JPH026302A - マグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法及び形成装置 - Google Patents
マグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法及び形成装置Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 222
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 166
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 title claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 485
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 148
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 148
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 54
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract 75
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 46
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 38
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 29
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 29
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims 15
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 241000283153 Cetacea Species 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 1
- IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[N] Chemical compound [AlH3].[N] IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- C30—CRYSTAL GROWTH
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マグネトロンを用いて高転移温度の超伝導物
質を種々の基板面に薄膜状に形成するための酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成方法、及びその装置に関する。
質を種々の基板面に薄膜状に形成するための酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成方法、及びその装置に関する。
（従来の技術、及び発明の背円）
従来、高転移温度（’ｒＣ＞７７Ｋ）超伝導物質（高温
超伝導物質）は、冷却システムが簡単で安価であるとい
う点で、広範囲な技術的応用において、低転移温度超伝
導物質より取り扱いが容易であると考えられている。例
えば、ある種の高温超伝導物質は、Ｙ、Ｌ、ａ％Ｎｄ％
Ｅｕ、８ｍ％Ｃｄ。
超伝導物質）は、冷却システムが簡単で安価であるとい
う点で、広範囲な技術的応用において、低転移温度超伝
導物質より取り扱いが容易であると考えられている。例
えば、ある種の高温超伝導物質は、Ｙ、Ｌ、ａ％Ｎｄ％
Ｅｕ、８ｍ％Ｃｄ。
Ｌｕ、Ｓｃといった三価希ｔｙｆ４元素を一種類だけ含
む酸化物セラミック材料に基づいている。上記セラミッ
ク材料の基本的化学組成は、Ａ−８，１−Ｃｕ−０で表
される。ここでＡは三価−８を類元木であり、Ｑ型的化
学邑論比は、 Δ［３ａ２ Ｃｕ３０６ ＋ｘ、またはＡ［３ａ２ Ｃ
ｕ３０７−ｘである。ここでＸ ハ変数である。これら
の物質はバルク状では非常に脆弱であり、容易に棒状、
線状、管状、根状には形成できない。結晶酸化物超伝導
０斜の電子の超伝導的移動１ユ、同材料の結晶面に拘束
される。従って、上記材料の躾の微細構造は異方性超伝
導を実現するために、上記膜を流れる電流の方向に正確
に−致しな【ブればならない。結晶粒Ｆの相対的な配列
は、多結晶膜中で超伝導現象に影響を及ぼす。例えば、
結品質の配向方向が乱雑であるか、秩序だっているかと
いうことは重要なことである。
む酸化物セラミック材料に基づいている。上記セラミッ
ク材料の基本的化学組成は、Ａ−８，１−Ｃｕ−０で表
される。ここでＡは三価−８を類元木であり、Ｑ型的化
学邑論比は、 Δ［３ａ２ Ｃｕ３０６ ＋ｘ、またはＡ［３ａ２ Ｃ
ｕ３０７−ｘである。ここでＸ ハ変数である。これら
の物質はバルク状では非常に脆弱であり、容易に棒状、
線状、管状、根状には形成できない。結晶酸化物超伝導
０斜の電子の超伝導的移動１ユ、同材料の結晶面に拘束
される。従って、上記材料の躾の微細構造は異方性超伝
導を実現するために、上記膜を流れる電流の方向に正確
に−致しな【ブればならない。結晶粒Ｆの相対的な配列
は、多結晶膜中で超伝導現象に影響を及ぼす。例えば、
結品質の配向方向が乱雑であるか、秩序だっているかと
いうことは重要なことである。
従来の酸化物セラミック製法は焼結加工法で、これは非
常に時間のかかる方法である。
常に時間のかかる方法である。
粒子径、粒子配向性等の生成物のｒＸｉＸ横細を訓！１
１することや、従来の粒子焼結法等で、要求される結晶
面配向をもたせて結晶薄膜を生成することは困難である
。
１することや、従来の粒子焼結法等で、要求される結晶
面配向をもたせて結晶薄膜を生成することは困難である
。
酸化物セラミック材料のための薄膜製作方法は、要求さ
れる徴［Ｉ構造と、これら物質の化学！ｌ論比をより好
適に１ｌＩＩＩｌすることが必要となる。本発明の出願
人のアメリカ合衆国出願による５ｅｒｉａｌ ＮＱ９
０３、６８Ｂ出願ではＨＭＦガラスファイバー上にへ−
メチック薄膜をコーディングするための反応性スパッタ
リング成膜法と、基本的装置について記述されている。
れる徴［Ｉ構造と、これら物質の化学！ｌ論比をより好
適に１ｌＩＩＩｌすることが必要となる。本発明の出願
人のアメリカ合衆国出願による５ｅｒｉａｌ ＮＱ９
０３、６８Ｂ出願ではＨＭＦガラスファイバー上にへ−
メチック薄膜をコーディングするための反応性スパッタ
リング成膜法と、基本的装置について記述されている。
それによると、この装置は基本的には円筒型マグネトロ
ンを用いており、７ノードは部分的、あるいは全体に亘
って上記マグネトロンの軸に沿って配置されており、そ
の形状はメツシュになっている。さらに、この９社には
マグネトロンの楯とＪｕｌ軸の引出しグリッドが、コー
ティング中のガラスファイバーに付加的なイオン、また
は１子衝撃を与えるために使用される場合もある。この
外部粒子衝撃は、薄膜の特性なハーメチックコーティン
グに必要とされる物理的、化学的、電気的性質、例えば
膜の密度や張力等に合わせるために使用される。
ンを用いており、７ノードは部分的、あるいは全体に亘
って上記マグネトロンの軸に沿って配置されており、そ
の形状はメツシュになっている。さらに、この９社には
マグネトロンの楯とＪｕｌ軸の引出しグリッドが、コー
ティング中のガラスファイバーに付加的なイオン、また
は１子衝撃を与えるために使用される場合もある。この
外部粒子衝撃は、薄膜の特性なハーメチックコーティン
グに必要とされる物理的、化学的、電気的性質、例えば
膜の密度や張力等に合わせるために使用される。
一方、本発明では、三元系金属Δ−９ａ−（：ｕ−Ｏ（
ここでＡは三価希土類元素）がマグネトロンのカソード
として使用され、また、気体酸素または気体酸素とフッ
素との況合気体がマグネトロンａｍの反応性ガスとして
使用される。上記フッ素の代りにアルゴン、クリプトン
、窒素等のガスを用いてもよい。
ここでＡは三価希土類元素）がマグネトロンのカソード
として使用され、また、気体酸素または気体酸素とフッ
素との況合気体がマグネトロンａｍの反応性ガスとして
使用される。上記フッ素の代りにアルゴン、クリプトン
、窒素等のガスを用いてもよい。
薄膜の形態、歪み、粒子径、粒子配向などの微細構造の
特徴は、製膜中、とくに外部磁界を共に用いた場合、マ
グネトロンの軸と同軸の引出しグリッドの作用により生
じるイオン、または電子の瞳ｊ撃によりりｆ適に２，１
１御される。上記引出しグリッドの曲率を選ぶことによ
り、円筒部分の面積、即ち引出される全ｉ１ｉ Ｃｆｆ
ｌを変化させることができる。
特徴は、製膜中、とくに外部磁界を共に用いた場合、マ
グネトロンの軸と同軸の引出しグリッドの作用により生
じるイオン、または電子の瞳ｊ撃によりりｆ適に２，１
１御される。上記引出しグリッドの曲率を選ぶことによ
り、円筒部分の面積、即ち引出される全ｉ１ｉ Ｃｆｆ
ｌを変化させることができる。
従来の技術では、円筒型や矩型断面の構造をした基板に
￥Ｊ躾する場合に上記のようなパラメータを制御τるこ
とは困ガであったが、本発明のようにングネｉ・ロンス
パッタリングｒ去を用いることにより、特にマグネトロ
ン放電が電子ビームによって助長される場合ｔよ、膜の
装膜速度をＴ１．１００オンゲス］−ローム、、’ｓａ
ｃ、まで高めることができ、これにＪ、って所定の膜Ｊ
りを高スルーブツトでコーティングすることができる。
￥Ｊ躾する場合に上記のようなパラメータを制御τるこ
とは困ガであったが、本発明のようにングネｉ・ロンス
パッタリングｒ去を用いることにより、特にマグネトロ
ン放電が電子ビームによって助長される場合ｔよ、膜の
装膜速度をＴ１．１００オンゲス］−ローム、、’ｓａ
ｃ、まで高めることができ、これにＪ、って所定の膜Ｊ
りを高スルーブツトでコーティングすることができる。
また、もう一つのマグネトロン装置を並行して使用する
ことにより、ハーメチックコーティングの製膜と同様、
と化物セラミック膜のどちらの而においても、そのまま
で薄膜届界面における製膜が可能である。
ことにより、ハーメチックコーティングの製膜と同様、
と化物セラミック膜のどちらの而においても、そのまま
で薄膜届界面における製膜が可能である。
尚、スパッタリングによる膜のコーティングにツイテは
Ｓｐｒｉｎｇｃｒによって示された方法（Ｉｔ ｏ ｂ
ｃ ｒ ｔＷ、Ｓｐｒｉｎｇｃｒ ａｎｄ Ｃ４０゜
１ｌｏｓｔ４ｏｒｄ 、 ２０、Ｊｏｕｎａｌ ｏｒｖ
ａｃＬＩｕｌ ５Ｃｉ（！ｎｃｏ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ ４Ｇ２−４Ｇ！＋（１９８２） ９照）があるが、
この方法においてはハーメチックコーディングに関して
は示されていない。
Ｓｐｒｉｎｇｃｒによって示された方法（Ｉｔ ｏ ｂ
ｃ ｒ ｔＷ、Ｓｐｒｉｎｇｃｒ ａｎｄ Ｃ４０゜
１ｌｏｓｔ４ｏｒｄ 、 ２０、Ｊｏｕｎａｌ ｏｒｖ
ａｃＬＩｕｌ ５Ｃｉ（！ｎｃｏ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ ４Ｇ２−４Ｇ！＋（１９８２） ９照）があるが、
この方法においてはハーメチックコーディングに関して
は示されていない。
上記方法において、アルミニウムのような純金属の膜は
、マグネトロン）ｉｉｆｆｉの中に不活性ガスのみを使
用したスパッタ製膜でしか行われていない。
、マグネトロン）ｉｉｆｆｉの中に不活性ガスのみを使
用したスパッタ製膜でしか行われていない。
ΔＩ ｘＱｙヤＡ Ｉ ｐＮｑのような薄膜は、それぞ
れ酸素や窒素の反応ガスを、マグネトロン装置の中に瞬
間的に導入して’ＦＪ 膜している。ここで、Ｘやｙを
変化させることにより、アルミ、ニウム−酸素化合物の
化学ｆｆｉ論比が決定される。同様にｐやｑを変化させ
ることにより、アルミニウムー窒素化合物の化学量論比
が決定される。理論的にはＸ−２、ｙ−３、ｐ−ｑ−１
であるが、伯の膜の化学ｆｆｌ論比でもよい。この第２
の薄膜は第１の薄膜に比べ実験的には幼くなるかもしれ
ない。この方式では膜をより密にするので、膜の円柱状
微細構造が破壊される。マグネトロン装置の中で使用し
やすいガスを用いて同様の方法で反応きえすれば、アル
ミニウムの他の金属でも使用することができる。そのか
わりに、金属膜は薄く、分子膜は厚くできる。
れ酸素や窒素の反応ガスを、マグネトロン装置の中に瞬
間的に導入して’ＦＪ 膜している。ここで、Ｘやｙを
変化させることにより、アルミ、ニウム−酸素化合物の
化学ｆｆｉ論比が決定される。同様にｐやｑを変化させ
ることにより、アルミニウムー窒素化合物の化学量論比
が決定される。理論的にはＸ−２、ｙ−３、ｐ−ｑ−１
であるが、伯の膜の化学ｆｆｌ論比でもよい。この第２
の薄膜は第１の薄膜に比べ実験的には幼くなるかもしれ
ない。この方式では膜をより密にするので、膜の円柱状
微細構造が破壊される。マグネトロン装置の中で使用し
やすいガスを用いて同様の方法で反応きえすれば、アル
ミニウムの他の金属でも使用することができる。そのか
わりに、金属膜は薄く、分子膜は厚くできる。
また、アメリカ合衆国出願中の１ｍ ９２８，５１８に
おいて覧よ、薄膜面に溶融帯を作るために広い範囲の円
板面に口る膜中の格子欠陥を取り除くための集束磁界を
組み合わばて、線形電子ご一ムを使うことが記載されて
いる。
おいて覧よ、薄膜面に溶融帯を作るために広い範囲の円
板面に口る膜中の格子欠陥を取り除くための集束磁界を
組み合わばて、線形電子ご一ムを使うことが記載されて
いる。
史に、アメリカ合衆国出願中のｋ ０３Ｇ、３９５にお
いては、基板とカプセル化された層の間に挟まれた多結
晶、またはアモルファス層に介在する電子ご−ムで誘導
された再結晶について記載されている。外部直接磁界と
ともに、電子ビームでの加熱を同時に使用することは、
欠陥除去のため、前述したように、結晶径を増加古せ、
超伏４材料の結晶方向の精密な分布を向上させることが
できる。
いては、基板とカプセル化された層の間に挟まれた多結
晶、またはアモルファス層に介在する電子ご−ムで誘導
された再結晶について記載されている。外部直接磁界と
ともに、電子ビームでの加熱を同時に使用することは、
欠陥除去のため、前述したように、結晶径を増加古せ、
超伏４材料の結晶方向の精密な分布を向上させることが
できる。
更に、アモルファスから多結晶質へ、または多結晶質か
ら単結晶ガへの転移が熱拡散や、帯溶融再結晶により起
こる。従来からある、差ＩＪＪ排気技術により大気圧中
の円筒型基板をマグネミーロン装置が置かれている局部
的な真空部に導入したり、分館したりすることができる
。
ら単結晶ガへの転移が熱拡散や、帯溶融再結晶により起
こる。従来からある、差ＩＪＪ排気技術により大気圧中
の円筒型基板をマグネミーロン装置が置かれている局部
的な真空部に導入したり、分館したりすることができる
。
（発明の概要）
本発明では、ｔ５渇川伝導月利として知られている三元
系金属セラミック薄膜の製膜のための反応性スパッタに
関する方法、及び装置について説明している。
系金属セラミック薄膜の製膜のための反応性スパッタに
関する方法、及び装置について説明している。
円筒型マグネトロンは、円筒型カソードと円筒型アノー
ドとを備え、上記カソードと、アノードとにより反応性
、及び公知のスパッタリングをするためのグロー放電を
起こす。上記構造の組み合わせにより、金属セラミック
材料の薄膜をファイバ、線、棒や、外側が円筒型、楕円
形、矩形の断面を持った管の表面秀、種々の形状の基板
に製膜づることが可能になる。そのほかの装置としては
、広い面積の平面に製膜づるため、ｓ′Ｊ逐したＩ質の
カソードを用いた平面マグネトロンや、連袂した平行平
面マグネトロンを用いる。上記マグネトロンへのｔ源は
、導電性カソードの場合、直流またｆ、ｔ （−を周波
°Ｉｆｌ源を使用し、絶縁カソードの場合は、８周波電
源またはＲ，Ｆ電源を使用する。
ドとを備え、上記カソードと、アノードとにより反応性
、及び公知のスパッタリングをするためのグロー放電を
起こす。上記構造の組み合わせにより、金属セラミック
材料の薄膜をファイバ、線、棒や、外側が円筒型、楕円
形、矩形の断面を持った管の表面秀、種々の形状の基板
に製膜づることが可能になる。そのほかの装置としては
、広い面積の平面に製膜づるため、ｓ′Ｊ逐したＩ質の
カソードを用いた平面マグネトロンや、連袂した平行平
面マグネトロンを用いる。上記マグネトロンへのｔ源は
、導電性カソードの場合、直流またｆ、ｔ （−を周波
°Ｉｆｌ源を使用し、絶縁カソードの場合は、８周波電
源またはＲ，Ｆ電源を使用する。
上記二種類のマグネトロン装置において、製膜作用を補
助プるための補助引き出しグリッドを用いても良い。円
筒型マグネトロンの場合、この補助引き出しグリッドは
円筒型の形状をしており、前記アノード、カソードと同
軸状に配′ａされる。
助プるための補助引き出しグリッドを用いても良い。円
筒型マグネトロンの場合、この補助引き出しグリッドは
円筒型の形状をしており、前記アノード、カソードと同
軸状に配′ａされる。
また、円筒型アノードより大きい径の円筒型引出しグリ
ッドを用いることにより、より大きな引出し電流が得ら
れる。また、平面マグネトロンに用いられる補助引き出
しグリッドは平面であり、カソードに対して平行に配置
される。
ッドを用いることにより、より大きな引出し電流が得ら
れる。また、平面マグネトロンに用いられる補助引き出
しグリッドは平面であり、カソードに対して平行に配置
される。
補助引き出ｌノグリッドは、コーディングされた基板面
に、同グリッドに掛る電気的バイアスに依存したイオン
や、電子による付加的な衝撃を与える。アノードに対し
て補助引き出しグリッドのバイアスが十分に正であると
電子衝撃が起こり、逆に十分負であるとイオン衝撃が起
こる。
に、同グリッドに掛る電気的バイアスに依存したイオン
や、電子による付加的な衝撃を与える。アノードに対し
て補助引き出しグリッドのバイアスが十分に正であると
電子衝撃が起こり、逆に十分負であるとイオン衝撃が起
こる。
前記Ｒ，Ｆ電源によりマグネトロンが励起された場合、
正味の直流バイアスは従来のように、用いられる外部コ
ンデンサの容（支）によって決まる。
正味の直流バイアスは従来のように、用いられる外部コ
ンデンサの容（支）によって決まる。
股の形態、歪み、化学冷論比、及び異方性微細構造は、
製膜中のイオンや電子による衝撃により全て影響される
ので、三元系金属酸化物セラミック祠斜の薄膜特性は、
本発明の製脱法を利用することにより、容易に２．＋＋
Ｉ２１１される。
製膜中のイオンや電子による衝撃により全て影響される
ので、三元系金属酸化物セラミック祠斜の薄膜特性は、
本発明の製脱法を利用することにより、容易に２．＋＋
Ｉ２１１される。
異常グロー放電領域において冷カソード作用によって生
成される外部電子ビームは、縦軸に添って広がる電子ビ
ームを生成する本発明のマグネトロン装δとともに使用
することができる。これらの二重放電装置の機能はマグ
ネトロン放電を起こし、保持Ｊる目的と、電子ビームを
マグネトロンプラズマ領域に注入することである。この
