JPS5811350A - 太陽熱吸収体の製法 - Google Patents
太陽熱吸収体の製法Info
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- JPS5811350A JPS5811350A JP56108481A JP10848181A JPS5811350A JP S5811350 A JPS5811350 A JP S5811350A JP 56108481 A JP56108481 A JP 56108481A JP 10848181 A JP10848181 A JP 10848181A JP S5811350 A JPS5811350 A JP S5811350A
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- JP
- Japan
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- solar heat
- copper
- formation treatment
- base material
- heat absorber
- Prior art date
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- Pending
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/25—Coatings made of metallic material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、太陽熱ｔ−利用する温水器などに坩いられ
る太ＩＩＩ熱徴収体に関するもので６る。
る太ＩＩＩ熱徴収体に関するもので６る。
太１ｌＩＩＩＪｋｌｉ収体としては、従来１種々のもの
が知られているが、Ｖｈずれも充分に満足できるという
ものではなかつ九。すなわち１通常の黒色ペイント等い
わゆる選択吸収膜としての性能をもたないものは熱効率
の面で劣る。ブラッククロム選択吸状膜はｉｉＲが高く
、しかも６価クロムを使用してつくられるため公害防止
鑑理に要する員担が大きい。ステンレススチールの表−
を酸化させて選択吸収１ｍをつくり九ものは、光学的特
性がやや悪い。
が知られているが、Ｖｈずれも充分に満足できるという
ものではなかつ九。すなわち１通常の黒色ペイント等い
わゆる選択吸収膜としての性能をもたないものは熱効率
の面で劣る。ブラッククロム選択吸状膜はｉｉＲが高く
、しかも６価クロムを使用してつくられるため公害防止
鑑理に要する員担が大きい。ステンレススチールの表−
を酸化させて選択吸収１ｍをつくり九ものは、光学的特
性がやや悪い。
このものもま九６価りσムを使用してつくられるたＩＩ
Ｄ、分書防止錫塩負担が大龜い。アル（ニウムの二次電
解によるものは、基材０耐蝕性が龜く。
Ｄ、分書防止錫塩負担が大龜い。アル（ニウムの二次電
解によるものは、基材０耐蝕性が龜く。
白錆が発生しゃすφ。銅板ｔｊｋ材とし、その表−に鐘
化菖ｌ銅または酸化第２銅の選択吸収膜を形成してなる
ものは、耐熱性や耐水性が悪く、徐々に光学的特性が劣
化する。そこで、基材表面にニツケルメツキに施して酸
化諺゛２銅の選４Ｒ畝収属を形成することが考え出され
た。これによると、下地が熱的νよび化学的に安定なた
め性乾の劣化は防ぐことができるが、鹸化１１２銅は近
赤外域での吸収率がＩｌ／に％Ａので、太陽光の吸収率
が少し不足するとめ５間ｍを避けることができない。
化菖ｌ銅または酸化第２銅の選択吸収膜を形成してなる
