JPS5812192A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPS5812192A
JPS5812192A JP56109442A JP10944281A JPS5812192A JP S5812192 A JPS5812192 A JP S5812192A JP 56109442 A JP56109442 A JP 56109442A JP 10944281 A JP10944281 A JP 10944281A JP S5812192 A JPS5812192 A JP S5812192A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
flip
circuit
lsi
access memory
Prior art date
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Pending
Application number
JP56109442A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keisuke Nakajima
啓介 中島
Yoji Nishio
洋二 西尾
Michihiro Ikeda
池田 満弘
Nagaharu Hamada
長晴 浜田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Engineering Co Ltd
Priority to JP56109442A priority Critical patent/JPS5812192A/en
Publication of JPS5812192A publication Critical patent/JPS5812192A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/16Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups

Abstract

PURPOSE:To ensure a free application to all flip-flops, by securing the reading/writing to a logical storage circuit like a flip-flop, etc. within an LSI from the outside of the LSI, even though circuit is under working. CONSTITUTION:A flip-flop 1 in a circuit is formed with a series 54 of a simultaneous access memory and connected to an input 7, an output 8, a set terminal 13 and a reset terminal 14 respectively. On the other hand, an address 11 that selects a prescribed flip-flop is decoded by an address decoder 53 and connected to a series 55 of the other side of the simultaneous access memory via a read/write decoder 52. Thus the write and reading is possible freely from outside. Furthermore the constitution of a simultaneous access memory is simplified with a big reduction of numbers of external pins owing to the use of a C-MOS master slice LSI.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、LSI(
大規模集積回路)の診断をLSI外部から電気的に行う
ためのLSI内部付加回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and particularly to an LSI (
This invention relates to an additional circuit inside an LSI for electrically diagnosing a large-scale integrated circuit (large-scale integrated circuit) from outside the LSI.

LSIの高集積化及び高機能化に伴い、その信頼性を保
障し、また不良発生の原因を追求するだめの動作評価、
遅延測定、不良解析、故障診断などの製造後の診断を高
速に低コストで行う必要が生じている。つま!D、LS
Iではパッケージの都合上外部への出力ピンの数に制限
があるため、LSI内部回路の状態を直接感知できるの
は、一部分にすぎない。このためLSIが正常であるか
否かの判定を行うためには、機能が複雑になればなるほ
ど多くの手続きを必要とし、特にフリップ・フロップ等
の論理記憶回路にはさまれた信号線を一次元的な活性化
法を用いては活性化できない場合も生じている。
As LSIs become more highly integrated and functional, operation evaluations are needed to ensure their reliability and to investigate the causes of defects.
There is a growing need to perform post-manufacturing diagnostics such as delay measurement, failure analysis, and failure diagnosis quickly and at low cost. wife! D.LS
Since the number of external output pins in I is limited due to the package, only a portion of the LSI's internal circuit status can be directly sensed. Therefore, in order to determine whether or not an LSI is normal, the more complex the function, the more procedures are required. There are cases where activation cannot be achieved using the original activation method.

これらに対する従来技術は、第1図に示すように7リツ
プ・フロップ1のセット端子13、リセット端子14、
出力8にそれぞれセット用ゲート2、リセット用ゲート
3、リード用ゲート4をもうけ、所望の7リツプ・フロ
ップを選択せしめるアドレス11およびリード・ライト
の指示を行うコントロール信号10をデコーダ5でデコ
ードし、前記ゲート2,3.4をコントロールしフリッ
プ・フロップ1へのリード・ライトを行うもの、及び第
2図に示すように第1図に示した回路のようなデコーダ
5をもうけず、シフト・レジスタ21ヲ通シてフリップ
・フロップ1の内容をリード・ライトする方法がある。
The conventional technology for these is as shown in FIG. 1, the set terminal 13, reset terminal 14,
The output 8 has a set gate 2, a reset gate 3, and a read gate 4, respectively, and a decoder 5 decodes an address 11 for selecting a desired seven lip-flops and a control signal 10 for instructing read/write. One that controls the gates 2, 3.4 and reads/writes to the flip-flop 1, and as shown in FIG. 2, a shift register without the decoder 5 like the circuit shown in FIG. There is a method of reading and writing the contents of flip-flop 1 through 21.

