JPS58119809A - 樹脂タブレツトの加熱方法 - Google Patents
樹脂タブレツトの加熱方法Info
- Publication number
- JPS58119809A JPS58119809A JP395482A JP395482A JPS58119809A JP S58119809 A JPS58119809 A JP S58119809A JP 395482 A JP395482 A JP 395482A JP 395482 A JP395482 A JP 395482A JP S58119809 A JPS58119809 A JP S58119809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- resin
- magnetron
- resin tablet
- anode current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
- B29B13/00—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped
- B29B13/02—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped by heating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の樹脂モールド用の樹脂タブレット
の加熱方法の改良に関するものである。
の加熱方法の改良に関するものである。
一般に半導体装置は例えば放熱板に半導体素子を固定す
ると共に、それの電極と一端が半導体素子の近傍に位置
するように配設されたリードとを金属細線にて接続し、
かつ半導体素子を含む主要部分を樹脂材にてモールド被
覆して構成されている。
ると共に、それの電極と一端が半導体素子の近傍に位置
するように配設されたリードとを金属細線にて接続し、
かつ半導体素子を含む主要部分を樹脂材にてモールド被
覆して構成されている。
この半導体装置の樹脂材によるモールド被Ｗ１は例えば
次のようにし１行われている。即ち、まず上部金型及び
下部金型にて構成された樹脂モールド装置にお叶るキャ
ピテイ部に半導体装置をセットすると共に、上部金型上
よりポット部に予熱状態の樹脂タブレットを収納する。
次のようにし１行われている。即ち、まず上部金型及び
下部金型にて構成された樹脂モールド装置にお叶るキャ
ピテイ部に半導体装置をセットすると共に、上部金型上
よりポット部に予熱状態の樹脂タブレットを収納する。
そして、一定時間後、プランジャーｆて樹脂タブレット
を加圧すると、樹脂モールド装置がらの伝樺熱によって
溶融状ＰＪｌになった樹脂材はランナ一部、ゲート部を
介してキャビティ部に注入される。そして、樹脂材の硬
化後、半導体装置を樹脂モールド装置より取り出すこと
によって樹脂モールドを完Ｔする。
を加圧すると、樹脂モールド装置がらの伝樺熱によって
溶融状ＰＪｌになった樹脂材はランナ一部、ゲート部を
介してキャビティ部に注入される。そして、樹脂材の硬
化後、半導体装置を樹脂モールド装置より取り出すこと
によって樹脂モールドを完Ｔする。
ところで、樹脂タブレットはポットに収納するに先立っ
て例えば８０℃程度に予熱されているのであるゝが、こ
れは樹脂タブレットのポットへの収納後、短時間で能率
的に樹脂モールド作業を行えるようにするためである。
て例えば８０℃程度に予熱されているのであるゝが、こ
れは樹脂タブレットのポットへの収納後、短時間で能率
的に樹脂モールド作業を行えるようにするためである。
従つ１、従来においては樹脂タブレットはマグネトロン
を用いた高周波加熱装置にて一定時間加熱することによ
って予備的な加熱が行われているのであるが、そｎの加
熱温度は加熱時間にて管理されてψる関係で、一定時間
加熱後における樹脂タブレットの温度にかなりのバラツ
キが認められ、この温度バラツキを小さくすることは困
難と考えられている。
を用いた高周波加熱装置にて一定時間加熱することによ
って予備的な加熱が行われているのであるが、そｎの加
熱温度は加熱時間にて管理されてψる関係で、一定時間
加熱後における樹脂タブレットの温度にかなりのバラツ
キが認められ、この温度バラツキを小さくすることは困
難と考えられている。
このような温度バラツキの原因としては０〜５℃に低温
保存された樹脂タブレットを室温に戻した際の吸湿状態
のバラツキによると考えられる。
保存された樹脂タブレットを室温に戻した際の吸湿状態
のバラツキによると考えられる。
このために、高周波加熱する際の吸湿率の高いものは一
定時間加熱後における樹脂タブレットの温度も規定温度
よりも低くなる。
定時間加熱後における樹脂タブレットの温度も規定温度
よりも低くなる。
従って、このように予熱温度の異なる樹脂タブレットを
ポットに収納した場合、樹脂タブレットの、樹脂モール
ド装置からの伝導熱によって溶融状態となる時間も異な
るために、プランジャーによる樹脂タブレットの加圧時
期が画一的に設定されている現状の樹脂モールド装置で
は樹脂材のキャビティ部への注入に少なからず影響があ
る。
ポットに収納した場合、樹脂タブレットの、樹脂モール
ド装置からの伝導熱によって溶融状態となる時間も異な
るために、プランジャーによる樹脂タブレットの加圧時
期が画一的に設定されている現状の樹脂モールド装置で
は樹脂材のキャビティ部への注入に少なからず影響があ
る。
例えば樹脂タブレットが規定温度以上に予熱されている
場合にはポット内において早い時期に溶融状態となるた
めに、キャビティ部への注入段階において樹脂材が既に
硬化反応を開始しており、キャビティ部への注入が不確
実になる０又、予熱温度が規定温度よりかなり低い場合
にはポット内で溶融状態になる途中段階からプランジャ
ーによる加圧操作が開始され、樹脂材が充分にキャビテ
