JPS6111803Y2 - - Google Patents

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JPS6111803Y2
JPS6111803Y2 JP14766984U JP14766984U JPS6111803Y2 JP S6111803 Y2 JPS6111803 Y2 JP S6111803Y2 JP 14766984 U JP14766984 U JP 14766984U JP 14766984 U JP14766984 U JP 14766984U JP S6111803 Y2 JPS6111803 Y2 JP S6111803Y2
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed explanation of the idea]

この考案はメモリー装置に係り、詳しくは異な
る速度で読み出し又は書込みの動作を同時に行な
わせるメモリー装置に関するものである。 従来のメモリー装置では、異なる速度の読み出
し又は書込み動作を行なわせる場合、時間的に直
列に行なわせるか又は高速動作中に低速動作を割
込ませて行なう方法が考えられる。しかし、時間
的に直列に行なう場合には、高速及び低速動作が
間欠的になり、又、高速動作中に低速動作を割込
ませて行なつた場合には、低速動作の期間中、高
速動作が中断又は欠損するという欠点があつた。
例えば、このメモリーとしてTVのフイールドメ
モリーを考え、モニターに表示しながら低速で伝
送する場合を考えると、高速(標準TVレート)
で繰返し読み出しながら、伝送の為に低速の読み
出しを同時に行なわせることになる。この場合に
は、高速データ(モニター信号)中に伝送用の低
速データが混入することになり、ノイズとなる。
もちろん低速のタイミングータは検出可能で、高
速データ中に混入した低速データを0又は1とす
る事はできるが、この場合には、モニター画像と
して黒点又は白点となり、見にくい画像となる。 この考案はこのような点に鑑みてなされたもの
で、高速の読み出しと低速の読み出し又は書込み
を同時に行つても、高速および低速の両データと
も正常なデータが得られるメモリー装置を提供す
ることを目的とする。 第1図は従来のメモリー装置の構成を示す図
で、1はメモリー、2は低速アドレスカウンタ、
3は高速アドレスカウンタ、4は高速アドレスと
低速アドレスを切替える為のアドレスセレクタ、
5は低速データのラツチ回路、6は高速データ用
のラツチ回路、7は低速クロツク入力端子、8は
高速クロツク入力端子、9は低速データ出力端
子、10は高速データ出力端子である。動作は次
の様である。今、入力端子7にのみ低速クロツク
が入力され、入力端子8には高速クロツクが入力
されない場合を考えると、低速クロツクにより低
速アドレスカウンタ2が変化し、そのアドレスが
アドレスセレクタ4で選択され、メモリー1から
低速データが順次読み出され、低速データ用のラ
ツチ回路5によりラツチされ、低速データが出力
端子9に得られる。逆に、入力端子7には低速ク
ロツクが入力されず、入力端子8にのみ高速クロ
ツクが入力された場合には、同様に高速クロツク
により高速アドレスカウンタ3が変化し、そのア
ドレスがアドレスセレクタ4で選択され、メモリ
ー1から高速データが順次読み出され、高速デー
タ用のラツチ回路6によりラツチされ、高速デー
タが出力端子10に得られる。高速動作と低速動
作を同時に行なわせる場合は、入力端子7に低速
クロツク、入力端子8に高速クロツクを同時に入
力する。この場合、低速クロツクが無い期間は上
述の高速動作を行ない、低速クロツクが生じた場
合には、アドレスセレクタ4は低速アドレスカウ
ンタのアドレスを選択し、上述の低速動作にな
る。低速データ出力端子9には、上述の正常な低
速データが得られるが、高速データ出力端子10
に得られる信号は、高速データ中に低速クロツク
時の低速データが混入した信号となる。 第3図にこの様子を示す。同図において、aは
高速クロツク、bは低速クロツクである。一般
に、低速クロツクの周期は高速クロツクの周期の
整数倍とは限らないで、低速クロツクのタイミン
グが高速クロツクのタイミングとは重ならない
が、低速クロツクのタイミングを高速クロツクの
タイミングに合せ直すことは容易であり、第1図
の入力端子7,8には、第3図の如く低速クロツ
クbのタイミングが高速クロツクaのタイミング
と一致したクロツクが入力されるものとする。第
3図cは本来の高速データを示す。即ち、低速ク
ロツクaのみの時は、この様に順次アドレスに応
じたデータが得られる。しかし、第3図の如く高
速クロツク及び低速クロツクを同時に入力し、高
速クロツクn+1のタイミングに低速クロツク
M1が来た場合、メモリー1の出力は低速クロツ
クによるアドレスM1のデータとなり、ラツチ回
路5,6によりラツチされ、第3図に示すように
出力端子10の高速データd及び出力端子9の低
速データe共にアドレスM1の低速用データとな
る。即ち、高速データdの本来n+1の場所に、
低速用データM1が混入する事になる。同様に、
高速クロツクn+k+1のタイミングに低速クロ
