JPS58122731A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS58122731A JPS58122731A JP337682A JP337682A JPS58122731A JP S58122731 A JPS58122731 A JP S58122731A JP 337682 A JP337682 A JP 337682A JP 337682 A JP337682 A JP 337682A JP S58122731 A JPS58122731 A JP S58122731A
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- Japan
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- etching
- mode
- discharge
- gap
- cathode
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明は、電界と磁界とを利用したドライエツチング方
法に関する。
法に関する。
［従来技術とその問題点］
近年、集積回路は微細化の一途をたどり、櫃近では、最
少寸法が１〜２μｍの超ＬＳＩも試作されるに至りてい
る。この微細加工には平行平、ｉｉｍ電極を有し、試料
載置の電ｍＫ高周波電力を印加することＫよりグロー放
電を生じせしめ、プラズマ中の正イオンを陰極上に生じ
る陽極降下電圧（負）自己バイアス；例えば、Ｈ＊８
Ｂｕｔｌｅｒ ａｎｄＧ、 ８ 、 ｋｉｎｏ ； Ｔ
ｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｆｌｕｉｄｓ、 ６（１
９６３）１３参照）によって加速し、試料にイオンを喬
直に照射させて、これをエツチングするもので反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ）と呼ばれている。しかし、こ
のＩ’ＬＩＥでは例えば、ＣＦ、／Ｈ，ガスを用いたＳ
１０．のエツチング速度は高々３００〜４００Ａんｎで
あり１μｍ厚の８ ｉ ０．をエツチングするのに３０
分以上も有するなど、量産性の点でこの極めて低いエツ
チング速度は重大な問題となっている。また、Ａ／、あ
るいはＰｏ１ｙ−８ｉにおいても、８ｉ０．根ではない
が、そのエツチング速度は〜１０００ Ａ／ｍｕ１程度
であり、やはり速いエツチングがｇすれているのが現状
である。この低いエツチング速度の主なる原因は、イオ
ン化効率が極て低いグロー放電を用いている点にある。
少寸法が１〜２μｍの超ＬＳＩも試作されるに至りてい
る。この微細加工には平行平、ｉｉｍ電極を有し、試料
載置の電ｍＫ高周波電力を印加することＫよりグロー放
電を生じせしめ、プラズマ中の正イオンを陰極上に生じ
る陽極降下電圧（負）自己バイアス；例えば、Ｈ＊８
Ｂｕｔｌｅｒ ａｎｄＧ、 ８ 、 ｋｉｎｏ ； Ｔ
ｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｆｌｕｉｄｓ、 ６（１
９６３）１３参照）によって加速し、試料にイオンを喬
直に照射させて、これをエツチングするもので反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ）と呼ばれている。しかし、こ
のＩ’ＬＩＥでは例えば、ＣＦ、／Ｈ，ガスを用いたＳ
１０．のエツチング速度は高々３００〜４００Ａんｎで
あり１μｍ厚の８ ｉ ０．をエツチングするのに３０
分以上も有するなど、量産性の点でこの極めて低いエツ
チング速度は重大な問題となっている。また、Ａ／、あ
