JPS58116758A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58116758A JPS58116758A JP21212681A JP21212681A JPS58116758A JP S58116758 A JPS58116758 A JP S58116758A JP 21212681 A JP21212681 A JP 21212681A JP 21212681 A JP21212681 A JP 21212681A JP S58116758 A JPS58116758 A JP S58116758A
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- polycrystalline silicon
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高抵抗多結晶シリコン膜を必要とする半導体
装置を製造するのに好適な方法に関する０例えば、スタ
ティックＲｍでは負荷として高抵抗多結晶シリコン族を
使用することに依夛著しく高集積化することができる。
装置を製造するのに好適な方法に関する０例えば、スタ
ティックＲｍでは負荷として高抵抗多結晶シリコン族を
使用することに依夛著しく高集積化することができる。
ところが、その高抵抗多結晶シリコン族の抵抗値を所望
範囲に収めたものを得ることは困難である。
範囲に収めたものを得ることは困難である。
従来、斯る高抵抗多結晶シリコン膜を有する半導体装置
を製造する場合、不純物が導入された高抵抗多結晶シリ
コン族を形成後、不純物活性化或いはガラス・フローな
どの為の高Ｉｌ（例えｉｆ １０５０〔℃〕熱処理と、
その後でアルミニウム電極とシリコンの合金化、カバー
ＰＳＧの形成、水素アニールなどの為に低温（４００〜
５００（’Ｃ））熱処理を経ることＫなる。
を製造する場合、不純物が導入された高抵抗多結晶シリ
コン族を形成後、不純物活性化或いはガラス・フローな
どの為の高Ｉｌ（例えｉｆ １０５０〔℃〕熱処理と、
その後でアルミニウム電極とシリコンの合金化、カバー
ＰＳＧの形成、水素アニールなどの為に低温（４００〜
５００（’Ｃ））熱処理を経ることＫなる。
このような場合に於いて、前記高温熱処理の時点では、
当初、所定の抵抗値を維持するように不純物を導入した
高抵抗多結晶シリコン膜の抵抗値はそのまま保たれてい
るが、その後の低温熱処理を経ると、その抵抗値は大き
く低下し、しかも、その低下の仕方にはかなシのバラツ
キがあり不安定である。
当初、所定の抵抗値を維持するように不純物を導入した
高抵抗多結晶シリコン膜の抵抗値はそのまま保たれてい
るが、その後の低温熱処理を経ると、その抵抗値は大き
く低下し、しかも、その低下の仕方にはかなシのバラツ
キがあり不安定である。
前記のような多結晶シリコン族を例えはスタティックＲ
ＡＭの負荷として使用した場合、余夛抵抗値が高いと装
置は動作しないし、逆に低い場合に線電流を消費する割
には出力が得られないことになるので、前記のように抵
抗値の不安定性があると装置の製造歩留）及び信頼性は
極めて低いものとなる。
ＡＭの負荷として使用した場合、余夛抵抗値が高いと装
置は動作しないし、逆に低い場合に線電流を消費する割
には出力が得られないことになるので、前記のように抵
抗値の不安定性があると装置の製造歩留）及び信頼性は
極めて低いものとなる。
本発−は、極めて簡単な工程を付加するのみで抵抗値が
設計通〕に維持されてＶ、る高抵抗多結晶シリコン膜を
有する半導体装置か得られるようにするものでＴｏ！＋
１以下これを説明する。
設計通〕に維持されてＶ、る高抵抗多結晶シリコン膜を
有する半導体装置か得られるようにするものでＴｏ！＋
１以下これを説明する。
本発明では、高抵抗多結晶シリコン膜の形成後に実施さ
れゐ１０００（Ｃ）を越え２ような高温熱処理と５００
（Ｃ）以下の低温熱処理との間に、 ８００〜９００（
Ｃ）の温度で時間２０〔分〕＆！度の熱処理工程を挿入
するものである。
れゐ１０００（Ｃ）を越え２ような高温熱処理と５００
（Ｃ）以下の低温熱処理との間に、 ８００〜９００（
Ｃ）の温度で時間２０〔分〕＆！度の熱処理工程を挿入
するものである。
即ち、高抵抗多結晶シリコン族の形成後、不純物活性化
或いはガラス・フローを行なう為、温度約１０５０〔℃
〕、時間約１５〔分〕Ｏ熱処理を加える。
或いはガラス・フローを行なう為、温度約１０５０〔℃
〕、時間約１５〔分〕Ｏ熱処理を加える。
次に、温度８００〜９００（１：）０中温熱処環を時間
２０〔分〕程度施すと高抵抗多結晶シリ；ン膜の抵抗値
