JPS58123785A - Ｈｅ−Ｎｅガスレ−ザ管の製造方法 - Google Patents
Ｈｅ−Ｎｅガスレ−ザ管の製造方法Info
- Publication number
- JPS58123785A JPS58123785A JP636182A JP636182A JPS58123785A JP S58123785 A JPS58123785 A JP S58123785A JP 636182 A JP636182 A JP 636182A JP 636182 A JP636182 A JP 636182A JP S58123785 A JPS58123785 A JP S58123785A
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- JP
- Japan
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- laser
- cathode
- output
- metallic member
- laser tube
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Lasers (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＨｅ−Ｎｅガスレーザ管の出力低下方法に関
する。
する。
近年、小形のＨｅ−ｈｅガスレーザ管は、多積の用途が
開発され、鉤にＰＯ２、ビデオディスク等に大量に使用
され始め九〇従来の用途としては夾験室用、ケガキ線用
等が主であったためレーザ出力はバラツキが大きくても
大きな間融とはならず従って、製造者は最小出力のみに
関心をもって製造が進められていた。これに対し前述し
たような大量に使用される用途について性レーザ出力の
上限、下限がきびしく制限されるようになってきた。
開発され、鉤にＰＯ２、ビデオディスク等に大量に使用
され始め九〇従来の用途としては夾験室用、ケガキ線用
等が主であったためレーザ出力はバラツキが大きくても
大きな間融とはならず従って、製造者は最小出力のみに
関心をもって製造が進められていた。これに対し前述し
たような大量に使用される用途について性レーザ出力の
上限、下限がきびしく制限されるようになってきた。
また、レーザの使用時の安全面からレーザ出力の上限が
きびしく制限されるような場合も多く発生している。
きびしく制限されるような場合も多く発生している。
一方、製造面からみるとレーザ出力は各部品のバラツキ
、光学部品の汚れ等によりバラツキが大きく、従って前
述したきびしい規格内に給めることが国難で、製造時の
歩留を大きく層化させていた０ この問題を解決する丸めの手段としてレーザ管設計時に
レーザ出力を要求される規格中央よｆｆｉ％めに設定し
ておき、第１図に示すように陽極と、ミラー近傍に配置
され九金属部材間で放電させ出力をモニターしながらこ
の金輌部材をスパッタさせて、ミラー面にスパッタ膜を
形成し、出力を低下させて規格出力内に納めることによ
ル、歩留を向上させる方法がとられていた。しかし、こ
の方法においては、 ■ 通常の放電々流３〜６ｍＡでは金属部材の種類にも
より異なるがスパッタ膜形成に１０〜６０分の時間を要
するため、作業性が患い、 ＠ スパッタ膜を短時間に形成する方法として放電々流
を増加させる方法はあるが、放電々流と出力の関係は第
２図に示す通夛放電々流により、出力が変化し、かつ、
この特性はレーザ管毎に異なるため、目標とする出力規
格内に納めることが困難である０という不具合があった
。
、光学部品の汚れ等によりバラツキが大きく、従って前
述したきびしい規格内に給めることが国難で、製造時の
歩留を大きく層化させていた０ この問題を解決する丸めの手段としてレーザ管設計時に
レーザ出力を要求される規格中央よｆｆｉ％めに設定し
ておき、第１図に示すように陽極と、ミラー近傍に配置
され九金属部材間で放電させ出力をモニターしながらこ
の金輌部材をスパッタさせて、ミラー面にスパッタ膜を
形成し、出力を低下させて規格出力内に納めることによ
ル、歩留を向上させる方法がとられていた。しかし、こ
の方法においては、 ■ 通常の放電々流３〜６ｍＡでは金属部材の種類にも
より異なるがスパッタ膜形成に１０〜６０分の時間を要
するため、作業性が患い、 ＠ スパッタ膜を短時間に形成する方法として放電々流
を増加させる方法はあるが、放電々流と出力の関係は第
２図に示す通夛放電々流により、出力が変化し、かつ、
この特性はレーザ管毎に異なるため、目標とする出力規
格内に納めることが困難である０という不具合があった
。
従って本発明の目的は前記不具合を解消し短時間でレー
ザ出力を規格内に納めることができる方法を提供するも
のである。
ザ出力を規格内に納めることができる方法を提供するも
のである。
図面を用いて説明しよう。第３図は本発明の実施方法で
レーザ管はレーザ細＊６、レーザ細管の両端に配置され
九一対のミラー１，２、陽極３、陰極４、陰極導入棒１
５．ξラー近傍に配置された金属部材７．８、真空外囲
器５より構成されている。このレーザ管の陽極３．陰極
