JPS58121801A - 低周波高出力の寄生インパルスから同軸ケーブルを保護するフィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低周波数高出力の寄生インノ噌ルスから同軸ケ
ーブルを保護するための装置に係る。このような寄生イ
ンパルスとしては、同軸ケーブルの使用周波数が約３０
メガヘルツ乃至数イガヘルツの間に含まれ得るのに対し
数ヘルツ乃至数メガヘルツの周波数を持つ妨害効果によ
って生じる放電などが主に挙げられる。

四分の一波長線路のインピーダンス変換による一波の原
理に基づ＜　ｒ　Ｔ装置（Ｔ・）」又は同軸線トラップ
を用いて使用信号の通過を促進させ且つ寄生信号を抑止
する方法はフランス特許７３４５２０４号で既に公知で
ある。

実際、四分の一波長線路は一端が短絡されているか又は
開路されていると、他端に夫々無限インピーダンスか或
いはゼロインピーダンスかも九らされる。同軸縁を用い
る従来の装置の一具体例をＭ１図に示したが、この具１
体例では使用信号の入力及び出力用の２つの同軸プラグ
（ｆｉａｈ＠ｓ　ｃｏａｘｌｃｌｍｌｍ）がＴ装置上に
配置されてお）、諌Ｔ装置の横断アームと各側方アーム
とが使用周波数の波長の＋の長さを有している。横断ア
ームの先端ではＴ装置の外装と中央導体との間の短絡３
により、中央導体及び外装間のＴ装置中心部４に使用周
波数の無限インピーダンスと妨害周ｒｊＩ数の信号に対
する実質的にゼΩのインピーダンスとが４たらされる。

更に、使用周波数における全長部分の一波長を持つＴｉ
装側方アームが２つの同軸プラグ１及び２を互に接続す
る。

しかし乍ら、銅の如き剛質の伝導性金属で形成された先
行技術のＴ装置及びトラップは、機構上の最大寸法が部
分の一波長であるため、重くて大きい。

本発明の装置にはこの欠点がない。実際、本発さい寸法
を有し乍ら、出力の大きい寄生インパルスに対する効果
的な保護を実現せしめる。

本発明の対象は低周波数高出力の寄生インパルスから同
軸ケーブルを保護するための装置である。

該装置は四分の一波長送電線を有しておシ、装置全体の
大きさを縮小すべくこれら送電線が折曲しｆｉマイクロ
バンド（ｍｉｃｒｏｂａｎｄ＠ｒ＠ｐＨｊ＊）で形成さ
れていること奢ｔｆ＃甑とする。

本発明の一特色によれに、使用信号の入力及び出力に用
いられる２つの同軸ブラダと、使用信号周波数における
波長の＋の長さを形成する側方アーム及び横断アームか
ら成るＴ装置とを備え九前述の装置は、中実プレー）　
（ｐｌａｑｕ＠ｄ・ｒｒｍ關・）に固定されている饅電
性基質上に配置された前記の伝導マイクロバンドが２つ
の側方アーふと１つの横断アームとを有していてこれら
アームがＥ状に折曲しておシ、側方アームは前記中実プ
レートにに接続されるよう各が折−してお）、横断アー
ム即ちＥの中央の水平Ａ−は前記中央プレートに接続さ
れるよう前記基質上で折曲していることを特′黴とする
。

本発明の別の特色によれば、使用信号の入力及び出力用
同軸プラダと、これら同軸プラダの中央導体を接続する
回路のカットオフ（ａｏｕｐｕｒ・）に接続されている
使用周波数四分の一鋏長送電線で構成されたトラップと
を備えた前記義置紘、２つの折曲マイクロバンドが第１
及び第３誘電基質問とこれら誘電基質の外側を夫々被覆
する第１中実プレート及び第２中夷プレート閾とに夫々
配置されておシ、前記の同軸プラダの外被がこれら中実
プレートの少くとも一方に線銃されてお・シ、前記プラ
グが２つのマイク四パンＦＫ面した２つの部分を挾んで
互にほぼ対称的に配置されておシ、これら２つの部分が
四分の一波長に尋しい長さを事しており、各マイクロバ
ンドの折一部が同軸プラグの各中央導体に夫々接続され
ていることを特徴とする。

本発明の更に別の特色によれば、前記の中実プレート及
び／又嬬マイクロバンドはシルクスクリーン印刷による
付着か又は化学的腐食、吹付けによるめっき或いは電着
などによって形成される。

前記の基質が荷電或いは非荷電ポリマー（例えばポＩ！
マーガラス）、七りィックス（例えばアルンナ、酸化ベ
リリウム、二酸化チタン）、エナメル等々から選択され
た誘電材料で構成されていることも本発明の特色である
。

以下添付図画に基づき本発明の実施具体例を説明するが
、これら具体例は単に本発明をよシ嵐く理解するための
ものであって、本発明を制約テるものではない。

第２図には−やて′高い周波数即ち超高周波数の便用信
号の入力及び出力に使用される２らの同軸プラグ１及び
２が示されている。該装置即ち四分の一波長Ｔ装置は、
例えば低周波数高出力の電磁イン、Ｑルスなどによって
生じる寄生信号を除外すべく機能する。該Ｔ装置は伝導
マイクロバンド５を備えているが、鋏！イクロパン「は
シルクスクリーン印刷により付着され良伝導性インキで
あるかもしくは化学的腐食によって形状が与えられた伝
導性金属であってよい。

該マイクロバンド６は誘電性基質６の一方の面上に配置
されてお夛、咳基質６０対向面に杜中夷プレート７がこ
の面を全体的に被覆するよう配置されている。咳プレー
ト７は！イクロノ臂ンド器と同様の方法で形成されてい
る。