るいはＰｏ１ｙ−８ｉにおいても、８ｉ０．根ではない
が、そのエツチング速度は〜１０００ Ａ／ｍｕ１程度
であり、やはり速いエツチングがｇすれているのが現状
である。この低いエツチング速度の主なる原因は、イオ
ン化効率が極て低いグロー放電を用いている点にある。
最近、本発明者等は、放電のイオン化効率の非常に大歯
な高速反応性イオンエツチング装置について提案を行っ
た。この提案は、イオン化効率の向上が、高速のエツチ
ング速度をも九らすという基本概念に基づいて行われた
ものである。第１図を用い、その高連工、チング装置の
概略について説明する。反応容器は、水冷され、かつ、
高周波電力（２）を印加できる橡にした陰極（４）Ｋよ
り２つの領域に分離されている。１つは、被エツチング
物（８）が置かれ九エツチング領域（３）であ）、他の
１つは、＊場発生のためＯマグネットアセンブリ（１）
が置かれた高周波領域（至）である。マグネットアセン
ブリ（１）は軟鉄板上に設けられ九上面がＮ極を示す永
久磁石と、これを権り囲む上面が８極の永久磁石から成
る。ここで、前記自己バイアスによる被エツチング物上
の直流電界ｆＥ）と、前記マグネ、ドアセンブリによる
磁界面とＫよって生じる電子のｔ ｘ 官方向へのドリ
フト運動によ）プラズマ０ｊｌＩ＆い磁場が存在する丸
めに、放電を生じやすく、そのため、放電防止のために
、ｌσ’ Ｔｏｒ（以下の高真空に保たれている。実際
のエツチングは、前記マグネットアセンブリの機械的な
１方向走査にαＱに同ＪｔＱしたプラズマループ（７）
の被エツチング物上での繰返し走査により均一に行なわ
れる。
な高速反応性イオンエツチング装置について提案を行っ
た。この提案は、イオン化効率の向上が、高速のエツチ
ング速度をも九らすという基本概念に基づいて行われた
ものである。第１図を用い、その高連工、チング装置の
概略について説明する。反応容器は、水冷され、かつ、
高周波電力（２）を印加できる橡にした陰極（４）Ｋよ
り２つの領域に分離されている。１つは、被エツチング
物（８）が置かれ九エツチング領域（３）であ）、他の
１つは、＊場発生のためＯマグネットアセンブリ（１）
が置かれた高周波領域（至）である。マグネットアセン
ブリ（１）は軟鉄板上に設けられ九上面がＮ極を示す永
久磁石と、これを権り囲む上面が８極の永久磁石から成
る。ここで、前記自己バイアスによる被エツチング物上
の直流電界ｆＥ）と、前記マグネ、ドアセンブリによる
磁界面とＫよって生じる電子のｔ ｘ 官方向へのドリ
フト運動によ）プラズマ０ｊｌＩ＆い磁場が存在する丸
めに、放電を生じやすく、そのため、放電防止のために
、ｌσ’ Ｔｏｒ（以下の高真空に保たれている。実際
のエツチングは、前記マグネットアセンブリの機械的な
１方向走査にαＱに同ＪｔＱしたプラズマループ（７）
の被エツチング物上での繰返し走査により均一に行なわ
れる。
この装置を用いてエツチングした場合には２つのモード
が捩られる。例えば、（４１，Ｃ１＊／１１．ガスによ
り生じ九放電を観察すると第２５１１に示す様に、（ｍ
） ： Ｎ −８関ＩＩαη上が暗部となり、その周辺
に放電舖が生じるモード（第２図＆ ） 、 ｆｂ）：
Ｎ−８間ＩＩＱ？）上に放電（１！Ｊが集中するモー
ド（ｊ１Ｎ２図ｂ）の２つのモードがみられ、何れの場
合もエツチング速度、選択性は優れているが、モード（
ｌｉｔで不純物添加多結晶シリコン等を、その表面にマ
スクを選択的に形成して、エツチングする場合には、マ
スク下に大きなアンダーカットを生じる。従って（ｂｌ
のモード、即ち、Ｎ−８ｌ′１ＩｌｌＩＩＩ上に高密度
のプラズマが集中するモードでエツチングすることが好
ましい。
が捩られる。例えば、（４１，Ｃ１＊／１１．ガスによ
