JPS58118959A - Ultrasonic microscope - Google Patents

Ultrasonic microscope

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Publication number
JPS58118959A
JPS58118959A JP57000345A JP34582A JPS58118959A JP S58118959 A JPS58118959 A JP S58118959A JP 57000345 A JP57000345 A JP 57000345A JP 34582 A JP34582 A JP 34582A JP S58118959 A JPS58118959 A JP S58118959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
sample
echo
magnitude
reflected
Prior art date
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Pending
Application number
JP57000345A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kanda
浩 神田
Kiyoshi Ishikawa
潔 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57000345A priority Critical patent/JPS58118959A/en
Publication of JPS58118959A publication Critical patent/JPS58118959A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04Analysing solids
    • G01N29/06Visualisation of the interior, e.g. acoustic microscopy

Abstract

PURPOSE:To measure and display the magnitude of reflection intensity from a sample, which is not varied by the magnitude E of an RF signal to be applied, the transmitting and receiving sensitivity T of a transducer, and the amplification degree G of a receiver, by using the magnitude of reflection intensity from the surface of a lens and a medium, as a reference signal. CONSTITUTION:A signal from an RF continuous generator 300 is converted to an RF pulse signal by an analog switch 310, is applied to a transducer system 330 through a directional coupler 320, its reflection detecting signal is outputted as a reflecting signal from a sample, from a sampling circuit 380 through a directional coupler 320, an AGC receiving amplifier 350, an RF variable amplifier 360, and a diode detector 370, also an output of the AGC receiving amplifier 350 is passed through a sampling circuit 400, a reflecting signal is detected from the lens surface, and by comparing it with reference voltage, the gain of the AGC receiver 350 is controlled.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、超音波エネルギーを用いた撮儂装置特に超音
波顕微債に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photographing device using ultrasonic energy, particularly an ultrasonic microscope.

近年IGH2に及ぶ超高周波の音波の発生検出が可能と
なったので、水中で約1μmの音波長が実現できる事に
なり、その結果、高い分解能の音波Wjif&装置が得
られるようになった。即ち、凹面レンズを用いて集束音
波ビームを作り、1μmに及ぶ高い分解能を実現するの
である。(R,A。
In recent years, it has become possible to generate and detect ultra-high frequency sound waves up to IGH2, making it possible to realize sound wavelengths of about 1 μm underwater, and as a result, it has become possible to obtain high-resolution sound wave Wjif & devices. That is, a concave lens is used to create a focused sound wave beam, achieving a high resolution of 1 μm. (R, A.

レモン氏とC,F、フエーツ氏のAScanningA
coustic  Micrsscopeと題するIE
EE Cat。
Mr. Lemon, C, F, and Mr. Fates' AScanning A
IE entitled Coustic Microscope
EE Cat.

No、73CH148298UpI)423−426.
1973年所載の論文)。
No, 73CH148298UpI) 423-426.
Paper published in 1973).

そして、上記ビーム中に試料をそう人し、試料による反
射音波を検出して試料の弾性的性質を反映した情報を得
、あるいは試料を機械的に走査して儂ヲ作成するのであ
る。
Then, a sample is placed in the beam, and the reflected sound waves from the sample are detected to obtain information reflecting the elastic properties of the sample, or information reflecting the elastic properties of the sample is obtained, or information is created by mechanically scanning the sample.

このような音波像を得る従来例を第1.第2図を用いて
説明する。
A conventional example of obtaining such a sound wave image is shown in 1. This will be explained using FIG.