ものは、耐熱性や耐水性が悪く、徐々に光学的特性が劣
化する。そこで、基材表面にニツケルメツキに施して酸
化諺゛２銅の選４Ｒ畝収属を形成することが考え出され
た。これによると、下地が熱的νよび化学的に安定なた
め性乾の劣化は防ぐことができるが、鹸化１１２銅は近
赤外域での吸収率がＩｌ／に％Ａので、太陽光の吸収率
が少し不足するとめ５間ｍを避けることができない。
このような事情に鑑み、酸化第２鰯被膜を正体としこれ
に酸化Ｍ１ｍ被ｇｒａｍみ合わせて選択吸収膜ｔつくる
ことが、この弛１１肴らによって考え出さ７’Ｌ７老。
に酸化Ｍ１ｍ被ｇｒａｍみ合わせて選択吸収膜ｔつくる
ことが、この弛１１肴らによって考え出さ７’Ｌ７老。
すなわち、化成処理による酸化第２ｇ＃４は、結晶が葉
片状ないし繊維状でろるため口［域での吸収率は１．４
１４度と−いのでめるが、ｔＭＬ＊Ｌ１．７５〜２．５
ミクロンの近赤外域での吸収率が０．６ 程良と他端に
悪く、その点ＩＩｉ躾厚膜厚しても改善され゛ず、い友
すらに熱放射率が増加するばかりで６９゜他力、ｇｌｌ
化鎮ｌ鋼は表−が平滑でめる丸め、波長０．３〜２．５
ミクロンの領域での吸収率はｍ−〇、９０根度と程度小
さいので６るが、上記の領域の全域にわたって比較的高
い吸収率をもつ。そこて、これら両者を組み合わせるこ
とによって、Ｍ長０．３〜２．５ミクロンの領域全域に
わたって高い吸収率を維持しようとするものである。
片状ないし繊維状でろるため口［域での吸収率は１．４
１４度と−いのでめるが、ｔＭＬ＊Ｌ１．７５〜２．５
ミクロンの近赤外域での吸収率が０．６ 程良と他端に
悪く、その点ＩＩｉ躾厚膜厚しても改善され゛ず、い友
すらに熱放射率が増加するばかりで６９゜他力、ｇｌｌ
化鎮ｌ鋼は表−が平滑でめる丸め、波長０．３〜２．５
ミクロンの領域での吸収率はｍ−〇、９０根度と程度小
さいので６るが、上記の領域の全域にわたって比較的高
い吸収率をもつ。そこて、これら両者を組み合わせるこ
とによって、Ｍ長０．３〜２．５ミクロンの領域全域に
わたって高い吸収率を維持しようとするものである。
しかし、酸化第１銅は熱的に劣化倉受けやすいので、太
陽熱吸収体としての使用中、空焚きなどにより１５０℃
以上の＾温にさらされると酸化ｔ □受Ｖすて醸化
ａｇ２鋼になり、この酸化第２銅は泡状ないし粒状の結
晶でめるので、葉片状なｌ／ｂ Ｌ＊＃ｌｉ状の酸化第
２銅に比して、近赤外域での吸収率が町成り急くなる。
陽熱吸収体としての使用中、空焚きなどにより１５０℃
以上の＾温にさらされると酸化ｔ □受Ｖすて醸化
ａｇ２鋼になり、この酸化第２銅は泡状ないし粒状の結
晶でめるので、葉片状なｌ／ｂ Ｌ＊＃ｌｉ状の酸化第
２銅に比して、近赤外域での吸収率が町成り急くなる。
そのため、選択吸収膜の全膜厚に占める酸化Ｍｌ銅の比
率を少なくする必貴がある。選択吸収膜の全膜厚を４３
．１５〜Ｃ１，５０ミクロンとして、峻化譲ｌ銅の占め
る膜厚を０．ｔｌｌ−（Ｊ、０３ミクロン機度としたと
きが蝋艮でろる。っま９゜葉片状ないし繊維状の酸化第
２銅に酸化籐ｌ銅を組み合わせるがその比率を下げるこ
ととすれば。
率を少なくする必貴がある。選択吸収膜の全膜厚を４３
．１５〜Ｃ１，５０ミクロンとして、峻化譲ｌ銅の占め
る膜厚を０．ｔｌｌ−（Ｊ、０３ミクロン機度としたと
きが蝋艮でろる。っま９゜葉片状ないし繊維状の酸化第
２銅に酸化籐ｌ銅を組み合わせるがその比率を下げるこ
ととすれば。
・近赤外域での吸収率はこの酸化第ｌ鋼によって光分に
維持されるため、４／１期性Ｖ！は良＜、シか４頻度多
く空ｉ！きする勢により長時間の＃６ｔｌｔ化に受けて
酸化Ｊｌｌｌ鋼が泡状％Ｌ＜は粒状の酸化第２１１＃４