り生じ九放電を観察すると第２５１１に示す様に、（ｍ
） ： Ｎ −８関ＩＩαη上が暗部となり、その周辺
に放電舖が生じるモード（第２図＆ ） 、 ｆｂ）：
Ｎ−８間ＩＩＱ？）上に放電（１！Ｊが集中するモー
ド（ｊ１Ｎ２図ｂ）の２つのモードがみられ、何れの場
合もエツチング速度、選択性は優れているが、モード（
ｌｉｔで不純物添加多結晶シリコン等を、その表面にマ
スクを選択的に形成して、エツチングする場合には、マ
スク下に大きなアンダーカットを生じる。従って（ｂｌ
のモード、即ち、Ｎ−８ｌ′１ＩｌｌＩＩＩ上に高密度
のプラズマが集中するモードでエツチングすることが好
ましい。
本発明者等は、さらに鋭意研究した結果、Ｎ −８関−
上に高密度のプラズマが集中するモードで、かつ論＠降
下電圧（Ｖｄｃ ） 〉ｓｏｗの条件でエツチングすゐ
と、極めて嵐好にエツチング出来る事を見い出した。
上に高密度のプラズマが集中するモードで、かつ論＠降
下電圧（Ｖｄｃ ） 〉ｓｏｗの条件でエツチングすゐ
と、極めて嵐好にエツチング出来る事を見い出した。
即ち、傭の条件Ｋｇもず高速かつ極めてアンダーカット
少なくエツチング出来為事である。従って信頼性高く異
方性エツチングが達成され１超Ｌ８Ｉ等の微細加工に大
変有利と一部ｂ０［発明の目的〕 本発明は、不純物添加多結晶シリコン等を信頼性高く、
高速かつアンダーカット愈くエツチングする事を目的と
する。
少なくエツチング出来為事である。従って信頼性高く異
方性エツチングが達成され１超Ｌ８Ｉ等の微細加工に大
変有利と一部ｂ０［発明の目的〕 本発明は、不純物添加多結晶シリコン等を信頼性高く、
高速かつアンダーカット愈くエツチングする事を目的と
する。
［発明の概要］
本発明は、Ｎ−８間隙上に高密度のプラダｉが集中する
モードで、かつｍ低降下電圧（Ｖｄｃ ）が３０Ｖ以上
の条件下でエツチングする橡にしたものである。
モードで、かつｍ低降下電圧（Ｖｄｃ ）が３０Ｖ以上
の条件下でエツチングする橡にしたものである。
し発明の効果］
本発明に依れば、信頼性高く高速かつア／ダーカットが
極めて小さいエツチングを行なう事が出来るようになる
。
極めて小さいエツチングを行なう事が出来るようになる
。
［発明の実施例］
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。先
ず、不純物象度ｌＸｌ０’″〜３ ｘ １ ｇ”７ 、
例えば１０″ｌ♂１ｍ度りン（９１をドープし九６００
ｏｚ厚の多結晶シリコｙ （Ｐｏ１ｙ−８ｉ ）膜を
有するフェノ・−と、通常のシリコンウニ／１−とを用
意した。
ず、不純物象度ｌＸｌ０’″〜３ ｘ １ ｇ”７ 、
例えば１０″ｌ♂１ｍ度りン（９１をドープし九６００
ｏｚ厚の多結晶シリコｙ （Ｐｏ１ｙ−８ｉ ）膜を
有するフェノ・−と、通常のシリコンウニ／１−とを用
意した。
第３図（１１は、第１図の装置で、ＣＩ、 、 Ｃｊ、
＋Ｈ。
＋Ｈ。
ガスを用いエツチングした時のＨ８添加量とりｙト。
−プＰｏｌｙ−８ｉ（ｍｌ、ｕｎｄｏｐｅｄ −８１Ｍ
１ｅ−８ｉ（ｂｌのエツチング速度との関係を示したも
のである。ＣＩ、流量は４７８ ＣＣＭ一定で、３ｐＰ
ｏｗｅｒは０．２４”／ｃｓｆ（黒丸印Ｌ Ｏ，４８
’／７（丸印）、エツチング圧力は０．ＩＴｏｒｒであ
る。尚、ＣＩ、単体の場合、 Ｐ−Ｐｏｌｙ−８ｉのエ
ツチング速度は８＋４ｇ１ｅ ８１よりも速いが、に添
加量の増大に伴って次第に両方のエツチング速度は近づ
いていくことが示されている。これはＰとよく反応する
ＣｔフラジルがＨｓ＃Ａ加によりＨＣＩとなって除去さ
れる九めに１多量のＨ１加の４とては両者のエツチング
速度が勢しくなるものと考えられる。