外部電子ビーム励起動作は、従来の補助電子ビームを使
わないマグネトロン方式に比べ、高速度での製膜が出来
、ざまざまの形状の重板の内側表面、及び外側表面の両
方に、−様に製脱することができる、という点で有効で
ある。
成される外部電子ビームは、縦軸に添って広がる電子ビ
ームを生成する本発明のマグネトロン装δとともに使用
することができる。これらの二重放電装置の機能はマグ
ネトロン放電を起こし、保持Ｊる目的と、電子ビームを
マグネトロンプラズマ領域に注入することである。この
外部電子ビーム励起動作は、従来の補助電子ビームを使
わないマグネトロン方式に比べ、高速度での製膜が出来
、ざまざまの形状の重板の内側表面、及び外側表面の両
方に、−様に製脱することができる、という点で有効で
ある。
環状の冷カソードにより引出された第二の外部電子ビー
ムは、基板の外側表面に衝突されるもので、製膜中また
は製膜後に粒子径増大のために膜を熱拡散する際の熱源
としても使用される。
ムは、基板の外側表面に衝突されるもので、製膜中また
は製膜後に粒子径増大のために膜を熱拡散する際の熱源
としても使用される。
門状用Ｔｖｋの最適効率は、マグネトロンの効率上、最
適と考えられる圧力よりも高い圧力を必要とする。この
場合、二つの分離した容器と差動排気技術が使用される
。、特定の方向に揃えられた外部Ｅ４１界は、熱拡散中
に磁場方向に添ってできた超伝導膜内の異なる結晶粒の
結晶配向を優先的に配列させて、要求される異方性方向
特性を得るために使用される。ここではマグネトロンと
電子銃の“Ｍ源、及びカソードの冷却法は従来からある
ものを使用している。第１の例として、三元系混合金属
酸化物セラミック４４ｎは円筒型マグネトロンの一つの
カソードを形成する。不活性ガスとＷｔ素、あるいはフ
ッ素雰囲気のマグネトロン内でのＩＩｉ電は、金属酸化
物のカソードスパッタリングを起こすのに使用される。
適と考えられる圧力よりも高い圧力を必要とする。この
場合、二つの分離した容器と差動排気技術が使用される
。、特定の方向に揃えられた外部Ｅ４１界は、熱拡散中
に磁場方向に添ってできた超伝導膜内の異なる結晶粒の
結晶配向を優先的に配列させて、要求される異方性方向
特性を得るために使用される。ここではマグネトロンと
電子銃の“Ｍ源、及びカソードの冷却法は従来からある
ものを使用している。第１の例として、三元系混合金属
酸化物セラミック４４ｎは円筒型マグネトロンの一つの
カソードを形成する。不活性ガスとＷｔ素、あるいはフ
ッ素雰囲気のマグネトロン内でのＩＩｉ電は、金属酸化
物のカソードスパッタリングを起こすのに使用される。
第２の例として、−個の７グネトロン内、あるいは二個
、あるいはそれ以上の並列マグネトロン内におかれた並
列カソードで、それぞれ一つ、または複数の全屈元素を
生成することができる。ＰＩｔ素と不活性ガスとの混合
気体が、それぞれ反応ガスとスパッタリングのバッファ
ガスとして使われ、金属酸化物セラミック膜が生成され
る。第３の例として、マグネトロン放電において不活性
ガスのみを使用した場合、純金属も前記装置でスパック
製！！愛される。作られた純金属膜は、次々に金ｊｌＷ
＆化物セラミックを形成するようにプラズマ酸化される
。
、あるいはそれ以上の並列マグネトロン内におかれた並
列カソードで、それぞれ一つ、または複数の全屈元素を
生成することができる。ＰＩｔ素と不活性ガスとの混合
気体が、それぞれ反応ガスとスパッタリングのバッファ
ガスとして使われ、金属酸化物セラミック膜が生成され
る。第３の例として、マグネトロン放電において不活性
ガスのみを使用した場合、純金属も前記装置でスパック
製！！愛される。作られた純金属膜は、次々に金ｊｌＷ
＆化物セラミックを形成するようにプラズマ酸化される
。
最後に、作られた膜は粒子径を大きくし、外部磁場によ
り優先的に粒子を一定方向に配列させるために電子ビー
ムによる熱拡散が行われる。あるいは、アモルファスま
たは多結晶金属酸化物セラミック膜は、十分に単一の結
晶膜を形成させるため、帯溶融再結晶を行う、このこと
は種のある場合、あるいは種の無い場合においての結晶
成長でも起こる。中間層もまた５ｒＴｉ０３のような、
より簡単な構成ではあるが、ＰＩＴｃ超伝導の結晶化の
ための種床の役割をするＡ−Ｂａ−Ｃｕ−０に似た結晶
ＩＩＡ造を持つ結晶薄膜となり得る。
り優先的に粒子を一定方向に配列させるために電子ビー
ムによる熱拡散が行われる。あるいは、アモルファスま
たは多結晶金属酸化物セラミック膜は、十分に単一の結
晶膜を形成させるため、帯溶融再結晶を行う、このこと
は種のある場合、あるいは種の無い場合においての結晶
成長でも起こる。中間層もまた５ｒＴｉ０３のような、
より簡単な構成ではあるが、ＰＩＴｃ超伝導の結晶化の
ための種床の役割をするＡ−Ｂａ−Ｃｕ−０に似た結晶
ＩＩＡ造を持つ結晶薄膜となり得る。
上記中間層の結晶薄膜を種結晶として用いれば、要求さ
れる配向性を持つ、結晶化した超伝導膜を、￥Ｊ股優の
熱処理時に成長させることができる。最上部の中間層す
また最上部のカプセル化された層とともに大粒径結晶膜
の成長を促し、溶融金属の粒化を防ぐ。
れる配向性を持つ、結晶化した超伝導膜を、￥Ｊ股優の
熱処理時に成長させることができる。最上部の中間層す
また最上部のカプセル化された層とともに大粒径結晶膜
の成長を促し、溶融金属の粒化を防ぐ。
そのまま製膜するために、ハーメチック材、中間材を含
むカソードを持った並行マグネトロンを付加的に使用す
る場合には、ハーメチックシール、及び中間層それぞれ
を超伝導膜の上＆１と下部両方の近傍に追加しても良い
。分子性膜物質をまず初めに製膜し、次に前述のＳｐｒ
ｉｎｇｃｒの方法を用いて金属膜を形成する。このよう
にして、まわりの雰囲気中にある他の原子から、酸化セ
ラミック層を守ることができ、また積層４Ｍ造金金属酸
化物セラミック膜同様に、中間またはハーメブック膜の
機械的特性を改善することが可能になる。そのうえ、上
記展の中間層及びハーメチック層もまた、超伝導膜から
の原子や分子の拡散を防ぐことができる。
むカソードを持った並行マグネトロンを付加的に使用す
る場合には、ハーメチックシール、及び中間層それぞれ
を超伝導膜の上＆１と下部両方の近傍に追加しても良い
。分子性膜物質をまず初めに製膜し、次に前述のＳｐｒ
ｉｎｇｃｒの方法を用いて金属膜を形成する。このよう
にして、まわりの雰囲気中にある他の原子から、酸化セ
ラミック層を守ることができ、また積層４Ｍ造金金属酸
化物セラミック膜同様に、中間またはハーメブック膜の
機械的特性を改善することが可能になる。そのうえ、上
記展の中間層及びハーメチック層もまた、超伝導膜から
の原子や分子の拡散を防ぐことができる。
例えば、電子ビームによる熱処理の間に、逃げかねない
酸素を保持することができる。付加的な電子ビームによ
るアニーリング、またはＷＩ溶Ｆ１１ｉｄ結品の過程と
同様に、多層累積過程の全ステップ（よ並行マグネトロ
ン反応器の中でそのまま実行しても良い。
酸素を保持することができる。付加的な電子ビームによ
るアニーリング、またはＷＩ溶Ｆ１１ｉｄ結品の過程と
同様に、多層累積過程の全ステップ（よ並行マグネトロ
ン反応器の中でそのまま実行しても良い。
（実施例）
次に、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
最初、第１図、第２図Ａ、第２図８１第３図、第４図Ａ
１第４図ＢＣ：参照しながら実施例を説明する。円筒型
、楕円型、あるいは矩形のような断面を持ち、三元系金
属酸化物セラミック材料で表面に製膜される基板３１が
、円ｎ型マグネトロン１゛に挿通される。大気圧中にど
かれた基板３１は、公知の差動排気技術を用いた中間真
空烹（真空チ１ｒンバー８置）７１を通ってマグネトロ
ン真空室（真空チャンバー装置、以下真空室は真空ブ１
１ンバー装置を示す。）７２に導入される。基板３１は
、より均一な膜を得るためと、円筒型引出しグリッド１
３、または円筒型アノード１２によるシャドウマスキン
グを防ぐために縦軸に添って回転される６円筒型引出し
グリッド１３と円ぬ型７ノード１２は、前記マグネトロ
ン１、の艮ざ方向に添って配設され、螺旋形状に形成さ
れており、縦軸１７の周りで同マグネトロン１に対して
基本的に平行である材料に対内している。このような基
或により、円筒型マグネトロン１に基板３１が挿通され
ると、基板３１の表面に均一膜が形成される。
１第４図ＢＣ：参照しながら実施例を説明する。円筒型
、楕円型、あるいは矩形のような断面を持ち、三元系金
属酸化物セラミック材料で表面に製膜される基板３１が
、円ｎ型マグネトロン１゛に挿通される。大気圧中にど
かれた基板３１は、公知の差動排気技術を用いた中間真
空烹（真空チ１ｒンバー８置）７１を通ってマグネトロ
ン真空室（真空チャンバー装置、以下真空室は真空ブ１
１ンバー装置を示す。）７２に導入される。基板３１は
、より均一な膜を得るためと、円筒型引出しグリッド１
３、または円筒型アノード１２によるシャドウマスキン
グを防ぐために縦軸に添って回転される６円筒型引出し
グリッド１３と円ぬ型７ノード１２は、前記マグネトロ
ン１、の艮ざ方向に添って配設され、螺旋形状に形成さ
れており、縦軸１７の周りで同マグネトロン１に対して
基本的に平行である材料に対内している。このような基
或により、円筒型マグネトロン１に基板３１が挿通され
ると、基板３１の表面に均一膜が形成される。
円筒型マグネトロン１の断面形状は、基板３１の形状に
応じて楕円型、あるいは矩形にしても良い。
応じて楕円型、あるいは矩形にしても良い。
円筒型マグネトロン１は、円筒型カソード１１と、マグ
ネトロン放電のための７ノードとして機能し、部分的あ
るいは全体的に縦＠１７に添った円筒型７ノード１２と
、基板３１に衝突する低電粒子の流速、あるいは種類を
コントロールするための円筒型引出しグリッド１３と、
円ぬ型マグネトロン１の中に縦方向の磁場を作るための
円筒型ソレノイド１４を備えている。円筒型アノード１
２が円筒型マグネトロン１の縦軸１７にほぼ、全体に添
って配置されている場合、その７ノード１２は、導電性
メツシュ材料で形成される。また、円筒型７ノード１２
が円筒型マグネトロン１の縦軸１７に、部分的に添って
紀行されている場合には、固体材料で形成される。
ネトロン放電のための７ノードとして機能し、部分的あ
るいは全体的に縦＠１７に添った円筒型７ノード１２と
、基板３１に衝突する低電粒子の流速、あるいは種類を
コントロールするための円筒型引出しグリッド１３と、
円ぬ型マグネトロン１の中に縦方向の磁場を作るための
円筒型ソレノイド１４を備えている。円筒型アノード１
２が円筒型マグネトロン１の縦軸１７にほぼ、全体に添
って配置されている場合、その７ノード１２は、導電性
メツシュ材料で形成される。また、円筒型７ノード１２
が円筒型マグネトロン１の縦軸１７に、部分的に添って
紀行されている場合には、固体材料で形成される。
円筒型ソレノイド１４はｌｉ数のソレノイドを含み、そ
れぞれは環状をしており、前記アメリカ会衆ＩＤ出願中
のＮＱ ９０３，６８８に開示されているように、同時
に均一な磁場を円筒型ソレノイド１４内に作るか、ある
いは不均一なＩａ場を上記ソレノイド１４の端部に作る
。
れぞれは環状をしており、前記アメリカ会衆ＩＤ出願中
のＮＱ ９０３，６８８に開示されているように、同時
に均一な磁場を円筒型ソレノイド１４内に作るか、ある
いは不均一なＩａ場を上記ソレノイド１４の端部に作る
。
円筒型カソード１１、円筒型アノード１２、円筒型引出
しグリッド１３、及び円筒型ソレノイド１４は＼それぞ
れ縦軸１７に添って同軸状に配ｔされており、基板３１
の縦軸と上記縦軸１７は一致している。円筒型カソード
１１はそれぞれ、Ａ−３ａ−Ｃｕ、あるイＧ、ｔ Ａ
−Ｂ ａ −Ｃｕ −０’４の三元系合金、またはその
酸化物で作られている。
しグリッド１３、及び円筒型ソレノイド１４は＼それぞ
れ縦軸１７に添って同軸状に配ｔされており、基板３１
の縦軸と上記縦軸１７は一致している。円筒型カソード
１１はそれぞれ、Ａ−３ａ−Ｃｕ、あるイＧ、ｔ Ａ
−Ｂ ａ −Ｃｕ −０’４の三元系合金、またはその
酸化物で作られている。
ここでＡは三価希土類元素である。あるいは、円ログ１
カソード１１は複数の円筒型部分を含み、それぞれＡ、
Ｂａ、Ｃｕ、等のｌｌｉ金属、もしくはその酸化物で形
成しても良い。
カソード１１は複数の円筒型部分を含み、それぞれＡ、
Ｂａ、Ｃｕ、等のｌｌｉ金属、もしくはその酸化物で形
成しても良い。
円筒型カソード１１が金属性である場合；ま、円筒へフ
マグネトロン１の雷ｇぐとして直流、あるいは低周波交
流が使用される。また、円筒型カソード１１が絶縁材て
・形成されている場合は、円筒型マグネトロン１に高周
波、あるいはＲ，Ｆ電源が供給される。
マグネトロン１の雷ｇぐとして直流、あるいは低周波交
流が使用される。また、円筒型カソード１１が絶縁材て
・形成されている場合は、円筒型マグネトロン１に高周
波、あるいはＲ，Ｆ電源が供給される。
弁型的な化学量論比はそれぞれ三価希土類元素が１、金
属１３ ａが２、金属Ｃｕが３、酸素が（６）Ｘ）また
は（７−Ｘ）である。（ここでＸは変数である） 第５崗に示１ｒような多層並列マグネトロン放電コの温
合でｔま、カソード１１１よそれぞれ希土類へと金ａＢ
ａ、ｃｕで形成されている。０．５から１０ｍＴｏｒｒ
に設定された希ガス−酸素の混合気は、マグネトロンカ
ソードに三元系金属混合物を使用する際の反応性スパッ
タリングに使用する。あるいは、純希ガス、または希ガ
ス−醒桑混合気は、三元系金属混合物セラミックがカソ
ードに使用される場合、それらに直接スパッタするのに
使用される。
属１３ ａが２、金属Ｃｕが３、酸素が（６）Ｘ）また
は（７−Ｘ）である。（ここでＸは変数である） 第５崗に示１ｒような多層並列マグネトロン放電コの温
合でｔま、カソード１１１よそれぞれ希土類へと金ａＢ
ａ、ｃｕで形成されている。０．５から１０ｍＴｏｒｒ
に設定された希ガス−酸素の混合気は、マグネトロンカ
ソードに三元系金属混合物を使用する際の反応性スパッ
タリングに使用する。あるいは、純希ガス、または希ガ
ス−醒桑混合気は、三元系金属混合物セラミックがカソ
ードに使用される場合、それらに直接スパッタするのに
使用される。
中心穴を持つ円板拭浄カソード２１により、縦軸１７に
添って円筒型マグネトロンプラズマの中に注入される根
方向電ｆ−ご一ム２２が供給される。
添って円筒型マグネトロンプラズマの中に注入される根
方向電ｆ−ご一ム２２が供給される。
円板状冷力ソード２１は性能を低下させずに部分的なｕ
含酸素の中でｅ１能する点で注目すべきである。円板拭
浄カソード２１の形状により、生成された゛を子ビーム
の断面形状が決定される。例えば、環状カソードは輪型
の電子ビームを生成する。
含酸素の中でｅ１能する点で注目すべきである。円板拭
浄カソード２１の形状により、生成された゛を子ビーム
の断面形状が決定される。例えば、環状カソードは輪型
の電子ビームを生成する。
ソレノイド１４にＪ：り作られた縦方向磁場はｔ子ビー
ム２２を捕捉プることにより、マグネトロン放電のイオ
ン化率を高め、それによってカソード面へのイオンＷＪ
撃の流れを増加させる。
ム２２を捕捉プることにより、マグネトロン放電のイオ
ン化率を高め、それによってカソード面へのイオンＷＪ
撃の流れを増加させる。
゛カソード１１を形成する物質はｍ撃イオンによりスパ
ッタされ、その物質が基板３１面に製膜される。Ｌ１板
３１に製膜された膜の活性酸化は、マグネトロン放電中
に酸素がある場合に起きる。基板３１の表面に形成され
た膜の特性は、マグネトロン放電のパラメータや、冷カ
ソード電子銃、あるいは引出しグリッド１３に印加され
たバイアス電圧により制御される。
ッタされ、その物質が基板３１面に製膜される。Ｌ１板
３１に製膜された膜の活性酸化は、マグネトロン放電中
に酸素がある場合に起きる。基板３１の表面に形成され
た膜の特性は、マグネトロン放電のパラメータや、冷カ
ソード電子銃、あるいは引出しグリッド１３に印加され
たバイアス電圧により制御される。
部分的な混合ｖＩ素中で機能する環状冷力ソード５１は
、駐板３１の外面上に衝突させる環状、あるいは円板状
の電子ビーム５２を生成する。電子ビーム５２は、′、
ｔＸｆビーム５２の相対的パワーと、１．４板３１の移
！２１度に繕ずいて、基板３１面に形成された絶縁膜、
または金属酸化物セラミック物質を加熱酸化し、熱拡散
または帯層ａ１角結晶化する。１１状冷カソード５１、
または円板拭浄カソード２１は円筒型マグネトロン１で
要求される圧力と責なる１！適動作圧力を必要とする。
、駐板３１の外面上に衝突させる環状、あるいは円板状
の電子ビーム５２を生成する。電子ビーム５２は、′、
ｔＸｆビーム５２の相対的パワーと、１．４板３１の移
！２１度に繕ずいて、基板３１面に形成された絶縁膜、
または金属酸化物セラミック物質を加熱酸化し、熱拡散
または帯層ａ１角結晶化する。１１状冷カソード５１、
または円板拭浄カソード２１は円筒型マグネトロン１で
要求される圧力と責なる１！適動作圧力を必要とする。
それゆえ、それぞれ分離した真空室を用いる。あるいは
円筒型マグネトロン１と円板拭浄カソード２１は同・−
の部屋に置いても良い。
円筒型マグネトロン１と円板拭浄カソード２１は同・−
の部屋に置いても良い。
第３図、第４図Δ、第４図８において、円筒型マグネト
ロン１と円板拭浄カソード２１は一つの真空ヱ７２の中
にｄかれていることを示しており、一方環状冷カソード
５１は分離された真空室７３の中に示されている。真空
’ｉ！７２と７３の異なる真空度は従来からの差動排気
技術を用いることにより維持されるが、これは図示して
いない。もし必要ならば環状冷力ソード５１と円板状冷
力ソード２１と円筒型マグネトロン１は三個の分離した
真空室におかれる。最侵に基板３１は付加室７４を経て
真空室７３から大気圧雰囲気中に出て、同時に一方では
差動排気されている真空室７１を経て真空室７２に入る
。
ロン１と円板拭浄カソード２１は一つの真空ヱ７２の中
にｄかれていることを示しており、一方環状冷カソード
５１は分離された真空室７３の中に示されている。真空
’ｉ！７２と７３の異なる真空度は従来からの差動排気
技術を用いることにより維持されるが、これは図示して
いない。もし必要ならば環状冷力ソード５１と円板状冷
力ソード２１と円筒型マグネトロン１は三個の分離した
真空室におかれる。最侵に基板３１は付加室７４を経て
真空室７３から大気圧雰囲気中に出て、同時に一方では
差動排気されている真空室７１を経て真空室７２に入る
。
電源４１は、マグネトロン放電、二つの異常グロー放電
、及び第４図Ａ、第４図Ｂに示した引出しグリッド１３
のための°を源を供給するｎ前述したように、低周波電
源、及び直ＦｉＬ電源は金属製のカソード１１の電源と
して用いられ、高周波電源、及びＲ，Ｆｆ！源は絶縁材
のカソード１１として用いられる。引出しグリッド１３
は、アノード１２に供給される電気的なポテンシャルの
極性に応じて、基板３１の表面に膜を形成する際の：ｌ
ｉ子またはイオン衝撃を高める。例えば、アノード１２
に対して引出しグリッド１３が十分に正であれば、電子
は膜に衝突する。引出しグリッド１３の半径と、バイア
ス電圧の大きさで、引出し電流の大きさが決まる。
、及び第４図Ａ、第４図Ｂに示した引出しグリッド１３
のための°を源を供給するｎ前述したように、低周波電
源、及び直ＦｉＬ電源は金属製のカソード１１の電源と
して用いられ、高周波電源、及びＲ，Ｆｆ！源は絶縁材