に変化するとしても、主成分たる葉片状もしくは繊維状
の酸化＠２銅が持りてぃ２ａ収皐は児全にそのまま維持
されるので、性絽の劣化は余り問題にならないのである
。
維持されるため、４／１期性Ｖ！は良＜、シか４頻度多
く空ｉ！きする勢により長時間の＃６ｔｌｔ化に受けて
酸化Ｊｌｌｌ鋼が泡状％Ｌ＜は粒状の酸化第２１１＃４
に変化するとしても、主成分たる葉片状もしくは繊維状
の酸化＠２銅が持りてぃ２ａ収皐は児全にそのまま維持
されるので、性絽の劣化は余り問題にならないのである
。
しかし１選ＩＲａ収腰全体に占める酸化縞ｌ銅の比率ｔ
ｃのような微量にとどめることは、なかなか困−で６つ
た。そこで、これｔ”容易に実視しうる方法につＪ！横
討を菖ねた。そのＭＪｉｋ、この発明者らの見出したと
ころＶζよると、基材表面のｍｋ化成兜埋するに当た９
、酸１Ｌ鋼とアルカリ剤を含む逃ｆ！！ＩＡ液中に珪酸
イオンを添加しておくと、処理奮いかに長時閾行なって
も所定量の戚化纂ｌ銅が安定して選択吸収膜中に残賀す
る。この発明はこのような知見に基づφて完成された。
ｃのような微量にとどめることは、なかなか困−で６つ
た。そこで、これｔ”容易に実視しうる方法につＪ！横
討を菖ねた。そのＭＪｉｋ、この発明者らの見出したと
ころＶζよると、基材表面のｍｋ化成兜埋するに当た９
、酸１Ｌ鋼とアルカリ剤を含む逃ｆ！！ＩＡ液中に珪酸
イオンを添加しておくと、処理奮いかに長時閾行なって
も所定量の戚化纂ｌ銅が安定して選択吸収膜中に残賀す
る。この発明はこのような知見に基づφて完成された。
すなわち、この発明は、基材の表面に、酸化第２銅を生
成分としこれに微量の酸化Ｊｌｌｌ鋼が合わさった遥＠
徴状膜をもつ太陽熱吸収体をつくるに当たや、銅を主成
分とする表−をもつ基材の表−に対し、鹸化剤とアルカ
リ剤の水浴液中に珪酸イオンを含ませてなる化成４６１
ｍ液を用いて化成処鳩′ｆＩｃ厖すことを醤徴とする太
陽熱吸収体の製法をその要旨とする。
成分としこれに微量の酸化Ｊｌｌｌ鋼が合わさった遥＠
徴状膜をもつ太陽熱吸収体をつくるに当たや、銅を主成
分とする表−をもつ基材の表−に対し、鹸化剤とアルカ
リ剤の水浴液中に珪酸イオンを含ませてなる化成４６１
ｍ液を用いて化成処鳩′ｆＩｃ厖すことを醤徴とする太
陽熱吸収体の製法をその要旨とする。
つぎにこれを靜しく説明するｒこの発明において、基材
（焦熱基材）は、銅、鉄、ステンレススチール、プラス
チックスその他、いかなるものでもよい。したがり・て
、基材としては、＃４もしくは銅合金を用いることもで
きるが、このような銅を多量に含有する基材は、使用中
に基材中の銅成分が酸化し、酸化銅からなる選択吸収膜
の膜厚が次＃Ｉに増」してゆく＃釆、１ｍ塾効率が低Ｆ
するのであまり好ましくなｉｏそこで、耐久性にすぐれ
丸太ｌ１ｌｌＩＴｏ＠収体を得るには、ステンレス鋼、
ニッケルゝ、クロムなど熱的および化学的に安定な金属
を基材として用−るかま九は、通常の基材のＳ血にニッ
ケル、クロム等の熟的ンよび化学的に安定な金属の層を
メッキ法などによシｓ成し、この基材の表面に銅または
銅合金の薄膜層、すなわち銅を生成分とする薄膜層を形
成し九のち、これを層化させて選択吸収膜とするのが好
ましい。銅または銅合金の薄膜層を形成する方法として
は、過電採用されるメッキ法、真空蒸着法、スパッタリ
ング法などを採用することができる。ま九、Ｃの場合の
＃１膜層の厚みは、俵で０．１５〜０．５ミクロン（−
）の厚みの選択吸収膜を形成することかでＩ！！るよう
な厚みであることが好ましく、その丸め、ｖ４除には０
．１−１ミクロン程度とするのが遍蟲で番り、Ｕ、ｌ−