7は入力端子、9はセット、リセット用端子、12はリ
ード・データ用端子、22はシフトレジスタ入力データ
用端子、23はシフトパルス信号用端子、24はロード
信号用端子、25はストア信号用端子、26はシフトレ
ジスタ出力データ用端子である。本発明は前者に近いの
で前者の一例をC−MO8回路で実現した例を具体的に
回路図で示すと第3図のようになる。この回路はAND
ゲート32、NORゲート33、インバータ31、P−
MOS)ランスファーゲート34のループでセット、リ
セット端子付キのD型ラッチを構成している。このD型
ラッチに゛外部からアクセスを行うために、セット、リ
セット端子にルベル誓き込みゲート36.0レベル書き
込みゲート37をもうけ、ラッチの状態の指定を行うよ
うにし、出力も読み出し用ゲート38を介し外部へ取シ
出すようにしているが−多くのゲートを必要とし、フリ
ップ・フロップの型によって設計の変更が必要であるた
め非常に不便であシ、シフト・レジスタを用いる方式は
回路動作中にアクセスできないという欠点があった。
7 is an input terminal, 9 is a set/reset terminal, 12 is a read/data terminal, 22 is a shift register input data terminal, 23 is a shift pulse signal terminal, 24 is a load signal terminal, 25 is a store signal terminal Terminal 26 is a terminal for shift register output data. Since the present invention is close to the former, an example of the former realized by a C-MO8 circuit is specifically shown in a circuit diagram as shown in FIG. This circuit is AND
Gate 32, NOR gate 33, inverter 31, P-
The loop of the MOS) transfer gate 34 constitutes a D-type latch with set and reset terminals. In order to access this D-type latch from the outside, a Lebel pledge gate 36.0 level write gate 37 is provided at the set and reset terminals to specify the state of the latch, and the output is also output to the read gate 38. However, it is very inconvenient as it requires many gates and requires changes in design depending on the type of flip-flop, and the method using a shift register has a problem with circuit operation. The drawback was that the inside could not be accessed.

34はN−MOS)ランスファーゲート、39は内部書
込み制御用端子、40は内部書込みデータ用端子、41
は内部出力用端子、42はセット入力用端子、42はセ
ット入力用端子、43はリセット入力用端子、44はル
ベル書込み制御用端子、45はθレベル書込み制御用端
子、46は読出し制御用端子、47は読出しデータ用端
子、48は外部書込み付加回路、49は外部読出し付加
回路である。
34 is an N-MOS) transfer gate, 39 is an internal write control terminal, 40 is an internal write data terminal, 41
is an internal output terminal, 42 is a set input terminal, 42 is a set input terminal, 43 is a reset input terminal, 44 is a level write control terminal, 45 is a θ level write control terminal, 46 is a read control terminal , 47 is a read data terminal, 48 is an external write addition circuit, and 49 is an external read addition circuit.

本発明の目的は、LSI内部の7リツプ・フロップ等の
論理記憶回路にLSI外部から回路動作中も読み・書き
が行なえ、あらゆるフリップ・フロップに適用できる診
断回路方式を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a diagnostic circuit system that allows reading and writing to logic storage circuits such as 7 flip-flops inside an LSI from outside the LSI even during circuit operation, and is applicable to all types of flip-flops.

本発明は、LSI内部のフリップ・フロップ等の論理記
憶回路を、同時に2系列からの□読み書きを許す一時記
憶素子(同時アクセスメモリ)を用いて構成することに
より前記目的を達成するようにしたものである。
The present invention achieves the above object by configuring a logic storage circuit such as a flip-flop inside an LSI using a temporary storage element (simultaneous access memory) that allows reading and writing from two systems at the same time. It is.