第1図は、試料から反射信号を得る九めの探−子糸の概
略構成を示す図である。図において、音波伝搬媒体(例
えばサファイア、石英ガラス等の円柱状の結晶)20t
I′i一端面は光学研磨され念平面であり、他端面は凹
面状の球面穴30が形成されている。圧電薄膜10に印
加されたRFパルス電気信号により結晶20内に平面波
のRFパルス音波が放射する。この平面音波は上記球面
穴30と媒質(一般に水)40の界面で形成された正の
レンズ(シ念がって、球面穴がし/ズの口径となるンに
より所定焦点におかれた試料50上に集束される。試料
50により反射された音波に同じレンズにより集音され
平面波に変換さnて結晶内20を伝播し、最終的に圧電
薄膜1oVCより電気信号に変換される。この様子をビ
デオ領域でみると、第2図の如くなる。ここで横軸は時
間軸をたて軸に信号強度を表わす。Al1打ち出しエコ
ー(echo) t、Bはレンズ界面3oからのエコー
(echO)1、又、Cは試料からの反射エコー(ec
ho)である。これ等は、繰り返し時間1.で反復され
る。反射エコーCは試料の音響性質や試料の走査によっ
て変化するからこの反射エコー〇を繰り返し時間1.で
標本化して、試料を機械走査濱せつつこれと同期して表
示すれば音波儂が得られることになる。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a ninth probe thread for obtaining a reflected signal from a sample. In the figure, 20 tons of sound wave propagation medium (for example, cylindrical crystal such as sapphire or quartz glass)
One end surface I'i is optically polished and is a plane, and the other end surface has a concave spherical hole 30 formed therein. An RF pulsed electrical signal applied to the piezoelectric thin film 10 causes a plane wave RF pulsed sound wave to be emitted within the crystal 20 . This plane sound wave is transmitted to the sample placed at a predetermined focus by a positive lens formed at the interface between the spherical hole 30 and the medium (generally water) 40 (in other words, the spherical hole has an aperture of The sound waves reflected by the sample 50 are collected by the same lens, converted into plane waves, propagated through the crystal 20, and finally converted into electrical signals by the piezoelectric thin film 1oVC.This situation When viewed in the video domain, it becomes as shown in Fig. 2. Here, the horizontal axis represents the signal intensity with the time axis perpendicular to the axis. Al1 launch echo (echo) t, B are echoes from the lens interface 3o (echO) 1. Also, C is the reflected echo from the sample (ec
ho). These have a repetition time of 1. is repeated. Since the reflected echo C changes depending on the acoustic properties of the sample and the scanning of the sample, this reflected echo C is repeated for a time of 1. If the sample is made into a sample with a machine and displayed in synchronization with the mechanical scanning, a sonic image can be obtained.

ところで、試料力島らの反射超音波の大いさは媒質と試
料の音響インピーダンスで定まり、次の反射率R ここで、 ZI:試料の音響インピーダンス Zw:a質の音質インピーダンス xsミZII/Zw:媒質の音響インピーダンスで規格
化した試料の音響インピーダンス(以下、相対インピー
ダンスと坪ぶン に比例する。この事情は、反射エコーCの大いさを調べ
る事により、試料の相対インピーダンスそのものを求め
得る事を示している。従って、この目的のためには反射
エコーCの大いさを何らかの絶対的基準レベルを基準と
して表現又は表示する必要がある。従来は、単に反射エ
コーCの大いさのみを用いて反射率Rに比例した電気信
号を輝度表示していた。即ち、第3図に示すようにRF
パルス発振器100の出力パルスを方向性結合器110
及び整合器120t−介してトランスデユーサ130に
印加する。反射超音波信号を含むRF電気信号は、整合
器120及び方向性結合器110を介して、可fRF増
巾器140で増巾後、ビデオ検波器150でダイオード
検波後(前記第2図の波形はこの出力波形に対応する)
、標本化回路160によりエコーCのみの大いさとして
取す出されCRTの輝度信号としているのである。本発
明者等は、この従来回路を検討した結果、従来表示さn
ている輝度信号と試料の反射率Rとの間の比例定数は、
主として、トランスデユーサ130に印加するRFパル
スの太いさE、)ランスデューサの送受波g度T及びビ
デオ領域まで含めた受信系の増中度Gの積で表わされる
事會見出した。
By the way, the magnitude of the reflected ultrasonic wave of the sample Rikishima et al. is determined by the acoustic impedance of the medium and the sample, and the reflectance R is as follows: ZI: Acoustic impedance of the sample Zw: A-quality sound impedance xs Mi ZII/Zw: The acoustic impedance of the sample normalized by the acoustic impedance of the medium (hereinafter referred to as relative impedance is proportional to Tsubobun. This situation indicates that the relative impedance of the sample itself can be determined by examining the magnitude of the reflected echo C. Therefore, for this purpose, it is necessary to express or display the magnitude of the reflected echo C using some absolute reference level as a reference. Conventionally, only the magnitude of the reflected echo C is used to calculate the reflectance R. In other words, as shown in Figure 3, the RF
The output pulse of the pulse oscillator 100 is transferred to the directional coupler 110.
and is applied to the transducer 130 via the matching box 120t. The RF electric signal including the reflected ultrasound signal passes through a matching box 120 and a directional coupler 110, is amplified by a fRF amplifier 140, and is diode-detected by a video detector 150 (the waveform shown in FIG. 2 above). corresponds to this output waveform)
, the magnitude of only the echo C is extracted by the sampling circuit 160 and used as the CRT luminance signal. As a result of studying this conventional circuit, the present inventors discovered that the conventional display n
The proportionality constant between the luminance signal and the reflectance R of the sample is:
We have found that this is mainly expressed by the product of the width E of the RF pulse applied to the transducer 130, the degree T of the transducer's transmission and reception, and the degree G of the receiving system including the video area.

