JPS5812249A - イオン注入装置用分析スリツト機構 - Google Patents
イオン注入装置用分析スリツト機構Info
- Publication number
- JPS5812249A JPS5812249A JP56111396A JP11139681A JPS5812249A JP S5812249 A JPS5812249 A JP S5812249A JP 56111396 A JP56111396 A JP 56111396A JP 11139681 A JP11139681 A JP 11139681A JP S5812249 A JPS5812249 A JP S5812249A
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- JP
- Japan
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- slit
- analysis
- diameter
- measurement plate
- analysis slit
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- Pending
Links
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入装置用の執析スリ、ト機構に関する
。
。
半導体製品製造の一工程に用いられているイオン注入装
置は、イオン源で生成されたイオンのうち所望のイオン
を選択、加速し製品に注入する装置であるが、この所望
のイオンを選択する方法として通常、よく知られている
質量分析が行われている。
置は、イオン源で生成されたイオンのうち所望のイオン
を選択、加速し製品に注入する装置であるが、この所望
のイオンを選択する方法として通常、よく知られている
質量分析が行われている。
買置分析方式では、イオンビームに電磁石による可変可
能な磁界を与え所望のイオンのみが一般的に分析スリ、
トと呼ばれている小穴のあいた板の穴を通過する様にイ
オンビームの軌道を曲げて１択する方法が取られている
。
能な磁界を与え所望のイオンのみが一般的に分析スリ、
トと呼ばれている小穴のあいた板の穴を通過する様にイ
オンビームの軌道を曲げて１択する方法が取られている
。
本発明は、イオン注入装置に於けるこの様な質量分析系
の分析スリ、トに関するものである。
の分析スリ、トに関するものである。
本発明はイオン注入装置に於いて所望のイオンを分離す
る質量分離器のイオンビーム出ロニ設ケられている分析
スリット直後に、分析スリ、トよりわずかに大きなスリ
ットを有する専用のビーム電流検出部を設けることによ
り分析スリ、トの消耗状ｍを運転中に検知しうることを
特徴とした分析スリ、ト機構である。
る質量分離器のイオンビーム出ロニ設ケられている分析
スリット直後に、分析スリ、トよりわずかに大きなスリ
ットを有する専用のビーム電流検出部を設けることによ
り分析スリ、トの消耗状ｍを運転中に検知しうることを
特徴とした分析スリ、ト機構である。
第１図は本発明の実施例の概略図であるが、従来図中１
に示す分析スリットには、付属部品もなくその消耗状態
の確認は、もっばら定期的に分析管３を分解し６！認す
る手段が取られていた。この方法では、突発的にイオン
引出部４で異常が発生した場合あるいは装置運転時間が
滅変した場合等で気づかないうちにスリット径が増大し
、装置の性能が落ちたり、分析スリット直後の他の部品
にイオンビームが当たり損傷を与える恐れがあった。
に示す分析スリットには、付属部品もなくその消耗状態
の確認は、もっばら定期的に分析管３を分解し６！認す
る手段が取られていた。この方法では、突発的にイオン
引出部４で異常が発生した場合あるいは装置運転時間が
滅変した場合等で気づかないうちにスリット径が増大し
、装置の性能が落ちたり、分析スリット直後の他の部品
にイオンビームが当たり損傷を与える恐れがあった。
本発明の目的は点検の為に分析管内を真空状態から大気
圧に戻し分解する必要なく、シかも運転中に分析スリッ
トの状態を監視可能な分析スリ。
圧に戻し分解する必要なく、シかも運転中に分析スリッ
トの状態を監視可能な分析スリ。
ト消耗検出機ｍｔ−提供することにある。
本発明の概略図である第１図に於いて分析スリブ）１の
直後に分析スリットよりわずかに大きなスリ、ト径を有
した＃１定板２を新らたに設けである。さて、イオン源
都５より発生したイオンは、引出部４で引出されイオン
ビームとなり分析管３を通り分析スリブ）１會通って加
速部あるい轄注入部７へ進むが、その過程に於いて、し
だいに分析スリｙ）１１１消耗してきてスリ、ト径が増
大してくる。
直後に分析スリットよりわずかに大きなスリ、ト径を有
した＃１定板２を新らたに設けである。さて、イオン源
都５より発生したイオンは、引出部４で引出されイオン
ビームとなり分析管３を通り分析スリブ）１會通って加
速部あるい轄注入部７へ進むが、その過程に於いて、し
だいに分析スリｙ）１１１消耗してきてスリ、ト径が増
大してくる。
一方、分析スリ、ト１の直後に設けられた測定板２には
、電流計６が接続されている。この電流針には通常電流
は認められない。ところが、分析スリットｌのスリット
径が増大して直後に設けられた測定板２のスリ、ト径よ
り大きくなるとイオンビームが測定板２に当たり電流計
６にイオンビーム電流として電流が流れる様になる。つ
まり、この電流の有無により分析スリットが、使用限界
に達したことがわかる訳である。
、電流計６が接続されている。この電流針には通常電流
は認められない。ところが、分析スリットｌのスリット
径が増大して直後に設けられた測定板２のスリ、ト径よ
り大きくなるとイオンビームが測定板２に当たり電流計
６にイオンビーム電流として電流が流れる様になる。つ
まり、この電流の有無により分析スリットが、使用限界
に達したことがわかる訳である。
以上の様に本考案を用いることにより、分析スリットの
消耗状１１Ａｔ−装置運転中に常時監視可能とな９、装
置の損傷を未然に防ぎ性能低下も察知できる。
消耗状１１Ａｔ−装置運転中に常時監視可能とな９、装
置の損傷を未然に防ぎ性能低下も察知できる。
第１図は本発明の実施例を示す概略図である。
尚、図において、
ｌ・・・・・・分析スリット、２・・・・・・ビーム測
定板、３・・・・・・分析管、４・・・・・・イオン引
出部、５・・・・・・イオン源、６・・・・・・電流計
、７・・・・・・イオン加速部あるいはイオン注入部で
ある。
定板、３・・・・・・分析管、４・・・・・・イオン引
出部、５・・・・・・イオン源、６・・・・・・電流計
、７・・・・・・イオン加速部あるいはイオン注入部で
ある。
Claims (1)
- イオン注入装置に於いて、所望のイオンを分離する質量
分離器のイオンビーム出口に設けられて、いる分析スリ
、ト直後に、該分析スリットよりわずかに大きなスリ、
トラ有する専用のビーム電流検出部を設けることにより
分析スリ、トの消耗状態上運転中に検知しうろこと全特
徴とした分析スリット機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111396A JPS5812249A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | イオン注入装置用分析スリツト機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111396A JPS5812249A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | イオン注入装置用分析スリツト機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812249A true JPS5812249A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14560087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111396A Pending JPS5812249A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | イオン注入装置用分析スリツト機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10395890B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-08-27 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP56111396A patent/JPS5812249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10395890B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-08-27 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
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