JPS5812323A - プラズマ装置 - Google Patents

プラズマ装置

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Publication number
JPS5812323A
JPS5812323A JP11142681A JP11142681A JPS5812323A JP S5812323 A JPS5812323 A JP S5812323A JP 11142681 A JP11142681 A JP 11142681A JP 11142681 A JP11142681 A JP 11142681A JP S5812323 A JPS5812323 A JP S5812323A
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JP
Japan
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external electrode
electrode
diameter
external
films
Prior art date
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Pending
Application number
JP11142681A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiro Funakoshi
船越　宣博
Toshio Kasai
河西　敏雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP11142681A priority Critical patent/JPS5812323A/ja
Publication of JPS5812323A publication Critical patent/JPS5812323A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、円筒状製品表面上に有効に被膜を形成するこ
とを可能とするプラズマ装置に関するものである。
従来、低圧グロー放電法を用いたスパッタ。
プラズマＣＶＤ装置においては、主に容量結合法が用い
られている。この方決は、平行な平面１１ｔＪ４Ｉｌ対
間にＤＣｌあるいはＲＰ’電圧を加え、プラズマを発生
させることを基本とする。円筒状製品上に被膜を形成す
る場合には、同心円状に電極対を形成しプラズマを発生
させ被膜を形成する・方法がとられている。ところがこ
の方法によれば、稼動試論において電極間短離がプラズ
マの発生、安定性等において重要なファクターとなって
おり、そのために内部１ｔＩＩｋ径、即ち円舞状製品の
径によって外部電輪の径を皺える必要があり、少量、多
品種の生鉱には不向きであった。
又、プラズマの発生法としては誘導結合方式があるが、
この方法を用いたプラズマＣＶＤ装置はプラズマ密度が
均一でないために１円筒状製品の上部、下部間に形成さ
れた被膜の特性がかなりばらついたり、極端な場合にお
いては部分的な（もりを発生するという難点を有してい
た。
本発明は１円筒状製品上の被膜形成においておこるこれ
らの欠点を除去するために、二重円筒法において外部電
極を多面体とし、なおかつ半径を可変とすることに特徴
を有し、この目的は、ｌｌの異なる円筒状製品上の被膜
形成において最適なｌＩ緬閲距−を選定し、被膜形成を
円滑にす墨ことにある。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１＆１（ａＪ〜（・）に、それぞれ本発明による基本
約外部電極構成を示す、１は内部電極、２は外部１１極
である。外舒電ｆｌｉｐとして多面体電極板をこの図の
ように組み合せる°ことによって、径方向へ板を移動さ
せることのみで電極径を変化させることができる。
外部電１ｈｇの多面体断面形状としては、第１閣（暑）
〜（・）に示すような正六角形、へ１士、十二、十六角
形状が適当である。五角形以下の形状では、最大、最小
半径の差が大きすぎ、そのため放電が不安定となる。ま
た、中上角形以上では細分が進行しすぎ製造工程が複雑
になる。また。
上にあげた中間の正多角形では、中心角が適当ではなく
加工が離しい１表に各外部電極中心に対する中心角と最
大、最小半径の比を示すや次に実際の稼動例を第！ＩＩ
（＃）（ｂ）に示す、第２ＩＥＩ　（ａ）は、内部電極
１の半径２０鶴、第２図（ｂ）は内部電極１０半径８０
１１１の場合で、それぞれ最大電極間隔４０四とした場
合の設定図である。
このように、内部電椙径が変化してもそれに合わせて外
部電極径を変えられるので、内部電極径の変化あるいは
電極間隔を自由に変化でき、作業性が向上するという利
点を有すする。
〔実施例１〕 内部電極としてＡｊ製の１２０ｆｉφの円筒を用い、へ
角形外部電極を用いて最大電極間距離４０ｕとし、電極
間にＡｒ希釈したｓ＆Ｈ４を通し放電を行なったところ
ガス圧力０．２〜ｓ、０亀・ｒｒのａｍで安定にプラズ
マが発生し、五１円筒上に８１被膜を形成することがで
きた。
〔実施例２〕 内部電極としてｌｆｉＯＫｍ−のＡ＃円筒を用い。
外部電極としてＣｕ板を１６角形構造として。
Ａｒ中でスパッタリングを行なったところ内部電極表面
上にＣｕ被嘆を形成できた。
〔実施例３〕 ６角形外部電極を使用したところ、最大最小半径の比ｆ
　ｍｌｎ　／　ｒ　ｔｎａｘ　（表を参照）が小さいた
め放電密度の不拘−を生じたが内部１１！極を回転する
ことにより均一なスパッタ膜を得ることができた。
〔実施例４〕 第３図に示すような外部電極の径方向移動機構をとりつ
けることにより、外部から径の制御が１能であった。第
３ｖ！３中、１は外部電極板。
４はガイドレール、Ｓはスラーブ、Ｃは外部電極中心、
１は外部電極制御機構で、この外部電極制御機構１を矢
印方向に移動することにより。
外部電極ｉ［Ｊを移動して外部電極径がコントロールで
きる。これによりガス圧力、放電電力によって変化する
最適電極間隔を外部からコントロールすることにより安
定なプラズマ状態を実現でき操作が円滑に行ない得た。
〔実施例５〕 外部電極が１０．１２．１６角形状の多面体電極におい
ても極めて安定にプラズマが発生、維持されることを確
認した。
以上説明したように、外部電極な多面体形状とすること
によって内部電極径が変わっても。
外部電極をとりかえる必要がなく、かつ、外部からの操
作により径を自由に変えられるため。
最適なプラズマ発生％維持条件でスパッタ、あるいはプ
ラズマＣＶＤ実験をとり行なえるため内部電極径の変化
があっても再現性のよいＭ形成が行ない得る利点を有す
る、
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｅ）は夫々本発明の実施例を示す構成
略ＷＪ、第２図（ｍ）　、　（ｂ）は夫々本発明の実施
例を示す構成図、第ｓｐ！ｌは本発明に係る外部電極の
径方向移動機構の一例を示す構成図である。 １・・・内部電極、２・・・外部電極 出願人代理人　弁理士　　鈴　　江　武　　彦第３図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）内部電極と外部電極が同心円状に配置されたプラ
    ズマ装置において、外部電極を多面体構造とすることを
    特徴とするプラズマ装置。
  2. （２）　　内部電極と外部電極が同心円状に配置された
    プラズマ装置において；外部電極を多面体構造とし、か
    つ半径を可変する構造とすることを特徴とするプラズマ
    装置。
JP11142681A 1981-07-16 1981-07-16 プラズマ装置 Pending JPS5812323A (ja)

Priority Applications (1)

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JP11142681A JPS5812323A (ja) 1981-07-16 1981-07-16 プラズマ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11142681A JPS5812323A (ja) 1981-07-16 1981-07-16 プラズマ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5812323A true JPS5812323A (ja) 1983-01-24

Family

ID=14560878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11142681A Pending JPS5812323A (ja) 1981-07-16 1981-07-16 プラズマ装置

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JP (1) JPS5812323A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4789444A (en) * 1986-02-15 1988-12-06 Solex Research Corporation Of Japan Process for electrolytically producing metals of Ni, Co, Zn, Cu, Mn, and Cr from a solution thereof
JPH077993U (ja) * 1992-11-24 1995-02-03 兼寿 二葉 ボ−ド用円形定規

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4789444A (en) * 1986-02-15 1988-12-06 Solex Research Corporation Of Japan Process for electrolytically producing metals of Ni, Co, Zn, Cu, Mn, and Cr from a solution thereof
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