JPS58117371A - バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ - Google Patents
バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプInfo
- Publication number
- JPS58117371A JPS58117371A JP21204081A JP21204081A JPS58117371A JP S58117371 A JPS58117371 A JP S58117371A JP 21204081 A JP21204081 A JP 21204081A JP 21204081 A JP21204081 A JP 21204081A JP S58117371 A JPS58117371 A JP S58117371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pump
- vacuum
- bulk getter
- sputtered ion
- pumps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/10—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
- F04B37/14—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、バルクゲッタポンプ素子とスパッタイオン
ポンプ素子を１個の真空憎内に特殊な配列に組合わせた
超高真空ポンプに関するものである。
ポンプ素子を１個の真空憎内に特殊な配列に組合わせた
超高真空ポンプに関するものである。
ペニング放電を利用したス・ゼツタイオンポンプは従来
より公知のもので、超高真空やきれいな真空を作るため
の真空ポンプとして使用されている。
より公知のもので、超高真空やきれいな真空を作るため
の真空ポンプとして使用されている。
通常のスパッタイオンポンプはネオン アルゴンなどの
稀ガスに対する排気速度が小さく、特に多量のアルザン
ガスを排気する際にはい、ｈゆるアＩレゴンガス不安定
性と呼ばれる現象を起し、ｌＥ力の周期的な変動を生じ
る欠点がある。そのために不活性がガスの排気を強化し
たいわゆるノープルポンプ又は不活性ガス排気強化ポン
プが使用層きれている。
稀ガスに対する排気速度が小さく、特に多量のアルザン
ガスを排気する際にはい、ｈゆるアＩレゴンガス不安定
性と呼ばれる現象を起し、ｌＥ力の周期的な変動を生じ
る欠点がある。そのために不活性がガスの排気を強化し
たいわゆるノープルポンプ又は不活性ガス排気強化ポン
プが使用層きれている。
又一方では、非常に活性なＺｒ−Ａｌ合金が金属のスト
リップの両面にそり、ぞれ例えばｊＯμの１９さ、重量
にして約１７■／Ｃ−にコートされ、このコートされた
Ｚｒ−Ａｌ合金属が活性非蒸発ゲッタとして働くノ々ル
クゲツタポンプが真空ポンプとして利用されていること
も従来より知られている。
リップの両面にそり、ぞれ例えばｊＯμの１９さ、重量
にして約１７■／Ｃ−にコートされ、このコートされた
Ｚｒ−Ａｌ合金属が活性非蒸発ゲッタとして働くノ々ル
クゲツタポンプが真空ポンプとして利用されていること
も従来より知られている。
しかしこのポンプは蒸発型ゲツタポンプと同様に活性ガ
スに対しては大きな排気速度をもっているが、不活性ガ
スを排気することは困難である欠点をもっている。
スに対しては大きな排気速度をもっているが、不活性ガ
スを排気することは困難である欠点をもっている。
そして、これらのポンプは、配管系を介し単独又は並列
に排気すべき真空槽に接続されて使用されるのが従来の
手段であった。
に排気すべき真空槽に接続されて使用されるのが従来の
手段であった。
本願の発明はノ々ルクゲツタポンプ素子とスノξツタイ
オンポンプ特にノープル型スノξツタイオン素子をＸｌ
（空排気すべき真空槽とゲート弁で連通する該ケ゛−ト
弁と熔ｊｄ一体化された真空槽内に組込み、相１ニ作用
を呈−ｔ７）ように配置し、上述した欠点を除去しよう
とするものである。
オンポンプ特にノープル型スノξツタイオン素子をＸｌ
（空排気すべき真空槽とゲート弁で連通する該ケ゛−ト
弁と熔ｊｄ一体化された真空槽内に組込み、相１ニ作用
を呈−ｔ７）ように配置し、上述した欠点を除去しよう
とするものである。
ず表わち、スノξツタイオンポンプは超高真空になると
水素や００などの排気速度が減少し、ノ々ルクゲツ３ｚ
ポンプは不活性ガスの排気ができないというお互いの欠
点を補償１２合うことのできる超尚真空キット気ポンプ
を提供することができる。
水素や００などの排気速度が減少し、ノ々ルクゲツ３ｚ
ポンプは不活性ガスの排気ができないというお互いの欠
点を補償１２合うことのできる超尚真空キット気ポンプ
を提供することができる。
又弁機栴を槽と一体熔接して付加しであるので、排気す
べき真空槽内を大気圧に１７だ場合でもボニ／ゾ素子を
設けｆｃ真空槽内を真空に保つことができるので、７ド
ンプの性能を１雫持しかつ寿命を伸ばすことができ、る
。このことは牛￥にノ々ルクゲツタボンプの寿ｆｉ５ヶ
艮くすることに１１要である。その理山は・々ルクゲツ
タポンプは大気にさらされると、常温の下でもゲッタ材
の表面層が活性ガスの吸収（すなわち排気）を起しその
ため寿命が著（−＜減少するからである。
べき真空槽内を大気圧に１７だ場合でもボニ／ゾ素子を
設けｆｃ真空槽内を真空に保つことができるので、７ド
ンプの性能を１雫持しかつ寿命を伸ばすことができ、る
。このことは牛￥にノ々ルクゲツタボンプの寿ｆｉ５ヶ