１ｅ−８ｉ（ｂｌのエツチング速度との関係を示したも
のである。ＣＩ、流量は４７８ ＣＣＭ一定で、３ｐＰ
ｏｗｅｒは０．２４”／ｃｓｆ（黒丸印Ｌ Ｏ，４８
’／７（丸印）、エツチング圧力は０．ＩＴｏｒｒであ
る。尚、ＣＩ、単体の場合、 Ｐ−Ｐｏｌｙ−８ｉのエ
ツチング速度は８＋４ｇ１ｅ ８１よりも速いが、に添
加量の増大に伴って次第に両方のエツチング速度は近づ
いていくことが示されている。これはＰとよく反応する
ＣｔフラジルがＨｓ＃Ａ加によりＨＣＩとなって除去さ
れる九めに１多量のＨ１加の４とては両者のエツチング
速度が勢しくなるものと考えられる。
これら測定値ａＮ−８間隙上に高密度のプラズマが集中
するモードであるが、エツチング後の８ＭＭＩＮ察結果
から、アンダカ、トの全んどない異方性のエツチングが
達成される賜添加量の値は、ｒｆ 電力０．２４ 、０
．４８”７ｃｄＫ対し ？、２０ 、１１０８ＣＣテ、
それぞれｓ ４７．１０（８ＣＣＭ）以上では全くア
ンダーカットがなくなることが判明した。このＨ１添加
量に対して、陰極降下電圧Ｖｄｃ（ｒｆ電極と接地との
間に、 高圧プローブを挿入し、これをシンクロスコー
プを通して、最大、最小値を求め、それの相加平均）を
プロ、トシたのが、第３閣（ｂ）である。
するモードであるが、エツチング後の８ＭＭＩＮ察結果
から、アンダカ、トの全んどない異方性のエツチングが
達成される賜添加量の値は、ｒｆ 電力０．２４ 、０
．４８”７ｃｄＫ対し ？、２０ 、１１０８ＣＣテ、
それぞれｓ ４７．１０（８ＣＣＭ）以上では全くア
ンダーカットがなくなることが判明した。このＨ１添加
量に対して、陰極降下電圧Ｖｄｃ（ｒｆ電極と接地との
間に、 高圧プローブを挿入し、これをシンクロスコー
プを通して、最大、最小値を求め、それの相加平均）を
プロ、トシたのが、第３閣（ｂ）である。
その結果、Ｈ１添加量と共に、Ｖｄｃは単調に増加する
が、異方性エツチングが達成される領域（図中、斜線部
分）Ｋ対応するＶｄｃは、 ｒｆ電力によらず、３０
Ｖ以上、好ｔしくは５０Ｖ以上と決定される。
が、異方性エツチングが達成される領域（図中、斜線部
分）Ｋ対応するＶｄｃは、 ｒｆ電力によらず、３０
Ｖ以上、好ｔしくは５０Ｖ以上と決定される。
図中、烏は０．２４”７６１ｆ 、 ｂは０．４８Ｗ／
−を示す。
−を示す。
第４ＷＡはｔ同様にＣ４ガス単体の場合で行っ九−引（
ｂ）、８１０諺（ｃｌｃ）工、チング速度、及びその時
のＶｄＣ（ｄＪＯ関係を示しえもので、このときの工、
チング条件はＣ１＠ ４７８ＣＣＭ１工、 チｙグ圧カ
０．ＩＴｏｒｒ一定である。斜艙領域は前記同様ＳＢＭ
Ｋよ〉観察し九アンダーカ、トを生じない値を示したも
の第５１１１は、同様にＣ４ｌガス単体の場合のエツチ
ング圧力とＰ−Ｐｏｌｙ−８１（ａ） 、 ｕｎｄｏｐ
ｅｄ −８ｊｎｇｌｅ −８ｊ（ｂ）、旧０． （ｃｌ
の工、チング速度及びその時のＶｄｃ （ｄ）の関係を
示したものである。エツチング条件はＲＦ ｒｏｖ＠ｒ
Ｏ，６４’／ｃｄ、 Ｃｂ流量４７８ＣＣＭである。
ｂ）、８１０諺（ｃｌｃ）工、チング速度、及びその時
のＶｄＣ（ｄＪＯ関係を示しえもので、このときの工、
チング条件はＣ１＠ ４７８ＣＣＭ１工、 チｙグ圧カ
０．ＩＴｏｒｒ一定である。斜艙領域は前記同様ＳＢＭ
Ｋよ〉観察し九アンダーカ、トを生じない値を示したも
の第５１１１は、同様にＣ４ｌガス単体の場合のエツチ
ング圧力とＰ−Ｐｏｌｙ−８１（ａ） 、 ｕｎｄｏｐ
ｅｄ −８ｊｎｇｌｅ −８ｊ（ｂ）、旧０． （ｃｌ
の工、チング速度及びその時のＶｄｃ （ｄ）の関係を
示したものである。エツチング条件はＲＦ ｒｏｖ＠ｒ
Ｏ，６４’／ｃｄ、 Ｃｂ流量４７８ＣＣＭである。
この場合でもアンダーカットを生じなくなる時のＶｄｃ