次に本発明の一実施例を図面によって説明する。Next, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第4図について説明すると、回路中のフリップ・70 
ツ7” 11d 、同時アクセス・メモリ(7)一系列
54を用いて構成されておシ、入カフ、出力8、セット
端子13、リセット端子14に接続されている。一方、
所定のフリップ・70ツブを選択せしめるアドレス11
は、アドレスデコーダ53でデコードされ、リード・ラ
イト・デコーダ52を介して同時アクセス・メモリの他
の一系列55に接続されておシ、外部からの書き込み・
読み出しを自由に行なうことが可能である。51はデー
タ線である。この例では、デコーダ以外に特別な付加回
路を必要とせず、かつほとんど設計者に負担がかからな
い。
To explain Fig. 4, flip 70 in the circuit
7" 11d is configured using a series 54 of simultaneous access memory (7) and is connected to the input cuff, output 8, set terminal 13, and reset terminal 14. On the other hand,
Address 11 for selecting a predetermined flip/70 knob
is decoded by the address decoder 53 and connected to another series 55 of simultaneous access memory via the read/write decoder 52, and is
Reading can be performed freely. 51 is a data line. In this example, no special additional circuit is required other than the decoder, and there is almost no burden on the designer.

さて、本発明を実施する上において問題点となるのは、
同時アクセス・メモリをいかに簡単に構成するかという
問題とLSI内部のフリップ・フロップに書き込み・読
み出しを行うために必要なLSI外部への入出力ピンを
いかに少なくするかという問題である。
Now, the problems in implementing the present invention are as follows.
The problem is how to easily configure a simultaneous access memory, and how to reduce the number of input/output pins required to the outside of the LSI in order to write to and read from flip-flops inside the LSI.

しかし、本発明ではメモリを内蔵したC−MOSマスタ
スライスLSIにおいて前記の問題を全て解決すること
ができる。つまりC−MO8回路において、第5図に示
すように、簡単な回路で同時アクセス・メモリを構成す
ることにより前者の問題を解決できる。第5図の説明を
行うとインバータ61をP−MOSトランスファー・ゲ
ート63でループ状に接続し、各接続点にN−MOS)
ランスファー・ゲート62を接続しデータの入出力を行
っている。また、本実施例のLSIがメモリ内蔵である
ため既に存在しているアドレス線を用い、゛メモリのア
ドレス空間の一部分を7リツプ・フロップ内の同時アク
セス・メモリに適用し診断用外部ピンの大幅減少を行う
ことが可能となり、後者の問題も解決している。図で、
64は第1書込みデータ用端子、65は第1書込み許可
信号用端子、66は第1読出しデータ用端子、67は第
1読出し許可信号用端子、68は第2読出し許可信号用
端子、69は第2読出しデータ用端子、70は第2書込
み許可信号用端子、71は第2書し 込みデータ用端子である。
However, the present invention can solve all of the above problems in a C-MOS master slice LSI with built-in memory. That is, in the C-MO8 circuit, the former problem can be solved by constructing a simultaneous access memory with a simple circuit as shown in FIG. To explain Fig. 5, the inverter 61 is connected in a loop with a P-MOS transfer gate 63, and an N-MOS (N-MOS) is connected at each connection point.
A transfer gate 62 is connected to input and output data. In addition, since the LSI of this embodiment has a built-in memory, the address lines that already exist are used, and a part of the memory address space is applied to the simultaneous access memory in the 7 lip-flops, thereby significantly reducing the number of external pins for diagnosis. The latter problem is also solved. In the figure,
64 is a first write data terminal, 65 is a first write permission signal terminal, 66 is a first read data terminal, 67 is a first read permission signal terminal, 68 is a second read permission signal terminal, and 69 is a second read permission signal terminal. A second read data terminal 70 is a second write permission signal terminal, and 71 is a second write data terminal.

さて、本発明の効果を明らかにするため従来の方式でC
−MO8回路中のD型レベルトリガ・ラッチに外部から
アクセスするための第3図で示した付加回路と本発明を
C−MO8回路で同様な機能を達成すべ〈実施した例を
比較する。
Now, in order to clarify the effect of the present invention, C
A comparison will be made between the additional circuit shown in FIG. 3 for externally accessing the D-type level trigger latch in the MO8 circuit and an example in which the present invention is implemented in a C-MO8 circuit to achieve a similar function.