ツクM2が来た時も、高速データdの本来n+k
+1の場所に、低速用データM2が混入する。こ
れら高速データ中に混入した低速用データは、高
速データにとつてはノイズとなる。 第2図はこの考案によるメモリー装置の構成を
示す図で、11はデータ遅延選択回路、12は低
速クロツク時に高速クロツク信号をゲートし、高
速アドレスカウンタ3を停止させる為のゲート回
路、13はデータ遅延選択回路11を初期状態に
戻す為のクリアー信号入力端子である。この装置
の動作は概ね次の通りである。今、1動作周期中
に低速クロツクがn回来るものとする。先ず、動
作の開始に先立つて入力端子13にクリア信号を
入力し、データ遅延選択回路11を初期状態(N
ビツト遅延出力、N≧n)にする。クリア信号入
力後、低速クロツクが来るまでは、従来の装置と
同様に高速動作のみを行なう。但し、高速データ
出力端子10に得られる高速データは、従来装置
に比べてNビツト遅延したものとなる。次に、低
速クロツクが来た時には低速動作になるが、この
時ゲート回路12が動作し、高速アドレスカウン
タ3を停止させ、データ遅延選択回路11の遅延
時間を1ビツト早める。例えば、第4図に示す如
く、初期状態(2ビツト遅延出力)から高速クロ
ツクn+1のタイミングに低速クロツクM1が来
たとすると、高速クロツクn+1はゲート回路1
2によりゲートされ、高速アドレスカウンタ3は
nのまま停止される。又、データ遅延選択回路1
1の出力が、同図eの2ビツト遅延出力から、同
図dの1ビツト遅延出力に、2高速クロツク周期
後に切換わる。この時、2ビツト遅延出力には
M1が出力されるが、1ビツト遅延出力にはn+
1が出力されているので、高速データ出力端子1
0には、同図fに示す如く、n、n+1と連続し
た高速データが得られる。すなわち、上記M1
除去される。次に、高速クロツクn+k+1のタ
イミングに低速クロツクM2が来た時も同様に、
高速クロツクn+k+1はゲート回路12でゲー
トされ、高速アドレスカウンタ3はn+kに停止
され、データ遅延選択回路11の出力は、同図d
の1ビツト遅延出力から同図cの遅延無しの出力
に、1高速クロツク周期後切換わり、高速クロツ
クn+k、n+k+1付近も同図fの如く連続し
た高速データが得られる。 こうして1動作周期の動作が終ればデータ遅延
選択回路11は初期状態にリセツトされ、新ため
て同様の動作を次の周期動作で行なう。例えばこ
の考案をCRTに適用した場合には一水平走査毎
にリセツするようにすれば、その走査期間中に低
速クロツクが来る回数は1〜2回と極めて少な
く、したがつて不要データの発生も少ないのでデ
ータ遅延選択回路を構成するシフトレジスタのビ
ツト数も少なくてすむ。 この様に、この考案による装置では、低速動作
と高速動作を同時に行なわせても、低速出力デー
タはもちろん高速データも全体にNビツト遅延し
ただけの連続した正常なデータが得られる。 第5図はこの考案の構成要素であるデータ遅延
選択回路11の構成を示す図で、14はNビツト
シフトレジスタ、15はNビツトシフトレジスタ
14の入出力信号(0〜Nビツト遅延出力)のい
ずれかを選択するデータセレクタ、16はタイミ
ングカウンタである。タイミングカウンタ16
は、入力端子13からのクリア信号により出力が
Nとなり、クリア信号後の低速クロツクにより、
その出力が表1に示す如く、低速クロツクのタイ
ミングから或る高速クロツク周期遅れてN−1,
N−2,……0となるもので、このタイミングカ
ウンタ16の出力でデータセレクタ15を動作さ
せ上述の遅延出力の切換えを行なう。
This invention relates to a memory device, and more particularly to a memory device that allows read or write operations to be performed simultaneously at different speeds. In conventional memory devices, when performing read or write operations at different speeds, it is possible to perform them serially in time or to interrupt a high speed operation with a low speed operation. However, if they are performed serially in time, the high-speed and low-speed operations will be intermittent, and if the low-speed operation is interrupted during the high-speed operation, the high-speed operation will occur during the period of the low-speed operation. The problem was that the system was interrupted or lost.