は上外すゐ。尚、この抵抗値は不純−量に依ってａする
ので、前記上昇分を見越してその量を定める必要がある
。
２０〔分〕程度施すと高抵抗多結晶シリ；ン膜の抵抗値
は上外すゐ。尚、この抵抗値は不純−量に依ってａする
ので、前記上昇分を見越してその量を定める必要がある
。
このように、温度８００〜９００（’Ｃ）の熱処理を施
すと、高抵抗多結晶シリコン膜の抵抗値は固定化され、
後に低温熱処理を加えても全く変化しない。
すと、高抵抗多結晶シリコン膜の抵抗値は固定化され、
後に低温熱処理を加えても全く変化しない。
図は熱処理温度と広がり抵抗（多結晶シリコン膜の表面
に於ける抵抗）の関係を表わす線図である。
に於ける抵抗）の関係を表わす線図である。
図に於いて、
１１００（℃）：高温処理
９００（Ｃ）：中温処理
４５０（’Ｃ）：低温処理
であって、１１００（Ｃ）＋９００（Ｃ）の熱処理を行
なったときの抵抗値と、それに加えて４５０（Ｃ）の熱
処理を行なり九ときの抵抗値との間に差が殆んどないこ
とに注目すべきである。
なったときの抵抗値と、それに加えて４５０（Ｃ）の熱
処理を行なり九ときの抵抗値との間に差が殆んどないこ
とに注目すべきである。
以上の説明で判るように、本発明に依れは、適当な抵抗
値を有する高抵抗多結晶シリコン族を必要とする半導体
装置を製造する場合に於いて、高抵抗多結晶シリコン膜
の形成後、温度１０００（ｕ）を越える高温熱処理を加
え、次に１温ｔ８００〜９００（Ｃ）の熱処理をするこ
とに依って高抵抗多結晶シリコン膜の抵抗値がその後の
低温熱処理を経ても変化しないように固定化することが
てきるので、特性良好で信頼性が高い半導体装置、特に
多結晶シリコン膜を負荷として用いている半導体装置を
製造するのに有効である。
値を有する高抵抗多結晶シリコン族を必要とする半導体
装置を製造する場合に於いて、高抵抗多結晶シリコン膜
の形成後、温度１０００（ｕ）を越える高温熱処理を加
え、次に１温ｔ８００〜９００（Ｃ）の熱処理をするこ
とに依って高抵抗多結晶シリコン膜の抵抗値がその後の
低温熱処理を経ても変化しないように固定化することが
てきるので、特性良好で信頼性が高い半導体装置、特に
多結晶シリコン膜を負荷として用いている半導体装置を
製造するのに有効である。
図は熱処理温度と広がり抵抗との関係を表わす線図であ
る。 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久 五 部（外３名）りＤＯ
’Ｃ４５０’Ｃ９００ａＣ 十 ５０ａＣ
る。 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久 五 部（外３名）りＤＯ
’Ｃ４５０’Ｃ９００ａＣ 十 ５０ａＣ
Claims (1)
- 高抵抗多結晶シリコン族が形成された半導体基板を不純
物活性化或いはガラス・ツク−などの為に温［１０００
（℃）を越える熱処理を加え、次に、前記高抵抗多結晶
シリコン膜の抵抗値を固定化する為に温度８００〜９０
０（Ｃ）の熱処理を加え、その後、５００（Ｕ）を越え
ない低温熱処理を経て装置を完成する工程が含まれるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21212681A JPS58116758A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21212681A JPS58116758A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116758A true JPS58116758A (ja) | 1983-07-12 |
Family
ID=16617311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21212681A Pending JPS58116758A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231362A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP21212681A patent/JPS58116758A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231362A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
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