従って、何らかの方法を用いて試料の反射率そのものの
大いさを定量的に求めるためには、これ等3つの量を巧
みに制御する必要があった。従来、印加RFパルスの太
いさEe固足して、反射エコーがある設定した大いさに
なるよう調整した時の増中度at反射エコーの大いさの
絶対値としている。ところが、使用する超音波周波数を
かえたり、センサそのものをかえると、トランスデユー
サの送受波感度そのものが変化するため、反射エコーの
大いさの絶対的基準として上記増巾度Gi用いるために
は、センサ毎に又使用超音波周波数毎に較正表を作成す
る必要があり、繁雑すぎて到底実用にならないのである
Therefore, in order to quantitatively determine the reflectance of the sample itself using some method, it was necessary to skillfully control these three quantities. Conventionally, when the thickness Ee of the applied RF pulse is fixed and the reflected echo is adjusted to a predetermined size, the degree of enhancement is defined as the absolute value of the size of the reflected echo. However, if the ultrasonic frequency used or the sensor itself is changed, the transmitting and receiving sensitivity of the transducer itself changes, so in order to use the above amplification degree Gi as an absolute standard for the magnitude of the reflected echo, It is necessary to create a calibration table for each sensor and each ultrasonic frequency used, which is too complicated to be practical.

本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、RFパルス
の太いさE、  トランスデユーサの送受波感度T及び
受信器の増巾度Gによって変化しないような反射エコー
の大いさの表示及びそれに必要な基準レベルを提供する
事を目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and provides an indication of the magnitude of a reflected echo that does not change depending on the thickness E of the RF pulse, the transmitting/receiving sensitivity T of the transducer, and the amplification degree G of the receiver. The purpose is to provide the necessary standard level.

即ち、本発明は従来むしろ無用なものとして扱われてき
たレンズと媒質の界面からのエコーBを基準信号として
用いることを特徴とするものである。
That is, the present invention is characterized in that the echo B from the interface between the lens and the medium, which has heretofore been treated as rather useless, is used as a reference signal.

勿論、このレンズ界面からのエコーBの大いさそのもの
も、試料からのエコーCの大いさと同様、上記の3つの
量、即ち印加するRF傷信号太いさE、  )う/スデ
ューサの送受波感度T1受信増巾器の増中度Gをかえた
場合変化するのであるが、両者の比はこれ等の量に依存
しない事を利用するのである。
Of course, the size of the echo B from the lens interface itself is the same as the size of the echo C from the sample, and is also based on the three quantities mentioned above: the thickness of the applied RF flaw signal E, the transmitting and receiving sensitivity of the transducer Although it changes when the amplification degree G of the T1 reception amplifier is changed, the ratio between the two is not dependent on these quantities.