For example, if we consider the field memory of a TV as this memory and transmit it at low speed while displaying it on the monitor, we can use the high-speed (standard TV rate)
While repeatedly reading data, low-speed reading is simultaneously performed for transmission. In this case, low-speed data for transmission will be mixed into the high-speed data (monitor signal), resulting in noise.
Of course, a low-speed timing meter can be detected, and the low-speed data mixed in with the high-speed data can be set to 0 or 1, but in this case, the monitor image becomes a black dot or a white dot, making the image difficult to see. This idea was made in view of these points, and aims to provide a memory device that can obtain normal data for both high-speed and low-speed data even when high-speed reading and low-speed reading or writing are performed at the same time. purpose. Figure 1 is a diagram showing the configuration of a conventional memory device, where 1 is a memory, 2 is a low-speed address counter,
3 is a high-speed address counter, 4 is an address selector for switching between high-speed and low-speed addresses,
5 is a latch circuit for low-speed data, 6 is a latch circuit for high-speed data, 7 is a low-speed clock input terminal, 8 is a high-speed clock input terminal, 9 is a low-speed data output terminal, and 10 is a high-speed data output terminal. The operation is as follows. Now, if we consider the case where a low-speed clock is input only to input terminal 7 and no high-speed clock is input to input terminal 8, the low-speed address counter 2 changes due to the low-speed clock, the address is selected by address selector 4, and the memory Low speed data is sequentially read out from 1 and latched by the latch circuit 5 for low speed data, and the low speed data is obtained at the output terminal 9. Conversely, if the low-speed clock is not input to the input terminal 7 and the high-speed clock is input only to the input terminal 8, the high-speed address counter 3 will similarly change due to the high-speed clock, and the address will be changed by the address selector 4. The selected high-speed data are sequentially read out from the memory 1, latched by the high-speed data latch circuit 6, and the high-speed data is obtained at the output terminal 10. When high-speed operation and low-speed operation are to be performed simultaneously, a low-speed clock is input to input terminal 7, and a high-speed clock is input to input terminal 8 at the same time. In this case, the above-mentioned high-speed operation is performed during the period when there is no low-speed clock, and when a low-speed clock occurs, the address selector 4 selects the address of the low-speed address counter, and the above-mentioned low-speed operation is performed. The above-mentioned normal low-speed data can be obtained from the low-speed data output terminal 9, but the high-speed data output terminal 10
The signal obtained at this time is a signal in which low-speed data from a low-speed clock is mixed into high-speed data. Figure 3 shows this situation. In the figure, a is a high speed clock and b is a low speed clock. In general, the period of the slow clock is not necessarily an integer multiple of the period of the fast clock, and the timing of the slow clock does not overlap with the timing of the fast clock, but it is easy to reset the timing of the slow clock to the timing of the fast clock. Assume that the input terminals 7 and 8 in FIG. 1 are supplied with a clock in which the timing of the low-speed clock b matches the timing of the high-speed clock a, as shown in FIG. 3. Figure 3c shows the original high speed data. That is, when only the low speed clock a is used, data corresponding to the addresses can be obtained sequentially in this way. However, as shown in Figure 3, the high speed clock and low speed clock are input at the same time, and the low speed clock is input at the timing of high speed clock n+1.