０，７５ミクロン程度とするのがより好ましい。
（焦熱基材）は、銅、鉄、ステンレススチール、プラス
チックスその他、いかなるものでもよい。したがり・て
、基材としては、＃４もしくは銅合金を用いることもで
きるが、このような銅を多量に含有する基材は、使用中
に基材中の銅成分が酸化し、酸化銅からなる選択吸収膜
の膜厚が次＃Ｉに増」してゆく＃釆、１ｍ塾効率が低Ｆ
するのであまり好ましくなｉｏそこで、耐久性にすぐれ
丸太ｌ１ｌｌＩＴｏ＠収体を得るには、ステンレス鋼、
ニッケルゝ、クロムなど熱的および化学的に安定な金属
を基材として用−るかま九は、通常の基材のＳ血にニッ
ケル、クロム等の熟的ンよび化学的に安定な金属の層を
メッキ法などによシｓ成し、この基材の表面に銅または
銅合金の薄膜層、すなわち銅を生成分とする薄膜層を形
成し九のち、これを層化させて選択吸収膜とするのが好
ましい。銅または銅合金の薄膜層を形成する方法として
は、過電採用されるメッキ法、真空蒸着法、スパッタリ
ング法などを採用することができる。ま九、Ｃの場合の
＃１膜層の厚みは、俵で０．１５〜０．５ミクロン（−
）の厚みの選択吸収膜を形成することかでＩ！！るよう
な厚みであることが好ましく、その丸め、ｖ４除には０
．１−１ミクロン程度とするのが遍蟲で番り、Ｕ、ｌ−
０，７５ミクロン程度とするのがより好ましい。
銅を主成分とする表ｒｋＪをもつ基材の表−倉、下記の
化成Ｉ＆垣によって酸化し、選択吸収膜ｔつくる。すな
わち、この化成処理は、亜塩素酸ソーダ（ＮａＣ１０２
） 、過ａｍカリ（ＫｚＳｌｏｌ）などの酸化剤と苛性
ソー／ （Ｎ１国）、苛性カリ（ＫＯＨ） などのア
ルカリ剤の水ｓｇ中に珪酸イオンを含ませてなる化成鵡
場液をＪ４１−て行なわｎるものである。錫層方法は基
材を液中に浸漬するという方法によるのが一般的である
。珪酸イオンは、普通、水力ラスやコロイダルシリカな
どの珪酸イオン源を酸化剤とアルカリ剤の水錘液に＃ｌ
解させるという方法によって含ませる。珪酸イオン含有
量は、４Ｉに制限はなｉが、珪酸イオンを５ｉ０２
に換算して２００〜５０００ｐｐｍ とするのが適轟
でるる。２００ｐｐｍ未−であると、ｔｉ干の酸化第１
銅は残存するか４知れないが、光学的にみて効果が弱く
、逆に５０００ｐｐｍ ｔ−超えると、初期性能におい
て徴収率は＾いが放射率も大きくなる丸め、総合的効率
が逆に低Ｆする傾向が与られるからである。これを−１
に基−てより具体的に説明すると、菖１−にあられれて
いるように、珪酸イオンの含まない化成処理により九場
合１曲！ＩＡで示すごとき光学的特性しか得られなかっ
たものが、２００〜５０００ ｐｐｍの珪酸イオンを含
む化成処ｍによるとＩＩＩＭＢで示す光学的特性をもつ
ように改善され、＠酸イオン含有量が１００００ｐｐｃ
ｏの化成処理によると、――Ｃであられされているよう
に光学的特性は改善されるものの放射率が高くなる傾向
がみえている。
化成Ｉ＆垣によって酸化し、選択吸収膜ｔつくる。すな
わち、この化成処理は、亜塩素酸ソーダ（ＮａＣ１０２
） 、過ａｍカリ（ＫｚＳｌｏｌ）などの酸化剤と苛性
ソー／ （Ｎ１国）、苛性カリ（ＫＯＨ） などのア
ルカリ剤の水ｓｇ中に珪酸イオンを含ませてなる化成鵡
場液をＪ４１−て行なわｎるものである。錫層方法は基
材を液中に浸漬するという方法によるのが一般的である
。珪酸イオンは、普通、水力ラスやコロイダルシリカな
どの珪酸イオン源を酸化剤とアルカリ剤の水錘液に＃ｌ
解させるという方法によって含ませる。珪酸イオン含有
量は、４Ｉに制限はなｉが、珪酸イオンを５ｉ０２
に換算して２００〜５０００ｐｐｍ とするのが適轟