以下、第4図を用いて定量的にこの事情を説明する。第
4図において、レンズ界面からのエコーBは、圧電薄膜
210からレンズ材220中発生した超音波パルスがレ
ンズ界面230で反射される現象より生ずるから、エコ
ーBの太いさvlはここで%ZL:レンズ材の音響イン
ピーダンスで与えられる。(Zw −Zt、 ) / 
(ZW +ZL )はレンズ界面そのものの反射率であ
る。
This situation will be quantitatively explained below using FIG. 4. In FIG. 4, the echo B from the lens interface is generated by the phenomenon that the ultrasonic pulse generated in the lens material 220 from the piezoelectric thin film 210 is reflected at the lens interface 230, so the thickness vl of the echo B is %ZL. : Given by the acoustic impedance of the lens material. (Zw −Zt, ) /
(ZW +ZL) is the reflectance of the lens interface itself.

他方、試料からの反射エコーCは、上記のレンズ界面2
30に到達した超音波パルスが更に媒質240中を減衰
しつつ伝播し、試料250で反射され再びレンズにより
集音される過程であるから、エコーCの大いさVcは、 ここで、αW:媒質中の単位伝播距り当りの減衰率 d:レンズ−試料間の距り で与えられる。4 ZLZW/ (ZL+Zw )”の
項はレンズ界面t−2度通過する際の透過率を、又、e
−2dw4は媒質中を距り2dだけ往復する除波むる減
衰率を表わしている。
On the other hand, the reflected echo C from the sample is reflected from the lens interface 2 above.
30, the ultrasonic pulse propagates through the medium 240 while being attenuated, is reflected by the sample 250, and is again collected by the lens, so the magnitude of the echo C, Vc, is: where αW: medium Attenuation rate d per unit propagation distance in the lens: given by the distance between the lens and the sample. 4 ZLZW/ (ZL+Zw)'' is the transmittance when passing through the lens interface t-2 degrees, and e
-2dw4 represents the attenuation rate of the wave removed as it travels back and forth in the medium over a distance of 2d.

従って、レンズ界面からのエコーBの大いさを基準とし
て、試料からの反射エコーCの大いさを表わせば、 ・・・・・・・・・・・・ (4) となり、上記3つの変化量E、T、 Gによらない反射
エコー〇の絶対レベルを設定する事が出来る。
Therefore, if we express the magnitude of the echo C reflected from the sample using the magnitude of the echo B from the lens interface as a standard, we get the following: (4) The above three amounts of change E, It is possible to set the absolute level of the reflected echo regardless of T or G.

かくすれば、最適な画偉を得るために、E、T。Thus, in order to obtain the optimum picture quality, E, T.

Gの設定を変えても、反射エコーCの大いさをレンズ界
面からのエコーBの大いさ全基準として表現した量は不
変であるから、画情観察と独立に計測する事が出来るの
である。
Even if the setting of G is changed, the amount expressed by the size of the reflected echo C as the overall standard for the size of the echo B from the lens interface remains unchanged, so it can be measured independently of image observation.

以上述べた如く、本発明によればRFパルスの太いさE
%)ランスデューサの送受波感度T及び受信器の増巾度
Gに依存しない、試料からの反射超音波エコーの大いさ
を計測する事が出来るのであるが、以下図面を用いて実
施例について述べる。
As described above, according to the present invention, the thickness of the RF pulse E
%) It is possible to measure the magnitude of the reflected ultrasonic echo from the sample without depending on the transmitting/receiving sensitivity T of the transducer and the amplification degree G of the receiver. An example will be described below with reference to the drawings.