When M 1 arrives, the output of memory 1 becomes data at address M 1 by the low-speed clock, which is latched by latch circuits 5 and 6, and the high-speed data d at output terminal 10 and the data at output terminal 9 as shown in FIG. Both low-speed data e become low-speed data at address M1 . That is, at the original location n+1 of high-speed data d,
Low speed data M1 will be mixed in. Similarly,
Even when low-speed clock M2 comes at the timing of high-speed clock n+k+1, the original n+k of high-speed data d
Low-speed data M 2 is mixed into the +1 location. The low-speed data mixed into the high-speed data becomes noise for the high-speed data. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a memory device according to this invention, in which 11 is a data delay selection circuit, 12 is a gate circuit for gating a high-speed clock signal during low-speed clock and stopping the high-speed address counter 3, and 13 is a data delay selection circuit. This is a clear signal input terminal for returning the delay selection circuit 11 to its initial state. The operation of this device is generally as follows. Now, it is assumed that the low-speed clock comes n times during one operation cycle. First, before starting the operation, a clear signal is input to the input terminal 13, and the data delay selection circuit 11 is set to the initial state (N
Bit delay output, N≧n). After inputting the clear signal, only high-speed operation is performed as in the conventional device until a low-speed clock arrives. However, the high-speed data obtained at the high-speed data output terminal 10 is delayed by N bits compared to the conventional device. Next, when a low-speed clock arrives, low-speed operation occurs, but at this time the gate circuit 12 operates, stops the high-speed address counter 3, and advances the delay time of the data delay selection circuit 11 by one bit. For example, as shown in FIG. 4, if the low-speed clock M1 arrives at the timing of the high-speed clock n+ 1 from the initial state (2-bit delayed output), the high-speed clock n+1 will be output from the gate circuit 1.
2, and the high speed address counter 3 is stopped at n. In addition, the data delay selection circuit 1
The output of 1 switches from the 2-bit delayed output shown in FIG. 3(e) to the 1-bit delayed output shown in FIG. At this time, the 2-bit delay output has
M1 is output, but n+ is output as 1-bit delay output.
1 is output, so high-speed data output terminal 1
0, continuous high-speed data of n and n+1 is obtained as shown in FIG. That is, the above M1 is removed. Next, when the low speed clock M2 comes at the timing of the high speed clock n+k+1, similarly,
The high speed clock n+k+1 is gated by the gate circuit 12, the high speed address counter 3 is stopped at n+k, and the output of the data delay selection circuit 11 is as shown in FIG.
After one high-speed clock cycle, the 1-bit delayed output shown in FIG. When the operation of one operation cycle is thus completed, the data delay selection circuit 11 is reset to the initial state, and the same operation is performed again in the next cycle. For example, when this idea is applied to a CRT, if it is reset every horizontal scan, the number of low-speed clocks that occur during that scan period will be extremely small, 1 to 2 times, and therefore unnecessary data will not be generated. Since the number of bits is small, the number of bits of the shift register constituting the data delay selection circuit can also be small. In this way, in the device according to this invention, even if low-speed and high-speed operations are performed simultaneously, continuous normal data with a total delay of N bits can be obtained from the low-speed output data as well as the high-speed data. FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the data delay selection circuit 11, which is a component of this invention, where 14 is an N-bit shift register, and 15 is an input/output signal of the N-bit shift register 14 (0 to N-bit delayed output). A data selector 16 is a timing counter for selecting one of them. timing counter 16
The output becomes N due to the clear signal from the input terminal 13, and the low-speed clock after the clear signal causes the output to become N.
As shown in Table 1, the output is delayed by a certain high-speed clock period from the low-speed clock timing by N-1,
N-2, . . . 0, and the output of the timing counter 16 operates the data selector 15 to switch the delay output as described above.

【表】【table】

【表】 第6図はタイミングカウンタ16の1具体的構
成例を示す図で、17は減算カウンタ、18及び
19はM進(M≧N)加算カウンタである。この
タイミングカウンタ16は、入力端子13からク
リア信号により、減算カウンタ17がNにロード
され、又、加算カウンタ19は、入力端子7から
の低速クロツクにより、加算カウンタ19の出力
がロードされ、入力端子8からの高速クロツクに
より加算してキヤリー信号を出し、減算カウンタ