艮くすることに１１要である。その理山は・々ルクゲツ
タポンプは大気にさらされると、常温の下でもゲッタ材
の表面層が活性ガスの吸収（すなわち排気）を起しその
ため寿命が著（−＜減少するからである。
さらにバルクゲッタポンプとスパッタイオンポンプをす
ぐ近くで同一室内に設けて適切ガ装置にすることによっ
てスパッタイオンポンプ素子の放電区域内でガス分子は
励起活性化されるので、バルクゲッタポンプ素子での排
気能力はさらに高められるという相乗効果をもった排気
系が得られる。
ぐ近くで同一室内に設けて適切ガ装置にすることによっ
てスパッタイオンポンプ素子の放電区域内でガス分子は
励起活性化されるので、バルクゲッタポンプ素子での排
気能力はさらに高められるという相乗効果をもった排気
系が得られる。
以下図面について本願発明の実施例について説明する。
第１図Ａ、Ｂ、ｌ”！、Ｄは従来の使用型式を示す略図
であって、Ａは排気すべき負空槽／に管λを介してスパ
ッタイオンポンプ３を接続した状態を示し、Ｂけ排気す
べき真空槽／に管２を介してスノξツタイオンポンプ３
を接続すると共にこれに並列に管ＩＩＬを介してバルク
ゲッタポンプｊを接紘−シた状態を示し、（７、Ｉ）は
Ａ、Ｂにおける管コ、ｌにそれぞれ弁乙、７を設け、装
置の一部取替え々どに便利にした状態を示す。
であって、Ａは排気すべき負空槽／に管λを介してスパ
ッタイオンポンプ３を接続した状態を示し、Ｂけ排気す
べき真空槽／に管２を介してスノξツタイオンポンプ３
を接続すると共にこれに並列に管ＩＩＬを介してバルク
ゲッタポンプｊを接紘−シた状態を示し、（７、Ｉ）は
Ａ、Ｂにおける管コ、ｌにそれぞれ弁乙、７を設け、装
置の一部取替え々どに便利にした状態を示す。
第λ図Ａ、Ｂは本願発明の実施例を示すもので、Ａは排
気すべき真空槽７に取刊けるようＶＣしたゲイト弁ｇ全
真空ポンプ室りに一体に溶着形１’＋１４１．、真空ポ
ンプ室である真空槽７円に中央にノ々ルクグツタポンプ
素子ＩＯを配設し、その加熱用の導電線／／・／／′を
槽りの外方に導き、前記槽りのノ々ルクゲツタポンゾ１
０を取巻く位置に≠個の凹所／、２を設りその内部にス
バツ、タイオンポンプ素子／３を内蔵させる。その際各
スノ々ツタイオンポンプに付属するＮ、Ｓの磁極は槽り
の外方に設ける。
気すべき真空槽７に取刊けるようＶＣしたゲイト弁ｇ全
真空ポンプ室りに一体に溶着形１’＋１４１．、真空ポ
ンプ室である真空槽７円に中央にノ々ルクグツタポンプ
素子ＩＯを配設し、その加熱用の導電線／／・／／′を
槽りの外方に導き、前記槽りのノ々ルクゲツタポンゾ１
０を取巻く位置に≠個の凹所／、２を設りその内部にス
バツ、タイオンポンプ素子／３を内蔵させる。その際各
スノ々ツタイオンポンプに付属するＮ、Ｓの磁極は槽り
の外方に設ける。
Ｂは１山の実施例でスノξツタイオンポンプ１３がバル
クゲッタポンプｉｏの周囲に１個だけ設けらねた状態を
示している。
クゲッタポンプｉｏの周囲に１個だけ設けらねた状態を
示している。
本願発明のものでは、バルクゲッタポンプの動作温度は
１ｉ−ｏｏ℃程度でも良いし、超高真空領域では室温動
作でも良い。超高真空での主残留ガス成分はＨ８であ、
す、バルクゲッタポンプは室温でもＨ２の排気温度は余
り変らすｐｏｏ℃でのＳの約ｔｏ％程度でを）る。
１ｉ−ｏｏ℃程度でも良いし、超高真空領域では室温動
作でも良い。超高真空での主残留ガス成分はＨ８であ、
す、バルクゲッタポンプは室温でもＨ２の排気温度は余
り変らすｐｏｏ℃でのＳの約ｔｏ％程度でを）る。
なお第２図Ｂ中の／グは補助バルブであって、ｉＪ？ン
プ室りを予め真空にするために使用するものである。
プ室りを予め真空にするために使用するものである。
第１図は従来のポンプ配置の説明図であって、Ａは真空
槽にスパッタイオンポンプを単独に接続した図、１３は
真空槽にスパッタイオンポンプとノ々ルクゲツタポンゾ
を並列に接続した図、 Ｃ、Ｉ）はＡ、Ｂの各接続管に
弁を配置した図、第２図は本願発明の実施例を示す図で
あって、Ａはバルクゲッタポンプの周囲にＶ個のスパッ
タイオンを設けたもの、Ｂは１個のスパッタイオンを設
けたものを示す、 図中、／・・・真空槽、λ、グ・・・配管、３・・・ス
パッタイオンポンプ、り・・・ノ々ルクゲツタボンプ％
’１７・・・弁、７・・・排気すべき真空槽、ｒ・・・
ゲート弁、り・・・真空槽、ＩＯ・・・ノ々ルクゲツタ
ポンプ、 ／ ／ 、 ／ ／’・・・導ｆｉｌｌ、ｉ
ｓ・・・凹部、／３・・・スノξツタイオンポンプ、／
≠・・・弁。 図面の浄１（内容に変更なし） 壓１図 Ａ Ｂ ＣＤ 帛２図 Ａ Ｂ 手続補正書（方式） ■、事件の表示 昭和５６年 特許願 第２１２０４０号組合わせた超高
真空ポンプ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県茅ケ崎市萩園２５００番地名称 日
本真空技術株式会社 ４、代理 人 〒１０５ 住所 東京都港区西新橋１丁目１番１５号
物産ビル別館 電話（５９１）０２６１６、補正の内容 特許出願時にゼロックスの図面を提出したため図面を浄
書したもの 図面の浄占内容に変更な５
槽にスパッタイオンポンプを単独に接続した図、１３は
真空槽にスパッタイオンポンプとノ々ルクゲツタポンゾ
を並列に接続した図、 Ｃ、Ｉ）はＡ、Ｂの各接続管に
弁を配置した図、第２図は本願発明の実施例を示す図で
あって、Ａはバルクゲッタポンプの周囲にＶ個のスパッ
タイオンを設けたもの、Ｂは１個のスパッタイオンを設
けたものを示す、 図中、／・・・真空槽、λ、グ・・・配管、３・・・ス
パッタイオンポンプ、り・・・ノ々ルクゲツタボンプ％
’１７・・・弁、７・・・排気すべき真空槽、ｒ・・・
ゲート弁、り・・・真空槽、ＩＯ・・・ノ々ルクゲツタ