のカソード１１として用いられる。引出しグリッド１３
は、アノード１２に供給される電気的なポテンシャルの
極性に応じて、基板３１の表面に膜を形成する際の：ｌ
ｉ子またはイオン衝撃を高める。例えば、アノード１２
に対して引出しグリッド１３が十分に正であれば、電子
は膜に衝突する。引出しグリッド１３の半径と、バイア
ス電圧の大きさで、引出し電流の大きさが決まる。
第６図を参照すると、内面に二元系金属酸化物セラミッ
ク物質がｇＩＪ脱される、断面が円筒ヤ、楕円、矩形の
基板３１が、柱状カソード１１と円筒型ソレノイド１４
と同軸状に配置されている。柱状カソード１１は基板３
１の形状に対応して、円柱、楕円、あるいは矩形の断面
をしている。基板３１の内側表面に柱状カソード１１か
らの材料をスパッタするイオンを１成するためのマグネ
トロン放電の“を源は、゛１８源装置４１から供給され
る。
ク物質がｇＩＪ脱される、断面が円筒ヤ、楕円、矩形の
基板３１が、柱状カソード１１と円筒型ソレノイド１４
と同軸状に配置されている。柱状カソード１１は基板３
１の形状に対応して、円柱、楕円、あるいは矩形の断面
をしている。基板３１の内側表面に柱状カソード１１か
らの材料をスパッタするイオンを１成するためのマグネ
トロン放電の“を源は、゛１８源装置４１から供給され
る。
生成された膜の活性酸化は、マグネトロン放電の中に酸
素がある場合に起きる。アノード１２は、カソード１１
に対して同軸状に配置され、マグネトロン１の縦４＊１
７に添ってＮ１分的、あるいは全体に及んでいる。導電
性メツシュ状のアノード１２は、基板３１に絶縁材料が
用いられる場合、あるいは、基板３１面の製膜が酸化ゼ
ラミック材料のように、製膜中の温度で高い抵抗を示す
場合に使用される。こうした条件下では、基板３１は直
流、または低周波電圧が印加された状態ではアノード１
２として機能しない。引出しグリッド１３、電子発生源
としての円板拭浄カソード２１、及び環状冷力ソード５
１は、第７図Δ、第７図Ｂに示されるように使用しても
良い。上記それぞれの構成要素は、前記第３図、第４図
Ａ１第４図Ｂと関連して前記記述と同様に機能する。
素がある場合に起きる。アノード１２は、カソード１１
に対して同軸状に配置され、マグネトロン１の縦４＊１
７に添ってＮ１分的、あるいは全体に及んでいる。導電
性メツシュ状のアノード１２は、基板３１に絶縁材料が
用いられる場合、あるいは、基板３１面の製膜が酸化ゼ
ラミック材料のように、製膜中の温度で高い抵抗を示す
場合に使用される。こうした条件下では、基板３１は直
流、または低周波電圧が印加された状態ではアノード１
２として機能しない。引出しグリッド１３、電子発生源
としての円板拭浄カソード２１、及び環状冷力ソード５
１は、第７図Δ、第７図Ｂに示されるように使用しても
良い。上記それぞれの構成要素は、前記第３図、第４図
Ａ１第４図Ｂと関連して前記記述と同様に機能する。
ニス下のＷ膜でｔよ、円板状冷力ソード２１によって生
成された電子ビームや、環拭浄カソード５１によって生
成された２次外部電子ビーム等の電ｆビーム２２を用い
て、生成した膜の熱拡散を行う。
成された電子ビームや、環拭浄カソード５１によって生
成された２次外部電子ビーム等の電ｆビーム２２を用い
て、生成した膜の熱拡散を行う。
電子ビーム２２による熱拡散において、超伝導膜物質の
好ましくない酸素欠損を防ぐために、Ｐｌｉｌ力木は非
常に有効である。半径方向に向いた単方向外部磁場も、
円筒型ソレノイド１４により作られた縦方向に向いた中
方向磁場も、異方性超伝導物質の特性に要求される方向
に対応して、超伝導材料の要求される配列を実現するの
に使用される。
好ましくない酸素欠損を防ぐために、Ｐｌｉｌ力木は非
常に有効である。半径方向に向いた単方向外部磁場も、
円筒型ソレノイド１４により作られた縦方向に向いた中
方向磁場も、異方性超伝導物質の特性に要求される方向
に対応して、超伝導材料の要求される配列を実現するの
に使用される。
あるいは、線形の電子ビームが、線形の集束磁場と組み
合わせて、広範囲の平面状の薄膜の精品再配列を実現す
るのに使用される。
合わせて、広範囲の平面状の薄膜の精品再配列を実現す
るのに使用される。
第９図に示すように、基板３１が、心数な特殊コーティ
ング層のための特殊なカソード物質を含む並列マグネト
ロンの次の領域に挿通される場合は、そのままハーメチ
ックシールと中間肘コーティングが行われる。第９図に
示すように、真空室７１と７４を経てそれぞれ大気中か
ら大気中へと、基板３１が通過する。金立酸化物セラミ
ック材料を製膜するための円筒型マグネトロンが真空室
７２の中にあり、中１ｍ層マグネトロンが真空ｖ７５．
７６の中に置かれ、ハーメチック層°ングネトロンが真
空室７７の中にあることが１９！ｃである。超伏４１１
’！物質の最上部の中４Ｌまたはハーメチック層は、つ
ぎの熱処理中に起こる薄膜からの原子の拡散を防ぐ。例
えば、それらは°１七子ビームによる熱処理中、酸素が
逃げるのを防ぐ。また、これらの層は、金属酸化物セラ
ミック材料の帯溶融再結晶のためのカプセル化物質とし
ても働り、これらの層は、溶けた金属酸化物セラミック
物質の物理的粒化を防ぎ、凝固の際に会求される方向を
向いた単結晶膜の成長を促進する。単結晶の場合、下側
にある中ｒ：５層は金属酸化物セラミックＩｎの帯溶融
再結晶プロセスにおいて、凝固の際の種結晶としてら働
く。
ング層のための特殊なカソード物質を含む並列マグネト
ロンの次の領域に挿通される場合は、そのままハーメチ
ックシールと中間肘コーティングが行われる。第９図に
示すように、真空室７１と７４を経てそれぞれ大気中か
ら大気中へと、基板３１が通過する。金立酸化物セラミ
ック材料を製膜するための円筒型マグネトロンが真空室
７２の中にあり、中１ｍ層マグネトロンが真空ｖ７５．
７６の中に置かれ、ハーメチック層°ングネトロンが真
空室７７の中にあることが１９！ｃである。超伏４１１
’！物質の最上部の中４Ｌまたはハーメチック層は、つ
ぎの熱処理中に起こる薄膜からの原子の拡散を防ぐ。例
えば、それらは°１七子ビームによる熱処理中、酸素が
逃げるのを防ぐ。また、これらの層は、金属酸化物セラ
ミック材料の帯溶融再結晶のためのカプセル化物質とし
ても働り、これらの層は、溶けた金属酸化物セラミック
物質の物理的粒化を防ぎ、凝固の際に会求される方向を
向いた単結晶膜の成長を促進する。単結晶の場合、下側
にある中ｒ：５層は金属酸化物セラミックＩｎの帯溶融
再結晶プロセスにおいて、凝固の際の種結晶としてら働
く。
４、図面の簡単な説明
第１図は、円筒型カソード、円筒型７ノード、そして製
膜される基板を含んだ円筒型マグネトロンの断面図であ
る。
膜される基板を含んだ円筒型マグネトロンの断面図であ
る。
第２図Ａは、円筒型７ノードの直径よりも小さなａ１！
の円筒型引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンの
断面図である。
の円筒型引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンの
断面図である。
第２図Ｂは、円筒型アノードの直径よりも大さな直径の
円筒型引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンの断
面図である。
円筒型引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンの断
面図である。
第３図は、円筒型マグネトロンと、二つの外部電子ビー
ム鯨との断面図である。
ム鯨との断面図である。
第４図Ａは、円筒型アノードの直径よりも小さな直径の
円筒型引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンと、
二つの外部電子ビーム源との断面図である。
円筒型引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンと、
二つの外部電子ビーム源との断面図である。
第４図Ｂは、円筒型アノードの直径よりも大きなｔｉ径
の円筒型引出しグリッドを備えた円筒紫マグネトロンと
、二つの外部？１子ビーム源との断面図である。
の円筒型引出しグリッドを備えた円筒紫マグネトロンと
、二つの外部？１子ビーム源との断面図である。
第５図は、並列に配置された複数のマグネトロンの断面
図である。
図である。
第６図は、管状材料の内側表面に製膜するために用いら
れる１１１軸メツシユアノードを備えた円筒型柱状マグ
ネトロンの断面図である。
れる１１１軸メツシユアノードを備えた円筒型柱状マグ
ネトロンの断面図である。
第７図Δは、円筒型アノードの直径より６大きな直径の
引出しグリッドを錨えた円筒型マグネトロンと、二つの
外部電子ビーム源とのｉｌｉ面図である。
引出しグリッドを錨えた円筒型マグネトロンと、二つの
外部電子ビーム源とのｉｌｉ面図である。
第７図Ｂは、円筒型７ノードの直径よりも小さな直径の
引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンと、二つの
外部電子ビーム源との断面図である。
引出しグリッドを備えた円筒型マグネトロンと、二つの
外部電子ビーム源との断面図である。
第８図は、並列に配ｔされた複数の円筒型マグネトロン
の断面図ｒある。
の断面図ｒある。
第９図は、並列に配置されたそのままで多１！４膜がで
きる複数のマグネトロンの断面図である。
きる複数のマグネトロンの断面図である。
１・・・マグネトロン（円筒型、並列円筒型、平面）１
１・・・カソード（円筒型、柱状、平面、線状）１２・
・・アノード（円筒型、平面） １３・・・引出しグリッド（円筒型、平面）１４・・・
円筒型ソレノイド １７・・・縦軸 ２・・・円根状冷カソード ３・・・基板 ４・・・電源装ぎ ５・・・環状冷力ソード ７．７２，７３．７Ｇ、７７・・・只空室７４・・・付
加室 出願人 代理人 ジョーク ジエー、コリンズ ジョン アール、ンクニール ゼ ン り イ ユ服
部 秀 三株式会社 メ イ テ ッ
り 弁理士 岡ａ１英彦（外３名） 第 ２ 図 （Ａ） 第 図 （Ｂ） ↓ 第 図 第 図 （Ａ） 第 図 第 図 （巳） ８ 図
１・・・カソード（円筒型、柱状、平面、線状）１２・
・・アノード（円筒型、平面） １３・・・引出しグリッド（円筒型、平面）１４・・・
円筒型ソレノイド １７・・・縦軸 ２・・・円根状冷カソード ３・・・基板 ４・・・電源装ぎ ５・・・環状冷力ソード ７．７２，７３．７Ｇ、７７・・・只空室７４・・・付
加室 出願人 代理人 ジョーク ジエー、コリンズ ジョン アール、ンクニール ゼ ン り イ ユ服
部 秀 三株式会社 メ イ テ ッ
り 弁理士 岡ａ１英彦（外３名） 第 ２ 図 （Ａ） 第 図 （Ｂ） ↓ 第 図 第 図 （Ａ） 第 図 第 図 （巳） ８ 図
Claims (50)
- （１）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であつて、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型アノードと、上記基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
アノードよりも大きく、少なくとも三種類の金属物質で
形成された円筒型カソードと、前記基板、円筒型カソー
ド、及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置して直径
が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとを持
つた円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置
の中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスを含むスパッタ
ガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制御
されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、また、一種あ
るいは複数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セ
ラミック物質に酸化することを助長するために円筒型マ
グネトロンプラズマが反応ガス混合気を酸素原子に解離
するように円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を
印加する行程とにより、前記基板の表面に金属酸化物セ
ラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とする
マグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形
成方法。 - （２）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であつて、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型アノードと、上記基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
アノードよりも大きく、少なくとも三種類の金属酸化物
で形成された円筒型カソードと、前記基板、円筒型カソ
ード、及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置して直
径が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとを
持つた円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装
置の中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と、一種もしくは複数
種の希ガスから成る、制御されたガス雰囲気を形成する
行程と、 前記円筒型カソードから金属酸化物がスパッタされ、前
記基板の外側表面に均一に製膜するように、円筒型マグ
ネトロンを構成する部材に電圧を印加する行程とにより
、前記基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜
物質を形成することを特徴とするマグネトロンを用いた
酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であって、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型アノードと、上記基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
アノードよりも大きく、単金属物質で形成された円筒型
カソードと、前記基板、円筒型カソード、及び円筒型ア
ノードに対し、同軸状に位置して直径が円筒型カソード
よりも大きい円筒型ソレノイドをそれぞれ持ち、複数の
並列円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置
の中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と、一種あるいは複数
種の不活性ガスを含むスパッタガスの、制御されたガス
雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するために、前記複数の並
列円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を印加する
行程と、 更に、前記基板面に生成された金属物質を金属酸化物セ
ラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための真空
チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガス雰
囲気を確立する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （４）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であつて、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型引出しグリッドと、上記基板に
対して同軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドより
も直径の大きな円筒型アノードと、上記基板と円筒型ア
ノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型ア
ノードよりも大きく、少なくとも三種類の金属物質で形
成された円筒型カソードと、前記基板、円筒型引出しグ
リッド、円筒型カソード、及び円筒型アノードに対し、
同軸状に位置して直径が円筒型カソードよりも大きい円
筒型ソレノイドとを持った円筒型マグネトロンを内装し
た真空チャンバー装置の中に、製膜される前記基板を導
入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスを含むスパッタ
ガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制御
されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、また、円筒型
マグネトロンプラズマが反応ガス混合気を、一種あるい
は複数種のスパッタされた三元系金属物質を金属酸化物
セラミック物質に酸化することを助長するための酸素原
子に解離するように円筒型マグネトロンを構成する部材
に電圧を印加する行程とにより、前記基板の表面に金属
酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特
徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導
薄膜の形成方法。 - （５）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であって、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型引出しグリッドと、上記基板に
対して同軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドより
も直径の大きな円筒型アノードと、三元混合金属酸化物
セラミック物質で形成され、上記基板と円筒型アノード
とに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノード
よりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円筒型引出
しグリッド、円筒型カソード、及び円筒型アノードに対
し、同軸状に位置して直径が円筒型カソードよりも大き
い円筒型ソレノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内
装した真空チャンバー装置の中に、製膜される前記基板
を導入する行程と、前記真空チャンバー装置内の酸素と
、一種もしくは複数種の不活性ガスを含む、制御された
ガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属酸化物セラミック物質がス
パッタされ、前記基板の外側表面に均一に製膜するよう
に、円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を印加す
る行程とにより、前記基板の表面に金属酸化物セラミッ
クの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネ
トロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法
。 - （６）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であって、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型引出しグリッドと、上記基板に
対して同軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドより
も直径の大きな円筒型アノードと、単金属物質で形成さ
れ、上記基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置
し、直径が上記円筒型アノードよりも大きな円筒型カソ
ードと、前記基板、円筒型引出しグリッド、円筒型カソ
ード、及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置して直
径が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとを
それぞれ持つた並列円筒型マグネトロンを内装した真空
チャンバー装置の中に、製膜される前記基板を導入する
行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と、一種もしくは複数
種の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、複数の並列円
筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を印加する行程
と、 更に、前記基板面に生成された金属物質を金属酸化物セ
ラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための真空
チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガス雰
囲気を確立する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （７）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であつて、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型引出しグリッドと、上記基板に
対して同軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドより
も直径の小さな円筒型アノードと、少なくとも三種類の
金属物質で形成され、上記基板と円筒型アノードとに対
して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードよりも
大きな円筒型カソードと、前記基板、円筒型引出しグリ
ッド、円筒型カソード、及び円筒型アノードに対し、同
軸状に位置し、直径が円筒型カソードよりも大きい円筒
型ソレノイドとを持った円筒型マグネトロンを内装した
真空チャンバー装置の中に、製膜される前記基板を導入
する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスを含むスパッタ
ガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制御
されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、また、円筒型
マグネトロンプラズマが反応ガス混合気を、一種または
複数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミッ
ク物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離する
ように、前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧
を印加する行程とにより、前記基板の表面に金属酸化物
セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とす
るマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の
形成方法。 - （８）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であって、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型引出しグリッドと、上記基板に
対して同軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドより
も直径の小さな円筒型アノードと、少なくとも三種類の
金属酸化物セラミック物質で形成され、上記基板と円筒
型アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒
型アノードよりを大きな円筒型カソードと、前記基板、
円筒型引出しグリッド、円筒型カソード、及び円筒型ア
ノードに対し、同軸状に位置し、直径が円筒型カソード
よりも大きい円筒型ソレノイドとを持った円筒型マグネ
トロンを内装した真空チャンバー装置の中に、製膜され
る前記基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成る、制御されたガス雰囲気を形成
する行程と、 前記円筒型カソードから金属酸化物セラミック物質をス
パッタし、前記基板の外側表面に均一に製膜するように
、円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を印加する
行程とにより、前記基板の表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネト
ロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （９）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝導
薄膜を形成する方法であつて、 前記基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同基板と
同軸状に位置する円筒型引出しグリッドと、上記基板に
対して同軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドより
も直径の小さな円筒型アノードと、単金属物質で形成さ
れ、上記基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置
し、直径が上記円筒型アノードよりも小さな円筒型カソ
ードと、前記基板、円筒型引出しグリッド、円筒型カソ
ード、及び円筒型アノードに対し同軸状に位置し、直径
が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとをそ
れぞれ持つた複数の並列円筒型マグネトロンを内装した
真空チャンバー装置の中に、製膜される前記基板を導入
する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、前記複数の並
列円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を印加する
行程と、 更に、前記基板面に生成された金属物質を金属酸化物セ
ラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための真空
チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガス雰
囲気を確立する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （１０）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに対して同
軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードよりも大きく
、少なくとも三種類の金属物質で形成された円筒型カソ
ードと、前記基板、円筒型カソード、及び円筒型アノー
ドに対し、同軸状に位置して直径が円筒型カソードより
も大きい円筒型ソレノイドとを持った円筒型マグネトロ
ンを内装した真空チャンバー装置の中に、製膜される前
記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるための円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスを含むスパッタ
ガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制御
されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、また、円筒型
マグネトロンプラズマが反応ガス混合気を、一種または
複数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミッ
ク膜物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離す
るように前記円筒型マグネトロンを構成する部材と円板
状冷カソードとに電圧を印加する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜
物質を形成することを特徴とするマグネトロンを用いた
酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （１１）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに対して同
軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードよりも大きく
、少なくとも三種類の金属酸化物セラミックで形成され
た円筒型カソードと、前記基板、円筒型カソード、及び
円筒型アノードに対し、同軸状に位置して直径が円筒型
カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとを持つた円筒
型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置の中に、
製膜される前記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属酸化物セラミック膜物質を
スパッタし、前記基板の外側表面に均一に製膜するため
、前記円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソー
ドに電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細
結晶を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対
応して要求される異方性の方向に揃えるために、前記円
筒型マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環
状冷カソードにより作られた円板状のビームを、生成さ
れた超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄
膜を熱拡散する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （１２）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに対して同
軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードよりも大きく
、単金属物質で形成された円筒型カソードと、前記基板
、円筒型カソード、及び円筒型アノードに対し、同軸状
に位置して直径が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソ
レノイドとをそれぞれ持った複数の並列円筒型マグネト
ロンを内装した真空チャンバー装置の中に、製膜される
前記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質をスパッタし、前記基
板の外側表面に均一に製膜するため、前記複数の並列円
筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに電圧
を印加する行程と、 更に、前記基板面に生成された金属物質を金属酸化物セ
ラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための真空
チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガス雰
囲気を確立する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結晶
を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応し
て要求される異方性の方向に揃えるために、前記円筒型
マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環状冷
カソードにより作られた円板状のビームを、生成された
超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄膜を
熱拡散する行程とにより、前記基板の表面に金属酸化物
セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とす
るマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の
形成方法。 - （１３）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に位置し
、上記円筒型引出しグリッドよりも直径の大きな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属物質で形成され、
上記基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、
直径が上記円筒型アノードよりも大きな円筒型カソード
と、前記基板、円筒型引出しグリッド、円筒型カソード
、及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、直径が
円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとを持っ
た円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置の
中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、また、円筒型
マグネトロンプラズマが反応ガス混合気を、一種または
複数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミッ
ク膜物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離す
るように前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧
を印加する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜
物質を形成することを特徴とするマグネトロンを用いた
酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （１４）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に位置し
、上記円筒型引出しグリッドよりを直径の大きな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物セラミック
物質で形成され、上記基板と円筒型アノードとに対して
同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードよりも大き
な円筒型カソードと、前記基板、円筒型引出しグリッド
、円筒型カソード、及び円筒型アノードに対し、同軸状
に位置し、直径が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソ
レノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装した真空
チャンバー装置の中に、製膜される前記基板を導入する
行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属酸化物セラミック膜物質を
スパッタし、前記基板の外側表面に均一に製膜するため
、前記円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソー
ドに電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細
結晶を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対
応して要求される異方性の方向に揃えるために、前記円
筒型マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環
状冷カソードにより作られた円板状のビームを、生成さ
れた超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄
膜を熱拡散する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （１５）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であって、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に位置し
、上記円筒型引出しグリッドよりも直径の大きな円筒型
アノードと、単金属物質で形成され、上記基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
アノードよりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円
筒型引出しグリッド、円筒型カソード、及び円筒型アノ
ードに対し同軸状に位置し、直径が円筒型カソードより