でるる。２００ｐｐｍ未−であると、ｔｉ干の酸化第１
銅は残存するか４知れないが、光学的にみて効果が弱く
、逆に５０００ｐｐｍ ｔ−超えると、初期性能におい
て徴収率は＾いが放射率も大きくなる丸め、総合的効率
が逆に低Ｆする傾向が与られるからである。これを−１
に基−てより具体的に説明すると、菖１−にあられれて
いるように、珪酸イオンの含まない化成処理により九場
合１曲！ＩＡで示すごとき光学的特性しか得られなかっ
たものが、２００〜５０００ ｐｐｍの珪酸イオンを含
む化成処ｍによるとＩＩＩＭＢで示す光学的特性をもつ
ように改善され、＠酸イオン含有量が１００００ｐｐｃ
ｏの化成処理によると、――Ｃであられされているよう
に光学的特性は改善されるものの放射率が高くなる傾向
がみえている。
この発明におりては、このように化成処ｍ液中に珪酸イ
オンを含ませている。赤外分光光度針を用いた熱放射の
測定分析によると、膜にＳｉｎｇ が生成して−るこ
と、この５ｉ（ｈ はいくら洗浄しても減少しないこ
とが確ｇされ友。そこで、この発明にかかる太陽熱吸収
体の製゛法では１選択吸収膜の生成時、酸化第ｌ鋼の周
りを珪酸イオンが結合した状態で塩９囲み、鹸化剤の攻
撃を防ぐ丸め。
オンを含ませている。赤外分光光度針を用いた熱放射の
測定分析によると、膜にＳｉｎｇ が生成して−るこ
と、この５ｉ（ｈ はいくら洗浄しても減少しないこ
とが確ｇされ友。そこで、この発明にかかる太陽熱吸収
体の製゛法では１選択吸収膜の生成時、酸化第ｌ鋼の周
りを珪酸イオンが結合した状態で塩９囲み、鹸化剤の攻
撃を防ぐ丸め。
長時間の！＆層によっても微量の酸化１ｇｌ鋼が安定的
に残存するのであろうと推定さｆ′Ｌ友。ちなみに。
に残存するのであろうと推定さｆ′Ｌ友。ちなみに。
分析時、１０００ ｃｍ＝に鉄収ビークがみられ丸。
選択吸収膜の全厚みは、Ｏ，Ｓミクロンより厚くすると
、使用中に加熱され九場合の熱放射が増大するのであま
り好ましくなく、逆に０．１５ミクロンよプ薄くすると
充分な黒さが得られず、熱吸収皐が低くなるのでやはシ
あまシ好ましくない。し九がって、選択吸収膜の全膜厚
は０．１５〜０．５ミクロンとするのが適蟲である。
、使用中に加熱され九場合の熱放射が増大するのであま
り好ましくなく、逆に０．１５ミクロンよプ薄くすると
充分な黒さが得られず、熱吸収皐が低くなるのでやはシ
あまシ好ましくない。し九がって、選択吸収膜の全膜厚
は０．１５〜０．５ミクロンとするのが適蟲である。
つぎに、上紀遥択吸収膜中における酸化ｓｇｌ銅層の膜
厚について述べると、この発明者らの長期にわたる継続
的な研究の結果、＃を化第１銅層および酸化＄１１２鋼
層からなる選択吸収膜において、上記酸化第ｌ銅層の厚
みがｏ、 ０３ ミクロンよりも小さく、ｏ、ｏｉミク
ロン以上であるような場合に最もすぐれた性能が得られ
ることが判明した。但し。
厚について述べると、この発明者らの長期にわたる継続
的な研究の結果、＃を化第１銅層および酸化＄１１２鋼
層からなる選択吸収膜において、上記酸化第ｌ銅層の厚
みがｏ、 ０３ ミクロンよりも小さく、ｏ、ｏｉミク
ロン以上であるような場合に最もすぐれた性能が得られ
ることが判明した。但し。
上記ｌｊｌ！択吸収膜およびそれに含まれる酸化第ｌ銅
層は、一般に空隙の多い層もしくは凹凸の多い層として
形成されるが、ここで言う厚みはすべて空−〇ない緻密
な膜もしくは凹凸のない平らな膜として換算した値であ
る。
層は、一般に空隙の多い層もしくは凹凸の多い層として
形成されるが、ここで言う厚みはすべて空−〇ない緻密
な膜もしくは凹凸のない平らな膜として換算した値であ
る。
Ｘ線回折では酸化第１ｆ１４を完全に把えることはでき