Ｏ値は変わらず仁のことは、すなわち、イオンアシスト
エツチングの効果の目安となるＶｄｃを３０Ｖ以上好オ
しぐは５０Ｖ以上に制御する仁とＫよって、他の／（２
メータによらずアンダー力。
Ｏ値は変わらず仁のことは、すなわち、イオンアシスト
エツチングの効果の目安となるＶｄｃを３０Ｖ以上好オ
しぐは５０Ｖ以上に制御する仁とＫよって、他の／（２
メータによらずアンダー力。
トのない異方性のエツチングが可能であることを示すも
のであＬ例えば、エツチング圧力Ｑ、Ｉ ＴｏｒｒｐＣ
１＠ｉ ８４８ＣＣＭ 、 ＲＦＰｏｗｅｒ ： Ｑ、
ｇ＄４”／Ｑｌｆの条件でＰ−Ｐｏｌｙ−８１工、チン
グ速ＩＩ １ 声ｍ／ｍ１ ｎ 、 ８１０゜との選択
比〜２Ｇ／＋１１でかつ異方性の工、チングが連成され
え。
のであＬ例えば、エツチング圧力Ｑ、Ｉ ＴｏｒｒｐＣ
１＠ｉ ８４８ＣＣＭ 、 ＲＦＰｏｗｅｒ ： Ｑ、
ｇ＄４”／Ｑｌｆの条件でＰ−Ｐｏｌｙ−８１工、チン
グ速ＩＩ １ 声ｍ／ｍ１ ｎ 、 ８１０゜との選択
比〜２Ｇ／＋１１でかつ異方性の工、チングが連成され
え。
第６図を用いて１以上説明したＶ４１Ｃを変えた場合の
マスク下のアンダーカット量を説明すると、Ｖｄｃ 〉
Ｓ ＯＶ Ｏ場合−）Ｋは、他の条件に依らず５ｏｏｓ
オーバエツチングを行りても、マスク下にアンダーカッ
トは入らない（ｗｈｏ）。３ｏｖくＶｄｃ ＜ ５０
Ｖ Ｏｊａ合Ｋ ６ ＷＪ（ｂ）Ｋ”は、５ｏｏｎオー
バエツチングに対してＷ二〇。Ｏ１μｍ＠度Ｏアンダー
カ、トである。さらＫ ｔ Ｖｄｃ ＜ ３０ Ｖの場
合第６１１（ｃ＋には、Ｗ＞ ０．１−０．２ｊｍＯ７
ｙダーカｙ）を生じる。以上の結果よｊ、Ｖｄｃ〉３０
Ｖであれば実用上大きな支障を生じないことがわか−
）友。またＶｄｃ〉５０Ｖであれば、全くアンダーカッ
トはなく、よ）好ましい条件である。
マスク下のアンダーカット量を説明すると、Ｖｄｃ 〉
Ｓ ＯＶ Ｏ場合−）Ｋは、他の条件に依らず５ｏｏｓ
オーバエツチングを行りても、マスク下にアンダーカッ
トは入らない（ｗｈｏ）。３ｏｖくＶｄｃ ＜ ５０
Ｖ Ｏｊａ合Ｋ ６ ＷＪ（ｂ）Ｋ”は、５ｏｏｎオー
バエツチングに対してＷ二〇。Ｏ１μｍ＠度Ｏアンダー
カ、トである。さらＫ ｔ Ｖｄｃ ＜ ３０ Ｖの場
合第６１１（ｃ＋には、Ｗ＞ ０．１−０．２ｊｍＯ７
ｙダーカｙ）を生じる。以上の結果よｊ、Ｖｄｃ〉３０
Ｖであれば実用上大きな支障を生じないことがわか−
）友。またＶｄｃ〉５０Ｖであれば、全くアンダーカッ
トはなく、よ）好ましい条件である。
上記実施例ではガスとしてＣＩ、 、 ０１． ＋ Ｈ
，の場合について述べたがＣＣｌ４． ｃｃｊ、 ＋
Ｃ１ｌ、 ８ｉＣｊ、。
，の場合について述べたがＣＣｌ４． ｃｃｊ、 ＋
Ｃ１ｌ、 ８ｉＣｊ、。
Ｃｔ＊＋ Ａ ｒ ｅ Ｂ ＣｌＢ ＋ Ｃ４１ｋ ト
０ 塩１ ｔ 會ｂ ３２’ Ｊ テ４又１ りンの代
わりにヒ素（Ａ％）を添加しても同様の効果が得られた
。又、本発明の実施例では。
０ 塩１ ｔ 會ｂ ３２’ Ｊ テ４又１ りンの代
わりにヒ素（Ａ％）を添加しても同様の効果が得られた
。又、本発明の実施例では。
Ｐｏ１ｙ−８１について説明したが、単結晶８４非晶質
引でも同様でＴｏｌ、さらに他の高融点金属、例えば、
Ｗ、Ｍｏ、 Ｔｏるいはこれらのンリ？イド化合物中Ａ
１等の金属においても同様の効果が確認されえ。又Ｓ陰
極とｌＩ地電位とＯ関に高圧プ田−プを挿入してエツチ
ング中Ｖｄｃをモニターし、例えばＶｄｃが３０ＶＩ！
ｊｌＫなった場合には例えは圧力を下げる（高真空にす
る）ようにすれば条件が変動しても常に異方性エツチン
グを維持する仁とができる。
引でも同様でＴｏｌ、さらに他の高融点金属、例えば、