第5図は本発明の一実施例を示す図で、RF連続波発振
器300で発生したRF連続波電気傷号(例えばIGH
lt−アナログスイッチ310で11i 継続時間1.(例えば10018)のRFパルス信号に
かえ(第6図(b)の制御信号)、方向性結合器320
を介してトランスデユーサ系330に印加する。反射検
出信号を方向性結合器320t−介して、AGC受信ア
ンプ350、及びRF’可変増巾器360で増巾後、ダ
イオード検波器370でビデオ信号(帯域〜10MH!
 )に変換し、タイムゲート標本化回路380t−用い
て所望の信号である試料からの反射信号C′t−標本化
して(第6図(d)の制御信号)撮倫用信号としている
。更にAGC受信アンプ360の出力(第6図(a)波
形)は、ダイオード検波器390でビデオ帯域で変換後
、タイムゲート標本化回路400(第6図(C)の制御
波形】でレンズ界面からのエコーBの大いさを検出し、
これとあらかじめ設定した基準電圧との差をコンパレー
タ410で検出、このコンパレータ410の出力を零に
するようにAGC受信器360のゲインを制御する構成
になっている。なお、コントロール回路360a、繰り
返し周期IIIで第6図ft)l〜(d)なる制御信号
を発生させる回路である。
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the present invention, in which RF continuous wave electrical damage signals (for example, IGH
11i with lt-analog switch 310 Duration 1. (for example, 10018) (control signal in FIG. 6(b)), the directional coupler 320
to the transducer system 330 via. After the reflected detection signal is amplified by the AGC reception amplifier 350 and the RF' variable amplifier 360 via the directional coupler 320t, the diode detector 370 converts it into a video signal (bandwidth ~10MH!).
), and the reflected signal C't from the sample, which is a desired signal, is sampled using the time gate sampling circuit 380t (control signal in FIG. 6(d)) and used as a signal for imaging. Furthermore, the output of the AGC receiving amplifier 360 (waveform in FIG. 6(a)) is converted in the video band by a diode detector 390, and then converted from the lens interface by a time gate sampling circuit 400 (control waveform in FIG. 6(c)). Detect the magnitude of echo B of
A comparator 410 detects the difference between this and a preset reference voltage, and the gain of the AGC receiver 360 is controlled so as to make the output of the comparator 410 zero. The control circuit 360a is a circuit that generates the control signals shown in FIG. 6 ft) l to (d) at a repetition period III.

かかる構成によれば、前述の印加RFパルスの太いさE
、)ランスデューサの送受波感度Tによらず、常にあら
かじめ設定した基準電圧値にレンズ界面からのエコーB
の大いさが一致するよう、AGCアンプ350のゲイン
が調整される(この時のAGCアンプのゲインtGoと
する)。従って、試料からの反射エコーも自動的に00
倍増巾されるから、可変増巾器360の増巾率Gt1に
用いて、 V c ” Gt・v3 ・・・・・・・・・・・・・
・・ (5)なる関係で、常にレンズ界面からのエコー
Bの大いさを基準として試料からの反射エコーCt−表
示又は計測する事が出来る。
According to this configuration, the width E of the applied RF pulse described above is
,) Regardless of the transducer's transmitting/receiving sensitivity T, the echo B from the lens interface always remains at the preset reference voltage value.
The gain of the AGC amplifier 350 is adjusted so that the magnitudes of the . Therefore, the reflected echo from the sample is also automatically 000.
Since the width is doubled, it is used as the amplification rate Gt1 of the variable amplifier 360, and V c ” Gt・v3 ・・・・・・・・・・・・・・・
Due to the relationship (5), the reflected echo Ct from the sample can always be displayed or measured based on the magnitude of the echo B from the lens interface.

第7図は、本発明の今一つの実施例を示す図で、RF連
続波発信器500、アナログスイッチ510、方向性結
合器520、)ランスデューサ530、制御回路540
は前記実施例と同一の働らきt行なう。反射検出信号は
RF可変増巾器550で増巾後、ダイオード検波器56
0でビデオ帯域に変換する(第6図(a)の波形ン。こ
れを2系統に分岐し、2つの櫟本化回路570,580
に入力する。
FIG. 7 is a diagram showing another embodiment of the present invention, including an RF continuous wave oscillator 500, an analog switch 510, a directional coupler 520, a transducer 530, and a control circuit 540.
performs the same function as in the previous embodiment. The reflected detection signal is amplified by an RF variable amplifier 550 and then sent to a diode detector 56.
0 to the video band (waveform shown in FIG. 6(a)). This is branched into two systems and converted into two circuits 570 and 580.
Enter.