なかった。そこで、この酸化第１銅はおそらく無定形で
るろうと考えた。
なかった。そこで、この酸化第１銅はおそらく無定形で
るろうと考えた。
なお、上記において、＃Ｉ化第１ｊｌｌｌは選択吸収鯖
中に０．Ｏ１〜０．０３ミクロンだけ残留するのが好ま
しいとされたが、このように微量な酸化菖ｌ銅ｔ−確認
することはしばしば１−であシ、電解法によってでも仲
々うまく行きに＜〈、シたがって。
中に０．Ｏ１〜０．０３ミクロンだけ残留するのが好ま
しいとされたが、このように微量な酸化菖ｌ銅ｔ−確認
することはしばしば１−であシ、電解法によってでも仲
々うまく行きに＜〈、シたがって。
実験量的に数多くの中から選ばれた酸化膜１ ｍ ０．
０１〜１３．０３ ｔクロン残貿品と同じ光学畳性を示
すときは同量の残留蓋が得られていると判断する方法に
よるのがもつとも便利であり、実際上はこれにより九。
０１〜１３．０３ ｔクロン残貿品と同じ光学畳性を示
すときは同量の残留蓋が得られていると判断する方法に
よるのがもつとも便利であり、実際上はこれにより九。
このｉａ明にかかる太陽熱吸収体の製法は、上に述べた
ように構成されるため、これによれば初期光学的特性の
極めて良好な太陽ｆＩ！に吸収体が至極容易に得られる
。
ように構成されるため、これによれば初期光学的特性の
極めて良好な太陽ｆＩ！に吸収体が至極容易に得られる
。
以下に、実施例を比較例と併せて述べる。
まず、冷延鋼板上に厚み３μｍの光沢ニッケルメッキを
施し九〇ら、シアン化銅系のメッキによってその上に厚
み０．２ ｐｍの鋼メッキ１に施した。
施し九〇ら、シアン化銅系のメッキによってその上に厚
み０．２ ｐｍの鋼メッキ１に施した。
この鋼表面基材につぎのような化成処城を施した。
（’ｊｌｊ［ｆＡｌ ）
ＮａＣ１Ｏｓ ９０１／ ｌ 、 ＮｌＯＨ１１１０
１／ ｌ よｐなる水＃１１［中に３号水ガラスを溶
解させて、＠酸イオン含有量をＳｉ０ｇ換算で１５００
ｐｐｍ となるようにし九〇との化成処理液中で基材
を９０℃、１５分の条件で＃＆層したのち、ＩＬ水洗に
よりて基材表面のｐＨが中性を呈するまで洗浄した。
１／ ｌ よｐなる水＃１１［中に３号水ガラスを溶
解させて、＠酸イオン含有量をＳｉ０ｇ換算で１５００
ｐｐｍ となるようにし九〇との化成処理液中で基材
を９０℃、１５分の条件で＃＆層したのち、ＩＬ水洗に
よりて基材表面のｐＨが中性を呈するまで洗浄した。
〔実施例２〕
゛珪酸イオン含有量を５ｉ０ｚ換算で５０４１ ｐｐｍ
とじ丸軸は、実施例１と同様な化成錫層を行なった。
とじ丸軸は、実施例１と同様な化成錫層を行なった。
〔実施例３〕
ＮａＣｌ０ｇ ３０１／ｌ 、ＮａＯＨ６０１／ｌから
なる水浴液中にガラス黴粉末を加熱下で溶解させた。ｐ
過後、珪酸イオン含有量がＳｉ０ｇ換算で２５００ｐｐ
ｍとなるようにＮａＣｌ０ｍ ３０１／ ｌ −ＮａＯ
Ｈ６０１／ ｌ水＃［で希釈し友。そして、この化成逃
堰液中で基材ｔ−９０℃、１０分の条件で処理し九のち
、見金に流水洗し丸。
なる水浴液中にガラス黴粉末を加熱下で溶解させた。ｐ
過後、珪酸イオン含有量がＳｉ０ｇ換算で２５００ｐｐ
ｍとなるようにＮａＣｌ０ｍ ３０１／ ｌ −ＮａＯ
Ｈ６０１／ ｌ水＃［で希釈し友。そして、この化成逃
堰液中で基材ｔ−９０℃、１０分の条件で処理し九のち
、見金に流水洗し丸。
〔実施例４」
日本バーカライジング社製プラスボンドＢ（過硫酸カリ
の苛性ソーダ水＃ｌ献）３３０ｊｌｋ水に浴かせて１０
０ＯＩＩとし、これに日量化学社製リデウムンリケート
を溶解させて、珪酸イオン含有蓋が５１０２換算で１５
００ ｐｐｍ となるようにし友。この水＃液中で基材