本発明を実施した例を第6図に示しているが、ANDグ
ー、)32、NORゲート33、外部書き込み用P−M
O8)ランスフ′アー・ゲート86、インバータ31、
内部誓き込み用トランスファー・ゲート84でセット・
リセット端子付きのD型ラッチを構成している。外部書
き込み用P −MOSトランスファー・ゲート86の両
端から外部入出力用N−MO8トランスファー・ゲート
87゜88を介し外部入出力データに接続されておシ、
D−ラッチが動作中でも外部からのアクセスができるよ
うになっており、第3図の従来の方式に比べ回路が簡略
化されている。図で、85はN −MOS)ランスファ
ーゲート、89は内部書込み制御用端子、90は内部書
込みデータ用端子、93は外部入出力データ用端子、9
4は外部書込み制御用端子、95は外部読出し制御用端
子である。
An example in which the present invention is implemented is shown in FIG.
O8) Lancer gate 86, inverter 31,
Set at transfer gate 84 for internal swearing.
It constitutes a D-type latch with a reset terminal. Both ends of the P-MOS transfer gate 86 for external writing are connected to external input/output data via the N-MO8 transfer gate 87°88 for external input/output.
Even when the D-latch is in operation, it can be accessed from the outside, and the circuit is simplified compared to the conventional system shown in FIG. In the figure, 85 is an N-MOS) transfer gate, 89 is an internal write control terminal, 90 is an internal write data terminal, 93 is an external input/output data terminal, 9
4 is an external write control terminal, and 95 is an external read control terminal.

本実施例の効果を箇条書きにすると次の通りである。The effects of this embodiment can be summarized as follows.

(1)従来の方式に比べ必要な部品数が減少した。(1) The number of required parts is reduced compared to the conventional method.

(2)どのような型のフリップ・フロップ等の9論理記
憶回路にも対応でき、特にセット・リセット端子が出て
いる必要はない。
(2) It can be used with any type of 9-logic storage circuit such as a flip-flop, and there is no need for set/reset terminals to be provided.

(3)設計者に特別な負担を要求することなく、論理設
計を行うことができる。
(3) Logic design can be performed without requiring a special burden on the designer.

(4)スリップ・フロップ等の入力にゲートを介さなく
ても良いため、これによるゲート遅延を避けることがで
きる。
(4) Since there is no need to pass a gate to the input of a slip-flop, etc., gate delays caused by this can be avoided.

(51’LSI内のメモリ空間の一部を利用すれば全く
特別な診断用出力ピンは必要とせず、一般のメモリと同
じ方法で内部のフリップ・フロップにアクセスすること
ができる。
(If a part of the memory space in the 51' LSI is used, no special diagnostic output pin is required, and the internal flip-flops can be accessed in the same way as general memory.

(6)LSI内部に発生した信号をモニタすることがで
きるため、外部ピンに制約されることなく、高度な利用
法を確立することができる゛。
(6) Since signals generated inside the LSI can be monitored, advanced usage can be established without being restricted by external pins.

第7図は、本発明をシフト・レジスタに応用した例で、
従来技術では難しかったセット・リセット端子のないシ
フト・レジスタにも容易にアクセスすることができると
いうことを示している。第7図について説明するとN−
MOS)ランスファーゲート62、P−MOS)ランス
ファーゲート63、C−、MOSインバータ61で構成
された1ビツトD型ラツチと同様にして構成されるが同
時アクセス・メモリを組み込んだD型ラッチを接続し、
1ビツトのシフト・レジスタを構成している。
FIG. 7 shows an example in which the present invention is applied to a shift register.
This shows that it is possible to easily access shift registers without set/reset terminals, which was difficult with the prior art. To explain Fig. 7, N-
MOS) transfer gate 62, P-MOS) transfer gate 63, C-, and MOS inverter 61 are constructed in the same manner as the 1-bit D-type latch, but the D-type latch incorporates simultaneous access memory. connection,
It constitutes a 1-bit shift register.

図において、104はシフトパルス用端子、1o5はシ
フトパルスの反転用端子、106は内部大刀データ用端
子、1o7は外部式出方データ用端子、108は外部へ
の読出し許可信号用端子、1o9は外部からの書込み許
可信号用端子である。
In the figure, 104 is a terminal for shift pulses, 1o5 is a terminal for inverting shift pulses, 106 is a terminal for internal data, 1o7 is a terminal for external type output data, 108 is a terminal for external read permission signal, and 1o9 is a terminal for external read permission signal. This is a terminal for external write permission signals.

