JPH0122239Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、陰極線管等の製造に際して使用する
ゲツターフラツシユ用の高周波加熱装置に関す
る。

背景技術とその問題点 ゲツターフラツシユ用高周波加熱装置において
は通常その高周波コイル内に磁性コア例えばフエ
ライトコアが挿入配置されている。このフエライ
トコアは、高周波コイルに発生した磁束を更にゲ
ツターに集中させる作用を行つている。しかし、
作業中、このフエライトコアの温度が上昇する
と、上記作用効果が損なわれ高周波加熱実効出力
が低下し、そのためゲツターが燃焼し始めるまで
の時間（ゲツター・スタート・タイム）が余計に
かかり、またゲツターを充分燃焼させることがで
きない。このため従来第１図及び第２図に示すよ
うに、銅製パイプより成る高周波コイル（例えば
内径d₁＝30mm）２内にフエライトコア（例えば外
径d₂＝28mm）４を配置して全体をシリコンラバー
３で被覆し、この高周波コイル２に冷却水を流す
ことにより、フエライトコア４を間接的に冷却
し、温度の上昇を防止していた。しかし、このよ
うな構成を有する加熱装置１によつても、間接冷
却のためにフエライトコア４の温度上昇を充分抑
えることができず、即ち、常温（23℃）から60℃
以上（80℃位）に上昇し、ゲツターフラツシユ条
件の不安定化は免れなかつた。

実験によれば、例えばKT−41（商品名）のフ
エライトコアの温度特性は、20℃を境に初透磁率
の変化分が減少する。このKT−41のフエライト
コアでは、コア表面が60℃になると初透磁率の変
化分が約20％変化し、ゲツター・スタート・タイ
ムに変化が生ずる。例えば、室温（25℃）では、
ゲツター・スタート・タイムとして9.0秒かかつ
たのが、60℃においては16.0〜17.0秒と大幅に時
間がかかつた。一方、コア表面が40℃では初透磁
率の変化分が10％程度であり、ゲツター・スター
ト・タイムに変化は生じない。更に、第６図に示
すように、フエライトコアの初透磁率に関する温
度特性には40℃位で１つの変曲点があり、また材
質によつては150℃〜200℃でフエライトコアが割
れることもある。この結果、高周波加熱装置のフ
エライトコアは40℃以上にならないように保つ必
要がある。

考案の目的 本考案は、上述の点に鑑み、磁性コアの温度上
昇を防ぎ、安定した高周波加熱実効出力を得るこ
とができるゲツターフラツシユ用高周波加熱装置
を提供することを目的とする。

考案の概要 本考案は、高周波コイル内にシリコングリスを
介して磁性コアを配置し、全体をシリコンラバー
で被覆して成るゲツターフラツシユ用高周波加熱
装置である。

本考案によれば、磁性コアの温度上昇を効果的
に防止することができ、従つてゲツターフラツシ
ユ条件の安定した高周波加熱装置を得ることがで
きる。

実施例 以下、本考案の実施例を図面を参照して説明す
る。

本考案においては、第３図及び第４図に示すよ
うに、例えば銅製パイプより成る高周波コイル２
内に冷却用のシリコングリス５を介して磁性コア
例えばフエライトコア４を配置する。即ち、高周
波コイル２とフエライトコア４間をシリコングリ
ス５で埋める。そして、高周波コイル２の外側の
全体をシリコンラバー３で被覆する。なお、加熱
動作時には、この高周波コイル２の銅製パイプ内
に通常と同様に冷却水を通す。

かかる構成の高周波加熱装置においては、その
フエライトコア４の温度上昇が40℃以下に抑えら
れる。第５図は、本考案の高周波加熱装置１１と
従来の高周波加熱装置１について、加熱25秒、待
機30秒の断続的な加熱動作を繰り返し行つてフエ
ライトコア４の表面温度を測定した結果を示す。
なお、シリコングリス５は、SCH−20（サンハヤ
ト株式会社製）を使用するもので、熱伝導率２×
10^-3cal／deg・sec・cm、使用温度−40℃〜200
℃、耐熱性180℃×500時間変化なし、体積抵抗率
2.5×10¹⁴Ω・cmの特性を有している。第５図にお
いて、曲線Ａは従来の高周波加熱装置１のフエラ
イトコア４表面の温度特性、曲線Ｂはシリコンラ
バー３表面の温度特性、曲線Ｃは本高周波加熱装
置１１のフエライトコア４表面の温度特性、曲線
Ｄは高周波コイル２の温度特性を示す。このグラ
フから、従来の装置１の場合、フエライトコア４
の表面は、動作開始時の25℃から上昇し、60℃以
上（80℃位）になつて安定領域となるため、第６
図に示す通りピークを過ぎた下降線領域の初透磁
率しか得られないことになる。しかし、本装置１
１によれば、安定領域が約36℃にあり、これは第
６図の曲線の略ピークにあたるため、初透磁率の
良好な領域を使用することができる。この結果、
23℃位で8.5〜9.5秒であつたゲツター・スター
ト・タイムは、フエライトコア４の温度上昇が40
℃以下に抑えられているため、長時間の動作後で
あつても略同じ8.5〜9.5秒であつた。

このようにシリコングリス５は、熱伝導率に関
して２×10^-3cal／sec・deg・cmとシリコンラバ
ー３の３×10^-4cal／sec・deg・cm、空気の６×
10^-5cal／sec・deg・cmより大きいため、フエラ
イトコア４の熱を冷却パイプも兼ねた高周波コイ
ル２を介して効果的に下げることができる。この
ため、装置内において高周波コイル２は、フエラ
イトコア４に接していないで若干の間隔がある場
合であつても、シリコングリス５を介してフエラ
イトコア４を40℃以下に充分冷却することができ
る。

従つて、本考案によれば、高周波加熱時のフエ
ライトコア４の温度上昇を40℃以下に抑えて、略
ピーク値の初透磁率を安定して得ることができる
ため、ゲツター・スタート・タイムに変動を来た
さないで本高周波加熱装置を使用することができ
る。

考案の効果 本考案の高周波加熱装置によれば、シリコング
リスを介して磁性コアの温度上昇を効果的に抑
え、安定した高周波加熱実効出力を得ることがで
きるため、陰極線管のゲツターフラツシユ条件の
安定化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の高周波加熱装置の平
面図及び断面図、第３図及び第４図は本考案の高
周波加熱装置の平面図及び断面図、第５図は加熱
回数に対するフエライトコア表面の温度上昇を測
定した特性図、第６図はフエライトコアの初透磁
率について測定した温度特性図である。 １，１１は高周波加熱装置、２は高周波コイ
ル、３はシリコンラバー、４はフエライトコア、
５はシリコングリスである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 高周波コイル内にシリコングリスを介して磁性
   コアが配置され、全体がシリコンラバーで被覆さ
   れて成るゲツターフラツシユ用高周波加熱装置。