も大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持った複数の並
列円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置の
中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために並列円筒型マ
グネトロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質をスパッタし、前記基
板の外側表面に均一に製膜するため、前記複数の並列円
筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに電圧
を印加する行程と、 更に、前記基板面に生成された金属物質を金属酸化物セ
ラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための真空
チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガス雰
囲気を確立する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結晶
を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応し
て要求される異方性の方向に揃えるために、前記並列円
筒型マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環
状冷カソードにより作られた円板状のビームを、生成さ
れた超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄
膜を熱拡散する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （１６）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に位置し
、上記円筒型引出しグリッドよりも直径の小さな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属物質で形成され、
上記基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、
直径が上記円筒型アノードよりも大きな円筒型カソード
と、前記基板、円筒型引出しグリッド、円筒型カソード
、及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、直径が
円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとを持つ
た円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置の
中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質がスパッタされ、前記
基板の外側表面に均一に製膜するように、また、円筒型
マグネトロンプラズマが反応ガス混合気を、一種または
複数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミッ
ク膜物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離す
るように前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧
を印加する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜
物質を形成することを特徴とするマグネトロンを用いた
酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （１７）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であつて、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に位置し
、上記円筒型引出しグリッドよりも直径の小さな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物セラミック
物質で形成され、上記基板と円筒型アノードとに対して
同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードよりも大き
な円筒型カソードと、前記基板、円筒型引出しグリッド
、円筒型カソード、及び円筒型アノードに対し、同軸状
に位置し、直径が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソ
レノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装した真空
チャンバー装置の中に、製膜される前記基板を導入する
行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属酸化物セラミック膜物質を
スパッタし、前記基板の外側表面に均一に製膜するため
、円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに
電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結晶
を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応し
て要求される異方性の方向に揃えるために、前記円筒型
マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環状冷
カソードにより作られた円板状のビームを、生成された
超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄膜を
熱拡散する行程とにより、前記基板の表面に金属酸化物
セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とす
るマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の
形成方法。 - （１８）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成する方法であって、前記基板の縦軸と基本
的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置する円筒
型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に位置し
、上記円筒型引出しグリッドよりも直径の小さな円筒型
アノードと、単金属物質で形成され、上記基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
アノードよりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円
筒型引出しグリッド、円筒型カソード、及び円筒型アノ
ードに対し同軸状に位置し、直径が円筒型カソードより
も大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持った複数の並
列円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置の
中に、製膜される前記基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために並列円筒型マ
グネトロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の希ガスから成るスパッタガスの、制御されたガス雰
囲気を形成する行程と、 前記円筒型カソードから金属物質をスパッタし、前記基
板の外側表面に均一に製膜するため、前記複数の並列円
筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに電圧
を印加する行程と、 更に、前記基板面に生成された金属物質を金属酸化物セ
ラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための真空
チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガス雰
囲気を確立する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結晶
を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応し
て要求される異方性の方向に揃えるために、前記並列円
筒型マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環
状冷カソードにより作られた円板状のビームを、生成さ
れた超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄
膜を熱拡散する行程とにより、前記基板の表面に金属酸
化物セラミツクの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （１９）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、同円筒型基板よりも直径が小さな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物で形成され
、上記円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、直径
が上記円筒型アノードよりも小さな柱状カソードと、前
記円筒型基板、柱状カソード及び円筒型アノードに対し
、同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒
型ソレノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装した
真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板
を導入する行程と、前記真空チャンバー装置内の不活性
ガスから成るスパッタガスと、少なくとも酸素を含む反
応ガス混合気の、制御されたガス雰囲気を形成する行程
と、 前記柱状カソードの金属酸化物からスパッタされ、前記
円筒型基板の内側表面に均一に製膜するように、また、
円筒型マグネトロンプラズマが反応ガス混合気を、一種
または複数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セ
ラミック物質にする酸化を助長するための酸素原子に解
離するように前記円筒型マグネトロンを構成する部材に
電圧を印加する行程とにより、前記円筒型基板の表面に
金属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成すること
を特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超
伝導薄膜の形成方法。 - （２０）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、同円筒型基板よりも直径が小さな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物で形成され
、上記円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、直径
が上記円筒型アノードよりも小さな柱状カソードと、前
記円筒型基板、柱状カソード及び円筒型アノードに対し
、同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒
型ソレノイドとを持った円筒型マグネトロンを内装した
真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板
を導入する行程と、前記真空チャンバー装置内の酸素と
一種もしくは複数種類の希ガスを含む、制御されたガス
雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属酸化物をスパッタし、前記基
板の外側表面に均一に製膜するため、円筒型マグネトロ
ンの構成部材に電圧を印加する行程とにより、前記円筒
型基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質
を形成することを特徴とするマグネトロンを用いた酸化
物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （２１）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、同円筒型基板よりも直径が小さな円筒型
アノードと、単金属物質で形成され、上記円筒型基板、
円筒型アノードに対して同軸状に位置し、直径が上記円
筒型アノードよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型
基板、柱状カソード及び円筒型アノードに対し、同軸状
に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノ
イドとをそれぞれ持った複数の並列円筒型マグネトロン
を内装した真空チャンバー装置の中に、製膜される前記
円筒型基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するため、複数の並列円
筒型マグネトロンの構成部材に電圧を印加する行程と、 更に、前記円筒型基板面に生成された金属物質を金属酸
化物セラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするため
の真空チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御された
ガス雰囲気を確立する行程とにより、前記円筒型基板の
表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成す
ることを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミ
ック超伝導薄膜の形成方法。 - （２２）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型基板の直径より小さく、前記
円筒型引出しグリッドの直径よりも大きな円筒型アノー
ドと、少なくとも三種類の金属物質で形成され、上記円
筒型基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、
直径が上記円筒型引出しグリッドのそれよりも小さな柱
状カソードと、前記円筒型基板、円筒型引出しグリッド
、柱状カソード及び円筒型アノードに対し、同軸状に位
置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノイド
とを持つた円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバ
ー装置の中に、製膜される前記円筒型基板を導入する行
程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードの金属物質からスパッタされ、前記円
筒型基板の内側表面に均一に製膜するように、また、円
筒型マグネトロンプラズマが反応ガスを、一種または複
数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミック
物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離するよ
うに前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を印
加する行程とにより、前記円筒型基板の表面に金属酸化
物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴と
するマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜
の形成方法。 - （２３）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型基板の直径より小さく、前記
円筒型引出しグリッドの直径よりも大きな円筒型アノー
ドと、少なくとも三種類の金属酸化物セラミック物質で
形成され、上記円筒型基板と円筒型アノードとに対して
同軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドのそ
れよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、円筒
型引出しグリッド、柱状カソード及び円筒型アノードに
対し、同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい
円筒型ソレノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装
した真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型
基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含む、制御されたガス雰囲気を形成す
る行程と、 前記柱状カソードから金属酸化物セラミック物質をスパ
ッタし、前記円筒型基板の内側表面に均一に製膜するた
め、円筒型マグネトロンの構成部材に電圧を印加する行
程とにより、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミ
ックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とするマグ
ネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方
法。 - （２４）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型基板の直径より小さく、前記
円筒型引出しグリッドの直径よりも大きな円筒型アノー
ドと、単金属物質で形成され、上記円筒型基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
引出しグリッドのそれよりも小さな柱状カソードと、前
記円筒型基板、円筒型引出しグリッド、柱状カソード及
び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、直径が円筒
型基板よりも大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持っ
た複数の並列円筒型マグネトロンを内装した真空チャン
バー装置の中に、製膜される前記円筒型基板を導入する
行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含む、スパッタ制御されたガス雰囲気