Ｗ、Ｍｏ、 Ｔｏるいはこれらのンリ？イド化合物中Ａ
１等の金属においても同様の効果が確認されえ。又Ｓ陰
極とｌＩ地電位とＯ関に高圧プ田−プを挿入してエツチ
ング中Ｖｄｃをモニターし、例えばＶｄｃが３０ＶＩ！
ｊｌＫなった場合には例えは圧力を下げる（高真空にす
る）ようにすれば条件が変動しても常に異方性エツチン
グを維持する仁とができる。
第１１１１は本発ＷＡＫ用いられたエツチング装置の断
面図、第２図Ｔａ）（ｂ）は上面軸回、第３図（ａｌｌ
（ｂ） 。 第４図及び第５図は本発明の詳細な説明する為のエツチ
ング特性図、第６図（ａｌｌ〜（Ｃ）はエツチング断爾
図である。図において（１）・・・８ｍ−Ｃｏマグネッ
トアセンブリ、（２）・・・高周波電源、（３）・・・
エツチング領域、（４）・・・−４１ｉ％（５）・・・
ガス導入口、（６）・・・水冷パイプ、（７）・・・マ
グネトロン放電、（８）・・・ウェハ、（９）・・・グ
ロー放電、舖・・・静電チャ、クシステム、αＦ・・テ
フロン、Ｉ・・・走査システム％Ｉ・・・水、ｕ祷（至
）・・・Ｎ−８関誠、ズマ、−・・・レジストｈ Ｑト
・・Ｐ−ｄｏｐｅｄ −Ｐｏｌｙ−８ｉ。 （２）・・・ＳムＯ８，＠・・・８ｉＩ＆板。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 他１名ａ もト ｌｈ ４カロｔ（Ｓ（ｃＡ／７） （α） ８図 ρ ｄ ４ρ ６１ フレ α砂１２ｖ ／４１）Ｈ
ｚ％７１Ｙ （Ｓｔ（Ｍ） （ム） 第４図 θ ／、３２ θ６４ρｆｌ ／、η ＩｔＲＦｔ
Ｐｏｗｅｒ （１４’／ｃｍ２）第５図 工・・乃ｔブ迂７ｉＣ７ｏｒと） ＜ｃｉン ６図 ｔｂ＞ （（’ ）
面図、第２図Ｔａ）（ｂ）は上面軸回、第３図（ａｌｌ
（ｂ） 。 第４図及び第５図は本発明の詳細な説明する為のエツチ
ング特性図、第６図（ａｌｌ〜（Ｃ）はエツチング断爾
図である。図において（１）・・・８ｍ−Ｃｏマグネッ
トアセンブリ、（２）・・・高周波電源、（３）・・・
エツチング領域、（４）・・・−４１ｉ％（５）・・・
ガス導入口、（６）・・・水冷パイプ、（７）・・・マ
グネトロン放電、（８）・・・ウェハ、（９）・・・グ
ロー放電、舖・・・静電チャ、クシステム、αＦ・・テ
フロン、Ｉ・・・走査システム％Ｉ・・・水、ｕ祷（至
）・・・Ｎ−８関誠、ズマ、−・・・レジストｈ Ｑト
・・Ｐ−ｄｏｐｅｄ −Ｐｏｌｙ−８ｉ。 （２）・・・ＳムＯ８，＠・・・８ｉＩ＆板。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 他１名ａ もト ｌｈ ４カロｔ（Ｓ（ｃＡ／７） （α） ８図 ρ ｄ ４ρ ６１ フレ α砂１２ｖ ／４１）Ｈ
ｚ％７１Ｙ （Ｓｔ（Ｍ） （ム） 第４図 θ ／、３２ θ６４ρｆｌ ／、η ＩｔＲＦｔ
Ｐｏｗｅｒ （１４’／ｃｍ２）第５図 工・・乃ｔブ迂７ｉＣ７ｏｒと） ＜ｃｉン ６図 ｔｂ＞ （（’ ）
Claims (1)
- 陽極、及び被工、テング物が載置され為周波電力が印加
される陰極を備えた反応容器に少くとも塩素を含むガス
を導入し、前記陽極裏面に設は九Ｎ−８間−を有する磁
場発生手段によ）陽陰上に発生する磁場と前記高周波電
力印加により陰極上に発生する電場とＫより高密度プラ
ズマを形成してエツチングを行なうに際し、Ｎ−８間隙
直上付近に前記高密度のプラズマが集中するモードで、
かつ陰極降下電圧が３０Ｖ以上の東件下において不純物
添加多結晶シリコンをエツチングする事を特徴とするド
ライエ、チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP337682A JPS58122731A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP337682A JPS58122731A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122731A true JPS58122731A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11555631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP337682A Pending JPS58122731A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122731A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332932A (ja) * | 1986-03-28 | 1988-02-12 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| WO1998000858A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6048435A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP337682A patent/JPS58122731A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332932A (ja) * | 1986-03-28 | 1988-02-12 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| WO1998000858A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6048435A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6190496B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-02-20 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6354240B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-03-12 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor having a plurality of magnets |
| US6410448B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-06-25 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6500314B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6620335B1 (en) | 1996-07-03 | 2003-09-16 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6905969B2 (en) | 1996-07-03 | 2005-06-14 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
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