同軸プラグ１及び２の外被１１及び２１は溶着などによ
〕中央プレート７に同定されている。またこれらプラグ
の中央導体１２及び２２ＢＥ状マイクロバンド５のＥの
下方及び上方水平部に夫々接続されている。Ｔ装置のト
ップムと中央導体１２又は２２との間の距離はλ、／４
に等しい。一方Ｅの中央水平パーは基質６の側面上の点
ＢＫ向かつて伸長し折曲して中実プレー）７に接続され
ている。Ａ１間の距離もλｇ／４に等しい、指向性電波
の波長λ、は次の関係式 ％式％ に基づき、真空内での波長λ。から求められる。

従って、Ｅ状に曲げられた！イクロΔン「と誘電率の高
い基質とを使用すれば装置の寸法が公知の先行技術Ｔ装
置に比べて大幅に縮小される。マイクロバンドの特性イ
ンピーダンスＦｉ、腋バンドの幅に依存し、この幅を適
切に決定すれば、ファラデー遮蔽かとを形成する金属目
障内に収納され得る諌装置の通過周波帝な拡大すること
ができる。

第３図には２つの同軸プレ〆１及び２間に配置された四
分の一波長トラップの一具体例が示されている。第２図
の場合と同一の材料で形成されていてよい３つの誘電性
基質６１．６２．６３は２つの中央プレート７１及び７
２間に積重されている。２つのマイクルパン）′５１及
び５２社基質６１及び６２間と基質６２及び６３間とで
、基質６１及び６３上もしくは基質６２０２つの対向面
上に夫々配置されている。めっきは第２ＥＣ）８合と同
様の方法で実施しである。ｉイク冒パｙ「５１及び５２
は同軸ブラダ１及び２０中央導体１２及び２２に夫々接
続されている。点ＣＣ＊路端）と、マイクロバンドが中
央導体１１及び１２方向へ互に逆に折曲している点りと
で示されているマイクロバンド５１及び５２の画先端間
ではこれらマイクロバンドに面した部分が指向性電波の
四分の一波長に等しい部分を構成している。Ｄ部分は開
路Ｃによシ使用周波数のゼロインビーダン１回路と連続
的な又線周波数がよ）低い信号のト２ツゾとの機能を果
たす。

本発明の保護装置はマイクロノセンド共振回路の分野に
属する。

ｔｓ１図は先行技術による同軸状Ｔ装置の電気的簡略図
、第２図は本発明によるＴ装置の一具体例を示す簡略斜
視図、第３図は本発明の四分の一波長ト２ツブの簡略説
明図である。

１．２　・・・・・・・・・・・・・・・・・・同軸ブ
ラダ、５．５１．５２　・・・・・・・・・・・・・・
・伝導マイクロバンド、６、６１．６２．６３・・・・
・・・・・誘電性基質、フ、７１．７２・・・・・・・
・・・・・・・・中実プレート、１１．２１　　・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ブラダ外被、１２．２
２　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・中央導体
。

代理人ｔｅａ士今　　村　　　元

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　四分の一波長送電線を有するインピーダンス
   変成器を備えておシ、該送電線がマイクロバンドで形成
   されていて少くとも一部分がλ／４Ｃ）奇数倍の長さを
   有しておシ、この部分が装置を小型化すべく同一平面上
   で折曲していることを４１黴とすヌ、）浦波高出力の！
   生インピーダンスから同軸クープルを装置する装置。
2. （２）　　便用信号の入力及び出力用同一ブラダと、使
   用信号局波数の波長の四分の−を形成する側方プーム及
   び横断アームを持つＴ装置とを備えてお）、中実プレー
   トに固定されている誘電性基質上に配置された前記伝導
   マイクロバンドが２つの側方アームと１つの横断アーム
   とを有しておシ、これらアームｔｉＥ状に折曲していて
   各側方アームが前記中実プレートに接続された外被を持
   つ前記同軸ブラダの中央導体に接続されるよう折曲して
   おシ、横断アーム即ちＥの中央水平パーが前記中実プレ
   ー）Ｋ接続されるよう基質上で折曲していることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。
3. （３）便用信号の入力及び出力用同軸ブラダと、これら
   プラグの中央導体を接続する回路のカットオフに接続さ
   れた使用信号周波数四分の一波長電送線で構成されたド
   ラツブとを備えておシ、２つＯ折１ｌｌ−ｒイクロパン
   ドが第１及び第３Ｉｌ電性基質問と、これら基質ＯＩＳ
   ＠を夫々被覆している第１及び第２中央プレート間とに
   夫々配置されておシ、前記同軸ブラダの外被がこれら中
   央プレートの少くとも一方に接続されてお夛。 前記同軸プラグが２つのマイクロバンドに面した２つの
   部分を挾んで互にほぼ対称的に配置されてお９、これら
   ２つの部分が四分の一波長に等しい長さを有しており、
   各マイクロバンドの折曲部が前記同軸ブラダの各中央導
   体に夫々接続されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の装置。
4. （４）前記中実プレート及び／又はマイクロバンドがシ
   ルクスクリーン印刷による付着により形成されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１Ｊ又は第３項に記載
   の装置。
5. （５）前記中実プレート及び／又はマイクロバンドが化
   学的腐食、電着、及び／又紘吹付けによるメッキによっ
   て形成されていることを特徴とする％Ｉｌｆ請求の範囲
   第２項又は第３項に記載の装置。 （１＋）　　前記の基質が荷電又は非荷電ポリマー、セ
   ラ、ミックス、エナメルから選択された誘電性材料で形
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項乃
   至第５項のいずれかに記載の装置。