挿木化回路570は第6図(C)のゲート波形によりレ
ンズ界面からのエコーBの大いさを検出し、挿木化回路
580は第6図(d)のゲート波形により試料からの反
射エコーCの大いさを検出する。本実施例では、この2
つの検出波形を入力とする割算器590の出力を表示又
は計測用信号としている。
The interpolation circuit 570 detects the magnitude of the echo B from the lens interface using the gate waveform shown in FIG. 6(C), and the interpolation circuit 580 detects the magnitude of the echo C reflected from the sample using the gate waveform shown in FIG. 6(d). Detect roughness. In this example, these two
The output of the divider 590 which receives the two detected waveforms as input is used as a display or measurement signal.

表示信号は、明らかに Valsp=V中へ−・・・・・・・・・・・・ (6
)    ・であたえられるから、本発明の効果が達成
される事は明らかである。
The display signal clearly goes into Valsp=V (6
) It is clear that the effects of the present invention can be achieved.

勿論、種本化回路570の出力?−?レベルにするよう
にAGC回路を含む前記実施例を付加してもよい。
Of course, the output of the seeding circuit 570? −? The above embodiment including an AGC circuit may be added to adjust the level.

以上述べた実施例で、前者はレンズ界面からのエコーB
の大いさ金定レベルにする事によって一後者はエコーB
とエコーCの大いさの比をとる事によって、本発明の目
的たるRFパルスの太いさE、トランスデユーサの送受
波感度T及び受信器の増中度GKよって変化しない反射
エコーの太いさの表示方法及び基準レベルを提供するも
のであって1本発明の趣旨を体し念構成であればこれに
限るものではない事は勿論である。
In the embodiments described above, the former is the echo B from the lens interface.
By setting the size to a fixed level, the latter becomes an echo B.
By taking the ratio of the size of the echo C and the size of the echo C, the thickness of the reflected echo that does not change depending on the thickness E of the RF pulse, the transmitting/receiving sensitivity T of the transducer, and the amplification degree GK of the receiver, which is the object of the present invention, can be calculated. It goes without saying that the present invention is not limited to this, as long as it provides a display method and a reference level, and it embodies the spirit of the present invention.

まとめれば、本発明によれば、その他の条件によらずに
レンズ界面からのエコーBの大いさを基準として、一義
的に試料からの反射エコーCの大いさを表示する手段を
与え、試料の反射率という試料固有の量を定量的に提供
するものであって、超音波顕微優等本業界への寄与は大
である。
In summary, according to the present invention, a means is provided for uniquely displaying the magnitude of the reflected echo C from the sample based on the magnitude of the echo B from the lens interface, regardless of other conditions, and the reflectance of the sample is It quantitatively provides sample-specific quantities, and its contribution to the ultrasonic microscopy industry is significant.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来の超音波顕微債の要部の概略構成を示す
図、第2図は、その動作を説明する逢め・の図、第3図
は、輝度信号を得る従来技術のブロック図を示す図、第
4図は、本発明を説明するための図、第5図は、本発明
の一実施例の構成を示すブロック図、第6図は、その動
作を説明するための波形図、第7図は、本発明の他の実
施例の構%+  図 第 2  図    。 第 3 図 第 4 m −:d−i 菖 5 図 慕 6 図 (d)                      
                  t コ上トロー
ル347 図
Fig. 1 is a diagram showing a schematic configuration of the main parts of a conventional ultrasonic microscope, Fig. 2 is a diagram illustrating its operation, and Fig. 3 is a block diagram of the conventional technology for obtaining a luminance signal. FIG. 4 is a diagram for explaining the present invention. FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation. FIG. 7 shows the structure of another embodiment of the present invention. Figure 3 Figure 4 m-:d-i Iris 5 Figure 6 Figure (d)
t Kojo Troll 347 Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、超音波顕微曖において、レンズ界面からの反射強度
の太い−g?基準として試料からの反射強度の大いさを
計測する手段を具備せしめたこと全特徴とする超音波顕
微債。
1. In ultrasonic microscopic ambiguity, the reflection intensity from the lens interface is thick -g? An ultrasonic microscope characterized by having a means for measuring the intensity of reflection from a sample as a reference.
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