また、今までの例では外部入出力データは、書込み、読
出しを共用していたが、これは別々のものとしても何ら
差しつかえはない。
Furthermore, in the examples so far, external input/output data is shared for writing and reading, but there is no problem in writing and reading them separately.

第8図は、他の構成の同時アクセス・メモリを示シテイ
ル。C−MO8NAND  ゲ−) 110t−第5図
のインバータ61のかわりに用いて、内部でセット端子
112、リセット端子111をもうけている。
FIG. 8 shows another configuration of concurrent access memory. C-MO8NAND Game) 110t-Used in place of the inverter 61 in FIG. 5, and has a set terminal 112 and a reset terminal 111 inside.

第9図は同時アクセス・メモリを用いたLSI診断回路
をRAMに適用したもので、内部で生成しRAMに蓄え
られた情報を外部からリアル・タイムで監視しながら新
しい命令を与えるという高度な信号処理を行う例である
。図の説明を行なうとLSI201内部のプロセッサ2
02により生成され同時アクセス・メモリ203に蓄え
られ信号を外部回路204によりアクセスし、プロセッ
サ202に新しい命令を与えるシステムである。
Figure 9 shows an LSI diagnostic circuit using simultaneous access memory applied to RAM, which uses advanced signals to issue new commands while externally monitoring information generated internally and stored in RAM in real time. This is an example of processing. To explain the diagram, the processor 2 inside the LSI 201
In this system, signals generated by 02 and stored in simultaneous access memory 203 are accessed by external circuit 204 to give new instructions to processor 202.

本発明によれば、LSI内部のフリップ・フロップ等の
論理記憶回路にLSI外部から容易にアクセスすること
ができる。
According to the present invention, logic storage circuits such as flip-flops inside an LSI can be easily accessed from outside the LSI.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は従来技術を説明するためのブロック
図、第3図は第1図を具体的に示した回路図、第4図は
本発明の一実施例を示すブロック図、第5図は本発明の
他の実施例で同時アクセス・メモリを示す回路図、第6
図から第9図は本発明の更に他の実施例を示す回路図で
ある。 l・・・フリップ・フロップ、52・リード・ライト・
デコーダ、53・・・アドレスデコーダ、54゜55・
・・同時アクセスペモリ。 輩 1 閃 13、 第 2 閉 /3 第3目 (l 算 4閉 第5 図 茅6圓 l#′7閉 108/θ9 輩δl 穿91 +” io / O4
1 and 2 are block diagrams for explaining the prior art, FIG. 3 is a circuit diagram specifically showing FIG. 1, and FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. 5 is a circuit diagram showing a simultaneous access memory according to another embodiment of the present invention;
9 to 9 are circuit diagrams showing still other embodiments of the present invention. l...Flip flop, 52 read write
Decoder, 53...Address decoder, 54°55.
...Simultaneous access pemori. 1 sen 13, 2nd closed/3 3rd eye (l calculation 4 closed 5th figure 6 round l #'7 closed 108/θ9 3rd δl pierced 91 +" io / O4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、半導体集積回路中のフリップ・フロップ等の論理記
憶回路において、該論理記憶回路を同時に二基列からの
読み臀きを許すことのできる一時記憶素子を用いて構成
したことを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit comprising a logic memory circuit such as a flip-flop, which is constructed using a temporary memory element that allows reading from two base columns at the same time. Integrated circuit device.
JP56109442A 1981-07-15 1981-07-15 Semiconductor integrated circuit device Pending JPS5812192A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56109442A JPS5812192A (en) 1981-07-15 1981-07-15 Semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

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JP56109442A JPS5812192A (en) 1981-07-15 1981-07-15 Semiconductor integrated circuit device

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JPS5812192A true JPS5812192A (en) 1983-01-24

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ID=14510343

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JP (1) JPS5812192A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60229297A (en) * 1984-04-06 1985-11-14 トムソン‐セーエスエフ テレフオンヌ Reading/writing memory cell and memory
JPH02226583A (en) * 1989-02-23 1990-09-10 Nec Corp Multiple port register cell

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