を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するため、前記複数の並
列円筒型マグネトロンの構成部材に電圧を印加する行程
と、 更に、前記円筒型基板面に生成された金属物質を金属酸
化物セラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするため
の真空チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御された
ガス雰囲気を確立する行程とにより、前記円筒型基板の
表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成す
ることを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミ
ック超伝導薄膜の形成方法。 - （２５）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、少なくとも三種類の金属物質で
形成され、上記円筒型基板と円筒型アノードとに対して
同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードのそれより
も小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、円筒型引出
しグリッド、柱状カソード及び円筒型アノードに対し、
同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型
ソレノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装した真
空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板を
導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードの金属物質からスパッタされ、前記円
筒型基板の内側表面に均一に製膜するように、また、円
筒型マグネトロンプラズマが反応ガスを、一種または複
数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミツク
膜物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離する
ように前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を
印加する行程とにより、前記円筒型基板の表面に金属酸
化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴
とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄
膜の形成方法。 - （２６）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物
セラミック物質で形成され、上記円筒型基板と円筒型ア
ノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型ア
ノードのそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型
基板、円筒型引出しグリッド、柱状カソード及び円筒型
アノードに対し、同軸状に位置し、直径が円筒型基板よ
りも大きい円筒型ソレノイドとを持つた円筒型マグネト
ロンを内装した真空チャンバー装置の中に、製膜される
前記円筒型基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含む、制御されたガス雰囲気を形成す
る行程と、 前記柱状カソードから金属酸化物セラミック物質をスパ
ッタし、前記円筒型基板の内側表面に均一に製膜するた
め、円筒型マグネトロンの構成部材に電圧を印加する行
程とにより、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミ
ックの超伝導薄膜物質を形成することを特徴とするマグ
ネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方
法。 - （２７）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、単金属物質で形成され、上記円
筒型基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、
直径が上記円筒型アノードのそれよりも小さな柱状カソ
ードと、前記円筒型基板、円筒型引出しグリッド、柱状
カソード及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、
直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノイドとをそ
れぞれ持つた複数の並列円筒型マグネトロンを内装した
真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板
を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含む、制御されたガス雰囲気を形成す
る行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するため、複数の並列円
筒型マグネトロンの構成部材に電圧を印加する行程と、 更に、前記円筒型基板面に生成された金属物質を金属酸
化物セラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするため
の真空チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御された
ガス雰囲気を確立する行程とにより、前記円筒型基板の
表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成す
ることを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミ
ック超伝導薄膜の形成方法。 - （２８）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、同円筒型基板よりも直径が小さな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属物質で形成され、
上記円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、直径が
上記円筒型アノードよりも小さな柱状カソードと、前記
円筒型基板、柱状カソード及び円筒型アノードに対し、
同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型
ソレノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装した真
空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板を
導入する行程と、前記円筒型マグネトロンの一方の端に
最も近い所に位置し、円板状冷カソードにより生成され
た活性電子ビームを、マグネトロン放電を維持させるた
めの円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入する行程
と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するように、また、円筒
型マグネトロンプラズマが反応ガスを、一種または複数
種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミック膜
物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離するよ
うに前記円筒型マグネトロンを構成する部材と、円板状
冷カソードに電圧を印加する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜
物質を形成することを特徴とするマグネトロンを用いた
酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （２９）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、同円筒型基板よりも直径が小さな円筒型
アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物セラミック
物質で形成され、上記円筒型アノードに対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型アノードよりも小さな柱状カ
ソードと、前記円筒型基板、柱状カソード及び円筒型ア
ノードに対し、同軸状に位置し、直径が柱状カソードの
それよりも大きい円筒型ソレノイドとを持った円筒型マ
グネトロンを内装した真空チャンバー装置の中に、製膜
される前記円筒型基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含むスパッタガスの、制御されたガス
雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属酸化物セラミック物質をスパ
ッタし、前記基板の外側表面に均一に製膜するため、前
記円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに
電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結晶
を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応し
て要求される異方性の方向に揃えるために、前記円筒型
マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環状冷
カソードにより作られた円板状のビームを、生成された
超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄膜を
熱拡散する行程とにより、前記円筒型基板の表面に金属
酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特
徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導
薄膜の形成方法。 - （３０）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、同円筒型基板よりも直径が小さな円筒型
アノードと、単金属物質で形成され、上記円筒型アノー
ドに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノード
よりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、柱状カ
ソード及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、直
径が円筒型基板のそれよりも大きい円筒型ソレノイドを
それぞれ持った複数の並列円筒型マグネトロンを内装し
た真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基
板を導入する行程と、前記円筒型マグネトロンの一方の
端に最も近い所に位置し、円板状冷カソードにより生成
された活性電子ビームを、マグネトロン放電を維持させ
るために並列円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入
する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含むスパッタガスの、制御されたガス
雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するため、前記複数の並
列円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに
電圧を印加する行程と、更に、前記円筒型基板面に生成
された金属物質を金属酸化物セラミック膜物質に変える
プラズマ酸化をするための真空チャンバー装置内の希ガ
ス−酸素の、制御されたガス雰囲気を確立する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネトロンを
用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３１）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さく上記円筒型
引出しグリッドの直径より大きな円筒型アノードと、少
なくとも三種類の金属物質で形成され、上記円筒型基板
と円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上
記円筒型引出しグリッドのそれよりも小さな柱状カソー
ドと、前記円筒型基板、円筒型引出しグリッド、柱状カ
ソード及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、直
径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノイドとを持っ
た円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置の
中に、製膜される前記円筒型基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードの金属物質からスパッタされ、前記円
筒型基板の内側表面に均一に製膜するように、また、円
筒型マグネトロンプラズマが反応ガスを、一種または複
数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミック
膜物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離する
ように前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を
印加する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネトロンを
用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３２）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さく上記円筒型
引出しグリッドの直径より大きな円筒型アノードと、少
なくとも三種類の金属酸化物セラミック物質で形成され
、上記円筒型単板と円筒型アノードとに対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドのそれよりも
小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、円筒型引出し
グリッド、柱状カソード及び円筒型アノードに対し、同
軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソ
レノイドとを持った円筒型マグネトロンを内装した真空
チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板を導
入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスを含むスパッタガスの、制御されたガス
雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属酸化物セラミック物質をスパ
ッタし、前記円筒型基板の内側表面に均一に製膜するた
め、円筒型マグネトロンの構成部材円板状冷カソードに
電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結晶
を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応し
て要求される異方性の方向に揃えるために、前記円筒型
マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環状冷
カソードにより作られた円板状のビームを、生成された
超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄膜を
熱拡散する行程とにより、前記円筒型基板の表面に金属
酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを特
徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導
薄膜の形成方法。 - （３３）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さく上記円筒型
引出しグリッドの直径より大きな円筒型アノードと、単
金属物質で形成され、上記円筒型基板と円筒型アノード
とに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグ
リッドのそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型
基板、円筒型引出しグリッド、柱状カソード及び円筒型
アノードに対し、同軸状に位置し、直径が円筒型基板よ
りも大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持つた複数の
並列円筒型マグネトロンを内装した真空チャンバー装置
の中に、製膜される前記円筒型基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために並列円筒型マ
グネトロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の希ガスから成るスパッタガスの、制御されたガス雰
囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するため、前記複数の並
列円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに
電圧を印加する行程と、更に、前記円筒型基板面に生成
された金属物質を金属酸化物セラミック膜物質に変える
プラズマ酸化をするための真空チャンバー装置内の希ガ
ス−酸素の、制御されたガス雰囲気を確立する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記並列円筒型マグネトロンの一方
の端のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作ら
れた円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に
衝突させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とに
より、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミックの
超伝導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネトロ
ンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３４）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドよりも小さな
円筒型アノードと、少なくとも三種類の金属物質で形成
され、上記円筒型基板と円筒型アノードとに対して同軸
状に位置し、直径が上記円筒型アノードのそれよりも小
さな柱状カソードと、前記円筒型基板、円筒型引出しグ
リッド、柱状カソード及び円筒型アノードに対し、同軸
状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレ
ノイドとを持つた円筒型マグネトロンを内装した真空チ
ャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板を導入
する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードの金属物質からスパッタされ、前記円
筒型基板の内側表面に均一に製膜するように、また、円
筒型マグネトロンプラズマが反応ガスを、一種または複
数種のスパッタされた金属物質を金属酸化物セラミック
膜物質にする酸化を助長するための酸素原子に解離する
ように前記円筒型マグネトロンを構成する部材に電圧を
印加する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記円筒型マグネトロンの一方の端
のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作られた
円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に衝突
させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより
、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネトロンを
用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３５）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であつて、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドより小さな円
筒型アノードと、少なくとも三種類の金属酸化物セラミ
ック物質で形成され、上記円筒型基板と円筒型アノード
とに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノード
のそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、
円筒型引出しグリッド、柱状カソード及び円筒型アノー
ドに対し、同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大
きい円筒型ソレノイドとを持つた円筒型マグネトロンを
内装した真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円
筒型基板を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるために円筒型マグネ
トロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属酸化物セラミック物質をスパ
ッタし、前記円筒型基板の内側表面に均一に製膜するた
め、円筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソード
に電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細結
晶を、前記円筒型ソレノイドにより作られた磁界に対応
して要求される異方性の方向に揃えるために、前記円筒
型マグネトロンの一方の端のすぐ近い所に位置する環状
冷カソードにより作られた円板状のビームを、生成され
た超伝導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄膜
を熱拡散する行程とにより、前記円筒型基板の表面に金
属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を形成することを
特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝
導薄膜の形成方法。 - （３６）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成する方法であって、前記円筒型基板
の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基板と同
軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さな円筒
型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、単金属物質で形成され、上記円
筒型基板と円筒型アノードとに対して同軸状に位置し、
直径が上記円筒型アノードのそれよりも小さな柱状カソ
ードと、前記円筒型基板、円筒型引出しグリッド、柱状
カソード及び円筒型アノードに対し、同軸状に位置し、
直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノイドとをそ
れぞれ持った複数の並列円筒型マグネトロンを内装した
真空チャンバー装置の中に、製膜される前記円筒型基板
を導入する行程と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、円板状冷カソードにより生成された活性電子ビーム
を、マグネトロン放電を維持させるための並列円筒型マ
グネトロンのプラズマ領域に注入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記柱状カソードから金属物質をスパッタし、前記円筒
型基板の内側表面に均一に製膜するため、複数の並列円
筒型マグネトロンの構成部材と円板状冷カソードに電圧
を印加する行程と、 更に、前記円筒型基板面に生成された金属物質を金属酸
化物セラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするため
の真空チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御された
ガス雰囲気を確立する行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、前記円筒型ソレノイ
ドにより作られた磁界に対応して要求される異方性の方
向に揃えるために、前記並列円筒型マグネトロンの一方
の端のすぐ近い所に位置する環状冷カソードにより作ら
れた円板状のビームを、生成された超伝導薄膜物質面に
衝突させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行程とに
より、前記円筒型基板の表面に金属酸化物セラミックの
超伝導薄膜物質を形成することを特徴とするマグネトロ
ンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３７）平面基板の広い範囲の表面に金属酸化物セラミ
ックの超伝導薄膜物質を生成する方法であつて、 上記平面基板の法線と基本的に同一な法線に対して同平
面基板に平行に位置した平面引出しグリッドと、平面ア
ノードと、少なくとも三種類の金属物質で形成された平
面カソードと、上記平面基板の表面に磁界を集束させる
ための、上記平面基板に平行な磁束発生手段とを持った
平面マグネトロンを内装した真空チャンバー装置内に、
製膜される上記平面基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の不活性ガスから成るスパッ
タガスと、少なくとも酸素を含む反応ガス混合気の、制
御されたガス雰囲気を形成する行程と、 前記平面カソードから金属物質をスパッタし、前記平面
基板の表面に均一に製膜するように、また、平面マグネ
トロンプラズマが反応ガスを、一種または複数種のスパ
ッタされた三元系金属物質を金属酸化物セラミック膜物
質にする酸化を助長するための酸素原子に解離するよう
に前記平面マグネトロンを構成する部材に電圧を印加す
る行程と、 超伝導薄膜物質の中の微細結晶を、要求される異方性の
方向に揃えるために、前記平面基板に対して平行に位置
する線形冷カソードにより作られた線形の電子ビームを
、生成された超伝導薄膜物質面に衝突させることにより
超伝導薄膜を熱拡散する行程とにより、平面基板の広い
範囲の表面に金属酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を
生成することを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物
セラミック超伝導薄膜の形成方法。 - （３８）平面基板の広い範囲の表面に金属酸化物セラミ
ックの超伝導薄膜物質を生成する方法であって、 上記平面基板の法線と基本的に同一な法線に対して同平
面基板に平行に位置した平面引出しグリッドと、平面ア
ノードと、少なくとも三種類の金属物質で形成された平
面カソードと、上記平面基板の表面に磁界を集束させる
ための、上記平面基板に平行な磁束発生手段とを持った
平面マグネトロンを内装した真空チャンバー装置内に、
製膜される上記平面基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記平面カソードから金属酸化物をスパッタし、前記平
面基板の表面に均一に製膜するため、平面マグネトロン
の構成部材に電圧を印加する行程と、超伝導薄膜物質の
中の微細結晶を、要求される異方性の方向に揃えるため
に、前記平面基板に対して平行に位置する線形冷カソー
ドにより作られた線形の電子ビームを、生成された超伝
導薄膜物質面に衝突させることにより超伝導薄膜を熱拡
散する行程とにより、平面基板の広い範囲の表面に金属
酸化物セラミックの超伝導薄膜物質を生成することを特
徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導
薄膜の形成方法。 - （３９）平面基板の広い範囲の表面に金属酸化物セラミ
ックの超伝導薄膜物質を生成する方法であって、 上記平面基板の法線と基本的に同一な法線に対して同平
面基板に平行に位置した平面引出しグリッドと、平面ア
ノードと、単金属物質で形成された平面カソードと、上
記平面基板の表面に磁界を集束させるための、上記平面
基板に平行な磁束発生手段とをそれぞれ持った並列平面
マグネトロンを内装した真空チャンバー装置内に、製膜
される上記平面基板を導入する行程と、 前記真空チャンバー装置内の酸素と一種もしくは複数種
類の不活性ガスから成るスパッタガスの、制御されたガ
ス雰囲気を形成する行程と、 前記平面カソードから金属物質をスパッタし、前記平面
基板の表面に均一に製膜するため、複数の並列平面マグ
ネトロンの構成部材に電圧を印加する行程と、 更に、前記平面基板面に生成された金属物質を金属酸化
物セラミック膜物質に変えるプラズマ酸化をするための
真空チャンバー装置内の希ガス−酸素の、制御されたガ
ス雰囲気を確立する行程と、超伝導薄膜物質の中の微細
結晶を、要求される異方性の方向に揃えるために、前記
平面基板に対して平行に位置する線形冷カソードにより
作られた線形の電子ビームを、生成された超伝導薄膜物
質面に衝突させることにより超伝導薄膜を熱拡散する行
程とにより、平面基板の広い範囲の表面に金属酸化物セ
ラミックの超伝導薄膜物質を生成することを特徴とする
マグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形
成方法。 - （４０）平面基板の広い範囲の表面に金属酸化物セラミ
ックの超伝導薄膜物質を生成するための装置であつて、 上記平面基板の法線と基本的に同一な法線に対して同平
面基板に平行に位置した平面引出しグリッドと、同様に
上記平面基板に平行な平面アノードと、同様に上記平面
基板に平行な平面カソードと、上記平面基板の表面に磁
界を集束させるための、上記平面基板に平行な磁束発生
手段とを持つた平面マグネトロンを内装した真空チャン
バー装置と、 製膜される前記平面基板の表面に均一な加熱帯を作るた
めに、上記表面に衝突させる電子ビームを生成する線形
冷カソードと、 前記平面アノード、平面カソード、磁束発生手段、及び
線形冷カソードに選択された作動電圧を供給するための
電源装置と、 前記真空チャンバー装置内の要求する真空状態を確立し
、それを保持するために、上記真空チャンバー装置に接
続された真空制御部と、 前記真空チャンバー装置内に一種、あるいは複数種の選
択された反応フィードストックガスを導入し、コントロ
ールするために、前記真空チャンバー装置と前記真空制
御部とに接続されたガスポートとを備えたことを特徴と
するマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜
の形成装置。 - （４１）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成するための装置であって、前記円筒
型基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基
板と同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さ
な円筒型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同
軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径
より小さな円筒型アノードと、上記円筒型基板と円筒型
アノードとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型
アノードのそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒
型基板、円筒型引出しグリッド、柱状カソード及び円筒
型アノードに対し、同軸状に位置し、直径が円筒型基板
よりも大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持った円筒
型マグネトロンを第一真空チャンバー内に含んだ第一と
第二の真空チャンバー装置と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、前記円筒型基板の縦軸と基本的に一致した縦軸を持
ち、前記円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入する
ための活性電子を供給するための、前記第一真空チャン
バー内に設けられた円板状冷カソードと、 前記円筒型基板の縦軸と基本的に同一の縦軸を持ち、か
つ前記円筒型マグネトロンの一端に最も近い所に位置し
、更に第二真空チャンバー内に取り付けられて、上記円
筒型基板面に形成された超伝導薄膜を熱拡散するために
、同円筒型基板の内側表面に衝突させるための円板状電
子ビームを供給する環状冷カソードと、 前記柱状カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイド
、円板状冷カソード、及び環状冷カソードに選択された
作動電圧を供給するための電源装置と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内の要求される真空
状態を確立し、保持するために、前記第一真空チャンバ
ー、第二真空チャンバーに接続された差動排気を含んだ
真空制御部と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内に一種、あるいは
複数種の選択された反応フィードストックガスを導入し
、コントロールするために、前記第一、第二真空チャン
バーと前記真空制御部とに接続されたガスポートとを備
えたことを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成装置。 - （４２）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成するための装置であつて、前記円筒
型基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基
板と同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さ
な円筒型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同
軸状に位置し、直径が同円筒型基板の直径より小さく、
上記円筒型引出しグリッドの直径より大きな円筒型アノ
ードと、上記円筒型基板と円筒型アノードとに対して同
軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードのそれよりも
小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、円筒型引出し
グリッド、柱状カソード及び円筒型アノードに対して同
軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソ
レノイドとをそれぞれ持つた円筒型マグネトロンを第一
真空チャンバー内に含んだ第一と第二の真空チャンバー
装置と、前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い
所に位置し、前記円筒型基板の縦軸と基本的に一致した
縦軸を持ち、前記円筒型マグネトロンのプラズマ領域に
注入するための活性電子を供給する、前記第一真空チャ
ンバー内に設けられた円板状冷カソードと、 前記円筒型基板の縦軸と基本的に同一の縦軸を持ち、か
つ前記円筒型マグネトロンの一端に最も近い所に位置し
、更に第二真空チャンバー内に取り付けられて、上記円
筒型基板面に形成された超伝導薄膜を熱拡散するために
、同円筒型基板の内側表面に衝突させるための円板状電
子ビームを供給する環状冷カソードと、 前記柱状カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイド
、円板状冷カソード、及び環状冷カソードに選択された
作動電圧を供給するための電源装置と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内の要求される真空
状態を確立し、保持するために、前記第一、第二真空チ
ャンバーに接続された差動排気を含んだ真空制御部と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内に一種、あるいは
複数種の選択された反応フィードストックガスを導入し
、コントロールするために、前記第一、第二真空チャン