ィ部に注入されないうちに加圧操作が完了してしまうた
めに、上述の場合と同様に注入が不確実となり、未注入
不良が発生するという問題がある。
場合にはポット内において早い時期に溶融状態となるた
めに、キャビティ部への注入段階において樹脂材が既に
硬化反応を開始しており、キャビティ部への注入が不確
実になる０又、予熱温度が規定温度よりかなり低い場合
にはポット内で溶融状態になる途中段階からプランジャ
ーによる加圧操作が開始され、樹脂材が充分にキャビテ
ィ部に注入されないうちに加圧操作が完了してしまうた
めに、上述の場合と同様に注入が不確実となり、未注入
不良が発生するという問題がある。
それ故に、樹脂タブレットの予熱温度は品質の安定した
樹脂モールド製品を得る上で極めて重要であり、そのよ
うな温度管理を簡単かつ確実に行うことのできる加熱方
法が望まれている。
樹脂モールド製品を得る上で極めて重要であり、そのよ
うな温度管理を簡単かつ確実に行うことのできる加熱方
法が望まれている。
本発明はこのような点に鑑み、マグネトロンの陽極電流
が比誘電率の小さい被加熱物はど変化し易いことに着目
し、樹脂タブレットの高周波加熱装置による予備的な加
熱温度を簡単かつ確実に一定にできる樹脂タブレットの
加熱方法を提供するもので、以下実施例について説明す
る。
が比誘電率の小さい被加熱物はど変化し易いことに着目
し、樹脂タブレットの高周波加熱装置による予備的な加
熱温度を簡単かつ確実に一定にできる樹脂タブレットの
加熱方法を提供するもので、以下実施例について説明す
る。
図において、１は電源トランスであって、それの−次コ
イル１ａにはスイッチを介して交流電源２が接続されて
いる。そして、二次コイルｌｂにはコンデンサ３．ダイ
オード４の直列回路が接続されており、ダイオード４に
マグネトロン５が電流検出装置６を介して並列接続され
ている。このマグネトロン５のフィラメントコイルには
フィラメント加熱コイルとしての三次コイルＩＣが接続
されている。一方、マグネトロン５はその発振出力が加
熱室７に供給さｎるように配設されている。
イル１ａにはスイッチを介して交流電源２が接続されて
いる。そして、二次コイルｌｂにはコンデンサ３．ダイ
オード４の直列回路が接続されており、ダイオード４に
マグネトロン５が電流検出装置６を介して並列接続され
ている。このマグネトロン５のフィラメントコイルには
フィラメント加熱コイルとしての三次コイルＩＣが接続
されている。一方、マグネトロン５はその発振出力が加
熱室７に供給さｎるように配設されている。
加熱室７の蓋８は電流検出装置６の検出信号に基 ′い
て自動的に開放されるよ％に構成されている。
て自動的に開放されるよ％に構成されている。
尚、蓋８の開放に先立ってマグネトロン５の発振動作は
事前に停止される。９は熱硬化性の樹脂材よりなる樹脂
タブレットである。
事前に停止される。９は熱硬化性の樹脂材よりなる樹脂
タブレットである。
次に樹脂タブレット９の予熱方法について説明する。ま
ず、樹脂タブレット９を加熱室７に収納し蓋８を閉塞す
る。次に、電源スィッチを閉成すると、交流電源２が電
源トランス１に接続され、二次コイル１ｂに高電圧が誘
起される。そして、 ５− マグネトロン５の陽極−陰極間にはコンデンサ３１ダイ
オード４によって倍電圧整流さｎた直流高電圧力印加さ
れると同時に、フィラメントコイルはフィラメント加熱
コイルｌｃからの電力供給によって加熱される。これに
よって、マグネトロン５は発振動作を開始し、樹脂タブ
レット９は高周波加熱され始める。尚、この際、マグネ
トロン５の陽極電流はエポキシ樹脂に１６０φ×３０ｎ
の大きさに成形した樹脂タブレットを４個用いた場合Ｓ
２Ａである。そして、樹脂タブレット９の予備的な加熱
の末期になると、それの比誘電率が小さいこともあって
、加熱室７に放射された高周波が樹脂タブレット９に充
分に吸収されずに反射されて再びマグネトロン５に戻っ
てくるいわゆるランナウェイ現象によってフィラメント
コイルが一層加熱される。このために、マグネトロン５
の陽極電流は極端に増加する。例えばＬ述のエポキシ樹
脂を用いたものでは５Ａにも増加する。この際の陽極電
流は樹脂タブレット９の温度に対応するものであるから
、電流検出装置６にてこの電流を検出し、 ６− この検出信号に基いて電源スィッチを開放すると共に、
加熱室７の蓋８を図示点線のように開放することにより
予備的な加熱を完了する。
ず、樹脂タブレット９を加熱室７に収納し蓋８を閉塞す
る。次に、電源スィッチを閉成すると、交流電源２が電
源トランス１に接続され、二次コイル１ｂに高電圧が誘
起される。そして、 ５− マグネトロン５の陽極−陰極間にはコンデンサ３１ダイ
オード４によって倍電圧整流さｎた直流高電圧力印加さ
れると同時に、フィラメントコイルはフィラメント加熱
コイルｌｃからの電力供給によって加熱される。これに
よって、マグネトロン５は発振動作を開始し、樹脂タブ
レット９は高周波加熱され始める。尚、この際、マグネ
トロン５の陽極電流はエポキシ樹脂に１６０φ×３０ｎ
の大きさに成形した樹脂タブレットを４個用いた場合Ｓ
２Ａである。そして、樹脂タブレット９の予備的な加熱
の末期になると、それの比誘電率が小さいこともあって
、加熱室７に放射された高周波が樹脂タブレット９に充
分に吸収されずに反射されて再びマグネトロン５に戻っ
てくるいわゆるランナウェイ現象によってフィラメント
コイルが一層加熱される。このために、マグネトロン５
の陽極電流は極端に増加する。例えばＬ述のエポキシ樹
脂を用いたものでは５Ａにも増加する。この際の陽極電
流は樹脂タブレット９の温度に対応するものであるから
、電流検出装置６にてこの電流を検出し、 ６− この検出信号に基いて電源スィッチを開放すると共に、
加熱室７の蓋８を図示点線のように開放することにより
予備的な加熱を完了する。
このようにマグネトロン５の陽極電流は樹脂タブレット