導入棒１５間に電源９よシリード線１２．１３を介して
適正な電圧を印加することによシ、レーザ細管内にレー
ザ媒質が発生し、レーザ光１４が得られこれをディテク
ター１０で受光しレーザ出力を表示器１１に表示する。
レーザ管はレーザ細＊６、レーザ細管の両端に配置され
九一対のミラー１，２、陽極３、陰極４、陰極導入棒１
５．ξラー近傍に配置された金属部材７．８、真空外囲
器５より構成されている。このレーザ管の陽極３．陰極
導入棒１５間に電源９よシリード線１２．１３を介して
適正な電圧を印加することによシ、レーザ細管内にレー
ザ媒質が発生し、レーザ光１４が得られこれをディテク
ター１０で受光しレーザ出力を表示器１１に表示する。
さらに電源３０を設置し、リード線３１．３２を介して
金属部材８を１ｌｊ１極とし、陰極導入棒１５と金属部
材８間に適正な電圧を印加し金属部材８をスパッタさせ
、ミ２−１の内面にスパッタ膜を形成する。この時ディ
テクターにより、レーザ出力をモニターしておき、レー
ザ出力が規定の値になった時、ｔｋ３０を（Ｊ Ｐ’
Ｆする。
金属部材８を１ｌｊ１極とし、陰極導入棒１５と金属部
材８間に適正な電圧を印加し金属部材８をスパッタさせ
、ミ２−１の内面にスパッタ膜を形成する。この時ディ
テクターにより、レーザ出力をモニターしておき、レー
ザ出力が規定の値になった時、ｔｋ３０を（Ｊ Ｐ’
Ｆする。
本方法によれば、スパッタ用電源３０をコントロールす
ることにより、ミラーへのスパッタ膜形成時間を容易に
コントロールできる。さらにレーザ細管内を流れる放電
々流は電源９によｐ規定の叫 電流値に設定しておけるため、精度よ〈レーザ出力を規
定範囲内に納めることができる。
ることにより、ミラーへのスパッタ膜形成時間を容易に
コントロールできる。さらにレーザ細管内を流れる放電
々流は電源９によｐ規定の叫 電流値に設定しておけるため、精度よ〈レーザ出力を規
定範囲内に納めることができる。
第１図は従来の実施方法例、第２図はＨｅ−Ｎｅレーザ
管の放電々流−出力特性、第３図は本発明の実施方法例
である。 １．２・・・・・・ミラー、３・・・・・・陽極、４・
・・・・・陰極、５・・・・・・真空外囲器、６・・・
・・・レーザ細管、７．８・・・・・・金属部材、９・
・・・・・電源、１０・・・・・・ディテクター、１１
・・・・・・表示器％ １２．１３．３１．３２・・・
・・・リード線、１４・・・・・・レーザ光、３０・・
・・・・スパッタ用電源。
管の放電々流−出力特性、第３図は本発明の実施方法例
である。 １．２・・・・・・ミラー、３・・・・・・陽極、４・
・・・・・陰極、５・・・・・・真空外囲器、６・・・
・・・レーザ細管、７．８・・・・・・金属部材、９・
・・・・・電源、１０・・・・・・ディテクター、１１
・・・・・・表示器％ １２．１３．３１．３２・・・
・・・リード線、１４・・・・・・レーザ光、３０・・
・・・・スパッタ用電源。
Claims (1)
- 陽極、陰極、レーザ細管、一対のミラー、真空外囲器等
により構成され、かつ、該ミラー近傍に金属性部材を用
いたレーザ管において、レーザ細管を通さずに前記金属
性部材を陰極として、放電させ金属性部材をスパッタさ
せてミラー面上にスバ、り膜を形成することＫよりレー
ザ出力を所定伽まで低下させることｔ−特徴とするＨｅ
−Ｎｅガスレーザ管の製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636182A JPS58123785A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | Ｈｅ−Ｎｅガスレ−ザ管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636182A JPS58123785A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | Ｈｅ−Ｎｅガスレ−ザ管の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123785A true JPS58123785A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11636216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP636182A Pending JPS58123785A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | Ｈｅ−Ｎｅガスレ−ザ管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123785A (ja) |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP636182A patent/JPS58123785A/ja active Pending
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