ポンプ、 ／ ／ 、 ／ ／’・・・導ｆｉｌｌ、ｉ
ｓ・・・凹部、／３・・・スノξツタイオンポンプ、／
≠・・・弁。 図面の浄１（内容に変更なし） 壓１図 Ａ Ｂ ＣＤ 帛２図 Ａ Ｂ 手続補正書（方式） ■、事件の表示 昭和５６年 特許願 第２１２０４０号組合わせた超高
真空ポンプ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県茅ケ崎市萩園２５００番地名称 日
本真空技術株式会社 ４、代理 人 〒１０５ 住所 東京都港区西新橋１丁目１番１５号
物産ビル別館 電話（５９１）０２６１６、補正の内容 特許出願時にゼロックスの図面を提出したため図面を浄
書したもの 図面の浄占内容に変更な５
Claims (1)
- 被排気真空槽に１方を取付けるようにしたゲート弁を一
体に浴］λした１個の真空槽内にノ々ルクゲツタボンプ
素子を設け、その周囲に真空槽内でスノぐツタイオンポ
ンプ素子を配設し、該スパッタイオンポンプ素子より発
生する励起されたガス分子がノ々ルクゲツタポンプ素子
にコートさＪｌ、た活性物質に作用することができるよ
うにしたことを特徴とするノ々ルクゲツタポンプとスパ
ッタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21204081A JPS58117371A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21204081A JPS58117371A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58117371A true JPS58117371A (ja) | 1983-07-12 |
| JPH0137595B2 JPH0137595B2 (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=16615868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21204081A Granted JPS58117371A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58117371A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6077404A (en) * | 1998-02-17 | 2000-06-20 | Applied Material, Inc. | Reflow chamber and process |
| US6361618B1 (en) | 1994-07-20 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming and maintaining high vacuum environments |
| US8287247B2 (en) | 2009-03-17 | 2012-10-16 | Saes Getters S.P.A. | Combined pumping system comprising a getter pump and an ion pump |
| US8342813B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-01 | Saes Getters S.P.A. | Combined pumping system comprising a getter pump and an ion pump |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP21204081A patent/JPS58117371A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361618B1 (en) | 1994-07-20 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming and maintaining high vacuum environments |
| US6077404A (en) * | 1998-02-17 | 2000-06-20 | Applied Material, Inc. | Reflow chamber and process |
| US6299689B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Reflow chamber and process |
| US8342813B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-01 | Saes Getters S.P.A. | Combined pumping system comprising a getter pump and an ion pump |
| US8287247B2 (en) | 2009-03-17 | 2012-10-16 | Saes Getters S.P.A. | Combined pumping system comprising a getter pump and an ion pump |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0137595B2 (ja) | 1989-08-08 |
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