ｔ−１００℃、１０分の条件で錫塩し。
の苛性ソーダ水＃ｌ献）３３０ｊｌｋ水に浴かせて１０
０ＯＩＩとし、これに日量化学社製リデウムンリケート
を溶解させて、珪酸イオン含有蓋が５１０２換算で１５
００ ｐｐｍ となるようにし友。この水＃液中で基材
ｔ−１００℃、１０分の条件で錫塩し。
絖いて完全に流水洗した。
〔実施例５〕
プラスボンドＢ ３３０ＩＩｔ−Ｌｏｔ）ＯＩＩに希釈
した水＃液に日量化学社製コロイダルシリカを溶解させ
て、珪酸イオン含有量が５ｉ（ｈ換算で５００ ｐｐｔ
ｎとなるようにし、その中で基材を１００″’Ｃ，１０
分の条件で処理し九のち、完全に流水洗した。
した水＃液に日量化学社製コロイダルシリカを溶解させ
て、珪酸イオン含有量が５ｉ（ｈ換算で５００ ｐｐｔ
ｎとなるようにし、その中で基材を１００″’Ｃ，１０
分の条件で処理し九のち、完全に流水洗した。
ＮａＣ１Ｏｘ ９０１１／ ／ 、 ＮａＯＨ９０１／
ｌ からなる水浴液中で基材ｉ９０℃、１５分の条
件下Ｉ＆場し。
ｌ からなる水浴液中で基材ｉ９０℃、１５分の条
件下Ｉ＆場し。
その後光分に水洗した。
以上の例に関する銅（Ｃｕ）メツ中厚、毅化菖２鋼（Ｃ
ｕＯ）膜厚、＃外域吸収ピークの測定結果は纂１表のと
おりである。
ｕＯ）膜厚、＃外域吸収ピークの測定結果は纂１表のと
おりである。
譲１表
米ｌ： メッキ厚は中央製作新製の電解式膜厚側定器を
使用。
使用。
米２： Ｃｕ０１１１厚は定電、ｍ３１元法を用ｉた
。
。
各−におｉて得られた太ｗｋ塾吸収体の２００℃耐熱テ
スト後における光学物性の測定結果は、鎮２表のと２９
で６９．実施例は―ずれも比較例に比しすぐれて一九。
スト後における光学物性の測定結果は、鎮２表のと２９
で６９．実施例は―ずれも比較例に比しすぐれて一九。
吸収率αおよび放射１ｓＣの＃Ａ、験刀法方法記のとν
りでるる。
りでるる。
ここでα；吸収率（太陽全エネルギーに対する）
ａλ；波長λでの吸収率
ＩＡ；太陽光の１１Ｅ★λの放射強度
’ａ、ｓ ５ＡＴ＝ｔｓｏ ｄλ
ここで６；放射率（黒体放射全エネルギーに対する）
Ｓａｔ＝ｔｉ。； １５０℃の黒体からの波長λの放射
強度 榔λ−献★λの放射＊（７１４体に対する）なお、＃外
分光光度針で赤外域の反射＊ ＰＡｔ−測定し、 ｇ
ｚ＝ｌ−ＦＡとし友。 ・
強度 榔λ−献★λの放射＊（７１４体に対する）なお、＃外
分光光度針で赤外域の反射＊ ＰＡｔ−測定し、 ｇ
ｚ＝ｌ−ＦＡとし友。 ・
鎮１図は、この発明にかかる方法によりてつくられた太
陽熱吸収体の光学脣性と比較例にかかる太＃ＩＩ熱吸収
体の光字物性をあられすグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人 弁理士 松 本 武 彦
陽熱吸収体の光学脣性と比較例にかかる太＃ＩＩ熱吸収
体の光字物性をあられすグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基材の表−に、ｉｌ化菖２銅を主成分としこ
れに微量の線化菖１銅が合わさり九遥択徴収膜をもつ太
Ｈ１１／ｂ吸収体ｔつくるに蟲え９．銅を主成分とする
表−をもつ基材の表面に対し、酸化剤とアルカリ剤の水
Ｓ＊中に珪酸イオンを含ませてなる化成処増畝を用いて
化ｌ１ｔＩＩ＆層を施すことを４Ｉ黴とする太陽熱吸収
体の製法。 （Ａ 選択吸収膜の全膜厚が０．１５〜０．５ミクロン
であるとともに、この選択吸収膜中において酸化菖１銅
がＱ、０１−Ｑ、０３（クロン程度の膜厚を占めて匹る
特許請求の１１ｉａｌＪｉＥｌｌｉｌ記載の太陽熱吸収
体の製法。 （刃 鋼を生成分とする表ｍを４つ基材が、熱的νよび