17のクロツク信号として与える。この加算カウ
ンタ18にロードされる加算カウンタ19の出力
は、クリアー信号後の低速クロツク数により変化
するから、加算カウンタ18のキヤリー信号が低
速クロツクから遅れて出る時間は、高速クロツク
周期N〜1に変化する。即ち、タイミングカウン
タ16の出力(減算カウンタ17の出力)は、表
1の如く変化する。 上記の説明では、1動作周期中の低速クロツク
数n=Nとしたが、nNであれば同一装置で何
ら支障なく動作するのは明らかである。 以上述べたように、この考案によるメモリー装
置によれば、高速の読み出しと低速の読み出し又
は書込みを同時に行なわせても、高速及び低速の
両データとも正常なデータが得られ、その効果は
大である。
[Table] FIG. 6 is a diagram showing one specific example of the configuration of the timing counter 16, in which 17 is a subtraction counter, and 18 and 19 are M-adic (M≧N) addition counters. In this timing counter 16, the subtraction counter 17 is loaded to N by a clear signal from the input terminal 13, and the addition counter 19 is loaded with the output of the addition counter 19 by the low-speed clock from the input terminal 7, and the output of the addition counter 19 is loaded by the input terminal 7. 8 and outputs a carry signal, which is applied as a clock signal to the subtraction counter 17. Since the output of the addition counter 19 loaded into the addition counter 18 changes depending on the number of low-speed clocks after the clear signal, the time when the carry signal of the addition counter 18 is delayed from the low-speed clock is within the high-speed clock period N~1. Change. That is, the output of the timing counter 16 (output of the subtraction counter 17) changes as shown in Table 1. In the above description, the number of low-speed clocks in one operating cycle was assumed to be n=N, but it is clear that the same device can operate without any problem if it is nN. As mentioned above, according to the memory device according to this invention, even if high-speed reading and low-speed reading or writing are performed simultaneously, normal data can be obtained for both high-speed and low-speed data, and the effect is great. be.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は高速・低速動作を行なわせるメモリー
装置を示すブロツク図、第2図はこの考案による
メモリー装置の一実施例を示すブロツク図、第3
図は従来のメモリー装置の動作を説明するための
説明図、第4図はこの考案によるメモリー装置の
動作を説明する為の説明図、第5図はこの考案に
よるメモリー装置の構成要素であるデータ遅延選
択回路の一例を示すブロツク図、第6図はデータ
遅延選択回路の要素であるタイミングカウンタの
一例を示すブロツク図である。 図において、1はメモリー、2は低速アドレス
カウンタ、3は高速アドレスカウンタ、4はアド
レスセレクタ、5及び6はラツチ回路、7,8及
13は入力端子、9及び10は出力端子、11は
データ遅延選択回路、12はゲート回路、14は
シフトレジスタ、15はデータセレクタ、16は
タイミングカウンタ、17は減算カウンタ、18
及び19は加算カウンタである。なお、図中同一
符号はそれぞれ同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing a memory device that performs high-speed and low-speed operations, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the memory device according to this invention, and FIG.
The figure is an explanatory diagram for explaining the operation of a conventional memory device, FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the operation of the memory device according to this invention, and FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the operation of the memory device according to this invention. FIG. 6 is a block diagram showing an example of a delay selection circuit. FIG. 6 is a block diagram showing an example of a timing counter which is an element of the data delay selection circuit. In the figure, 1 is a memory, 2 is a low-speed address counter, 3 is a high-speed address counter, 4 is an address selector, 5 and 6 are latch circuits, 7, 8 and 13 are input terminals, 9 and 10 are output terminals, and 11 is data Delay selection circuit, 12 is a gate circuit, 14 is a shift register, 15 is a data selector, 16 is a timing counter, 17 is a subtraction counter, 18
and 19 are addition counters. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 低速クロツクをカウントする低速アドレスカウ
ンタと、高速クロツクをカウントする高速アドレ
スカウンタと、これら両アドレスカウンタにアク
セスされるメモリーと、上記低速クロツク時に上
記高速クロツクをゲートし上記高速アドレスカウ
ンタを停止するゲート回路と、上記メモリー出力
を上記低速クロツクでラツチする第1のラツチ回
路と、上記メモリー出力を上記高速クロツクでラ
ツチする第2のラツチ回路と、この第2のラツチ
回路の出力を初期状態でNビツト遅延し、上記低
速クロツク時に遅延時間を高速クロツク数中の低
速クロツク数nに応じて(N−n)ビツトと短く
して、上記第2のラツチ回路の出力を遅延するデ
ータ遅延選択回路とを備えたメモリー装置。
A low-speed address counter that counts low-speed clocks, a high-speed address counter that counts high-speed clocks, a memory accessed by both address counters, and a gate circuit that gates the high-speed clock and stops the high-speed address counter when the low-speed clock is active. , a first latch circuit that latches the memory output with the low-speed clock, a second latch circuit that latches the memory output with the high-speed clock, and the output of the second latch circuit is set to N bits in the initial state. a data delay selection circuit which delays the output of the second latch circuit by shortening the delay time to (N-n) bits according to the number n of low-speed clocks in the number of high-speed clocks at the time of the low-speed clock; Memory device with.
JP14766984U 1984-09-27 1984-09-27 memory device Granted JPS60100851U (en)

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