バーと前記真空制御部とに接続されたガスポートとを備
えたことを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成装置。 - （４３）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成するための装置であつて、前記円筒
型基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基
板と同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さ
な円筒型アノードと、上記円筒型基板と円筒型アノード
とに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノード
のそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、
柱状カソード及び円筒型アノードに対して同軸状に位置
し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノイドと
をそれぞれ持つた円筒型マグネトロンを第一真空チャン
バー内に含んだ第一と第二の真空チャンバー装置と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、前記円筒型基板の縦軸と基本的に一致した縦軸を持
ち、前記円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入する
ための活性電子を供給する、前記第一真空チャンバー内
に設けられた円板状冷カソードと、 前記円筒型基板の縦軸と基本的に同一の縦軸を持ち、か
つ前記円筒型マグネトロンの一端に最も近い所に位置し
、更に第二真空チャンバー内に取り付けられて、上記円
筒型基板面に形成された超伝導薄膜を熱拡散するために
、同円筒型基板の内側表面に衝突させるための円板状電
子ビームを供給する環状冷カソードと、 前記柱状カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイド
、円板状冷カソード、及び環状冷カソードに選択された
作動電圧を供給するための電源装置と、 第一、第二真空チャンバー内の要求される真空状態を確
立し、保持するために、上記第一、第二真空チャンバー
に接続された差動排気を含んだ真空制御部と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内に一種、あるいは
複数種の選択された反応フィードストックガスを導入し
、コントロールするために、前記第一、第二真空チャン
バー装置と前記真空制御部とに接続されたガスポートと
を備えたことを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物
セラミック超伝導薄膜の形成装置。 - （４４）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成するための装置であつて、前記円筒
型基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基
板と同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さ
な円筒型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同
軸状に位置し、上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、上記円筒型基板と円筒型アノー
ドとに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノー
ドのそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板
、円筒型引出しグリッド、柱状カソード及び円筒型アノ
ードに対して同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも
大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持つた円筒型マグ
ネトロンを含んだ真空チャンバー装置と、 前記柱状カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイド
に選択された作動電圧を供給するための電源装置と、 前記真空チャンバー装置内の要求される真空状態を確立
し、保持するために、上記真空チャンバー装置に接続さ
れた差動排気を含んだ真空制御部と、 前記真空チャンバー装置内に一種、あるいは複数種の選
択された反応フィードストックガスを導入し、コントロ
ールするために、前記真空チャンバー装置と前記真空制
御部とに接続されたガスポートとを備えたことを特徴と
するマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜
の形成装置。 - （４５）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成するための装置であつて、前記円筒
型基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基
板と同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さ
な円筒型引出しグリッドと、上記円筒型基板に対して同
軸状に位置し、直径が同円筒型基板の直径より小さく、
上記円筒型引出しグリッドの直径より大きな円筒型アノ
ードと、上記円筒型基板と円筒型アノードとに対して同
軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドのそれ
よりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、円筒型
引出しグリッド、柱状カソード及び円筒型アノードに対
して同軸状に位置し、直径が円筒型基板よりも大きい円
筒型ソレノイドとをそれぞれ持った円筒型マグネトロン
を含んだ真空チャンバー装置と、 前記柱状カソード、円筒型アノード、円筒型引出しグリ
ッド、及び円筒型ソレノイドに選択された作動電圧を供
給するための電源装置と、 前記真空チャンバー装置内の要求される真空状態を確立
し、保持するために、上記真空チャンバー装置に接続さ
れた差動排気を含んだ真空制御部と、 前記真空チャンバー装置内に一種、あるいは複数種の選
択された反応フィードストックガスを導入し、コントロ
ールするために、前記真空チャンバー装置と前記真空制
御部とに接続されたガスポートとを備えたことを特徴と
するマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜
の形成装置。 - （４６）円筒型基板の内側表面に金属酸化物セラミック
の超伝導薄膜を形成するための装置であって、前記円筒
型基板の縦軸と基本的に同一な縦軸に対して同円筒型基
板と同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板よりも小さ
な円筒型アノードと、上記円筒型基板と円筒型アノード
とに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノード
のそれよりも小さな柱状カソードと、前記円筒型基板、
柱状カソード及び円筒型アノードに対して同軸状に位置
し、直径が円筒型基板よりも大きい円筒型ソレノイドと
をそれぞれ持つた円筒型マグネトロンを含んだ真空チャ
ンバー装置と、 前記柱状カソード、円筒型アノード、及び円筒型ソレノ
イドに選択された作動電圧を供給するための電源装置と
、 前記真空チャンバー装置内の要求される真空状態を確立
し、保持するために、上記真空チャンバー装置に接続さ
れた真空制御部と、 前記真空チャンバー装置内に一種、あるいは複数種の選
択された反応フィードストックガスを導入し、コントロ
ールするために、前記真空チャンバー装置と前記真空制
御部とに接続されたガスボートとを備えたことを特徴と
するマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜
の形成装置。 - （４７）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成するための装置であつて、前記基板の縦軸
と基本的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置す
る円筒型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに
対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグリッ
ドのそれよりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円
筒型引出しグリッド、円筒型カソード及び円筒型アノー
ドに対して同軸状に位置し、直径が円筒型カソードより
も大きい円筒型ソレノイドとを持った円筒型マグネトロ
ンを第一真空チャンバー内に含んだ第一と第二の真空チ
ャンバー装置と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、前記基板の縦軸と基本的に一致した縦軸を持ち、前
記円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入するための
活性電子を供給する、前記第一真空チャンバー内に設け
られた円板状冷カソードと、 前記基板の縦軸と基本的に同一の縦軸を持ち、かつ前記
円筒型マグネトロンの一端に最も近い所に位置し、更に
第二真空チャンバー内に取り付けられて、上記基板面に
形成された超伝導薄膜を熱拡散するために、同基板の外
側表面に衝突させるための円板状電子ビームを供給する
環状冷カソードと、 前記円筒型カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイ
ド、円板状冷カソード、及び環状冷カソードに選択され
た作動電圧を供給するための電源装置と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内の要求される真空
状態を確立し、保持するために、前記第一、第二真空チ
ャンバーに接続された差動排気を含んだ真空制御部と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内に一種、あるいは
複数種の選択された反応フィードストックガスを導入し
、コントロールするために、前記第一、第二真空チャン
バーと前記真空制御部とに接続されたガスボートとを備
えたことを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成装置。 - （４８）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成するための装置であつて、前記基板の縦軸
と基本的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置す
る円筒型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より大
きな円筒型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに
対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグリッ
ドのそれよりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円
筒型引出しグリッド、円筒型カソード及び円筒型アノー
ドに対して同軸状に位置し、直径が円筒型カソードより
も大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持った円筒型マ
グネトロンを第一真空チャンバー内に含んだ第一と第二
の真空チャンバー装置と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、前記基板の縦軸と基本的に一致した縦軸を持ち、前
記円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入するための
活性電子を供給する、前記第一真空チャンバー内に設け
られた円板状冷カソードと、 前記基板の縦軸と基本的に同一の縦軸を持ち、かつ前記
円筒型マグネトロンの一端に最も近い所に位置し、更に
第二真空チャンバー内に取り付けられて、上記基板面に
形成された超伝導薄膜を熱拡散するために、同基板の外
側表面に衝突させるための円板状電子ビームを供給する
環状冷カソードと、 前記円筒型カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイ
ド、円板状冷カソード、及び環状冷カソードに選択され
た作動電圧を供給するための電源装置と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内の要求される真空
状態を確立し、保持するために、前記第一、第二真空チ
ャンバーに接続された差動排気を含んだ真空制御部と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内に一種、あるいは
複数種の選択された反応フィードストックガスを導入し
、コントロールするために、前記第一、第二真空チャン
バーと前記真空制御部とに接続されたガスポートとを備
えたことを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成装置。 - （４９）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成するための装置であつて、前記基板の縦軸
と基本的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置す
る円筒型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに対
して同軸状に位置し、直径が上記円筒型アノードのそれ
よりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円筒型カソ
ード及び円筒型アノードに対して同軸状に位置し、直径
が円筒型カソードよりも大きい円筒型ソレノイドとをそ
れぞれ持った円筒型マグネトロンを第一真空チャンバー
内に含んだ第一と第二の真空チャンバー装置と、 前記円筒型マグネトロンの一方の端に最も近い所に位置
し、前記基板の縦軸と基本的に一致した縦軸を持ち、前
記円筒型マグネトロンのプラズマ領域に注入するための
活性電子を供給する、前記第一真空チャンバー内に設け
られた円板状冷カソードと、 前記基板の縦軸と基本的に同一の縦軸を持ち、かつ前記
円筒型マグネトロンの一端に最も近い所に位置し、更に
第二真空チャンバー内に取り付けられて、上記基板面に
形成された超伝導薄膜を熱拡散するために、同基板の外
側表面に衝突させるための円板状電子ビームを供給する
環状冷カソードと、 前記円筒型カソード、円筒型アノード、円筒型ソレノイ
ド、円板状冷カソード、及び環状冷カソードに選択され
た作動電圧を供給するための電源装置と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内の要求される真空
状態を確立し、保持するために、前記第一、第二真空チ
ャンバーに接続された差動排気を含んだ真空制御部と、 前記第一、第二真空チャンバー装置内に一種、あるいは
複数種の選択された反応フィードストックガスを導入し
、コントロールするために、前記第一、第二真空チャン
バーと前記真空制御部とに接続されたガスポートとを備
えたことを特徴とするマグネトロンを用いた酸化物セラ
ミック超伝導薄膜の形成装置。 - （５０）基板の外側表面に金属酸化物セラミックの超伝
導薄膜を形成するための装置であって、前記基板の縦軸
と基本的に同一な縦軸に対して同基板と同軸状に位置し
た円筒型引出しグリッドと、上記基板に対して同軸状に
位置し、直径が上記円筒型引出しグリッドの直径より小
さな円筒型アノードと、上記基板と円筒型アノードとに
対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型引出しグリッ
ドのそれよりも大きな円筒型カソードと、前記基板、円
筒型引出しグリッド、円筒型カソード及び円筒型アノー
ドに対して同軸状に位置し、直径が上記円筒型基板より
も大きい円筒型ソレノイドとをそれぞれ持った円筒型マ
グネトロンを含んだ真空チャンバー装置と、 前記円筒型カソード、円筒型アノード、円筒型引出しグ
リッド、及び円筒型ソレノイドに選択された作動電圧を
供給するための電源装置と、前記真空チャンバー装置内
の要求される真空状態を確立し、保持するために、上記
真空チャンバー装置に接続された真空制御部と、 前記真空チャンバー装置内に一種、あるいは複数種の選
択された反応フィードストックガスを導入し、コントロ
ールするために、前記真空チャンバー装置と前記真空制
御部とに接続されたガスポートとを備えたことを特徴と
するマグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜
の形成装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US079879 | 1987-07-29 | ||
| US07/079,879 US4842704A (en) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | Magnetron deposition of ceramic oxide-superconductor thin films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026302A true JPH026302A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=22153395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190517A Pending JPH026302A (ja) | 1987-07-29 | 1988-07-28 | マグネトロンを用いた酸化物セラミック超伝導薄膜の形成方法及び形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842704A (ja) |
| JP (1) | JPH026302A (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196399A (en) * | 1987-04-06 | 1993-03-23 | Fujikura Ltd. | Apparatus for producing oxide superconductor cable |
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