化学的に安定な金属の層をもちその表−に。 厚みＱ、 ｌ −１ｉ ／ ａ ンの南または銅合金か
らなる薄層が形成されたものである特許１１Ｘ（２）軸
囲纂１項または１ＩＩｈ２項記載の太陽熱吸収体の製法
。 （４）熱的および化学的に安定な金属がニッケルである
特許請求の範Ｗｉ菖３項紀載の太陽熱吸収体の製法。 （５）化成地塩畝の酸化剤が亜塩素酸ソーダであシ、ア
ルカリ剤が苛性ソーダである特許請求の一１ｉ！＃ｌ纂
１項から第４項までのいずれかに記載の太陽熱吸収体の
製法。 （６） 化成Ｉ＆Ｊｌ＃ＩＬの珪酸イオン含有量が、
珪酸イオ／１ｓｉＯ，Ｋ換算して２００〜５０００ｐｐ
ｍである特許請求の輻１ｉｊ１１項から第５項までのい
ずれかに記載の太陽熱徴収体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108481A JPS5811350A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 太陽熱吸収体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108481A JPS5811350A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 太陽熱吸収体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811350A true JPS5811350A (ja) | 1983-01-22 |
Family
ID=14485842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108481A Pending JPS5811350A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 太陽熱吸収体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811350A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111109286A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-05-08 | 江垣科技有限公司 | 一种混条式耐浸泡控量长效生成二氧化氯强氧化消毒块 |
| CN111109285A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-05-08 | 江垣科技有限公司 | 一种选择性强氧化室内喷雾用二氧化氯速溶物 |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56108481A patent/JPS5811350A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111109286A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-05-08 | 江垣科技有限公司 | 一种混条式耐浸泡控量长效生成二氧化氯强氧化消毒块 |
| CN111109285A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-05-08 | 江垣科技有限公司 | 一种选择性强氧化室内喷雾用二氧化氯速溶物 |
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