JPS58124502A - コ−ルドトラツプ吸着機能の回復方法 - Google Patents

コ−ルドトラツプ吸着機能の回復方法

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Publication number
JPS58124502A
JPS58124502A JP758282A JP758282A JPS58124502A JP S58124502 A JPS58124502 A JP S58124502A JP 758282 A JP758282 A JP 758282A JP 758282 A JP758282 A JP 758282A JP S58124502 A JPS58124502 A JP S58124502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cold trap
gas
inner cylinder
conduit
supplied
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP758282A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Kanai
金井 謙雄
Noriaki Yamamoto
山本 則明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP758282A priority Critical patent/JPS58124502A/ja
Publication of JPS58124502A publication Critical patent/JPS58124502A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、;−ルドトラップ吸着機能の回復方法に係り
、特に、吸着機能の回復に畳する時間を短縮するのに好
適なコールドトラップ吸着機能の回復方法に関するもの
である。
従来あコールトド2ツブ吸着機能の回復方法例を#I1
図により説明する。
第1図は、従来のコールドトラップ吸着機能の回復方法
を実施したコールドトラップを使用した加を経て供給さ
れる内筒Wと、内筒lOを内設する外筒11とで構成さ
れ、外筒11外面にヒーター12麿が巻装され、又は、
内筒10内にヒーター12bが内設されたコールドトラ
ップ■が、弁Iを設けた導管4で半導体製造装置のM:
1lli! (以下、処理室と略) 14と、弁おを設
けた導管nで真空排気ポンプ正と、弁冨を設けた導管コ
で排ガス処理416とそれぞれ連結されると共に、コー
ルドトラップ13の吸着機能回復時に内筒lOと外筒1
1とで形成された空間菊に反応ガス中の不純ガスに対し
て安定なガス、例えば、窒素ガスを供給する弁おを設け
た導管冴が連結されている。
処理室14からは、例えば、塩素ガス勢の不純ガスを含
有した反応ガスが排出される。この反応ガスをそのtt
X空排気ポンプ止に供給すれば、真空排気ポンプbの油
が汚染され排気能力が低下したり、また、真空排気ポン
プ巧の本体が腐食されるようになるため、真空排気ポン
プ正に供給する前に反応ガスに含有された不純ガスはコ
ールドトラップUの内1111o外面に1着され除去さ
れる。コールドトラップ口での不純ガスの吸着、除去が
ある穆直進行すれば、コールドトラップ化の吸着機能の
限界に達し、この時点で、弁菖、31が閉弁、弁冨、3
8が開弁され、コールドトラップ化の吸着機能の回復が
次のように行われる。つまり、弁(が開弁している導管
為な経て窒素ガスが9関Cに供給され、この窒素ガスは
ヒーター12鳳又はヒーター12bにより間接的に加温
される。コールドトラップUの円筒W外面に吸着された
不純ガスは、加温された窒素ガスにより除去され、これ
により、コールドトラップlの吸着機能が回復する。不
純ガスを含有した窒素ガスは、弁&が開弁している導管
囚を経て排ガス処理装置16に供給され処理される。コ
ールドトラップ口の吸着機能が回復した時点で、再び、
弁91社が開弁、弁諺、33が閉弁され、九l1m14
からの反応ガスの排気がコールドトラップ13を介して
真9排気ポンプ腸により行われる。
このようなコールドトラップ吸着機り後方法では、コー
ルドトラップの内筒の外面に吸着した不純ガスを除去す
るガスが、ヒーターにより間接的に加温されているため
 ヒーターの熱効率が悪くコールドトラップの吸着機能
の回復に要する時間が長くなるといった欠点があった。
本発明は、上記欠点の解消を目的としたもので、コール
ドトラップの吸着機能回復時に、コールドトラップを構
成する内筒と外筒とで形成された空間に、不純ガスに対
して安定なガスを予め加温して供給することを特徴とし
、コールドトラップの吸着機能の回復に要する時間を短
縮できるコールドトラップ吸着機能の回復方法を提供す
るものである。
本発明の一実施例を#!2図により説明する。
第2図は、本発明を実施したコールドトラップを使用し
た半導体製造装置の排気系統図で、なお、第1図と同一
装置2部品は同一符号で示し説明を省略する。
第2図で、導管あの弁あの前流側には、ヒーター12 
cが内設されたタンク17が設けられている。
コールドトラップ化の吸着機能の回復時に、弁(資)、
alが閉弁、弁!、33が開弁され、内筒10と外筒U
とで形成された空関菊には、導管冴を経てタンク17に
供給され、ヒーター12cで予め加温された、不純ガス
に対して安定なガス、例えば、窒素ガスが、弁おが開弁
している導管冴な経て供給される。コールドトラップ1
3の内命10外面に吸着された不純ガスは、加温された
窒素ガスにより除去され、これにより、コールドトラッ
プ13の吸着機能が回復する。不純ガスを含有した窒素
ガスは、弁冨が開弁している導管2を経て排ガス処理装
置16に供給され処理される。コールドトラップUの吸
着機能が回復した後は、弁(資)、31が開弁、弁冨。
羽が閉弁され、兜理室14からの反応ガスの排気がコー
ルドトラップ13を介して真9排気ポンプ腸により行わ
れる。
本実施例のようなコールドトラップ吸着機能の回復方法
では、コールドトラップの内筒外面に吸着された不純ガ
スを除去する、不純ガスに対して安定なガスをタンク内
でヒーターにより直接的に加温するよ°うにしているの
で、ヒーターの熱効率を向上でき、コールドトラップの
吸着機能の回復に要する時間が短縮できる。
なお、不純ガスに対して安定なガスの加温方法は、本実
施例に特に限定するものではなく、例えば、スチーム等
により加温しても良い。
本発明は、以上説明したように、コールドトラップの吸
着機能の回復時に、コールドトラップを構成する内筒と
外筒とで形成された空間に、不純ガスに対して安定なガ
スを予め加温して供給するということで、不純ガスに対
して安定なガスをコールトド2アブに供給した後に、加
温する必要がなくなるので、コールドトラップの吸着機
能の回復に要する時間を短縮できる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は、従来のコールドトラップ吸着機能の回復方法
例を説明するもので、従来のコールドトラップ吸着機能
の回復方法を実施したコールドトラップを使用した半導
体製造装置の排気系統図、M2図は、本発明の一実施例
を説明するもので、本発明を実施したコールトド2ツブ
を使用した半導体製造装置の排気系統図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ン4ヒ京P口4)東 1、希参番秦が供給される内筒と、該内筒を内設する外
    筒とで構成され、不純ガスを吸着、除去前記内筒と前記
    外筒とで形成された空間に前記不純ガスに対して安定な
    ガスを予め加温して供給することを特徴とするコールド
    トラップ吸着機能の回復方法。
JP758282A 1982-01-22 1982-01-22 コ−ルドトラツプ吸着機能の回復方法 Pending JPS58124502A (ja)

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JP758282A JPS58124502A (ja) 1982-01-22 1982-01-22 コ−ルドトラツプ吸着機能の回復方法

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JPS58124502A true JPS58124502A (ja) 1983-07-25

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