電
率を上げ、しかも主体１を小さくして検知素子の気体に
対する感知性能を向上させることが主眼となるのである
が、実際、加熱器２及び検出器３を数十ミクロンの導線
で形成するため、該加熱器２と検出器３の接近は、両者
２，３の接触による短絡の憂いがあり、このことは検知
素子の製作上、大きな障害となっている。
また、検知素子の経年変化により上記加熱器２と検知器
３との接触が生じ得、このことは検知素子の寿命を著し
く縮めること・なっている。
３との接触が生じ得、このことは検知素子の寿命を著し
く縮めること・なっている。
本考案はこれらの欠点を解消するもので、以下添付第２
図について第１図と同一部分に同一符号を用いて詳述す
ると、１は、たとえばＳｎＯ２，ＺｎＯ０Ｆｅ２０３等
の金属酸化物半導体を主成分とする主体、６は石英、ア
ルミナ等の不導電材料から成り、両端を開口とした筒体
、２は上記筒体６に捲設した加熱器、３は上記筒体６内
に挿通した検知器で、上記加熱器２、検出器３及び筒体
６が上記主体１内に一体に埋設されている。
図について第１図と同一部分に同一符号を用いて詳述す
ると、１は、たとえばＳｎＯ２，ＺｎＯ０Ｆｅ２０３等
の金属酸化物半導体を主成分とする主体、６は石英、ア
ルミナ等の不導電材料から成り、両端を開口とした筒体
、２は上記筒体６に捲設した加熱器、３は上記筒体６内
に挿通した検知器で、上記加熱器２、検出器３及び筒体
６が上記主体１内に一体に埋設されている。
この場合、筒体６はその周壁に多数の孔７が形成されて
多孔性としてあり、これにより主体１が筒体６の周壁を
浸透してその内外から通じ合うように構成している。
多孔性としてあり、これにより主体１が筒体６の周壁を
浸透してその内外から通じ合うように構成している。
即ち、本考案は上述のように、不導電材料から戊る筒体
６を介して加熱器２と検出器３とを対設するようにした
から上記加熱器２に検出器３を最大限に接近し得ること
・なり、導電効果を有効に高め得ることができると共に
主体１自体をそれだけ小型なものとし得るから加熱器２
を有効に作用し得、電流容量の少ないものとし、従って
電源４を小型なものとすることができ、特に直流用とし
て最適なものとし得る。
６を介して加熱器２と検出器３とを対設するようにした
から上記加熱器２に検出器３を最大限に接近し得ること
・なり、導電効果を有効に高め得ることができると共に
主体１自体をそれだけ小型なものとし得るから加熱器２
を有効に作用し得、電流容量の少ないものとし、従って
電源４を小型なものとすることができ、特に直流用とし
て最適なものとし得る。
また、主体１に埋設した筒体６は、主体１の補強部材と
して作用するから耐久的なものとし得、しかも主体１の
経年変化によっても上記加熱器２と検出器３との接触を
防ぐ壁材としても作用するから一層耐久性の秀れたもの
とし得る。
して作用するから耐久的なものとし得、しかも主体１の
経年変化によっても上記加熱器２と検出器３との接触を
防ぐ壁材としても作用するから一層耐久性の秀れたもの
とし得る。
なお、図示してないが筒体６自体をそれ自身組織が粗状
の多孔性材料で形成してもよい。
の多孔性材料で形成してもよい。
また、加熱器２を筒体６内に、検出器３を筒体６外に配
設してもよい。
設してもよい。
このように、本考案は主体１に埋設される加熱器３との
間に筒体６を介在させたから検知素子の製作が極めて容
易にして、且つ、感度を向上させ、更に耐久的なものと
し得る実用上方れた効果を発揮するものである。
間に筒体６を介在させたから検知素子の製作が極めて容
易にして、且つ、感度を向上させ、更に耐久的なものと
し得る実用上方れた効果を発揮するものである。
第１図は在来実施例、第２図は本考案実施例である。
１・・・・・・主体、２・・・・・・加熱器、３・・・
・・・検出器、４・・・・・・電源、５・・・・・・制
御機器、６・・・・・・筒体、７・・・・・・孔。
・・・検出器、４・・・・・・電源、５・・・・・・制
御機器、６・・・・・・筒体、７・・・・・・孔。
Claims (1)
- 石英、アルミナなどの不導電材料で両端が開口し、少な
くとも周壁が多孔の筒体を形威し、この部体内外にコイ
ル状に巻線した加熱器と検出器とを筒体の壁を境として
接近配設し、金属酸化物半導体を主成分とする主体を上
記筒体内に充填し、かつ筒体外に被着して主体を筒体の
周壁を通してその内外から通じ合わせ、上記加熱器と検
出器とを主体内に埋設包囲し、加熱器の電極と検出器の
電極とを主体外に導出するとともに、加熱器の電極を検
出器の電極とともにガスの検出用電極として兼用するよ
うに構成した気体検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7892572U JPS58128Y2 (ja) | 1972-07-04 | 1972-07-04 | キタイケンチソシ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7892572U JPS58128Y2 (ja) | 1972-07-04 | 1972-07-04 | キタイケンチソシ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS4938287U JPS4938287U (ja) | 1974-04-04 |
| JPS58128Y2 true JPS58128Y2 (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=27983523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7892572U Expired JPS58128Y2 (ja) | 1972-07-04 | 1972-07-04 | キタイケンチソシ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128Y2 (ja) |
-
1972
- 1972-07-04 JP JP7892572U patent/JPS58128Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS4938287U (ja) | 1974-04-04 |
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