９の加熱温度に対応するから、電流検出装置６にて樹脂
タブレット９の所望湿度に対応する陽極電流を検出し、
その検出信号に基い１加熱操作を停止させることにより
、樹脂タブレット９の予熱温度を加熱時の吸湿状態に関
係なく常に一定に管理できる。従って、樹脂モールド操
作上における樹脂材のキャビティ部への未注入不良を皆
無にできる。
９の加熱温度に対応するから、電流検出装置６にて樹脂
タブレット９の所望湿度に対応する陽極電流を検出し、
その検出信号に基い１加熱操作を停止させることにより
、樹脂タブレット９の予熱温度を加熱時の吸湿状態に関
係なく常に一定に管理できる。従って、樹脂モールド操
作上における樹脂材のキャビティ部への未注入不良を皆
無にできる。
特に、加熱操作の停止と同時に加熱室７の蓋８を開放さ
せれば、樹脂タブレット９の樹脂モールド装置への供給
を敏速に行うことができ、作業性を改善できる。
せれば、樹脂タブレット９の樹脂モールド装置への供給
を敏速に行うことができ、作業性を改善できる。
尚、本発明において、高周波加熱装置は図示の他、両波
整流回路を用いることもできる。又、電流検出装置は抵
抗、メータリレーなどを利用でき以上のように本発明に
よｎば、樹脂タブレットの加熱温度に対応する高周波加
熱装置の負荷電流に基いて温度管理できるために、それ
の予備的な加熱温度を簡単かつ確“実に一定化でき、樹
脂モールド操作上のトラブルを皆無にできる０
整流回路を用いることもできる。又、電流検出装置は抵
抗、メータリレーなどを利用でき以上のように本発明に
よｎば、樹脂タブレットの加熱温度に対応する高周波加
熱装置の負荷電流に基いて温度管理できるために、それ
の予備的な加熱温度を簡単かつ確“実に一定化でき、樹
脂モールド操作上のトラブルを皆無にできる０
図は本発明方法を説明するための電気回路図である。
Claims (1)
- マグネトロンを具えた高周波加熱装置にて樹脂タフレッ
トを加熱する過程において、マグネトロンの陽極電流の
増加電流を検出し、この検出信号に基いて加熱操作を停
止させることを特徴とする樹脂タブレットの加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP395482A JPS58119809A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 樹脂タブレツトの加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP395482A JPS58119809A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 樹脂タブレツトの加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119809A true JPS58119809A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11571491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP395482A Pending JPS58119809A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 樹脂タブレツトの加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119809A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258429A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Fujitsu Ltd | マイクロ波電力応用装置の監視方法 |
| JP2010069350A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Hanex Co Ltd | 分離装置 |
| US8664860B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-03-04 | Furuno Electric Company, Limited | Cathode heating device of magnetron, microwave generating device and method of preheating cathode of magnetron |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP395482A patent/JPS58119809A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258429A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Fujitsu Ltd | マイクロ波電力応用装置の監視方法 |
| JP2010069350A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Hanex Co Ltd | 分離装置 |
| US8664860B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-03-04 | Furuno Electric Company, Limited | Cathode heating device of magnetron, microwave generating device and method of preheating cathode of magnetron |
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